專利名稱：包含二苯并呋喃化合物和8-羥基喹啉根合堿土金屬或堿金屬配合物的層的有機電子器件的制作方法
包含二苯并呋喃化合物和8-輕基喹啉根合堿土金屬或堿金屬配合物的層的有機電子器件本發(fā)明提供一種有機電子器件，其包括第一電極、第二電極和穿插在第一電極和第二電極之間的有機層，其中有機層包含式I的有機金屬配合物和式II或III化合物。如Merck的專利所述。W010072300涉及有機電致發(fā)光器件，其包含任選與有機堿金屬化合物組合的三嗪衍生物作為電子傳輸材料。作為有機堿金屬化合物的實例，提及8-羥基喹啉鋰。W02006128800 公開了 式
權(quán)利要求
1.一種有機電子器件，其包括第一電極、第二電極和穿插在第一電極和第二 電極之間的有機層，其中有機層包含式
2.根據(jù)權(quán)利要求I的有機電子器件，其中式II化合物為式 的化合物，并且式III化合物為式
3.根據(jù)權(quán)利要求2的有機電子器件，其中R81為Cxl
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項的有機電子器件，其中A為單鍵，基團-SiR83R84-,下式基
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項的有機電子器件，其中式II或III化合物為下式化合物
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項的的有機電子器件，其中式I化合物為下式化合物
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項的有機電子器件，其為有機發(fā)光器件，包含陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴和激子阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，其中包含式I和II或III化合物的有機層構(gòu)成電子傳輸層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的有機電子器件，其中電子傳輸層包含式
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8的有機電子器件，其中電子注入層包含氟化鉀或Liq或由氟化鉀或Liq組成。
10.根據(jù)權(quán)利要求7-9中任一項的有機電子器件，其中發(fā)光層包含式
11.根據(jù)權(quán)利要求10的有機電子器件，其中式IX化合物為下式化合物
12.根據(jù)權(quán)利要求7-11中任一項的有機電子器件，其中空穴傳輸層包含式
13.有機層，尤其是電子傳輸層，其包含如權(quán)利要求I所定義的式I的有機金屬配合物 和如權(quán)利要求I所定義的式II或III化合物。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的有機層在有機電子器件中的用途。
15.一種裝置，其包含根據(jù)權(quán)利要求1-12中任一項的有機電子器件，或根據(jù)權(quán)利要求13的有機層，尤其是電子傳輸層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機電子器件，其包括第一電極、第二電極和穿插在第一電極和第二電極之間的有機層，其中有機層包含式(I)的有機金屬配合物和式(II)或(III)化合物。有機電子器件，尤其是有機發(fā)光器件可具有優(yōu)異的壽命、功率效率、量子效率和/或低操作電壓。
文檔編號H05B33/14GK102947416SQ201180030023
公開日2013年2月27日 申請日期2011年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月18日
發(fā)明者N·蘭格爾, G·瓦根布拉斯特, O·莫爾特, C·席爾德克內(nèi)希特, E·弗茨, K·多爾曼, 渡邊宗一, T·格斯納, C·倫納茨, H·沃勒布, 田邊純一 申請人:巴斯夫歐洲公司