專利名稱：一種平面電阻蝕刻方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于印制線路板制作技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及的是一種平面電阻蝕刻方法。
背景技術(shù)：
埋電阻，又稱埋阻或薄膜電阻，是將特殊的電阻材料壓合在絕緣基材上，通過蝕刻等工藝，形成設(shè)計(jì)所需的電阻值的內(nèi)(外)材料，然后壓合在PCB上(內(nèi))，形成平面電阻層的一種技術(shù)。隨著便攜式電子產(chǎn)品和高速收發(fā)信息數(shù)字產(chǎn)品的驟增，高密度封裝技術(shù)越來越顯示出其重要性。其主要作用就是能使復(fù)雜的電子產(chǎn)品小型、輕量、薄型及高性能、高功能化。而埋入式元件PCB板可提高封裝的可靠性，并降低成本，把大量可埋入的無源元件埋入到印制電路板內(nèi)部中，可以縮短元件相互之間的線路長(zhǎng)度，改善電氣特性，提高有效的印制電路板封裝面積，有效減少大量印制電路板板面的焊接點(diǎn)，從而提高封裝的可靠性，并降低成本。埋入電阻PCB產(chǎn)品是一類新型的PCB產(chǎn)品，使用內(nèi)鑲嵌電阻的模式替代了傳統(tǒng)的電阻元器件，使得產(chǎn)品更具有平整性和良好的電氣性能。目前埋入電阻PCB的制作流程如下首先對(duì)包含電阻層的內(nèi)層芯板進(jìn)行開料，在銅層上制作內(nèi)層圖形，然后在銅層上貼保護(hù)干膜，進(jìn)行內(nèi)層蝕刻，在銅層上形成線路圖形，將無線路圖形的銅層蝕刻掉，露出電阻層，之后再對(duì)電阻層表面進(jìn)行酸性蝕刻，露出電阻層內(nèi)層，褪膜，對(duì)板面進(jìn)行微蝕、去氧化，使銅表面粗化，然后貼膜保護(hù)線路，再次進(jìn)行內(nèi)層圖形制作和外層堿性蝕刻，蝕刻出電阻，之后褪膜，測(cè)量電阻值。其中上述流程中對(duì)電阻層進(jìn)行酸性蝕刻時(shí)存在操作難度較大的問題，主要是因?yàn)殡娮鑼颖砻嬗幸粚渔嚵缀辖鸨Ｗo(hù)層，采用普通的酸性蝕刻藥水很難將其蝕刻掉，而且蝕刻后，也容易造成電阻阻值波動(dòng)范圍較大、不穩(wěn)定，很難達(dá)到要求的阻值范圍。因此采用這種方式，存在蝕刻難度大，產(chǎn)品報(bào)廢率高，成品率低的問題。

發(fā)明內(nèi)容
為此，本發(fā)明的目的在于提供一種平面電阻蝕刻方法，以解決目前平面電阻蝕刻過程中所存在的蝕刻難度大，產(chǎn)品報(bào)廢率高，成品率低的問題。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明主要采用以下技術(shù)方案一種平面電阻蝕刻方法，包括步驟C、向蝕刻缸中加入濃度為200 300g/l的硫酸銅溶液和濃度為4 6ml/l的硫酸溶液進(jìn)行均勻混合，并調(diào)整混合后溶液的PH值為I. 5 2. 5，之后加溫到88°C 92°C，然后將內(nèi)層芯板置入該溶液中4 6分鐘,使內(nèi)層芯板中電阻層表面的鎳磷合金層被蝕刻掉。其中步驟C之前還包括有步驟B、對(duì)內(nèi)層芯板進(jìn)行開料、制作內(nèi)層圖形和進(jìn)行內(nèi)層酸性蝕刻，在銅箔層上形成內(nèi)層線路圖形，無線路圖形區(qū)域的銅層被蝕刻掉后露出電阻層，之后在形成的線路圖形上貼保護(hù)干膜。
其中步驟B之前還包括有步驟A、在銅箔層上沉積電阻材料，形成電阻層，并將銅箔層對(duì)應(yīng)壓制在基材上，使電阻層位于銅箔層與基材之間，形成內(nèi)層芯板。其中步驟C之后還包括有步驟D、將線路圖形上的干膜褪掉，對(duì)內(nèi)層芯板進(jìn)行微蝕，去掉板面氧化層，且使銅面粗化，之后再次對(duì)線路圖形貼保護(hù)干膜。其中步驟D之后還包括有步驟E、在電阻層制作內(nèi)層圖形，并進(jìn)行外層堿性蝕刻，選擇性蝕刻銅層，并蝕刻出所需要的電阻層圖形，之后褪膜，測(cè)量電阻值。本發(fā)明采用濃度為200 300g/l的硫酸銅溶液和濃度為4 6ml/l的硫酸溶液進(jìn)行混合，并在PH值為I. 5 2. 5，溫度為88°C 92°C的情況下，對(duì)電阻層表面的鎳磷合金層進(jìn)行蝕刻，大大降低了平面電阻蝕刻的難度。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明解決了普通酸性蝕刻藥水很難蝕刻掉電阻層表面鎳磷保護(hù)層的問題，降低了產(chǎn)品的報(bào)廢率，使蝕刻后的電阻值非常穩(wěn)定、且電阻值波動(dòng)范圍較小。
具體實(shí)施例方式為闡述本發(fā)明的思想及目的，下面將結(jié)合附圖
和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的說明。本發(fā)明提供了一種平面電阻蝕刻方法，該方法主要包括有A、制作電阻層內(nèi)層芯板在銅箔層上沉積電阻材料，形成電阻層，并將銅箔層對(duì)應(yīng)壓制在基材上，使電阻層位于銅箔層與基材之間，形成內(nèi)層芯板。B、對(duì)內(nèi)層芯板進(jìn)行開料、制作內(nèi)層圖形和進(jìn)行內(nèi)層酸性蝕刻，在銅箔層上形成內(nèi)層線路圖形，無線路圖形區(qū)域的銅層被蝕刻掉后露出電阻層，之后在形成的線路圖形上貼保護(hù)干膜。首先制作菲林，通過曝光顯影，使菲林上的線路圖形對(duì)應(yīng)轉(zhuǎn)移到內(nèi)層銅箔上，然后對(duì)該銅箔進(jìn)行酸性蝕刻，使多余的銅層被蝕刻掉，保留線路圖形，而被蝕刻掉銅箔后的區(qū)域則對(duì)應(yīng)露出電阻層，此時(shí)需要在蝕刻出的圖形線路上貼保護(hù)干膜。C、向蝕刻缸中加入濃度為200 300g/l的硫酸銅溶液和濃度為4 6ml/l的硫酸溶液進(jìn)行均勻混合，并調(diào)整混合后溶液的PH值為I. 5 2. 5，之后加溫到88°C 92°C，然后將內(nèi)層芯板置入該溶液中4 6分鐘,使內(nèi)層芯板中電阻層表面的鎳磷合金層被蝕刻掉。其中向蝕刻缸中添加的溶液體積具體根據(jù)實(shí)際蝕刻缸體積大小要求進(jìn)行，而這里的硫酸銅溶液和硫酸溶液的對(duì)應(yīng)比例為I : 1，即加入IL濃度為200 300g/l的硫酸銅溶液的同時(shí)對(duì)應(yīng)需要加入IL濃度為4 6ml/l的硫酸溶液，待兩種溶液對(duì)應(yīng)均勻混合后，調(diào)整PH值在I. 5 2. 5之間，然后將混合液加熱到88°C 92°C，此時(shí)即可將經(jīng)過銅箔內(nèi)層蝕刻后的內(nèi)層芯板放入到蝕刻缸中，保持4 6分鐘,使內(nèi)層芯板中電阻層表面的鎳磷合金層被蝕刻掉。D、將線路圖形上的干膜褪掉，對(duì)內(nèi)層芯板進(jìn)行微蝕，去掉板面氧化層，且使銅面粗化，之后再次對(duì)線路圖形貼保護(hù)干膜。此時(shí)需要先將線路圖形上的干膜褪掉，然后進(jìn)行化學(xué)前處理，即進(jìn)行微蝕處理，其主要是去掉板面氧化和使板面銅粗化，便于后續(xù)貼膜保護(hù)。E、在電阻層制作內(nèi)層圖形，并進(jìn)行外層堿性蝕刻，選擇性蝕刻銅層，并蝕刻出所需要的電阻層圖形，之后褪膜，測(cè)量電阻值。在對(duì)板面線路圖形貼保護(hù)膜后，此時(shí)則是對(duì)電阻層內(nèi)層進(jìn)行制作內(nèi)層圖形了，制作內(nèi)層圖形后，保留需要部分的電阻，不需要的電阻則通過蝕刻將蝕刻掉，形成內(nèi)層電阻圖形。電阻圖形蝕刻完成后，則褪膜，對(duì)電阻值進(jìn)行檢測(cè)以及對(duì)線路板進(jìn)行檢查，以及對(duì)板面進(jìn)行棕化處理，最后將多個(gè)內(nèi)層芯板進(jìn)行壓合，形成多層板。以上是對(duì)本發(fā)明所提供的一種平面電阻蝕刻方法進(jìn)行了詳細(xì)的介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種平面電阻蝕刻方法，其特征在于包括C、向蝕刻缸中加入濃度為200 300g/l的硫酸銅溶液和濃度為4 6ml/l的硫酸溶液進(jìn)行均勻混合，并調(diào)整混合后溶液的PH值為I. 5 2. 5，之后加溫到88°C 92°C，然后將內(nèi)層芯板置入該溶液中4 6分鐘，使內(nèi)層芯板中電阻層表面的鎳磷合金層被蝕刻掉。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的平面電阻蝕刻方法，其特征在于步驟C之前還包括有步驟B、對(duì)內(nèi)層芯板進(jìn)行開料、制作內(nèi)層圖形和進(jìn)行內(nèi)層酸性蝕刻，在銅箔層上形成內(nèi)層線路圖形，無線路圖形區(qū)域的銅層被蝕刻掉后露出電阻層，之后在形成的線路圖形上貼保護(hù)干膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的平面電阻蝕刻方法，其特征在于步驟B之前還包括有步驟A、在銅箔層上沉積電阻材料，形成電阻層，并將銅箔層對(duì)應(yīng)壓制在基材上，使電阻層位于銅箔層與基材之間，形成內(nèi)層芯板。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的平面電阻蝕刻方法，其特征在于步驟C之后還包括有步驟D、將線路圖形上的干膜褪掉，對(duì)內(nèi)層芯板進(jìn)行微蝕，去掉板面氧化層，且使銅面粗化， 之后再次對(duì)線路圖形貼保護(hù)干膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的平面電阻蝕刻方法，其特征在于步驟D之后還包括有步驟E、在電阻層制作內(nèi)層圖形，并進(jìn)行外層堿性蝕刻，選擇性蝕刻銅層，并蝕刻出所需要的電阻層圖形，之后褪膜，測(cè)量電阻值。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種平面電阻蝕刻方法，包括步驟C、向蝕刻缸中加入濃度為200～300g/l的硫酸銅溶液和濃度為4～6ml/l的硫酸溶液進(jìn)行均勻混合，并調(diào)整混合后溶液的PH值為1.5～2.5，之后加溫到88℃～92℃，然后將內(nèi)層芯板置入該溶液中4～6分鐘，使內(nèi)層芯板中電阻層表面的鎳磷合金層被蝕刻掉。本發(fā)明采用濃度為200～300g/l的硫酸銅溶液和濃度為4～6ml/l的硫酸溶液進(jìn)行混合，并在pH值為1.5～2.5，溫度為88℃～92℃的情況下，對(duì)電阻層表面的鎳磷合金層進(jìn)行蝕刻，大大降低了平面電阻蝕刻的難度。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明解決了普通酸性蝕刻藥水很難蝕刻掉電阻層表面鎳磷保護(hù)層的問題，降低了產(chǎn)品的報(bào)廢率，使蝕刻后的電阻值非常穩(wěn)定、且電阻值波動(dòng)范圍較小。
文檔編號(hào)H05K3/06GK102612270SQ20121007946
公開日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2012年3月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月23日
發(fā)明者劉 東, 彭衛(wèi)紅, 歐植夫, 焦榮輝 申請(qǐng)人:深圳崇達(dá)多層線路板有限公司