專利名稱：一種3mm波段屏蔽腔體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種屏蔽腔體，具體涉及一種用于3_波段的屏蔽腔體。
背景技術(shù)：
微波和毫米波電路，無(wú)論是有源電路還是無(wú)源電路，一般都需要放置在屏蔽腔體中，以避免電路產(chǎn)生的輻射干擾其它電路。通常要求屏蔽腔體的截止頻率高于微波或毫米波電路的工作頻率，避免在屏蔽腔體內(nèi)產(chǎn)生波導(dǎo)模式惡化電路的性能(包括產(chǎn)生有害諧振，惡化帶內(nèi)增益平坦度，惡化隔離度等)。然而，隨著工作頻率的提高，屏蔽腔體的尺寸變得越來(lái)越小，以至于無(wú)法安裝電路。為了有足夠的空間安裝電路，在3mm波段電路的屏蔽腔體的截止頻率一般都在工作頻率以下。通常采用在屏蔽腔體的內(nèi)部加載吸波材料的方法，減小屏蔽腔體內(nèi)電路輻射的影響。然而，由于吸收材料的加入，會(huì)增加電路的損耗；此外，由于吸收材料吸收效率有限，這種方法對(duì)電路性能的改善有限。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種能有效減小電路輻射的影響，避免屏蔽腔體內(nèi)產(chǎn)生波導(dǎo)模式惡化電路的性能，同時(shí)又有足夠的空間安放電路的3mm波段的屏蔽腔體。技術(shù)方案本發(fā)明所述的一種3mm波段屏蔽腔體，包括蓋腔和底座，所述蓋腔扣合在所述底座上，所述底座上面設(shè)置有安放電路板的凹槽，所述蓋腔底面在與所述凹槽相對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有底面寬度與所述凹槽寬度相同的空腔，所述空腔內(nèi)部設(shè)有兩組或兩組以上關(guān)于所述空腔軸線橫向?qū)ΨQ的金屬齒組，所述金屬齒組位于所述空腔的頂面和兩個(gè)側(cè)面上并且沿所述空腔的軸向等距離分布；通過(guò)優(yōu)化金屬齒的外形尺寸及金屬齒組之間的距離，使所述空腔不能滿足3mm波段上電磁場(chǎng)傳輸和諧振所需要的邊界條件，因此所述屏蔽腔體可以效減小電路輻射的影響，避免屏蔽腔體內(nèi)產(chǎn)生波導(dǎo)模式惡化電路的性能。進(jìn)一步，所述空腔內(nèi)部截面寬度為3mm，高度為I. 5mm。進(jìn)一步，所述金屬齒組由兩個(gè)外形尺寸相同的金屬齒組成，所述金屬齒的截面為矩形。進(jìn)一步，所述金屬齒的長(zhǎng)、寬及厚度分別為1mm、Imm及O. 8mm。進(jìn)一步，所述凹槽的深度為電路板的厚度。進(jìn)一步，所述金屬齒組間的距離為O. 5mm。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其有益效果是本發(fā)明能有效減小電路輻射的影響，避免屏蔽腔體內(nèi)產(chǎn)生波導(dǎo)模式惡化電路的性能，同時(shí)又有足夠的空間安放電路。


圖I為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明蓋腔結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為本發(fā)明底座結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但是本發(fā)明的保護(hù)范圍不局限于所述實(shí)施例。如圖I至3所示的3mm波段屏蔽腔體采用銅材或者鋁材制作，包括蓋腔I和底座2兩部分，所述蓋腔I扣合在所述底座2上，所述底座2上面設(shè)置有安放電路板的凹槽3，所述凹槽3的深度為電路板的厚度，所述蓋腔I底面在與所述凹槽3相對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有底面寬度與所述凹槽3寬度相同的空腔4，所述空4內(nèi)部截面寬度為3mm，高度為I. 5mm，所述空腔4內(nèi)部設(shè)有八組關(guān)于所述空腔軸線橫向?qū)ΨQ的金屬齒組5，所述金屬齒組5位于所述空腔4的頂面和兩個(gè)側(cè)面上并且沿所述空腔4的軸向等距離分布，所述金屬齒組5由兩個(gè)外形尺寸相同的金屬齒組成，所述金屬齒的截面為矩形，所述金屬齒的長(zhǎng)、寬及厚度分別為
及O. 8mm,所述金屬齒組5間的距離為O. 5_。如上所述，盡管參照特定的優(yōu)選實(shí)施例已經(jīng)表示和表述了本發(fā)明，但其不得解釋為對(duì)本發(fā)明自身的限制。在不脫離所附權(quán)利要求定義的本發(fā)明的精神和范圍前提下，可對(duì)其在形式上和細(xì)節(jié)上作出各種變化。
權(quán)利要求
1.一種3mm波段屏蔽腔體，其特征在于，包括蓋腔和底座，所述蓋腔扣合在所述底座上，所述底座上面設(shè)置有安放電路板的凹槽，所述蓋腔底面在與所述凹槽相對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有底面寬度與所述凹槽寬度相同的空腔，所述空腔內(nèi)部設(shè)有兩組或兩組以上關(guān)于所述空腔軸線橫向?qū)ΨQ的金屬齒組，所述金屬齒組位于所述空腔的頂面和兩個(gè)側(cè)面上并且沿所述空腔的軸向等距離分布。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的3mm波段屏蔽腔體，其特征在于，所述空腔內(nèi)部截面寬度為3mm,高度為 I. 5mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的3mm波段屏蔽腔體，其特征在于，所述金屬齒組由兩個(gè)外形尺寸相同的金屬齒組成，所述金屬齒的截面為矩形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的3mm波段屏蔽腔體，其特征在于，所述金屬齒的長(zhǎng)、寬及厚度分別為 1mm、Imm 及 O. 8mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的3mm波段屏蔽腔體，其特征在于，所述凹槽的深度為電路板的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的3mm波段屏蔽腔體，其特征在于，所述金屬齒組間的距離為O.5mmο
全文摘要
本發(fā)明公開一種3mm波段屏蔽腔體，包括蓋腔和底座，所述蓋腔扣合在所述底座上，所述底座上面設(shè)置有安放電路板的凹槽，所述蓋腔底面在與所述凹槽相對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有底面寬度與所述凹槽寬度相同的空腔，所述空腔內(nèi)部設(shè)有兩組或兩組以上關(guān)于所述空腔軸線橫向?qū)ΨQ的金屬齒組，所述金屬齒組位于所述空腔的頂面和兩個(gè)側(cè)面上并且沿所述空腔的軸向等距離分布；本發(fā)明能有效減小電路輻射的影響，避免屏蔽腔體內(nèi)產(chǎn)生波導(dǎo)模式惡化電路的性能，同時(shí)又有足夠的空間安放電路。
文檔編號(hào)H05K9/00GK102638961SQ20121006325
公開日2012年8月15日 申請(qǐng)日期2012年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月12日
發(fā)明者崔寅杰, 徐杰, 童燁, 許正彬, 郭健, 錢澄 申請(qǐng)人:東南大學(xué)