專利名稱：多層配線基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多層配線基板。更具體地，本發(fā)明的某些實施方式涉及包括導(dǎo)電性焊盤(conductive pad)的多層配線基板，其中導(dǎo)電性焊盤具有相對于導(dǎo)電性焊盤的外周緣部凹進(jìn)的上表面。
背景技術(shù)：
多層配線基板通常用作安裝電子元件的封裝件。在多層配線基板中，通過在芯板的每側(cè)上以一個設(shè)置在另一個頂部的方式堆疊樹脂絕緣層和導(dǎo)體層形成積層(build-up layer)。在多層配線基板中，芯板由例如包含玻璃纖維的樹脂制造，并通過其高剛性起到增強積層的作用。然而，由于芯板形成得厚，芯板妨礙多層配線基板的小型化。另外，由于必須在芯板中設(shè)置用于使積層電氣互連的通孔導(dǎo)體，線長必然變得較長，這繼而可能導(dǎo)致高頻信號傳輸性能的劣化。因此，最近開發(fā)了一種所謂的無芯多層配線基板，該配線基板不設(shè)置芯板，并具有適合小型化和能夠增強高頻信號傳輸性能的結(jié)構(gòu)(日本特開2009-289848號公報和 2007-214427號公報)。關(guān)于這種無芯多層配線基板，在表面由例如剝離片覆蓋的支撐體上形成積層，其中剝離片通過以一個設(shè)置在另一個頂部的方式層疊兩個可剝離的金屬膜而制造。隨后，沿著剝離片的剝離界面從支撐體上剝離積層，制造預(yù)期的多層配線基板。同時，位于多層配線基板的半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域并預(yù)期通過倒裝芯片接合連接到半導(dǎo)體元件的導(dǎo)電性焊盤形成在位于最頂端的抗蝕劑層下方，以通過抗蝕劑層中的開口暴露。另外，在一些情況下，以從抗蝕劑層的表面突出的方式形成導(dǎo)電性焊盤(日本特開 2009-212140號公報)。這種情況下，當(dāng)試圖向?qū)щ娦院副P供給焊料膏以借此形成焊料層并通過倒裝芯片接合將半導(dǎo)體元件接合到導(dǎo)電性焊盤時，焊料膏有時從每個導(dǎo)電性焊盤的上表面流出，這繼而妨礙焊料層變得足夠厚。因此，到半導(dǎo)體元件的有缺陷的連接或焊料層的厚度不足會導(dǎo)致破裂，這繼而引起焊料層破損的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施方式的目的在于提供一種多層配線基板，該多層配線基板包括積層，該積層由至少一個導(dǎo)體層和至少一個樹脂絕緣層以一個在另一個頂部層疊(layer)的方式構(gòu)成；導(dǎo)電性焊盤，該導(dǎo)電性焊盤以從所述至少一個樹脂絕緣層的表面突出的方式形
3成在所述表面；焊料層，該焊料層形成于所述導(dǎo)電性焊盤的上表面上，其中能向所述導(dǎo)電性焊盤的所述上表面供給并在所述上表面保持足量的焊料膏，借此防止由于焊料層厚度不足導(dǎo)致的到半導(dǎo)體元件的有缺陷的連接和焊料層的損壞的發(fā)生。為了實現(xiàn)所述目的，本發(fā)明實施方式涉及一種多層配線基板，其包括積層，該積層包括交替層疊的導(dǎo)體層和樹脂絕緣層；導(dǎo)電性焊盤，該導(dǎo)電性焊盤形成為從所述樹脂絕緣層的表面突出并具有上表面， 所述上表面具有外周緣部和中央部，所述中央部相對于所述外周緣部凹進(jìn)；以及焊料層，該焊料層以使得所述導(dǎo)電性焊盤的所述上表面上的所述焊料層位于由所述外周緣部限定的高度上方的方式形成于所述導(dǎo)電性焊盤。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，從樹脂絕緣層(例如位于最頂部位置的抗蝕劑層)的表面突出的導(dǎo)電性焊盤的上表面以該上表面的中央凹進(jìn)的方式形成。因此，供給到導(dǎo)電性焊盤的焊料膏被保持在相應(yīng)的上表面的凹部中。換言之，某些實施方式包括其中導(dǎo)電性焊盤的上表面形成連續(xù)的曲面的多層配線基板。另一些實施方式包括其中焊料層覆蓋導(dǎo)電性焊盤的側(cè)面的多層配線基板。因此，在導(dǎo)電性焊盤的上方，形成的焊料層的保持足夠厚度。因此可防止由于到半導(dǎo)體元件的有缺陷的連接或焊料層的厚度不足引起的諸如破裂等問題。此外，焊料層(例如焊料凸塊)通過使用焊劑(例如焊料膏)涂覆和印刷導(dǎo)電性焊盤以除去氧化物而形成。隨后，焊料膏經(jīng)受回流處理。另外，在本發(fā)明的實施方式中，由于導(dǎo)電性焊盤的中央凹進(jìn)，所以可在每個導(dǎo)電性焊盤的中央保持足夠量的焊劑。另外，在本發(fā)明的一個實施方式中，導(dǎo)電性焊盤的上表面構(gòu)成連續(xù)的曲面。這種情況下，每個導(dǎo)電性焊盤的中央處的凹部可容易地形成，還可防止在焊料層形成期間和/或?qū)⒍鄬优渚€基板倒裝芯片接合到半導(dǎo)體元件期間外周緣部發(fā)生應(yīng)力集中。可防止對外周緣部即導(dǎo)電性焊盤造成的損壞。另外，在本發(fā)明的一個實施例中，焊料層通過覆蓋導(dǎo)電性焊盤的側(cè)面而形成。這種情況下，當(dāng)由此形成的焊料層經(jīng)受回流處理時，能夠增加用于將多層配線基板倒裝芯片接合于半導(dǎo)體元件而供給的焊料的絕對量，從而能夠以更顯著地方式獲得前述的作用效果。日本特開2010-226075號公報公開了一種技術(shù)，該技術(shù)用于在每個導(dǎo)電性焊盤的上表面中形成凹部并在每個凹部中供給焊料膏使得如此供給的焊料膏被保持，借此形成用于電子元件的連接層或類似層。然而，這種技術(shù)涉及集成電子元件的配線基板。為了在配線基板和集成在配線基板中的電子元件之間建立電連接而設(shè)置導(dǎo)電性焊盤。由于這些原因， 導(dǎo)電性焊盤形成為從導(dǎo)體圖案突出以防止電子元件與集成在配線基板中的導(dǎo)體圖案接觸。同時，本發(fā)明針對一種多層配線基板，在該多層配線基板中，半導(dǎo)體元件安裝在多層配線基板的外表面。建立連接的導(dǎo)電性焊盤形成為從位于多層配線基板的最頂層的至少一個樹脂絕緣層突出。因此，與本發(fā)明的實施方式相關(guān)描述的技術(shù)不同于本領(lǐng)域中公知的不同形狀的導(dǎo)電性焊盤的技術(shù)。另外，目前的技術(shù)并不解決或減輕關(guān)于在各個導(dǎo)電性焊盤上保持焊料的問題。具體地，目前的技術(shù)并不解決在每個導(dǎo)電性焊盤的上表面中形成凹部是否對保持焊料造成影響的問題。另外，在本發(fā)明的一個實施方式中，多層配線基板還包括以覆蓋整個所述導(dǎo)電性焊盤的方式形成在所述導(dǎo)電性焊盤和所述焊料層之間的金屬阻擋層，其中，所述焊料層覆蓋所述導(dǎo)電性焊盤和所述金屬阻擋層，所述金屬阻擋層覆蓋整個所述導(dǎo)電性焊盤；以及所述導(dǎo)電性焊盤的側(cè)面與所述樹脂絕緣層的交界部處所形成的金屬阻擋層的涂層厚度被制成為大于所述導(dǎo)電性焊盤的位置高于所述交界部的表面上所形成的金屬阻擋層的涂層厚度。金屬阻擋層可覆蓋整個導(dǎo)電性焊盤。如上所述，當(dāng)焊料層形成為覆蓋整個導(dǎo)電性焊盤時，焊料層和樹脂絕緣層之間的粘附性、尤其是焊料層和抗蝕劑層之間的粘附性經(jīng)常相當(dāng)?shù)氐?。因此，在多層配線基板倒裝芯片接合于半導(dǎo)體元件之前或之后，焊料層和樹脂絕緣層之間發(fā)生剝離，這常引起與半導(dǎo)體元件的有缺陷的連接或類似問題。然而，當(dāng)如上所述在導(dǎo)電性焊盤和焊料層之間形成金屬阻擋層時，金屬阻擋層和樹脂絕緣層之間的粘附性充分大于焊料層和樹脂絕緣層之間的粘附性。每個導(dǎo)電性焊盤的側(cè)面與樹脂絕緣層的交界部處所形成的金屬阻擋層的涂層厚度被制成為大于導(dǎo)電性焊盤的位置高于所述交界部的表面上所形成的金屬阻擋層的涂層厚度。因此，前述的粘附性的增強更為顯著。因此，降低或消除了在多層配線基板倒裝芯片接合于半導(dǎo)體元件之前或之后、金屬阻擋層和樹脂絕緣層之間的剝離。因此，也最小化或降低了焊料層和樹脂絕緣層之間的剝離。由于這些原因，可防止與半導(dǎo)體元件的有缺陷的連接或類似問題的發(fā)生。只要焊料層僅形成在金屬阻擋層上以防止焊料層與樹脂絕緣層接觸，就能夠防止例如與樹脂絕緣層保持接觸的焊料層的端部部分地剝離。如上所述，本發(fā)明的實施方式利用如下的多層配線基板，能夠防止由于焊料層的厚度不足引起的與半導(dǎo)體元件的有缺陷的連接和焊料層的損壞的發(fā)生，該多層配線基板包括積層，該積層由至少一個導(dǎo)體層和至少一個樹脂絕緣層以一個在另一個頂部層疊的方式構(gòu)成；導(dǎo)電性焊盤，該導(dǎo)電性焊盤以從所述至少一個樹脂絕緣層的表面突出的方式形成在所述表面；和焊料層，該焊料層形成在所述導(dǎo)電性焊盤的上表面，其中足量的焊料膏能被供給到并保持于所述導(dǎo)電性焊盤的所述上表面。


參考如下附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示意性方面，其中圖I是本發(fā)明第一實施方式的多層配線基板的平面圖；圖2是本發(fā)明第一實施方式的多層配線基板的平面圖；圖3是顯示了圖I和圖2中示出的多層配線基板的沿著I-I線截取的部分放大截面圖；圖4是顯示了圖3中示出的導(dǎo)電性焊盤的附近的放大截面圖；圖5是顯示了導(dǎo)電性焊盤的實施方式的放大截面圖；圖6顯示了處于特定制造階段的本發(fā)明的實施方式；圖7顯示了處于特定制造階段的本發(fā)明的實施方式；圖8顯示了處于特定制造階段的本發(fā)明的實施方式；圖9顯示了處于特定制造階段的本發(fā)明的實施方式；圖10顯示了處于特定制造階段的本發(fā)明的實施方式；
圖11顯示了處于特定制造階段的本發(fā)明的實施方式；圖12顯示了處于特定制造階段的本發(fā)明的實施方式；圖13顯示了處于特定制造階段的本發(fā)明的實施方式；圖14顯示了處于特定制造階段的本發(fā)明的實施方式；圖15顯示了處于特定制造階段的本發(fā)明的實施方式；圖16是本發(fā)明的第二實施方式的多層配線基板的部分放大截面圖；圖17是顯示了圖16示出的導(dǎo)電性焊盤的附近的放大截面圖。
具體實施例方式現(xiàn)在，在下文中參照附圖描述本發(fā)明的實施方式。多層配線基板圖1和圖2是本發(fā)明的第一實施方式的多層配線基板的平面圖。圖1示出了從上 方觀察時多層配線基板的狀態(tài)。圖2示出了從下方觀察時多層配線基板的狀態(tài)。圖3是以 放大的方式顯示了圖1和圖2中示出的多層配線基板的沿著I-I線截取的部分截面圖。圖 4是顯示了圖3示出的導(dǎo)電性焊盤的放大截面圖。下面描述的多層配線基板是說明本發(fā)明的某些特征的示例性實施方式。不對多層 配線基板施加特別的限制，只要多層配線基板包括以下部分即可積層，該積層由導(dǎo)體層和 樹脂絕緣層以一個在另一個頂部層疊的方式構(gòu)成；導(dǎo)電性焊盤，該導(dǎo)電性焊盤以從所述樹 脂絕緣層的表面突出的方式形成在所述表面并且具有中央凹進(jìn)的上表面；焊料層，該焊料 層以所述焊料層的整個表面位于比由所述導(dǎo)電性焊盤的所述上表面的外邊緣限定的表面 高度高的位置的方式形成在所述導(dǎo)電性焊盤的所述上表面。在圖1至圖3示出的多層配線基板10中，第一樹脂絕緣層21和第二樹脂絕緣層 22由必要時包括二氧化硅填料的熱固性樹脂組合物形成，第一導(dǎo)體層31和第二導(dǎo)體層32 由例如銅等電導(dǎo)體形成相應(yīng)的預(yù)定圖案，第一樹脂絕緣層21、第二樹脂絕緣層22、第一導(dǎo) 體層31和第二導(dǎo)體層32以一個在另一個頂部的方式堆疊。第一抗蝕劑層41包括開口 41A 且由例如環(huán)氧基抗蝕劑材料形成，并形成于第一樹脂絕緣層21上。第二抗蝕劑層42包括 開口或通路孔42A且由例如環(huán)氧基抗蝕材料形成，并形成于第二樹脂絕緣層22上。至少由第一抗蝕劑層41、第一樹脂絕緣層21、第一導(dǎo)體層31、第二樹脂絕緣層22、 第二導(dǎo)體層32和第二抗蝕劑層42以一個設(shè)置在另一個頂部的方式堆疊，從而構(gòu)成積層。開口，即通路孔21A和22A分別以在厚度方向上貫穿相應(yīng)的樹脂絕緣層的方式分 別形成在第一樹脂絕緣層21和第二樹脂絕緣層22中。另外，通路導(dǎo)體51、52形成為掩埋 通路孔21A和22A。通路導(dǎo)體52將第一導(dǎo)體層31電連接于第二導(dǎo)體層32。這種情況下，第一導(dǎo)體層31的與各個通路導(dǎo)體51保持電接觸的區(qū)域311構(gòu)成通 路連接區(qū)(via land)。第一導(dǎo)體層31的與通路導(dǎo)體51不保持電接觸的區(qū)域312構(gòu)成互連 層。同樣地，第二導(dǎo)體層32的與通路導(dǎo)體52保持電接觸的區(qū)域321構(gòu)成通路連接區(qū)，第二 導(dǎo)體層32的與通路導(dǎo)體52不保持電接觸的區(qū)域322構(gòu)成互連層。形成在第一樹脂絕緣層21上的第一導(dǎo)電性焊盤61通過第一抗蝕劑層41的各個 開口 41A保持暴露。第一導(dǎo)體層31和第一導(dǎo)電性焊盤61通過通路導(dǎo)體51電連接。第一導(dǎo)電性焊盤61用作將多層配線基板10連接于主板的背側(cè)連接區(qū)(例如LGA墊)，并在多層配線基板10的背側(cè)配置為矩形圖案。通路導(dǎo)體53在第二抗蝕劑層42的各個通路孔42A中以掩埋通路孔42A的方式形成。另外，凸起的第二導(dǎo)電性焊盤62形成為從第二抗蝕劑層42的表面突起并從通路導(dǎo)體 53延續(xù)。第二導(dǎo)體層32和導(dǎo)電性焊盤62通過通路導(dǎo)體53電連接在一起。第二導(dǎo)電性焊盤62是用于倒裝芯片連接未圖示的半導(dǎo)體元件的墊(例如FC墊)， 并構(gòu)成半導(dǎo)體元件安裝區(qū)域。第二導(dǎo)電性焊盤62在多層配線基板10的表面的大致中央配置為矩形圖案。從以上描述明顯看出，第一導(dǎo)電性焊盤61、第一導(dǎo)體層31、第二導(dǎo)體層32和第二導(dǎo)電性焊盤62在多層配線基板10的厚度方向上通過通路導(dǎo)體51、52和53電連接在一起。如圖3和圖4所示，每個第二導(dǎo)電性焊盤62的上表面62A均具有凹進(jìn)的中央部 62A-1并構(gòu)成連續(xù)的凹狀曲面。上表面62A形成為呈現(xiàn)以下述方式彎曲的半圓形截面(所謂的圓錐形狀)曲率中心到達(dá)高于上表面62A的位置。由例如Sn-Bi、Sn-Ag、Sn-Cu、Sn-Ag-Cu 和Sn-Sb等實質(zhì)不包括Pb的焊料膏形成的焊料層64被制成為覆蓋上表面62A和側(cè)面62B。多層配線基板10能形成例如200_X200_X0. 8mm的尺寸。如圖3和圖4所示，第二導(dǎo)電性焊盤62形成為從第二抗蝕劑層42的表面突起。例如，在每個第二導(dǎo)電性焊盤62均呈現(xiàn)例如與每個第一導(dǎo)電性焊盤61相同的板狀形狀和第二導(dǎo)電性焊盤62的上表面平坦的情況下，如果試圖通過供給焊料來形成用于通過倒裝芯片接合連接未圖示的半導(dǎo)體元件的焊料層，焊料會從每個導(dǎo)電性焊盤的上表面流出，這繼而會妨礙具有足夠厚度的焊料層的形成。因此，到半導(dǎo)體元件的有缺陷的連接和焊料層的厚度不足可能導(dǎo)致破裂，這繼而會引起諸如焊料層的破損等問題。同時，在本實施方式中，從第二抗蝕劑層42的表面突起的每個第二導(dǎo)電性焊盤62 的上表面62A均形成為具有凹進(jìn)的中央部62A-1，S卩，以曲率中心到達(dá)高于上表面62A的位置的方式彎曲的半圓形截面。結(jié)果，供給到第二導(dǎo)電性焊盤62的焊料膏被保持在各個上表面62A的凹部中。因此，所形成的焊料層64，尤其是焊料層64的位于上表面62A的凹部上方的部分保持足夠的厚度。因此，防止了由于到半導(dǎo)體元件的有缺陷的連接和焊料層的厚度不足而引起的諸如焊料層的破裂或破損等問題的產(chǎn)生。焊料層64可通過在每個第二導(dǎo)電性焊盤62上施加并供給(例如印刷)用于去除氧化物的焊劑、向每個第二導(dǎo)電性焊盤62供給焊料膏并使得焊料膏回流而形成。在某些實施方式中，由于每個第二導(dǎo)電性焊盤62的中央部62A-1均是凹進(jìn)的，因此中央部62A-1能夠保持足夠量的焊劑。不對焊料層64的保持在每個第二導(dǎo)電性焊盤62的上表面62A上的部分的厚度 “d”進(jìn)行特別的限定，只要能產(chǎn)生前述的作用效果即可。然而，該厚度例如可設(shè)定為3微米至50微米。借此能顯著地產(chǎn)生前述作用效果。如果在每個導(dǎo)電性焊盤62的上表面62A上以使得焊料層64的整個表面從外周緣部62A-2限定的表面高度向上突出的方式供給和保持焊料膏，就能夠產(chǎn)生前面的作用效果。如圖4所不,在本實施方式中，第二導(dǎo)電性焊盤62的上表面62A形成為具有連續(xù)曲面并呈現(xiàn)彎曲成具有位于高于上表面62A的位置的曲率中心的半圓形截面。如果中央部 62A-1凹進(jìn)且如果能保持焊料膏以符合要求，則不對上表面的形狀進(jìn)行特別限定。例如，如圖5所示，也能夠以上表面62A的中央部62A-1以矩形形狀凹進(jìn)的方式形成上表面62A。
每個第二導(dǎo)電性焊盤62的上表面62A的凹部能夠通過控制在第二導(dǎo)電性焊盤62 的形成期間所消耗的鍍覆(plating)時間和鍍覆液中包含的添加劑而形成。例如，凹部能夠通過縮短鍍覆時間以使得其鍍覆時間小于形成具有預(yù)定厚度的鍍覆膜所需的鍍覆時間而形成。然而，中央部62A-1的凹部能通過采用例如實施方式中所示的曲面形狀而容易地形成。另外，能夠防止在焊料層64的形成期間和/或焊料層接合于半導(dǎo)體元件的倒裝芯片接合期間在外周緣部62A-2上產(chǎn)生應(yīng)力集中，借此可以防止外周緣部62A-2的破損，即第二導(dǎo)電性焊盤62的破損。在實施方式中，焊料層64形成為覆蓋每個第二導(dǎo)電性焊盤62的側(cè)面62B和上表面62A。因此，當(dāng)焊料層64經(jīng)受回流處理時，能夠增大供給到焊料層與半導(dǎo)體元件的倒裝芯片接合的焊料的絕對量，從而能夠更顯著地產(chǎn)生作用效果。用于制造多層配線基板的方法現(xiàn)在描述用于制造圖I至圖4中示出的多層配線基板10的方法。圖6至圖15示出了處于不同制造階段的多層配線基板10的實施方式的視圖。首先，制備如圖6所示的在兩側(cè)都具有銅箔12的支撐板11。支撐板11能夠由例如耐熱性樹脂板(例如雙馬來酰亞胺三嗪樹脂板)和纖維增強樹脂板(例如玻璃纖維增強環(huán)氧樹脂板)或類似的板形成。接著，借助于用作粘結(jié)層的預(yù)浸料(prepreg)層13，剝離片 14通過諸如真空熱壓等壓力接合在位于支撐板11的兩側(cè)的銅箔12上而形成。剝離片14例如由第一金屬膜14a和第二金屬膜14b形成,且第一金屬膜14a和第二金屬膜14b之間的空間鍍有Cr或類似材料，因此第一金屬膜14a和第二金屬膜14b通過外部拉力能夠彼此剝離。第一金屬膜14a和第二金屬膜14b可由銅箔形成。接著，如圖7所示，感光干膜層疊在位于支撐板11的每一側(cè)的剝離片14上，并經(jīng)受曝光和顯影，借此形成掩模圖案15。在每個掩模圖案15中形成相當(dāng)于對準(zhǔn)標(biāo)記形成部 Pa和外周限定部Po的開口。如圖8所示，支撐板11的每一側(cè)的剝離片14均借助于掩模圖案15被蝕刻，借此在相當(dāng)于剝離片14的各個開口的位置形成對準(zhǔn)標(biāo)記形成部Pa和外周限定部Po。圖9為從上方觀察圖8所示的組件時得到的平面圖。對準(zhǔn)標(biāo)記形成部Pa在每個剝離片14中形成為開口以使得預(yù)浸料層13暴露。另外，外周限定部Po形成為通過切除每個剝離片14的邊緣而制成的切口，以使得預(yù)浸料層13暴露。形成對準(zhǔn)標(biāo)記形成部Pa和外周限定部Po之后,蝕刻掉掩模圖案15。優(yōu)選的是通過蝕刻使得在去除相應(yīng)的掩模圖案15之后暴露的各個剝離片14的表面粗糙。能夠借此增強每個剝離片14和后述的樹脂層之間的粘附性。如圖10所示，樹脂膜層疊在每個剝離片14上并在真空中加壓和加熱，從而被固化。由此形成第一樹脂絕緣層21。相應(yīng)的剝離片14的各表面因此由第一絕緣層21覆蓋。 構(gòu)成各個對準(zhǔn)標(biāo)記形成部Pa的開口和構(gòu)成外周限定部Po的切口由第一樹脂絕緣層21填充。在每個對準(zhǔn)標(biāo)記形成部Pa中形成對準(zhǔn)標(biāo)記AM的結(jié)構(gòu)。外周限定部Po也由第一樹脂絕緣層21覆蓋。因此，可消除以下缺陷的發(fā)生。即， 在下面描述的通過剝離片14執(zhí)行剝離操作的過程中，各個剝離片14的端面(即端部，外周)從例如相應(yīng)的預(yù)浸料層13脫離(分離，即因此在外周處被提起或卷起)。這將使得難以不失敗地執(zhí)行與剝離過程有關(guān)的處理，以至于難以制造或不可能制造預(yù)期的多層配線基板10。接著，如圖11所示，第一樹脂絕緣層21暴露于具有預(yù)定強度并來源于例如CO2氣體激光器或YAG激光器的激光束，從而制造通路孔21A。隨后，包括通路孔21A的第一絕緣層21經(jīng)受粗糙化處理。當(dāng)?shù)谝粯渲^緣層21包括填料時，如果第一樹脂絕緣層21經(jīng)受粗糙化處理，填料將被釋放并留在第一樹脂絕緣層21上。因此，必要的話，第一樹脂絕緣層21 需要進(jìn)行水洗。然后通路孔2IA經(jīng)受去污和輪廓蝕刻，隨之沖洗各個通路孔2IA的內(nèi)部。當(dāng)如上所述實施沖洗時，能夠去除在去污處理的水洗期間仍然留在第一樹脂絕緣層21上的填料。在沖洗操作和去污操作之間可執(zhí)行吹氣處理。即使當(dāng)游離的填料沒有通過沖洗被完全去除,也能夠通過吹氣完成填料的去除。隨后，第一樹脂絕緣層21經(jīng)受圖案鍍覆，借此形成第一導(dǎo)體層31和通路導(dǎo)體51。 通過半添加技術(shù)(semi-additive technique)如下地形成第一導(dǎo)體層31和通路導(dǎo)體51。 首先，在每個第一樹脂絕緣層21上均形成化學(xué)鍍膜。隨后，在化學(xué)鍍膜上形成抗蝕劑。每個第一樹脂絕緣層21的沒有形成抗蝕劑的區(qū)域經(jīng)受化學(xué)鍍銅。形成第一導(dǎo)體層31和通路導(dǎo)體51后，通過KOH或類似物質(zhì)剝離并消除抗蝕劑。接著，在每個第一導(dǎo)體層31經(jīng)受粗糙化處理之后，在每個第一樹脂絕緣層21上以覆蓋第一導(dǎo)體層31的方式層疊樹脂膜。然后如此層疊的膜被在真空中加壓并加熱從而固化。這樣形成了第二樹脂絕緣層22。如圖12所示，第二樹脂絕緣層12暴露于來自例如具有預(yù)定強度的CO2氣體激光器或YAG激光器的激光束，以制造通路孔22A。隨后，包括通路孔22A的第二樹脂絕緣層22 經(jīng)受粗糙化處理。當(dāng)?shù)诙渲^緣層22包括填料時，如果第二樹脂絕緣層22經(jīng)受粗糙化處理，填料將被釋放并留在第二樹脂絕緣層22上。因此，必要的話，第二樹脂絕緣層22需要進(jìn)行水洗。然后通路孔22A經(jīng)受去污和輪廓蝕刻。隨之，沖洗各個通路孔22A的內(nèi)部。當(dāng)如上所述實施水洗時，能夠去除在去污處理的水洗期間留在第二樹脂絕緣層22上的填料。在沖洗操作和去污操作之間可執(zhí)行吹氣處理。即使當(dāng)游離的填料沒有通過水洗被完全去除,也能夠通過吹氣完成填料的去除。隨后，以與第一導(dǎo)體層31相同的方式，通過半添加技術(shù)對第二樹脂絕緣層22進(jìn)行圖案鍍覆，借此形成第二導(dǎo)體層32和通路導(dǎo)體52。在各個第二樹脂絕緣層22上均形成第二抗蝕劑層42。每個第二抗蝕劑層42通過預(yù)定的掩模進(jìn)行曝光和顯影，借此形成開口 42A。隨后，如第一導(dǎo)體層31的情況一樣，通過半添加技術(shù)形成第二導(dǎo)電性焊盤62和通路導(dǎo)體53。由于每個第二導(dǎo)電性焊盤62的上表面62A的中央部62A-1必須凹進(jìn)，因此通過控制在第二導(dǎo)電性焊盤62的形成期間所消耗的鍍覆時間或鍍覆液中包含的添加劑而形成凹部。例如，凹部能夠通過縮短鍍覆時間以使得其鍍覆時間短于形成具有預(yù)定厚度的鍍覆膜所需的鍍覆時間而形成。如圖13所示，參照每個外周限定部Po，沿著稍內(nèi)側(cè)設(shè)置的切斷線切斷通過前述過程制造的層狀產(chǎn)品10a，借此從層狀產(chǎn)品IOa去除不需要的外周。由此限定用于多層配線基板的有效區(qū)域。接著，如圖14所示，在參照每個外周限定部Po去除不需要的外周之后，沿著第一金屬膜14a和第二金屬膜14b之間的剝離界面剝離層狀產(chǎn)品10a，借此從層狀產(chǎn)品IOa去除支撐板11，其中第一金屬膜14a和第二金屬膜14b構(gòu)成層狀產(chǎn)品IOa的剝離片14。這樣獲得具有與如圖14所示的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)的層狀產(chǎn)品10b。隨后，如圖15所示，蝕刻仍然留在層狀產(chǎn)品IOb下方的剝離片14的第一金屬膜 14a，借此將第一導(dǎo)電性焊盤61形成于第一樹脂絕緣層21。形成包括開口 41A的第一抗蝕劑層41，其中開口 41A類似于暴露第一導(dǎo)電性焊盤61的開口。另外，以整個地覆蓋第二導(dǎo)電性焊盤62a的方式形成焊料層64，借此獲得例如圖I至圖4所示的多層配線基板10。對準(zhǔn)標(biāo)記AM可在形成例如第一抗蝕劑層41的期間用作位置基準(zhǔn)。在本實施方式中，在制造多層配線基板10的過程中形成對準(zhǔn)標(biāo)記AM。然而，對準(zhǔn)標(biāo)記AM不是必須的。另外，也可以通過對剝離片14進(jìn)行機械加工(例如鉆孔)而不是通過如本實施方式那樣蝕刻剝離片14而形成對準(zhǔn)標(biāo)記AM。多層配線基板圖16是第二具體實施方式
的多層配線基板的橫截面的部分放大圖，圖17是顯示了圖16中示出的導(dǎo)電性焊盤的放大截面圖。圖16和圖17相當(dāng)于第一實施方式的多層配線基板的圖3和圖4。當(dāng)從平面觀察時，本實施方式的多層配線基板10’呈現(xiàn)與圖I和圖2 所示的第一實施方式的多層配線基板10相同的形狀。在第二實施方式的多層配線基板10’中，以相同的附圖標(biāo)記表不與第一實施方式的多層配線基板10相同或相似的組成元件。除了在每個第二導(dǎo)電性焊盤62和焊料層64之間以整個地覆蓋第二導(dǎo)電性焊盤62 的方式形成由Ni/Au鍍膜等制成的金屬阻擋層63之外，本實施方式的多層配線基板10’具有與第一實施方式的多層配線基板10的構(gòu)造相同的構(gòu)造。如第一實施方式的多層配線基板10所表現(xiàn)的，當(dāng)焊料層64形成為整個地覆蓋第二導(dǎo)電性焊盤62時，焊料層64和第二抗蝕劑層42之間的粘附性降低。由于這個原因，在將多層配線基板10倒裝芯片接合于半導(dǎo)體元件之前或之后，焊料層64和第二抗蝕劑層42 之間常發(fā)生剝離，這繼而引起到半導(dǎo)體元件的有缺陷的連接或類似問題。然而，當(dāng)以上述方式在每個第二導(dǎo)電性焊盤62和焊料層64之間形成金屬阻擋層 63時，金屬阻擋層63到第二抗蝕劑層42的粘附性充分優(yōu)于焊料層64到第二抗蝕劑層42 的粘附性。而且，每個第二導(dǎo)電性焊盤62的側(cè)面62B與第二抗蝕劑層42的交界部處所形成的金屬阻擋層63的涂層厚度tl可被制成為大于每個導(dǎo)電性焊盤62的位置高于所述交界部的表面上所形成的金屬阻擋層63的涂層厚度t2。因此，更顯著地增強了粘附性。因此，最小化或消除了在將多層配線基板10’倒裝芯片接合于半導(dǎo)體元件之前或之后、金屬阻擋層63和第二抗蝕劑層42之間的剝離。因此，最小化或消除了焊料層64和第二抗蝕劑層42之間的剝離。因此，可防止到半導(dǎo)體元件的有缺陷的連接或類似問題的發(fā)生。關(guān)于上述的金屬阻擋層63的厚度控制，當(dāng)金屬阻擋層63通過例如鍍覆而形成在每個第二導(dǎo)電性焊盤62上時，導(dǎo)致鍍覆液停留在每個第二導(dǎo)電性焊盤62的側(cè)面62B與第二抗蝕劑層42的交界部處，從而可以使得位于所述交界部處的金屬阻擋層63的涂層厚度t I大于每個導(dǎo)電性焊盤62的位置高于所述交界部的表面上所形成的金屬阻擋層63的涂層厚度t2。在該實施方式中，焊料層64僅形成于金屬阻擋層63上，從而防止焊料層64與第二抗蝕劑層42接觸。因此，可以防止焊料層64的與第二抗蝕劑層42保持接觸的端部被部分地剝尚。由于本實施方式的多層配線基板10’在其他特征和優(yōu)勢上與第一實施方式的多層配線基板10的相應(yīng)部分相同，因此給予其相同的解釋。用于制造多層配線基板的方法用于制造第二實施方式的多層配線基板10’的方法采用了通過例如圖I至圖15 所示的過程而形成的層狀產(chǎn)品10b。隨后，形成具有開口 41A的第一抗蝕劑層41，開口 41A 例如是通過其暴露層狀產(chǎn)品IOb的第一導(dǎo)電性焊盤61的開口。進(jìn)一步，通過鍍覆以整個地覆蓋每個第二導(dǎo)電性焊盤62的方式形成金屬阻擋層63。然后，形成焊料層64，借此形成例如圖16和圖17示出的多層配線基板10’。當(dāng)位于所述交界部處的金屬阻擋層63的涂層厚度t I被制成為大于每個導(dǎo)電性焊盤62的位置高于所述交界部的表面上所形成的金屬阻擋層63的涂層厚度t2時，導(dǎo)致鍍覆液停留在每個第二導(dǎo)電性焊盤62的側(cè)面62B與第二抗蝕劑層42的交界部。盡管已經(jīng)參照具體實施例詳細(xì)描述了本發(fā)明，但是本發(fā)明并不局限于上述具體實施例。在不脫離本發(fā)明范圍的情況下，本發(fā)明允許各種可能的變形和修改。
1權(quán)利要求
1.一種多層配線基板,其包括積層，該積層包括交替層疊的導(dǎo)體層和樹脂絕緣層；導(dǎo)電性焊盤，該導(dǎo)電性焊盤形成為從所述樹脂絕緣層的表面突出并具有上表面，所述上表面具有外周緣部和中央部，所述中央部相對于所述外周緣部凹進(jìn)；以及焊料層，該焊料層以使得所述導(dǎo)電性焊盤的所述上表面上的所述焊料層位于由所述外周緣部限定的高度上方的方式形成于所述導(dǎo)電性焊盤。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多層配線基板，其特征在于，所述導(dǎo)電性焊盤的所述上表面形成連續(xù)的曲面。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多層配線基板，其特征在于，所述焊料層覆蓋所述導(dǎo)電性焊盤的側(cè)面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多層配線基板，其特征在于，所述多層配線基板進(jìn)一步包括以覆蓋整個所述導(dǎo)電性焊盤的方式形成在所述導(dǎo)電性焊盤和所述焊料層之間的金屬阻擋層，其中，所述焊料層覆蓋所述導(dǎo)電性焊盤和所述金屬阻擋層，所述金屬阻擋層覆蓋整個所述導(dǎo)電性焊盤；以及所述導(dǎo)電性焊盤的側(cè)面與所述樹脂絕緣層的交界部處所形成的金屬阻擋層的涂層厚度被制成為大于所述導(dǎo)電性焊盤的位置高于所述交界部的表面上所形成的金屬阻擋層的涂層厚度。
全文摘要
提供一種多層配線基板，該多層配線基板包括積層，該積層包括交替層疊的導(dǎo)體層和樹脂絕緣層；導(dǎo)電性焊盤，該導(dǎo)電性焊盤以從樹脂絕緣層的表面突出的方式形成在樹脂絕緣層的表面；和焊料層，該焊料層形成在每個導(dǎo)電性焊盤的上表面上。導(dǎo)電性焊盤的上表面可具有凹部，且焊料層的整個表面可位于相對于所述上表面的外周緣部上方的位置處。本發(fā)明能夠向?qū)щ娦院副P的上表面供給并在該上表面上保持足量的焊料膏，借此最小化或消除由焊料層的厚度不足引起的到半導(dǎo)體元件的有缺陷的連接和焊料層的損壞。
文檔編號H05K1/11GK102612263SQ20121002158
公開日2012年7月25日 申請日期2012年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月24日
發(fā)明者井上真宏, 半戶琢也, 和田英敏, 杉本篤彥, 齊木一 申請人:日本特殊陶業(yè)株式會社