專利名稱：Led點(diǎn)亮設(shè)備和包括該led點(diǎn)亮設(shè)備的照明裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED(發(fā)光二極管)點(diǎn)亮設(shè)備以及包括該LED點(diǎn)亮設(shè)備的照明裝置。
背景技術(shù)：
通常，LED點(diǎn)亮設(shè)備包括涌入電流限制電路以限制流過(guò)電容器的涌入電流，該電容器用于當(dāng)電力被接通時(shí)對(duì)電源電壓或者開(kāi)關(guān)電路的輸出電壓進(jìn)行平滑。此外，在該LED點(diǎn)亮設(shè)備中，在開(kāi)啟LED點(diǎn)亮設(shè)備的初始階段，將涌入電流限制電路設(shè)定為對(duì)流過(guò)的電流進(jìn)行抑制的操作狀態(tài)，并且然后當(dāng)LED點(diǎn)亮設(shè)備的預(yù)定開(kāi)關(guān)電路投入操作時(shí)，將涌入電流限制電路設(shè)定為不對(duì)流過(guò)的電流進(jìn)行抑制的非操作狀態(tài)。 在LED點(diǎn)亮設(shè)備包括多個(gè)開(kāi)關(guān)電路的情況下，可能不是首先啟動(dòng)該預(yù)定開(kāi)關(guān)電路。在該情況下，將涌入電流限制電路保持在操作狀態(tài)下，直到該預(yù)定開(kāi)關(guān)電路投入操作，并且由此限制了輸入到該LED點(diǎn)亮設(shè)備的電流。因此，LED點(diǎn)亮設(shè)備可以供應(yīng)足以操作其開(kāi)關(guān)電路的電流，并且由此該開(kāi)關(guān)電路可能不執(zhí)行期望的操作。該期望的操作例如是從該開(kāi)關(guān)電路供應(yīng)期望的輸出功率等等。圖6示出了常規(guī)LED點(diǎn)亮設(shè)備的電路配置，該常規(guī)LED點(diǎn)亮設(shè)備包括連接到電源I的輸入濾波器2、整流電路3、升壓斬波器電路7和降壓斬波器電路9的開(kāi)關(guān)電路、涌入電流限制電路5以及控制電路13。電源I是AC電源。升壓斬波器電路7包括MOS-FET Q11、變壓器Tll的初級(jí)繞組(由a表示)、變壓器Tll的第一(輸入側(cè)b)次級(jí)繞組、二極管Dll以及電阻器R11。變壓器Tll由線圈形成。降壓斬波器電路9包括MOS-FET Q12、變壓器T12的初級(jí)繞組(由a表示)、變壓器T12的第一(輸入側(cè)b)次級(jí)繞組、二極管D12、電阻器R12、以及電容器C12。變壓器T12由線圈形成。涌入電流限制電路5包括用作涌入電流限制器的電阻器R13、開(kāi)關(guān)元件Q13、電容器C12、電阻器R14和R15、二極管D13以及變壓器Tll的第二(輸出側(cè)c)次級(jí)繞組。(參見(jiàn)日本專利申請(qǐng)公開(kāi)文本No. H5-257548和No. S60-51415)在圖6中示出的LED點(diǎn)亮設(shè)備中，從升壓斬波器電路7供應(yīng)涌入電流限制電路5的操作/非操作的觸發(fā)信號(hào)。在該情況下，如果在開(kāi)啟電源I之后首先啟動(dòng)降壓斬波器電路9，則輸入電流流過(guò)涌入電流限制電路5的電阻器R13，直到升壓斬波器電路7投入操作。因此，通過(guò)由于降壓斬波器電路9以及在電阻器R13兩端生成的電壓所導(dǎo)致的對(duì)輸入電流的消耗，圖6中示出的LED點(diǎn)亮設(shè)備不會(huì)在位于升壓斬波器電路7的輸出端處的平滑電容器Cll中積聚足夠的電荷量。換言之，在圖6中示出的LED點(diǎn)亮設(shè)備中，升壓斬波器電路7的輸出不具有期望的電壓
發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上情況，本發(fā)明提供了一種LED點(diǎn)亮設(shè)備，該LED點(diǎn)亮設(shè)備通過(guò)響應(yīng)于首先開(kāi)始操作的開(kāi)關(guān)電路將涌入電流限制電路設(shè)定在非操作狀況，從而能夠可靠地執(zhí)行期望的操作，本發(fā)明還提供了包括該LED點(diǎn)亮設(shè)備的照明裝置。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種LED點(diǎn)亮設(shè)備，其包括在電源和LED (發(fā)光二極管)單元之間連接的兩個(gè)或更多個(gè)開(kāi)關(guān)電路；涌入電流限制電路，當(dāng)電力被接通時(shí)，該涌入電流限制電路限制流過(guò)該LED點(diǎn)亮設(shè)備的涌入電流；以及觸發(fā)電路，該觸發(fā)電路利用該開(kāi)關(guān)電路生成涌入電流限制電路的操作/非操作的觸發(fā)信號(hào)。此外，當(dāng)該開(kāi)關(guān)電路中的任何一個(gè)首先被啟動(dòng)時(shí)，該涌入電流限制電路被設(shè)定在非操作狀態(tài)。此外，觸發(fā)電路可以使用每個(gè)開(kāi)關(guān)電路的由線圈形成的次級(jí)繞組的電壓。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，存在一種照明裝置，其包括上述的LED點(diǎn)亮設(shè)備。在根據(jù)本發(fā)明的LED點(diǎn)亮設(shè)備和包括該LED點(diǎn)亮設(shè)備的照明裝置中，具有以下效果，即通過(guò)響應(yīng)于首先開(kāi)始操作的開(kāi)關(guān)電路將涌入電流限制電路設(shè)定在非操作狀態(tài)來(lái)可靠地執(zhí)行期望的操作。


通過(guò)下面結(jié)合附圖給出的具體實(shí)施例，本發(fā)明的目的和特征將變得清楚，在附圖中圖I示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的照明設(shè)備的電路配置；圖2示出了與第一實(shí)施例有關(guān)的另一電路配置的第一示例；圖3示出了與第一實(shí)施例有關(guān)的另一電路配置的第二示例；圖4示出了與第一實(shí)施例有關(guān)的另一電路配置的第三示例；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的照明裝置的配置；以及圖6示出了常規(guī)LED點(diǎn)亮設(shè)備的電路配置。
具體實(shí)施例方式在下文中，將參考附圖來(lái)描述本發(fā)明的實(shí)施例，該附圖形成實(shí)施例的一部分。(第一實(shí)施例)在根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的照明設(shè)備中，利用至少兩個(gè)開(kāi)關(guān)電路中的每一個(gè)來(lái)生成涌入電流限制電路的觸發(fā)信號(hào)，并且在首先啟動(dòng)的開(kāi)關(guān)電路生成觸發(fā)信號(hào)的時(shí)刻使該涌入電流限制電路進(jìn)入對(duì)流過(guò)的輸入電流進(jìn)行抑制的非操作狀態(tài)。因此，在該實(shí)施例的照明設(shè)備中，在電源被開(kāi)啟并且開(kāi)關(guān)電路中的一個(gè)被啟動(dòng)之后，涌入電流限制電路被立即設(shè)定為非操作狀態(tài)，使得輸入電流充分流動(dòng)。因而，在該實(shí)施例的照明設(shè)備中，可以可靠地執(zhí)行期望的操作。該期望的操作是例如從開(kāi)關(guān)電路供應(yīng)期望的輸出功率。該實(shí)施例的照明設(shè)備用作開(kāi)啟和關(guān)閉LED I的LED點(diǎn)亮設(shè)備，并且例如在圖I中示出了該照明設(shè)備的配置。圖I中示出的照明設(shè)備的電路配置包括連接到電源101的輸入濾波器103、整流電路105、升壓斬波器電路107、降壓斬波器電路109、平滑電容器Cl、涌入電流限制電路111以及控制電路113。電源101是AC電源。升壓斬波器電路107包括MOS-FET Q1、變壓器Tl的初級(jí)繞組a、變壓器Tl的第一次級(jí)繞組(輸入側(cè))b、二極管Dl以及電阻器R1。變壓器Tl由線圈形成。降壓斬波器電路109包括MOS-FET Q2、變壓器T2的初級(jí)繞組a、變壓器T2的第一次級(jí)繞組(輸入側(cè))b、二極管D2、電阻器R2以及電容器C2。變壓器T2由線圈形成。涌入電流限制電路111包括用作涌入電流限制器的電阻器R10、開(kāi)關(guān)元件Q10、電容器C10、電阻器Rll和電阻器R12、二極管DlO和二極管D11、變壓器Tl的第二次級(jí)繞組(輸出側(cè))c以及變壓器T2的第二次級(jí)繞組(輸出側(cè))C。(升壓斬波器電路107的操作)接下來(lái)，將描述升壓斬波器電路107的操作。利用變壓器Tl的第一次級(jí)繞組b的信號(hào)生成用于導(dǎo)通MOS-FET Ql的檢測(cè)信號(hào)。此外，由電阻器Rl檢測(cè)在MOS-FET Ql的導(dǎo)通時(shí)間段期間流動(dòng)的電流，由此生成用 于關(guān)斷MOS-FET Ql的檢測(cè)信號(hào)?？刂齐娐?13將每個(gè)檢測(cè)信號(hào)與參考電壓進(jìn)行比較來(lái)確定導(dǎo)通和關(guān)斷MOS-FETQl的時(shí)刻?？刂齐娐?13基于所確定的導(dǎo)通/關(guān)斷的時(shí)刻來(lái)生成用于導(dǎo)通和關(guān)斷MOS-FET Ql的信號(hào)，并且控制電路113控制升壓斬波器電路107的輸出電壓，使其變成特定的電壓。(降壓斬波器電路109的操作)接下來(lái)，將描述降壓斬波器電路109的操作。利用變壓器T2的第一次級(jí)繞組b的信號(hào)來(lái)生成用于導(dǎo)通MOS-FET Q2的檢測(cè)信號(hào)。此外，由電阻器R2檢測(cè)在MOS-FET Q2的導(dǎo)通時(shí)間段期間流動(dòng)的電流，由此生成用于關(guān)斷MOS-FET Q2的檢測(cè)信號(hào)?？刂齐娐?13將每個(gè)檢測(cè)信號(hào)與參考電壓進(jìn)行比較來(lái)確定導(dǎo)通和關(guān)斷MOS-FETQ2的時(shí)刻?？刂齐娐?13基于所確定的導(dǎo)通/關(guān)斷的時(shí)刻來(lái)生成用于導(dǎo)通/關(guān)斷MOS-FET Q2的信號(hào)，并且控制電路113進(jìn)行控制，使得流過(guò)LED I的電流變成特定的電流。(涌入電流限制電路111的操作)涌入電流限制電路111被如下配置。此外，在該實(shí)施例中，提供用作涌入電流限制器的電阻器RlO來(lái)減小涌入電流。替代該電阻器R10，可以使用熱敏電阻作為涌入電流限制器。在啟動(dòng)升壓斬波器電路107和降壓斬波器電路109中的一個(gè)之后，將涌入電流限制電路111設(shè)定為非操作狀態(tài)。換言之，在該實(shí)施例中，當(dāng)升壓斬波器電路107和降壓斬波器電流109中的任意一個(gè)被首先啟動(dòng)時(shí)，從電源101流出的輸入電流經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)元件QlO而不經(jīng)過(guò)涌入電流限制器R10，由此涌入電流限制器RlO變?yōu)閹缀醵搪?導(dǎo)通)的狀態(tài)。在該實(shí)施例中，晶閘管被用作開(kāi)關(guān)元件Q10。然而，繼電器、晶體管、MOS-FET或類似物可以被用作開(kāi)關(guān)元件Q10。在圖I中，從升壓斬波器電路107中的變壓器Tl的第二次級(jí)繞組c和降壓斬波器電路109中的變壓器T2的第二次級(jí)繞組c獲得用于導(dǎo)通用作開(kāi)關(guān)元件QlO的晶閘管的啟動(dòng)電壓。升壓斬波器電路107中的變壓器Tl的第二次級(jí)繞組c和降壓斬波器電路109中的變壓器T2的第二次級(jí)繞組c作為觸發(fā)電路。此外，利用該觸發(fā)電路生成用于涌入電流限制電路111的操作/非操作的觸發(fā)信號(hào)。在該實(shí)施例中，“或”電路由二極管DlO和二極管Dll以及電阻器Rll和電阻器R12構(gòu)成，使得升壓斬波器電路107和降壓斬波器電路109的開(kāi)關(guān)電路中的任意一個(gè)可以被首先啟動(dòng)以導(dǎo)通該開(kāi)關(guān)元件Q10。電容器ClO對(duì)該“或”電路的輸出電壓進(jìn)行平滑以使其變成用于導(dǎo)通該開(kāi)關(guān)元件QlO(晶閘管)的啟動(dòng)電壓。因此，在該實(shí)施例的照明設(shè)備中，在電源被開(kāi)啟之后，可以由用作涌入電流限制器的電阻器RlO來(lái)減小涌入電流。此外，在該實(shí)施例的照明設(shè)備中，在涌入電流被減小后無(wú)論升壓斬波器電路107和降壓斬波器電路109中的哪一個(gè)首先被啟動(dòng)，都可以確保開(kāi)關(guān)元件QlO的啟動(dòng)電壓。 因而，在該實(shí)施例的照明設(shè)備中，在開(kāi)啟電源之后，開(kāi)關(guān)元件QlO立即導(dǎo)通，使得每個(gè)開(kāi)關(guān)電路(升壓斬波器電路107、降壓斬波器電路109)能夠可靠地執(zhí)行期望的操作。(另一配置的第一示例)圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的照明設(shè)備的另一配置的第一示例。圖2中示出的第一示例的電路配置與圖I中示出的電路配置的不同之處在于增加了 LED 2的點(diǎn)亮電路并且根據(jù)LED 2的點(diǎn)亮電路的增加而改變了涌入電流限制電路的配置。在圖2中示出的電路配置中，將相同的附圖標(biāo)記給予了與圖I中示出的照明裝置的電路配置中的部分相同的部分，并且省略了對(duì)其的冗余描述。在圖2中示出的配置中，進(jìn)一步提供了降壓斬波器電路129和控制電路133以除了形成圖I的配置之外還形成LED 2的點(diǎn)亮電路。(降壓斬波器電路129)降壓斬波器電路129包括MOS-FET Q3、變壓器T3的初級(jí)繞組a、變壓器T3的第一次級(jí)繞組(輸入側(cè))b、二極管D3、電阻器R3以及電容器C3。接下來(lái)，將描述降壓斬波器電路129的操作。利用變壓器T3的第一次級(jí)繞組b的信號(hào)來(lái)生成用于導(dǎo)通MOS-FET Q3的檢測(cè)信號(hào)。此外，由電阻器R3來(lái)檢測(cè)在MOS-FET Q3的導(dǎo)通時(shí)間段期間流動(dòng)的電流，由此生成用于關(guān)斷MOS-FET Q3的檢測(cè)信號(hào)?？刂齐娐?33將每個(gè)檢測(cè)信號(hào)與參考電壓進(jìn)行比較來(lái)確定導(dǎo)通和關(guān)斷MOS-FETQ3的時(shí)刻?？刂齐娐?33基于所確定的導(dǎo)通/關(guān)斷的時(shí)刻來(lái)生成用于導(dǎo)通和關(guān)斷MOS-FET Q3的信號(hào)，并且控制電路133控制流過(guò)LED 2的電流以使其變成特定的電流。(涌入電流限制電路131的配置)涌入電流限制電路131被如下配置。此外，同樣在該配置中，提供用作涌入電流限制器的電阻器RlO來(lái)減小涌入電流。替代該電阻器R10，可以將熱敏電阻用作涌入電流限制器。圖2中示出的涌入電流限制電路131包括電阻器R10、開(kāi)關(guān)元件Q10、電容器C10、電阻器Rll和電阻器R12、二極管DlO和二極管Dll以及變壓器T1、T2和T3中的每一個(gè)變壓器的第二次級(jí)繞組(輸出側(cè))C。在升壓斬波器電路107、降壓斬波器電路109以及降壓斬波器電路129中的一個(gè)被啟動(dòng)之后，將涌入電流限制電路131設(shè)定為非操作狀態(tài)。換言之，當(dāng)升壓斬波器電路107、降壓斬波器電路109以及降壓斬波器電路129中的任意一個(gè)被首先啟動(dòng)時(shí)，從電源101流出的輸入電流經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)元件QlO而不經(jīng)過(guò)涌入電流限制器RlO，由此涌入電流限制器RlO變成幾乎短路(導(dǎo)通)的狀態(tài)。在圖2中，從升壓斬波器電路107中的變壓器Tl的第二次級(jí)繞組C、降壓斬波器電路109中的變壓器T2的第二次級(jí)繞組c和降壓斬波器電路129中的變壓器T3的第二次級(jí)繞組c獲得用于導(dǎo)通用作開(kāi)關(guān)元件QlO的晶閘管的啟動(dòng)電壓。升壓斬波器電路107、降壓斬波器電路109和降壓斬波器電路129中的每一個(gè)斬波器電路中的變壓器的第二次級(jí)繞組c用作觸發(fā)電路。此外，利用該觸發(fā)電路生成用于涌入電流限制電路131的操作和非操作的觸發(fā)信號(hào)。在圖2示出的該配置中，“或”電路由二極管DIO、DlU D12和電阻器Rll、R12構(gòu)成，使得升壓斬波器電路107和降壓斬波器電路109和129的開(kāi)關(guān)電路中的任意一個(gè)可以 被首先啟動(dòng)以導(dǎo)通該開(kāi)關(guān)元件QlO。電容器ClO對(duì)該“或”電路的輸出電壓進(jìn)行平滑以使其變成用于導(dǎo)通開(kāi)關(guān)元件QlO(晶閘管)的啟動(dòng)電壓。因此，在同樣具有圖2中示出的配置的照明設(shè)備中，在電源被開(kāi)啟之后，可以由用作涌入電流限制器的電阻器RlO來(lái)減小涌入電流。此外，在該示例的照明設(shè)備中，在涌入電流被減小后無(wú)論升壓斬波器電路107、降壓斬波器電路109和降壓斬波器電路129中的哪一個(gè)被首先啟動(dòng)，都可以確保開(kāi)關(guān)元件QlO的啟動(dòng)電壓。因而，在具有圖2所示的配置的照明設(shè)備中，在開(kāi)啟電源之后，開(kāi)關(guān)元件QlO立即導(dǎo)通，使得每個(gè)開(kāi)關(guān)電路(升壓斬波器電路107、降壓斬波器電路109、降壓斬波器電路129)能夠可靠地執(zhí)行期望的操作。(另一配置的第二示例)圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的照明設(shè)備的另一配置的第二示例。圖3示出的第二示例的電路配置與圖I示出的電路配置的不同之處在于省略了升壓斬波器電路107、增加了 LED 2和LED 3的點(diǎn)亮電路、以及根據(jù)LED 2和LED 3的點(diǎn)亮電路的增加來(lái)改變涌入電流限制電路的配置。在圖3示出的電路配置中，將相同的附圖標(biāo)記給予了與圖I中示出的照明設(shè)備的電路配置中的部分相同的部分，并且省略了對(duì)其的冗余描述。在圖3中示出的配置中，提供降壓斬波器電路129和控制電路133來(lái)形成LED 2的點(diǎn)売電路。(降壓斬波器電路129)降壓斬波器電路129包括MOS-FET Q3、變壓器T3的初級(jí)繞組a、變壓器T3的第一次級(jí)繞組(輸入側(cè))b、二極管D3、電阻器R3以及電容器C3。接下來(lái)，將描述降壓斬波器電路129的操作。利用變壓器T3的第一次級(jí)繞組b的信號(hào)來(lái)生成用于導(dǎo)通MOS-FET Q3的檢測(cè)信號(hào)。此外，由電阻器R3來(lái)檢測(cè)在MOS-FET Q3的導(dǎo)通時(shí)間段期間流動(dòng)的電流，由此生成用于關(guān)斷MOS-FET Q3的檢測(cè)信號(hào)。控制電路133將每個(gè)檢測(cè)信號(hào)與參考電壓進(jìn)行比較來(lái)確定導(dǎo)通和關(guān)斷MOS-FETQ3的時(shí)刻。控制電路133基于所確定的導(dǎo)通/關(guān)斷的時(shí)刻來(lái)生成用于導(dǎo)通和關(guān)斷MOS-FET Q3的信號(hào)，并且控制電路133控制流過(guò)LED 2的電流以使其變成特定的電流。在圖3示出的配置中，提供降壓斬波器電路149和控制電路153來(lái)形成LED 3的點(diǎn)売電路。 (降壓斬波器電路149)降壓斬波器電路149包括MOS-FET Q4、變壓器T4的初級(jí)繞組a、變壓器T4的第一次級(jí)繞組(輸入側(cè))b、二極管D4、電阻器R4和電容器C4。接下來(lái)，將描述降壓斬波器電路149的操作。利用變壓器T4的第一次級(jí)繞組b的信號(hào)來(lái)生成用于導(dǎo)通MOS-FET Q4的檢測(cè)信號(hào)。此外，由電阻器R4來(lái)檢測(cè)在MOS-FET Q4的導(dǎo)通時(shí)間段期間流動(dòng)的電流，由此生成用于關(guān)斷MOS-FET Q4的檢測(cè)信號(hào)。控制電路153將每個(gè)檢測(cè)信號(hào)與參考電壓進(jìn)行比較來(lái)確定導(dǎo)通和關(guān)斷MOS-FETQ4的時(shí)刻。控制電路153基于所確定的導(dǎo)通/關(guān)斷的時(shí)刻來(lái)生成用于導(dǎo)通和關(guān)斷MOS-FET Q4的信號(hào)，并且控制電路153控制流過(guò)LED 3的電流以使其變成特定的電流。(涌入電流限制電路151的配置)涌入電流限制電路151被如下配置。此外，同樣在該配置中，提供用作涌入電流限制器的電阻器RlO來(lái)減小涌入電流。替代電阻器R10，可以將熱敏電阻用作涌入電流限制器。圖3中示出的涌入電流限制電路151包括電阻器R10、開(kāi)關(guān)元件Q10、電容器C10、電阻器Rll和R12、二極管DIO、Dll和D12以及變壓器Tl、T2、T3和T4中的每一個(gè)的第二次級(jí)繞組(輸出側(cè))C。在降壓斬波器電路109、降壓斬波器電路129和降壓斬波器電路149中的一個(gè)被啟動(dòng)之后，將涌入電流限制電路151設(shè)定為非操作狀態(tài)。換言之，當(dāng)降壓斬波器電路109、降壓斬波器電路129和降壓斬波器電路149中的任意一個(gè)被首先啟動(dòng)的時(shí)候，從電源101流出的輸入電流經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)元件QlO而不經(jīng)過(guò)涌入電流限制器RlO，由此涌入電流限制器RlO變成幾乎短路(導(dǎo)通)的狀態(tài)。在圖3中，從降壓斬波器電路109中的變壓器T2的第二次級(jí)繞組C、降壓斬波器電路129中的變壓器T3的第二次級(jí)繞組c和降壓斬波器電路149中的變壓器T4的第二次級(jí)繞組c獲得用于導(dǎo)通用作開(kāi)關(guān)元件QlO的晶閘管的啟動(dòng)電壓。降壓斬波器電路109、降壓斬波器電路129和降壓斬波器電路149中的每一個(gè)中的變壓器的第二次級(jí)繞組(輸出側(cè))c用作觸發(fā)電路。此外，利用該觸發(fā)電路生成用于涌入電流限制電路151的操作和非操作的觸發(fā)信號(hào)。在圖3示出的配置中，“或”電路由二極管D10、D11、D12和電阻器R11、R12構(gòu)成，使得降壓斬波器電路109、降壓斬波器電路129和降壓斬波器電路149的開(kāi)關(guān)電路中的任意一個(gè)可以被首先啟動(dòng)以導(dǎo)通該開(kāi)關(guān)元件Q10。電容器ClO對(duì)“或”電路的輸出電壓進(jìn)行平滑以使其變成用于導(dǎo)通該開(kāi)關(guān)元件QlO(晶閘管)的啟動(dòng)電壓。
因此，在同樣具有圖3中示出的配置的照明設(shè)備中，在電源被開(kāi)啟之后，可以由用作涌入電流限制器的電阻器RlO來(lái)減小涌入電流。此外，在該示例的照明設(shè)備中，在涌入電流被減小后無(wú)論降壓斬波器電路109、降壓斬波器電路129和降壓斬波器電路149中的哪一個(gè)首先被啟動(dòng)，都可以確保用作開(kāi)關(guān)元件QlO的晶閘管的啟動(dòng)電壓。因而，在具有圖3所示的配置的照明設(shè)備中，在開(kāi)啟電源之后，開(kāi)關(guān)元件QlO立即被導(dǎo)通，使得每個(gè)開(kāi)關(guān)電路(降壓斬波器電路109、降壓斬波器電路129和降壓斬波器電路149)能夠可靠地執(zhí)行期望的操作。
(另一配置的第三示例)圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的照明設(shè)備的另一配置的第三示例。圖4示出的第三示例的電路配置與圖I示出的電路配置不同之處在于通過(guò)提供DC電源121替代電源101來(lái)省略輸入濾波器、整流電路和升壓斬波器電路，增加了 LED 2的點(diǎn)亮電路并且根據(jù)LED 2的增加而改變涌入電流限制電路的配置。在圖4示出的電路配置中，將相同的附圖標(biāo)記給予了與圖I中示出的照明設(shè)備的電路配置中的部分相同的部分，并且省略了對(duì)其的冗余描述。在圖4中示出的配置中，提供降壓斬波器電路129和控制電路133來(lái)形成LED 2的點(diǎn)売電路。(降壓斬波器電路129)降壓斬波器電路129包括MOS-FET Q3、變壓器T3的初級(jí)繞組a、變壓器T3的第一次級(jí)繞組(輸入側(cè))b、二極管D3、電阻器R3以及電容器C3。接下來(lái)，將描述降壓斬波器電路129的操作。利用變壓器T3的第一次級(jí)繞組b的信號(hào)來(lái)生成用于導(dǎo)通MOS-FET Q3的檢測(cè)信號(hào)。此外，由電阻器R3來(lái)檢測(cè)在MOS-FET Q3的導(dǎo)通時(shí)間段期間流動(dòng)的電流，由此生成用于關(guān)斷MOS-FET Q3的檢測(cè)信號(hào)?？刂齐娐?33將每個(gè)檢測(cè)信號(hào)與參考電壓進(jìn)行比較來(lái)確定導(dǎo)通和關(guān)斷MOS-FETQ3的時(shí)刻?？刂齐娐?33基于所確定的導(dǎo)通/關(guān)斷的時(shí)刻來(lái)生成用于導(dǎo)通和關(guān)斷MOS-FET Q3的信號(hào)，并且控制電路133控制流過(guò)LED 2的電流以使其變成特定的電流。(涌入電流限制電路171的配置)涌入電流限制電路171被如下配置。此外，也在該配置中，提供用作涌入電流限制器的電阻器RlO來(lái)減小涌入電流。替代該電阻器R10，可以將熱敏電阻用作涌入電流限制器。圖4中示出的涌入電流限制電路171包括電阻器R10、開(kāi)關(guān)元件Q10、電容器C10、電阻器Rll和R12、二極管DlO和Dll以及變壓器T2和T3中的每一個(gè)的第二次級(jí)繞組(輸出側(cè))c。在降壓斬波器電路109和降壓斬波器電路129中的一個(gè)被啟動(dòng)之后，將涌入電流限制電路171設(shè)定為非操作狀態(tài)。換言之，當(dāng)降壓斬波器電路109和降壓斬波器電路129中的任意一個(gè)被首先啟動(dòng)的時(shí)候，從DC電源121流出的輸入電流經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)元件QlO而不經(jīng)過(guò)用作涌入電流限制器的涌入電流限制器R10，由此涌入電流限制器RlO變成幾乎短路(導(dǎo)通)的狀態(tài)。
在圖4中，從降壓斬波器電路109中的變壓器T2的第二次級(jí)繞組C、和降壓斬波器電路129中的變壓器T3的第二次級(jí)繞組c獲得用于導(dǎo)通用作開(kāi)關(guān)元件QlO的晶閘管的啟動(dòng)電壓。換言之，降壓斬波器電路109和降壓斬波器電路129中的每一個(gè)的變壓器的第二次級(jí)繞組c用作觸發(fā)電路。此外，利用該觸發(fā)電路生成用于涌入電流限制電路171的操作和非操作的觸發(fā)信號(hào)。在圖4示出的該配置中，“或”電路由二極管DlO和Dll以及電阻器Rll和R12構(gòu)成，使得降壓斬波器電路109和降壓斬波器電路129的開(kāi)關(guān)電路中的任意一個(gè)可以被首先啟動(dòng)以導(dǎo)通該開(kāi)關(guān)元件QlO。電容器ClO對(duì)該“或”電路的輸出電壓進(jìn)行平滑以使其變成用于導(dǎo)通開(kāi)關(guān)元件QlO(晶閘管)的啟動(dòng)電壓。因此，在同樣具有圖4中示出的配置的照明設(shè)備中，在電源被開(kāi)啟之后，可以由用 作涌入電流限制器的電阻器RlO來(lái)減小涌入電流。此外，在該示例的照明設(shè)備中，在涌入電流被減小后無(wú)論降壓斬波器電路109和降壓斬波器電路129中的哪一個(gè)首先被啟動(dòng)，都可以確保用作開(kāi)關(guān)元件QlO的晶閘管的啟動(dòng)電壓。因而，在具有圖4所示的配置的照明設(shè)備中，在開(kāi)啟電源之后，開(kāi)關(guān)元件QlO立即導(dǎo)通，并且每個(gè)開(kāi)關(guān)電路(降壓斬波器電路109、降壓斬波器電路129)能夠可靠地執(zhí)行期望的操作。此外，在根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的照明設(shè)備中，因?yàn)榈谝皇纠降谌纠碾娐放渲弥械拿恳粋€(gè)都具有多個(gè)LED，因此它可以被應(yīng)用于包括每個(gè)LED點(diǎn)亮電路的照明系統(tǒng)(用作獨(dú)立照明設(shè)備)中。(第二實(shí)施例)可以在例如圖5中示出的直管型LED照明裝置140中使用第一實(shí)施例的LED點(diǎn)亮設(shè)備。圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的直管型LED照明裝置140。圖5中示出的直管型LED照明裝置140是具有一盞燈的照明裝置。如圖5所示，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的LED照明裝置140包括裝置主體141、具有燈插頭接觸孔145的一對(duì)插座142和143以及彈簧144和反射板146，直管型LED經(jīng)由該燈插頭接觸孔145附著到該裝置主體141的兩端。當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的LED點(diǎn)亮設(shè)備被應(yīng)用于圖5所示的照明裝置140時(shí)，可以獲得與上述實(shí)施例的效果相同的效果。此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的LED點(diǎn)亮設(shè)備可以被應(yīng)用于具有兩盞或更多盞燈的裝置中。此外，除了在商店或機(jī)關(guān)中使用的直管型LED之外，可以使用各種形狀的LED。通過(guò)響應(yīng)于首先啟動(dòng)操作的開(kāi)關(guān)電路來(lái)將涌入電流限制電路設(shè)定在非操作狀態(tài)，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的LED點(diǎn)亮設(shè)備和包括該LED點(diǎn)亮設(shè)備的照明裝置具有可靠執(zhí)行期望操作的效果，并且根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的LED點(diǎn)亮設(shè)備和包括該LED點(diǎn)亮設(shè)備的照明裝置對(duì)于照明系統(tǒng)或類似物是有用的。雖然已經(jīng)針對(duì)實(shí)施例示出并且描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，在不超出如在下面的權(quán)利要求中定義的本發(fā)明的范圍的情況下可以作出各種改變和修改。
權(quán)利要求
1.一種LED點(diǎn)亮設(shè)備，包括 在電源和LED(發(fā)光二極管)單元之間連接的兩個(gè)或更多個(gè)開(kāi)關(guān)電路； 涌入電流限制電路，當(dāng)接通電力時(shí)，所述涌入電流限制電路限制流過(guò)所述LED點(diǎn)亮設(shè)備的涌入電流；以及 觸發(fā)電路，所述觸發(fā)電路利用所述開(kāi)關(guān)電路生成所述涌入電流限制電路的操作/非操作的觸發(fā)信號(hào)， 其中，當(dāng)所述開(kāi)關(guān)電路中的任何一個(gè)開(kāi)關(guān)電路首先啟動(dòng)時(shí)，所述涌入電流限制電路被設(shè)定在非操作狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的LED點(diǎn)亮設(shè)備，其中，所述觸發(fā)電路使用所述開(kāi)關(guān)電路中的每一個(gè)開(kāi)關(guān)電路的由線圈形成的次級(jí)繞組的電壓。
3.一種照明裝置，包括權(quán)利要求I或2所述的LED點(diǎn)亮設(shè)備。
全文摘要
一種LED點(diǎn)亮設(shè)備包括在電源和LED(發(fā)光二極管)單元之間連接的兩個(gè)或更多個(gè)開(kāi)關(guān)電路；涌入電流限制電路，當(dāng)接通電力時(shí)，該涌入電流限制電路限制流過(guò)該LED點(diǎn)亮設(shè)備的涌入電流；以及觸發(fā)電路，該觸發(fā)電路利用該開(kāi)關(guān)電路產(chǎn)生涌入電流限制電路的操作/非操作的觸發(fā)信號(hào)。此外，當(dāng)該開(kāi)關(guān)電路中的任何一個(gè)首先被啟動(dòng)時(shí)，該涌入電流限制電路被設(shè)定在非操作狀態(tài)。
文檔編號(hào)H05B37/02GK102647829SQ201210040780
公開(kāi)日2012年8月22日 申請(qǐng)日期2012年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月22日
發(fā)明者松田賢治, 水川宏光, 渡邊浩士 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社