專利名稱：電氣裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電氣裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
有機EL(Electro Luminescence)元件、有機光電轉(zhuǎn)換元件及有機晶體管等電氣元件具有作為構(gòu)成要素之一的有機層。與不具有有機層的電子元件相比，這樣的電子元件容易因與空氣接觸而劣化。因此，在搭載有具有有機層的電子元件的電氣裝置中，為了抑制元件的劣化而進行了密封。密封例如通過以包圍搭載在支承基板上的電子元件的方式配置密封構(gòu)件，并隔著該密封構(gòu)件將密封基板貼合于支承基板來進行。即，由支承基板、密封基板及密封構(gòu)件包圍的區(qū)域與外界隔斷。密封構(gòu)件使用氣體不易通過的構(gòu)件，作為密封方法的一種，對使用玻璃作為這樣的密封構(gòu)件的玻璃料密封進行了研究。需要說明的是，玻璃料是指與通常的玻璃相比在低溫下熔融的薄片狀或粉末狀的玻璃(以下，簡稱為“玻璃料粉末”)，玻璃料密封通過使用將該玻璃料粉末分散到溶劑中而成的膏狀的玻璃料劑進行。在玻璃料密封中，首先，在搭載有電子元件的支承基板上以包圍該電子元件的方式供給玻璃料劑，接下來，通常進行臨時燒成來預(yù)先除去玻璃料劑的溶劑成分，之后，經(jīng)由玻璃料劑將密封基板貼合在支承基板上。并且，通過將激光向玻璃料劑照射來將玻璃料劑加熱熔融。當停止激光的照射時，玻璃料劑的溫度下降，玻璃料劑再固化。這樣，形成密封構(gòu)件，由支承基板、密封基板和密封構(gòu)件包圍的區(qū)域被氣密性地密封。玻璃料劑的加熱通過在其整周上照射激光來進行，但此時若產(chǎn)生加熱不均，則根據(jù)部位的不同熔融狀態(tài)會有所不同。其結(jié)果是，密封基板或支承基板與密封構(gòu)件的密接性、密封構(gòu)件自身的性狀產(chǎn)生不均，進而密封的可靠性降低。因此，在玻璃料密封中，需要將玻璃料劑在整周上均勻地加熱熔融。然而，若僅在玻璃料劑的整周上照射激光，通常玻璃料劑會產(chǎn)生加熱不均。玻璃料劑設(shè)置在規(guī)定的基底層上，但該基底層通常不是由均勻的構(gòu)件構(gòu)成的。在基底層上存在容易被加熱的部位和不易被加熱的部位。因此，即使向玻璃料劑均勻地照射激光，也會因基底層的熱特性而導(dǎo)致玻璃料劑產(chǎn)生加熱不均。例如在電氣裝置中，用于向電子元件輸入或輸出電氣信號的多根電氣配線以與玻璃料劑交叉的方式設(shè)置。在設(shè)置電氣配線的部位和沒有設(shè)置電氣配線的部位，照射激光時的加熱特性有所不同。例如在使用點徑比玻璃料劑的寬度大的激光的情況、或者激光的一部分透過玻璃料劑的情況下，由于向基底層也照射激光，因此除玻璃料劑之外基底層的溫度也上升。電氣配線通常與其它構(gòu)件相比容易被激光加熱。因此，從設(shè)置在電氣配線上的玻璃料劑向基底層的熱量的移動受到抑制，其結(jié)果是，設(shè)置在電氣配線上的玻璃料劑與設(shè)置在未設(shè)有電氣配線的部位上的玻璃料劑相比變得更高溫。這樣，若僅通過向玻璃料劑均勻地照射激光，存在無法將玻璃料劑均勻地加熱熔融這樣的問題。因此，在現(xiàn)有的技術(shù)中，在帶狀的電氣配線與玻璃料劑交叉的區(qū)域中，通過在帶狀、的電氣配線上設(shè)置多個孔，由此抑制加熱時的電氣配線的溫度上升，從而將玻璃料劑在整周上均勻地加熱熔融(例如參照專利文獻I)。在先技術(shù)文獻專利文獻專利文獻I日本特開2007-200835號公報如上所述，在帶狀的電氣配線上開設(shè)孔的情況下，若僅僅開設(shè)孔，會使電氣配線的電阻相應(yīng)地變高，因此為了降低電阻，在現(xiàn)有的技術(shù)中，將設(shè)置孔的部位的電氣配線的寬度設(shè)定為寬幅。在需要多根電氣配線的電氣裝置中，電氣配線高密度地設(shè)置，在這種情況下，難以僅限于與玻璃料劑交叉的區(qū)域地將電氣配線的寬度設(shè)定為寬幅。這樣，在現(xiàn)有的技術(shù)中，存 在設(shè)計的自由度降低這樣的問題。

發(fā)明內(nèi)容
從而，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠在不降低設(shè)計的自由度的情況下將密封材料均勻地加熱熔融的這種結(jié)構(gòu)的電氣裝置。本電氣裝置具有支承基板；在該支承基板上設(shè)定的密封區(qū)域內(nèi)設(shè)置的電路；在所述支承基板上，從所述密封區(qū)域內(nèi)向密封區(qū)域外延伸出地設(shè)置，并將外部的電氣信號輸入輸出源與所述電路電連接的電氣配線；包圍密封區(qū)域且設(shè)置在所述支承基板上的密封構(gòu)件；經(jīng)由所述密封構(gòu)件貼合在所述支承基板上的密封基板，所述電氣裝置的特征在于，所述電路具備具有有機層的電子元件，在俯視下所述密封構(gòu)件的寬度在所述電氣配線與所述密封構(gòu)件交叉的交叉區(qū)域和除了該交叉區(qū)域以外的非交叉區(qū)域中不同。另外，在本電氣裝置中，優(yōu)選所述交叉區(qū)域中的所述密封構(gòu)件的寬度A比所述非交叉區(qū)域中的所述密封構(gòu)件的寬度B大。另外，在本電氣裝置中，優(yōu)選電子元件為有機EL元件、有機光電轉(zhuǎn)換元件或有機
晶體管。另外，本電氣裝置的制造方法包括準備設(shè)置有所述電路及所述電氣配線的支承基板的工序；沿著所述密封區(qū)域的外緣供給構(gòu)成所述密封構(gòu)件的密封材料的工序；隔著構(gòu)成所述密封構(gòu)件的密封材料將所述密封基板貼合于所述支承基板的工序；向構(gòu)成所述密封構(gòu)件的密封材料照射電磁束，并將所述密封材料加熱熔融的工序；冷卻所述密封材料而使其固化，從而構(gòu)成所述密封構(gòu)件的工序，在供給密封材料的工序中，使供給的密封材料的寬度在所述交叉區(qū)域和所述非交叉區(qū)域中不同。另外，在本電氣裝置的制造方法中，優(yōu)選在配置有所述密封材料的整個區(qū)域上以相同的光強度照射所述電磁束。另外，在本電氣裝置的制造方法中，優(yōu)選所述電磁束的點徑C比所述非交叉區(qū)域中的所述密封構(gòu)件的寬度B大。另外，在本電氣裝置的制造方法中，優(yōu)選所述交叉區(qū)域中的所述密封構(gòu)件的寬度A比所述非交叉區(qū)域中的所述密封構(gòu)件的寬度B大，所述電磁束的點徑C等于或大于所述交叉區(qū)域中的所述密封構(gòu)件的寬度A。在這種情況下，能夠可靠地將密封構(gòu)件加熱·熔融。在本電氣裝置的制造方法中，優(yōu)選所述交叉區(qū)域中的所述密封構(gòu)件的寬度A比所述非交叉區(qū)域中的所述密封構(gòu)件的寬度B大，所述電磁束的點徑C比所述交叉區(qū)域中的所述密封構(gòu)件的寬度A小。在交叉區(qū)域中，與非交叉區(qū)域相比更促進加熱，因此即使在點徑C比寬度A小的情況下，也能夠?qū)⒚芊鈽?gòu)件加熱·熔融。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種可在不降低設(shè)計的自由度的情況下將密封材料均勻地加熱熔融的結(jié)構(gòu)的電氣裝置。


圖I是示意性地表示本實施方式的顯示裝置11的俯視圖。圖2是從圖I所示的剖開線II-II觀察到的顯示裝置11的剖視圖。圖3是放大且示意性地表示密封構(gòu)件16中的交叉區(qū)域21和非交叉區(qū)域22交替出現(xiàn)的區(qū)域的俯視圖。圖4是示意性地表示從圖3的剖開線IV-IV觀察到的顯示裝置的剖視圖。圖5是示意性地表示其它實施方式的顯示裝置的圖，是示意性地表示在其它實施方式的顯示裝置中與圖3相當?shù)牟课坏母┮晥D。圖6是示意性地表示電氣配線高密度地配置的區(qū)域與密封構(gòu)件交叉的交叉區(qū)域的圖。圖7是表示圖I所示的顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)的圖。圖8是表示有機EL元件的剖面結(jié)構(gòu)的圖。圖9是制造中途的顯示裝置的俯視圖。
具體實施例方式本發(fā)明的電氣裝置具有支承基板；在該支承基板上設(shè)定的密封區(qū)域內(nèi)設(shè)置的電路；在所述支承基板上，從所述密封區(qū)域內(nèi)向密封區(qū)域外延伸出地設(shè)置，而將外部的電氣信號輸入輸出源與所述電路電連接的電氣配線；包圍密封區(qū)域且設(shè)置在所述支承基板上的密封構(gòu)件；隔著所述密封構(gòu)件貼合在所述支承基板上的密封基板，其中，所述電路具備具有有機層的電子元件，在俯視觀察下，在所述電氣配線與所述密封構(gòu)件交叉的交叉區(qū)域和除了該交叉區(qū)域以外的非交叉區(qū)域內(nèi)，所述密封構(gòu)件的寬度不同。本發(fā)明的電氣裝置只要是裝入有如下的電路的電氣裝置即可，可以適用于任意的裝置，其中所述電路具備具有有機層的電子元件。作為具有有機層的電子元件，可以舉出有機EL元件、有機光電轉(zhuǎn)換元件及有機晶體管等。例如本發(fā)明的電氣裝置可以適用于作為像素的光源或背光而使用的有機EL元件被裝入到電路中的顯示裝置、作為太陽能電池或光傳感器而使用的有機光電轉(zhuǎn)換元件被裝入到電路中的光電轉(zhuǎn)換裝置、以及為了驅(qū)動或控制上述有機EL元件、有機光電轉(zhuǎn)換元件及其它電子元件而使用的有機晶體管被裝入到電路中的電氣裝置。需要說明的是，以下，以作為像素的光源而使用的有機EL元件被裝入到電路中的顯示裝置為例，對本發(fā)明的電氣裝置進行說明。顯示裝置主要包括有源矩陣驅(qū)動型的裝置、無源矩陣驅(qū)動型的裝置。本發(fā)明能夠適用于兩種類型的顯示裝置，但在本實施方式中，作為一例，對有源矩陣驅(qū)動型的顯示裝置進行說明。
<顯示裝置的結(jié)構(gòu)>首先，對作為電氣裝置的顯示裝置11的結(jié)構(gòu)進行說明。圖I是示意性地表示本實施方式的顯示裝置11的俯視圖。圖2是從圖I所示的剖開線II-II觀察到的顯示裝置11的剖視圖。圖7與圖2同樣，是詳細表示圖I所示的顯示裝置中，通過構(gòu)成電路14的EL元件的剖面結(jié)構(gòu)的圖。顯示裝置11包括支承基板12 ;在該支承基板12上設(shè)定的密封區(qū)域13內(nèi)設(shè)置的電路14 ;在支承基板12上，從所述密封區(qū)域13內(nèi)向密封區(qū)域13外延伸出地設(shè)置，而將外部的電氣信號輸入輸出源19與所述電路14電連接的電氣配線15 ;包圍密封區(qū)域13且設(shè)置在所述支承基板上的密封構(gòu)件16 ;隔著所述密封構(gòu)件16貼合在所述支承基板12上的密封基板17。在圖I中，設(shè)置在支承基板12的表面上且具有矩形環(huán)狀的形狀的部分與密封構(gòu)件16相當，由該密封構(gòu)件16包圍的部分相當于密封區(qū)域13。在本實施方式中，圖I所示的電路14如圖7所示那樣包括作為像素的光源而使用的多個有機EL元件(電子元件)24、獨立驅(qū)動這些有機EL元件24的像素電路PC。需要說 明的是，有機EL元件24位于隔壁IS之間而填充在這些隔壁IS之間的空間中，但為了使說明明確化，在圖7中，繪制成隔壁IS與有機EL元件24之間稍微分開。在從支承基板12的厚度方向的一方觀察(以下，稱作俯視觀察下)時，圖7所示的像素電路PC形成在顯示圖像信息的區(qū)域(以下，稱作圖像顯示區(qū)域18)。像素電路PC由有機晶體管、無機晶體管或電容器等構(gòu)成。在支承基板12上形成的像素電路PC上形成覆蓋該像素電路PC的絕緣膜ILl0絕緣膜ILl例如由樹脂所構(gòu)成的有機絕緣膜或無機絕緣膜構(gòu)成。需要說明的是，由于絕緣膜ILl的一部分在對玻璃料劑進行加熱熔融時被加熱，因此優(yōu)選絕緣膜ILl使用具有耐熱性的膜。因此，在絕緣膜ILl中，至少設(shè)置在對玻璃料劑進行加熱熔融時被加熱的部位處的絕緣膜ILl從耐熱性的觀點出發(fā)優(yōu)選由無機絕緣膜構(gòu)成。這樣的無機絕緣膜例如可以使用硅氧化膜、硅氮化膜、及硅氮氧化膜等金屬氧化膜。無機絕緣膜的厚度通常為50nm 3000nm左右。該絕緣膜ILl可以在形成電路14的工序中通過等離子體CVD法或濺射法等已知的成膜方法來形成。圖7所示的多個有機EL元件24設(shè)置在像素電路PC上。即，有機EL元件24在圖像顯示區(qū)域18中設(shè)置在上述絕緣膜ILl或者通過增厚該絕緣膜ILl的厚度而使表面平坦化的平坦化膜上。有機EL元件例如配置成矩陣狀，在圖像顯示區(qū)域18中分別在行方向X及列方向Y上隔開規(guī)定的間隔配置。各有機EL元件與像素電路PC通過沿厚度方向貫通絕緣膜ILl或平坦化膜的導(dǎo)電體Wl、W2而電連接。即，導(dǎo)電體Wl與有機EL元件24的上部電極El (參照圖8)連接，導(dǎo)電體W2與有機EL元件24的下部電極E2(參照圖8)連接，各導(dǎo)電體Wl、W2與像素電路PC連接。簡單的像素電路PC由單一的晶體管構(gòu)成，來自外部的電氣配線15向該晶體管的柵極輸入，將晶體管的一方的端子與電源電位連接，將另一方的端子與EL元件的上部電極El(參照圖8)連接，將EL元件的另一方的下部電極E2(參照圖8)與接地電位連接。當柵極存在來自電氣配線15的輸入時，晶體管導(dǎo)通，因此在有機EL元件24的電極El、E2之間施加電壓，電極E1、E2之間的發(fā)光層EL (參照圖8)發(fā)光。如上所述，電路14設(shè)置在支承基板12上設(shè)定的密封區(qū)域13內(nèi)。換言之，密封區(qū)域13設(shè)定在內(nèi)包圖像顯示區(qū)域18的區(qū)域內(nèi)，其中在圖像顯示區(qū)域18設(shè)置有電路14。
設(shè)置有電路14的支承基板12例如由玻璃板、金屬板、樹脂膜及它們的層疊體構(gòu)成。在朝向支承基板12射出光的所謂的底部發(fā)光型的有機EL元件搭載在支承基板12上的情況下，支承基板12由顯現(xiàn)出透光性的構(gòu)件構(gòu)成。在顯示裝置11中設(shè)置用于將規(guī)定的電氣信號向電路14輸入的多根電氣配線15。規(guī)定的電氣信號是指用于使多個有機EL元件分別以規(guī)定的光強度獨立發(fā)光的電氣信號，例如用于在配置成矩陣狀的有機EL元件中獨立地選擇應(yīng)當發(fā)光的元件的電氣信號或用于指定各元件的發(fā)光強度的電氣信號。由于在顯示裝置11中設(shè)置多個有機EL元件，因此需要用于傳送電氣信號的多根電氣配線。上述電氣信號從外部的電氣信號輸入輸出源19輸入。在顯示裝置11中，電氣信號輸入輸出源19通過所謂的驅(qū)動器實現(xiàn)。多根電氣配線15在支承基板12上從所述密封區(qū)域13內(nèi)向密封區(qū)域13外延伸設(shè)置，從而將電氣信號輸入輸出源19與電路連接。在所述多根電氣配線15上通常也設(shè)置絕緣膜20。S卩，電氣配線15通常由絕緣膜 20覆蓋。多根電氣配線15可以電路14為中心地從密封區(qū)域13內(nèi)向密封區(qū)域13外呈放射狀地延伸出，但在本實施方式中，如圖I所示，為了匯集于電氣信號輸入輸出源19，多根電氣配線15通過密封區(qū)域13的外緣的一邊而從密封區(qū)域13內(nèi)向密封區(qū)域13外延伸出。需要說明的是，外部的電氣信號輸入輸出源19是指比密封區(qū)域13靠外設(shè)置的機構(gòu)，可以如本實施方式那樣采用作為驅(qū)動器而設(shè)置在電氣裝置中的機構(gòu)，也可以采用不設(shè)置在電氣裝置中的機構(gòu)。電氣配線15由導(dǎo)電性高的金屬薄膜或透明導(dǎo)電性氧化物構(gòu)成。具體而言，由Al、Cu、Cr、W、Mo、ΙΤ0、IZO等薄膜或它們的層疊膜構(gòu)成。電氣配線的厚度通常為IOOnm 5000nm左右，其寬度通常為ΙΟμπι 200μπι左右。密封構(gòu)件16設(shè)置成在支承基板12上沿著密封區(qū)域13的外緣包圍密封區(qū)域13。 換言之，密封區(qū)域13是由密封構(gòu)件16包圍的區(qū)域，其外緣由密封構(gòu)件16規(guī)定。如上所述，由于多根電氣配線15設(shè)置成從密封區(qū)域13內(nèi)向密封區(qū)域13外延伸出，因此沿著密封區(qū)域的外緣延伸出的密封構(gòu)件16在俯視觀察下與多根電氣配線15交叉配置。需要說明的是，在本實施方式中，如前所述多根電氣配線15由絕緣膜20覆蓋，因此密封構(gòu)件16隔著絕緣膜20設(shè)置在電氣配線15上(參照圖4)。需要說明的是，絕緣膜ILl和絕緣膜20可以由相同的絕緣膜構(gòu)成，但也可以由不同的絕緣膜構(gòu)成。在本例中，絕緣膜20和絕緣膜ILl是共同的，絕緣膜20為共同絕緣膜IL2。以下，在密封構(gòu)件16的延伸的整個區(qū)域中，將俯視觀察下電氣配線15與密封構(gòu)件16交叉的區(qū)域稱作交叉區(qū)域21，并將除了該交叉區(qū)域21以外的其余區(qū)域稱作非交叉區(qū)域22。圖3是放大且示意性地表示密封構(gòu)件16中的交叉區(qū)域21和非交叉區(qū)域22交替出現(xiàn)的區(qū)域的俯視圖。另外，圖4是示意性地表示從圖3的剖開線IV-IV觀察到的顯示裝置的剖視圖。在圖3及圖4中，多根電氣配線15分別沿著Y軸方向延伸，密封構(gòu)件16沿著X軸方向延伸，它們在多個部分區(qū)域交叉且重疊。圖3及圖4相當于將圖I中配置成矩形形狀的密封構(gòu)件16中的位于Y軸負方向的一邊的部分放大而示出的圖。圖5是示意性地表示其它實施方式的顯示裝置的圖，是示意性地表示在其它實施方式的顯示裝置中與圖3相當?shù)牟课坏母┮晥D。在本實施方式中，在交叉區(qū)域21和非交叉區(qū)域22中，密封構(gòu)件16的寬度(Y軸方向?qū)挾冉徊鎱^(qū)域21中的與電氣配線15平行的尺寸)不同。以下，將分別與支承基板12的厚度方向(Z軸)及密封構(gòu)件16的延伸方向(在與電氣配線交叉的交叉區(qū)域中為X軸方向)垂直的方向(Y軸方向)規(guī)定為密封構(gòu)件16的寬度方向。并且，密封構(gòu)件16的寬度是指密封構(gòu)件16的寬度方向上的寬度。如圖3所示，交叉區(qū)域21中的密封構(gòu)件16的寬度A與非交叉區(qū)域22中的密封構(gòu)件16的寬度B不同。通過這樣使密封構(gòu)件16的寬度A和寬度B不同，由此在對構(gòu)成密封構(gòu)件16的密封材料進行加熱時，能夠同樣地加熱交叉區(qū)域21上的密封材料和非交叉區(qū)域22上的密封材料。在本實施方式中，在密封構(gòu)件16上設(shè)置的基底層配置有電氣配線15。該電氣配線15在俯視觀察下設(shè)置在交叉區(qū)域21內(nèi)，而沒有設(shè)置在非交叉區(qū)域22內(nèi)。這樣，存在設(shè)置電氣配線15的部位和沒有設(shè)置電氣配線15的部位，因此在對構(gòu)成密封構(gòu)件16的密封材料進行加熱時，從密封材料向基底層流動的熱量在交叉區(qū)域21和非交叉區(qū)域22有所不同。通常，電氣配線15的導(dǎo)熱系數(shù)比絕緣膜20的導(dǎo)熱系數(shù)大得多，因此通常交叉區(qū)域
21與非交叉區(qū)域22相比，在交叉區(qū)域21基底層的熱擴散系數(shù)(=導(dǎo)熱系數(shù)/(熱容量X密度))更大。因此，若密封材料與基底層的溫度差在非交叉區(qū)域22和交叉區(qū)域21相同，則交叉區(qū)域21與非交叉區(qū)域22相比密封材料的熱量更向基底層流動。另一方面，由于電氣配線15與絕緣膜20相比更吸收電磁束的能量，因此電氣配線15的溫度比絕緣膜20的溫度高。另外，由于電氣配線15的熱擴散系數(shù)更大，因此不僅直接吸收了電磁束的能量的部位的溫度上升，其附近的溫度也上升。因此，交叉區(qū)域21與非交叉區(qū)域22相比，基底層的溫度更高，其結(jié)果是，交叉區(qū)域21與非交叉區(qū)域22相比，密封材料的熱量更不易向基底層流動。這樣，從密封材料向基底層流動的熱量在交叉區(qū)域21和非交叉區(qū)域22有所不同，因此若假設(shè)密封構(gòu)件16的寬度A與寬度B相等，則在對密封材料進行加熱時，無法將交叉區(qū)域21上的密封材料和非交叉區(qū)域22上的密封材料同樣地加熱。因此，在本發(fā)明中，對密封構(gòu)件16的寬度A和寬度B進行了設(shè)計，從而在對密封材料進行加熱時，能夠?qū)⒔徊鎱^(qū)域21上的密封材料和非交叉區(qū)域22上的密封材料同樣地加熱。需要說明的是，在密封構(gòu)件16的寬度A與寬度B相等的情況下，當對密封材料進行加熱時，交叉區(qū)域21上的密封材料比非交叉區(qū)域22上的密封材料更高溫的情況居多，因此，優(yōu)選寬度A設(shè)定為比寬度B寬。在將密封構(gòu)件16的寬度A設(shè)定為比寬度B寬的情況下，密封構(gòu)件16可以形成為在交叉區(qū)域21中密封構(gòu)件16的一部分向?qū)挾确较虻膬煞?Y軸的正負的方向)突出且延伸出這樣的形狀(參照圖3)，也可以形成為在交叉區(qū)域21中密封構(gòu)件16的一部分僅向?qū)挾确较虻囊环?Y軸的正方向)突出且延伸出這樣的形狀(參照圖5)。密封構(gòu)件16的寬度及厚度考慮所需的氣密度或密封材料的特性等來設(shè)定，其寬度通常為500 μ m 2000 μ m左右，其厚度通常為5 μ m 50 μ m左右。另外，對于寬度A與寬度B的寬度差，考慮基底層的熱特性或密封材料的特性等來設(shè)定，通常為200 μ m 1000 μ m左右。需要說明的是，在本說明書中，交叉區(qū)域21是指電氣配線15與密封構(gòu)件16交叉的區(qū)域,但在電氣配線高密度地配置的情況下,將電氣配線高密度地配置的區(qū)域21的整個區(qū)域21’(參照圖6)視作設(shè)置電氣配線的區(qū)域，該設(shè)置電氣配線15的區(qū)域與密封構(gòu)件16交叉的區(qū)域21’在本說明書中也稱作交叉區(qū)域。即，在俯視觀察下，在電氣配線高密度地配置的區(qū)域與密封構(gòu)件16交叉的交叉區(qū)域21’，電氣配線15與密封構(gòu)件16交叉的區(qū)域和電氣配線15與密封構(gòu)件16不交叉的區(qū)域高密地反復(fù)交替出現(xiàn)，但在本說明書中，將交叉的區(qū)域和不交叉的區(qū)域高密度地反復(fù)交替出現(xiàn)的區(qū)域視作一體的區(qū)域作為交叉區(qū)域21’。電氣配線高密度地配置的區(qū)域是指，例如電氣配線 與電氣配線的間隔為IOOOym以下。需要說明的是，特定區(qū)域內(nèi)的寬度方向上的尺寸用特定區(qū)域的寬度方向上的中央的尺寸的值來定義。圖6是示意性地表示俯視觀察下電氣配線15高密度地配置的區(qū)域與密封構(gòu)件交叉的交叉區(qū)域21’的圖。如圖6所示，交叉區(qū)域21’(或各交叉區(qū)域21)中的密封構(gòu)件16的寬度A與除了該交叉區(qū)域21’以外的其余的非交叉區(qū)域22中的密封構(gòu)件的寬度B不同。需要說明的是，在圖6所示的實施方式中，也優(yōu)選交叉區(qū)域21’中的密封構(gòu)件16的寬度A比非交叉區(qū)域22中的密封構(gòu)件16的寬度B寬。密封基板17經(jīng)由密封構(gòu)件16貼合在支承基板12上。密封基板17由玻璃板、金屬板、樹脂膜、及它們的層疊體構(gòu)成。在朝向密封基板17射出光的所謂的頂部發(fā)光型的有機EL元件搭載于支承基板12的情況下，密封基板17由顯現(xiàn)出透光性的構(gòu)件構(gòu)成。<顯示裝置的制造方法>接下來，對顯示裝置的制造方法進行說明。本發(fā)明的電氣裝置的制造方法包括準備設(shè)置有電路及電氣配線的支承基板的工序；沿著密封區(qū)域的外緣供給構(gòu)成所述密封構(gòu)件的密封材料的工序；隔著構(gòu)成密封構(gòu)件的密封材料將密封基板貼合在所述支承基板上的工序；向構(gòu)成所述密封構(gòu)件的密封材料照射電磁束，將所述密封材料加熱熔融的工序；冷卻所述密封材料使其固化，從而構(gòu)成所述密封構(gòu)件的工序，在供給密封材料的工序中，使所供給的密封材料的寬度在所述交叉區(qū)域和所述非交叉區(qū)域中不同。(準備設(shè)置有電路及電氣配線的支承基板的工序)首先，準備圖I所示的設(shè)置有電路14及電氣配線15的支承基板12。在本實施方式中，準備其上形成有由驅(qū)動有機EL元件24的電路PC及多個有機EL元件24構(gòu)成的電路
14、及電氣配線15的支承基板12。需要說明的是，可以通過在支承基板12上形成驅(qū)動有機EL元件24的電路PC及電氣配線15，并在其上形成多個有機EL元件24，由此準備設(shè)置有電路14及電氣配線15的支承基板。像素電路PC及電氣配線15可以使用周知的半導(dǎo)體技術(shù)來形成。有機EL元件24通過層疊多層而構(gòu)成。具體而言，如圖8所示，包括一對電極Ε1、Ε2和設(shè)置在該電極El、Ε2間的發(fā)光層EL而構(gòu)成。例如，可以將上部電極El作為陰極，將下部電極Ε2作為陽極，反之亦可。需要說明的是，有機EL元件24除了發(fā)光層EL以外，可以根據(jù)需要而具備由正孔注入層、正孔輸送層及電子塊層等構(gòu)成的陽極側(cè)有機層L2、由電子注入層、電子輸送層及正孔塊層等構(gòu)成的陰極側(cè)有機層LI。電極El或Ε2可以與發(fā)光層EL直接接觸。有機EL元件24可以通過將構(gòu)成上述有機EL元件24的多層依次層疊而形成在像素電路PC(參照圖7)上。各層可以使用蒸鍍法或濺射法等干式法、或者噴墨法、噴嘴印刷法或旋涂法等濕式法來依次層疊。
(供給構(gòu)成密封構(gòu)件的密封材料的工序)在本工序中，沿著密封區(qū)域的外緣供給構(gòu)成密封構(gòu)件的密封材料。密封材料可以向支承基板12及密封基板17中的至少任一方供給。在本實施方式中，向密封基板17上供給密封材料。作為密封材料，在本實施方式中，使用膏狀的玻璃料劑。膏狀的玻璃料劑包括玻璃料粉末和賦形劑而構(gòu)成。賦形劑由粘合劑、分散該粘合劑及玻璃料粉末的溶劑構(gòu)成。需要說明的是，玻璃料粉末可以使用以V2O5、W、SnO、SnO2、P2O5、Bi203> B2O3、ZnO、及SiO2等為含有成分的低熔點玻璃粉末，例如可以使用旭硝子株式會社制的BAS115、BNL115BB-N、FP-74。粘合劑可以使用硝基纖維素(nitro cellulose)、丙烯酸甲酯(methyl acrylate)、丙烯酸乙酯(ethyl acrylate)、丙烯酸丁酯(butyl acrylate)、乙基纖維素(ethyl cellulose)、輕基丙基纖維素(hydroxypropyl cellulose)、丁基纖維素(butyl cellulose)等。溶 劑可以使用乙酸丁基卡必醇酯(butyl carbitol acetate)、二乙酸丙二醇酯(propyleneglycol diacetate)、甲乙酮(methyl ethyl ketone)、乙酸乙基卡必醇酯(ethl carbitolacetate)、醋酸戍質(zhì)(Amyl acetate)等。密封材料可以通過公知的涂敷方法向支承基板12及密封基板17中的至少任一方供給。例如可以通過網(wǎng)版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法及噴嘴印刷法等印刷法、以及使用了分配器的涂敷法等來供給。其中，為了使被涂敷面上的密封材料的膜厚的均勻性及涂敷狀態(tài)的再現(xiàn)性等膜厚控制性良好且縮短涂敷所需的時間，優(yōu)選網(wǎng)版印刷法。在供給密封材料的工序中，使所供給的密封材料的寬度在所述交叉區(qū)域和所述非交叉區(qū)域中不同。即，與通過將密封材料固化而形成的密封構(gòu)件的形狀同樣，使所供給的密封材料的寬度在所述交叉區(qū)域和所述非交叉區(qū)域中不同。這樣，通過使密封材料的寬度在所述交叉區(qū)域和所述非交叉區(qū)域中不同，其結(jié)果是，能夠使通過將該密封材料固化而得到的密封構(gòu)件的寬度在所述交叉區(qū)域和所述非交叉區(qū)域中不同。接下來，在本實施方式中，進行臨時燒成。通過進行臨時燒成，能夠除去密封材料中的多余成分。即，通過進行臨時燒成，溶劑氣化且粘合劑燃燒，由此從玻璃料劑除去賦形齊U。其結(jié)果是，在密封基板17上殘留玻璃料粉末。臨時燒成在能夠除去賦形劑的溫度下進行，例如在300°C 500°C下進行。需要說明的是，在除了密封材料之外還在密封基板17上設(shè)置有通過加熱而發(fā)生化學(xué)變化這樣的構(gòu)件的情況下，優(yōu)選在臨時燒成中僅對密封材料及其周邊區(qū)域進行加熱。例如在密封基板上還設(shè)置有電路的一部分且該電路的特性會因受熱而劣化的情況下，優(yōu)選以使形成在密封基板上的電路不被加熱的方式進行臨時燒成。另夕卜，在本實施方式中，向密封基板上供給密封材料，但在假設(shè)向支承基板上供給密封材料且將密封材料臨時燒成的情況下，為了防止有機EL元件及像素電路因臨時燒成而劣化，優(yōu)選僅對密封材料及其周邊區(qū)域進行加熱。(將密封基板貼合于支承基板的工序)接下來，將密封基板貼合于支承基板。在本實施方式中，使用光固化性樹脂進行臨時密封。臨時密封例如通過如下方式進行首先沿著密封材料而向密封材料的外側(cè)供給光固化性樹脂，接下來，在真空中或非活性氣體氣氛中，將密封基板17貼合于支承基板12。圖9是基板貼合后的顯示裝置的俯視圖，省略了密封基板17的記載。臨時密封構(gòu)件16A以包圍密封構(gòu)件16的外側(cè)的方式配置。需要說明的是，也可以將填充材料N向密封了的空間內(nèi)填充。進而，通過向光固化性樹脂照射光，使光固化性樹脂固化，由此利用光固化性樹脂對密封區(qū)域進行臨時密封。光固化性樹脂例如可以使用紫外線固化型環(huán)氧樹脂或紫外線固化型丙烯酸樹脂。圖I 圖6中雖未示出光固化性樹脂，但在進行臨時密封的情況下，由于光固化性樹脂沿著密封構(gòu)件16延伸，因此實際上，例如圖I中表示密封構(gòu)件16及構(gòu)成臨時密封構(gòu)件16A的光固化性樹脂的兩根線如圖9所示那樣沿著密封區(qū)域的外緣延伸。需要說明的是，在光固化性樹脂與密封構(gòu)件16接近配置的情況下，在將密封材料利用激光加熱熔融時光固化性樹脂可能會燃燒，因此優(yōu)選光固化性樹脂與密封構(gòu)件16分開O. 5mm以上配置。另外，作為其它實施方式，在玻璃料密封后，可以將臨時密封所需要的部位但對電氣裝置的結(jié)構(gòu)而言不需要的部位從電氣裝置切掉，也可以在例如臨時密封所使用的光固化性樹脂與密封構(gòu)件之間將基板切斷，將配置有光固化性樹脂的部分作為不需要的部分從電 氣裝置切掉。在這種情況下，在進行臨時密封時，光固化性樹脂以從密封構(gòu)件16離開規(guī)定的距離而包圍密封構(gòu)件16的方式配置為好。在真空中進行臨時密封的情況下，作為真空度，優(yōu)選IPA 90kPA。另外，在非活性氣體氣氛中進行臨時密封的情況下，優(yōu)選在露點為_70°C以下的非活性氣體氣氛中進行臨時密封。需要說明的是，作為非活性氣體，可以使用氬或氮。另外，向光固化性樹脂照射的光可以使用紫外線。這樣，通過在真空中或非活性氣體氣氛中進行臨時密封，由此能夠使密封區(qū)域中的水分濃度及氧濃度與大氣相比減少。需要說明的是，在臨時密封中，氣密度低，但在臨時密封的狀態(tài)下進行后述的玻璃料密封時，通過提高密封區(qū)域的氣密度而能夠保持密封區(qū)域中的水分濃度及氧濃度與大氣相比得以降低的狀態(tài)。密封基板17與支承基板12的貼合可以對準標記為基準來進行。例如可以預(yù)先在密封基板17及支承基板12上分別設(shè)定對準標記，利用光學(xué)傳感器對該對準標記的位置進行識別，并根據(jù)識別出的位置信息來進行密封基板17及支承基板12的對位，之后，將密封基板17與支承基板12貼合。(將密封材料加熱熔融的工序)在本實施方式中，在臨時密封后，在大氣中將密封材料加熱熔融。密封材料的加熱熔融通過向構(gòu)成密封構(gòu)件16的密封材料照射電磁束來進行。電磁束的照射從支承基板12及密封基板17中的密封基板側(cè)進行。即，將射出電磁束的頭部(以下，稱作電磁束照射頭)配置在密封基板17上，并朝向密封基板17照射電磁束。從電磁束照射頭射出的電磁束透過密封基板17而向密封材料照射。電磁束優(yōu)選使用能量密度高的光，優(yōu)選使用激光。另外，電磁束優(yōu)選使用使密封材料有效地吸收光能量且以高透射率透過密封基板17這種波長的光。換言之，密封基板17優(yōu)選使用電磁束能夠透過的構(gòu)件，密封材料優(yōu)選使用吸收電磁束的材料。電磁束所使用的光的峰值波長通常為190nm 1200nm，優(yōu)選為300nm llOOnm。放射電磁束的激光裝置可以使用例如YAG激光器、半導(dǎo)體激光器(二極管激光器)、氬離子激光器、準分子激光器等。電磁束的照射例如可以使用能夠?qū)㈦姶攀丈漕^三維移動的控制裝置來進行。例如可以與密封材料之間隔開規(guī)定的間隔來配置電磁束照射頭，向密封材料照射電磁束并同時使電磁束照射頭沿著密封材料進行掃描。需要說明的是，電磁束的照射可以使電磁束的光強度變動來進行，但優(yōu)選在配置有密封材料的整個區(qū)域上以相同的光強度照射所述電磁束。這是為了使裝置的設(shè)定變得簡單。另外，雖然也可以在改變光強度時降低電磁束照射頭的掃描速度，但在將光強度保持為一定并同時使電磁束照射頭進行掃描的情況下，能夠縮短使電磁束照射頭沿著密封材料繞一周時所需的時間。需要說明的是，電磁束的照射可以通過使電磁束照射頭相對于貼合后的密封基板17及支承基板12相對地掃描來進行，并不局限于電磁束照射頭，例如也可以通過使貼合后的密封基板17及支承基板12移動來進行，還可以通過使貼合后的密封基板17及支承基板12和電磁束照射頭這兩方移動來進行。貼合后的密封基板17及支承基板12的移動可以通過在設(shè)置有移動機構(gòu)的臺架上載置貼合后的密封基板17及支承基板12并使該臺架移動來進行。優(yōu)選對電磁束的點徑進行調(diào)整。在本說明書中，將向密封材料照射的位置處的電磁束的直徑記為點徑C。點徑C的大小可以通過使用聚光透鏡等光學(xué)要素來調(diào)整。需要說明的是，在本說明書中，點徑C是指，用與光軸垂直的平面切斷電磁束時，將相對于光軸上的光強度而言光強度成為“l(fā)/e~2”的位置連結(jié)而形成的大致圓形狀的閉合曲線的直徑，符號“e”意味著納皮爾數(shù)。需要說明的是，所述大致圓形狀的閉合曲線并不一定為正圓，但在求解大致圓形狀的閉合曲線的直徑的情況下，可以將大致圓形狀的閉合曲線近似于圓來算 出其直徑。優(yōu)選電磁束的點徑C比非交叉區(qū)域中的密封構(gòu)件16的寬度B大。這樣，通過使點徑C比非交叉區(qū)域中的密封構(gòu)件16的寬度B大，由此能夠在寬度方向上遍及整體地將密封構(gòu)件16加熱，能夠防止密封構(gòu)件16被局部加熱的情況。進而，優(yōu)選電磁束的點徑C等于或大于所述交叉區(qū)域中的密封構(gòu)件16的寬度A。這樣，通過使點徑C等于或大于交叉區(qū)域中的密封構(gòu)件16的寬度A，由此在交叉區(qū)域中，也能夠在寬度方向上遍及整體地將密封構(gòu)件16加熱，能夠防止密封構(gòu)件被局部加熱的情況。需要說明的是，在交叉區(qū)域中，熱量容易沿著電氣配線15而均勻化，因此也可以在不增大點徑C的情況下遍及寬度方向而將密封構(gòu)件均勻地加熱。在這種情況下，優(yōu)選電磁束的點徑C比所述交叉區(qū)域中的密封構(gòu)件16的寬度A小且比所述非交叉區(qū)域中的密封構(gòu)件16的寬度B大。這樣，通過減小電磁束的點徑C，由此能夠提高能量密度，能夠有效地將密封構(gòu)件16加熱熔融。(構(gòu)成密封構(gòu)件的工序)接下來，將熔融了的密封材料冷卻并使其固化，從而構(gòu)成密封構(gòu)件。需要說明的是，熔融了的密封材料可以通過降低顯示裝置的周圍的溫度來得以冷卻，但也可以通過自然冷卻來降低其溫度。例如通過停止電磁束的照射而密封材料的溫度自然地降低，因此熔融了的密封材料自然地固化。如以上所說明的那樣，在本實施方式中，在俯視觀察下，使所述密封構(gòu)件的寬度在所述電氣配線與所述密封構(gòu)件交叉的交叉區(qū)域和除了該交叉區(qū)域以外的非交叉區(qū)域中不同。需要說明的是，在形成密封構(gòu)件的工序中，使密封材料的寬度不同。這樣，通過使密封材料的寬度不同，由此能夠?qū)⒚芊獠牧媳榧捌湔艿鼐鶆蚣訜?，其結(jié)果是，能夠使密封構(gòu)件的性狀在整周上均勻，能夠使密封構(gòu)件與支承基板及密封基板的密接性均勻。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)可靠性高的顯示裝置。需要說明的是，在本實施方式中，通過調(diào)整密封構(gòu)件的寬度，由此減小交叉區(qū)域21與非交叉區(qū)域22的密封材料的溫度上升的差異，因此不需要對電氣配線的形狀進行變更，能夠維持電氣配線的設(shè)計的自由度且實現(xiàn)可靠性高的顯示裝置。
以上，對電路設(shè)置于支承基板這種形態(tài)的顯示裝置進行了說明，但在密封基板上也可以設(shè)置電路。例如可以將驅(qū)動電路的一部分的像素電路設(shè)置于支承基板上，且將有機EL元件設(shè)置于密封基板上。需要說明的是，設(shè)置在支承基板上的像素電路和設(shè)置在密封基板上的有機EL元件通過規(guī)定的導(dǎo)電性構(gòu)件電連接。另外，在上述的顯示裝置中，對設(shè)置有機EL元件作為具有有機層的電子元件的顯示裝置進行了說明，但構(gòu)成像素電路的一部分的晶體管可以使用有機晶體管作為具有有機層的電子元件。符號說明
11 顯示裝置12 支承基板13 密封區(qū)域14 電路15 電氣配線16 密封構(gòu)件17 密封基板18 圖像顯示區(qū)域19 電氣信號輸入輸出源20 絕緣膜21 交叉區(qū)域22 非交叉區(qū)域
權(quán)利要求
1.一種電氣裝置，其具有 支承基板； 在該支承基板上設(shè)定的密封區(qū)域內(nèi)設(shè)置的電路； 在所述支承基板上從所述密封區(qū)域內(nèi)向密封區(qū)域外延伸設(shè)置，并將外部的電氣信號輸入輸出源與所述電路電連接的電氣配線； 包圍密封區(qū)域且設(shè)置在所述支承基板上的密封構(gòu)件； 隔著所述密封構(gòu)件貼合在所述支承基板上的密封基板，所述電氣裝置的特征在于， 所述電路具備具有有機層的電子元件， 在俯視觀察下，所述密封構(gòu)件的寬度在所述電氣配線與所述密封構(gòu)件交叉的交叉區(qū)域和除了該交叉區(qū)域以外的非交叉區(qū)域中不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電氣裝置，其特征在于， 所述交叉區(qū)域中的所述密封構(gòu)件的寬度A比所述非交叉區(qū)域中的所述密封構(gòu)件的寬度B大。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電氣裝置，其特征在于， 電子元件為有機EL元件、有機光電轉(zhuǎn)換元件或有機晶體管。
4.一種制造權(quán)利要求I所述的電氣裝置的制造方法，其包括 準備設(shè)置有所述電路及所述電氣配線的支承基板的工序； 沿著所述密封區(qū)域的外緣供給構(gòu)成所述密封構(gòu)件的密封材料的工序； 隔著構(gòu)成所述密封構(gòu)件的密封材料將所述密封基板貼合于所述支承基板的工序； 向構(gòu)成所述密封構(gòu)件的密封材料照射電磁束，并將所述密封材料加熱熔融的工序； 冷卻所述密封材料而使其固化，從而構(gòu)成所述密封構(gòu)件的工序， 在供給密封材料的工序中，使所供給的密封材料的寬度在所述交叉區(qū)域和所述非交叉區(qū)域中不同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電氣裝置的制造方法，其特征在于， 在配置有所述密封材料的整個區(qū)域以相同的光強度照射所述電磁束。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電氣裝置的制造方法，其特征在于， 所述電磁束的點徑C比所述非交叉區(qū)域中的所述密封構(gòu)件的寬度B大。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電氣裝置的制造方法，其特征在于， 所述交叉區(qū)域中的所述密封構(gòu)件的寬度A比所述非交叉區(qū)域中的所述密封構(gòu)件的寬度B大， 所述電磁束的點徑C等于或大于所述交叉區(qū)域中的所述密封構(gòu)件的寬度A。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電氣裝置的制造方法，其特征在于， 所述交叉區(qū)域中的所述密封構(gòu)件的寬度A比所述非交叉區(qū)域中的所述密封構(gòu)件的寬度B大， 所述電磁束的點徑C比所述交叉區(qū)域中的所述密封構(gòu)件的寬度A小。
全文摘要
所述電氣裝置具有支承基板(12)；在支承基板(12)上設(shè)定的密封區(qū)域內(nèi)設(shè)置的電路(14)；在支承基板(12)上，將外部的電氣信號輸入輸出源與電路(14)電連接的電氣配線；包圍密封區(qū)域且設(shè)置在支承基板(12)上的密封構(gòu)件(16)；隔著密封構(gòu)件(16)貼合于支承基板(12)的密封基板(17)。電路(14)具備具有有機層的電子元件(24)，在俯視下，密封構(gòu)件(16)的寬度在電氣配線(15)與密封構(gòu)件(16)交叉的交叉區(qū)域和除了交叉區(qū)域以外的非交叉區(qū)域中不同。
文檔編號H05B33/04GK102792773SQ201180013201
公開日2012年11月21日 申請日期2011年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月11日
發(fā)明者倉田知己, 清水誠也, 笠原健司 申請人:住友化學(xué)株式會社