電路板及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種電路板的制作方法，其包括以下步驟：提供一電路基板，該電路基板的一表面設(shè)有圖案化導體層，該圖案化導體層包括焊接部及導電線路部；在該表面上形成一層覆蓋該焊接部及該導電線路部的干膜；對該干膜曝光顯影以暴露該焊接部；在該焊接部上形成覆蓋該焊接部的結(jié)構(gòu)型高分子導電膜層；及去除該干膜。本發(fā)明還涉及一種由上述方法制作的電路板。
【專利說明】電路板及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電路板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的電路板制作技術(shù)中，為了對電路板裸露的銅進行處理，保證電路板良好的可焊性或電性能，還需要對電路板進行表面處理。對電路板的表面處理一般分為有機表面處理與金屬表面處理。以有機表面處理有機保焊膜(OSP, Organic SolderabilityPreservatives )為例，其是在潔凈的裸銅表面上以化學的方法長出一層具有防氧化，耐熱沖擊及耐濕性的有機皮膜，以保護銅表面于常態(tài)環(huán)境中不再繼續(xù)生銹(氧化或硫化等)。因有機皮膜不具有導電性，在電路板制作流程上是先對電路板進行電測而后生長該有機皮膜，但因賈凡尼效應(yīng)的存在，存在生長有機皮膜后線路過蝕斷開的風險。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]鑒于上述狀況，有必要提供一種能克服上述問題的電路板及其制作方法。
[0004]一種電路 板的制作方法，其包括以下步驟:
提供一電路基板，該電路基板的一表面設(shè)有圖案化導體層，該圖案化導體層包括焊接部及導電線路部；在該表面上形成一層覆蓋該焊接部及該導電線路部的干膜；對該干膜曝光顯影以暴露該焊接部；在該焊接部上形成覆蓋該焊接部的結(jié)構(gòu)型高分子導電膜層；及去除該干膜。
[0005]—種電路板，其包括電路基板和結(jié)構(gòu)型高分子導電膜層，該電路基板的一表面設(shè)有圖案化導體層，該圖案化導體層包括焊接部及導電線路部焊接部，該結(jié)構(gòu)型高分子導電膜層覆蓋該焊接部。
[0006]相較現(xiàn)有技術(shù)，由本發(fā)明提供的電路板制作方法制作的電路板，其利用高分子導電膜層作為保護層覆蓋該焊接部，使電測步驟可以放在高分子導電膜層形成之后進行，避免了因賈凡尼效應(yīng)而導致線路過蝕斷開的問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1至圖5是本發(fā)明實施方式提供的一種電路板制作方法制作電路板的流程示意圖。
[0008]主要元件符號說明 _
電路基板_100

圖案化導體層
禪接部@
導電線路部_124
WWM—130
干膜_140

結(jié)構(gòu)型高分子導電膜層 150
A路板|200 如下【具體實施方式】將結(jié)合上述附圖進一步說明本發(fā)明。
【具體實施方式】
[0009]下面以【具體實施方式】并結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的電路板制作方法進一步詳細說明。
[0010]請參圖1-5，一種電路板200的制作方法，其包括以下步驟:
S1.提供一電路基板100。請參閱圖1，該電路基板100的一表面設(shè)有圖案化導體層120，該圖案化導體層包括焊接部122及導電線路部124。該電路基板100可為單面板，也可為雙面板或者多層板。該圖案化導體層為銅金屬層。該焊接部122包括有通孔和焊墊，該焊接部122用于與外部電子元器件進行電性連接。該導電線路部124為電路基板表面的銅線路。在該步驟中，可對該電路基板100進行防焊處理。該防焊處理可以采用各種已知的方式進行。在本實施方式中，該防焊處理步驟包括:(I)去除該電路基板100表面上油潰、氧化層等；(2)對該電路基板100的表面進行粗化處理；(3)在該圖案化導體層120表面上形成一層防焊層(Solder Mask)。該防焊層為感光型阻焊油墨；(4)對該電路基板100進行預(yù)烤，趕走該防焊層中之溶劑；(5)對電路基板100進行曝光顯影，即在導電線路部124表面形成一層防焊層130，請參閱圖2，并暴露該焊接部122 ; (6)后烤:即完全烘干該防焊層130。
[0011]S2.在該電路基板100的圖案化導體層120表面上形成一層覆蓋該焊接部122及該導電線路部124的干膜140;
S3.對該干膜140進行曝光與顯影以暴露該焊接部122(如圖3所示)。優(yōu)先地，該干膜140的形狀大小與該電路基板100相同。且該干膜140為感光干膜。感光干膜是在紫外線照射下，會產(chǎn)生化學反應(yīng)，在顯影過程中不會溶解于顯影液；而沒有紫外線照射的話，則會在顯影過程中溶解于顯影液中。此處在該電路基板100的表面形成該干膜140的目的是為后續(xù)在該焊接部122表面形成高分子結(jié)構(gòu)型導電膜層做準備。即將不需要結(jié)構(gòu)型高分子導電膜層覆蓋的區(qū)域用干膜蓋住，需要結(jié)構(gòu)型高分子導電膜層覆蓋的區(qū)域應(yīng)將干膜顯影掉。
[0012]S4.在該焊接部122上形成覆蓋該焊接部122的結(jié)構(gòu)型高分子導電膜層150。將該電路基板100放入等離子體發(fā)生器，向等離子體發(fā)生器中通入結(jié)構(gòu)型高分子聚合物。該結(jié)構(gòu)型高分子化合物在發(fā)生器中，在電場的作用下氣體分子電離形成等離子體，然后沉積在該焊接部122及干膜140上形成結(jié)構(gòu)型高分子導電膜層150 (如圖4所示)。該結(jié)構(gòu)型高分子聚合物具有高導電性、表面能低、不吸潮、不粘異物、耐腐蝕等特征，如聚吡咯、聚苯硫醚、聚苯胺、聚噻吩等。這類結(jié)構(gòu)型高分子聚合物本身具有高導電性，表面能低、不吸潮、不粘異物、耐腐蝕等特征。其中該結(jié)構(gòu)型高分子導電材料層的厚度介于10_200nm。
[0013]S5.去除該干膜140，從而得到電路板200 (如圖5所示)。具體地，將該電路基板100通過水平線設(shè)備，利用堿性液體的噴淋動作將該干膜140去除，在干膜140被去除的同時，覆蓋在干膜140上的結(jié)構(gòu)型高分子導電膜層150也被去除，從而使得結(jié)構(gòu)型高分子導電膜層150只覆蓋于焊接部122上。其中，去除該干膜140所采用的堿性液體為氫氧化鈉或氫氧化鉀，氫氧化鈉或氫氧化鉀會和該干膜140產(chǎn)生酸堿中和反應(yīng)達到去除該干膜140的目的。其中堿性液體溫度不超過45°C，因為堿性液體在45°C即有良好的剝除干膜效果；再者，低溫有利于保護該電路基板100上的該結(jié)構(gòu)型高分子導電膜層150不受攻擊。[0014]S6:對該電路板200進行電測。在該步驟中，去掉該干膜140之后不需要再對焊接部進行焊錫即可直接對電路基板上的焊接部進行測試，以檢測該電路板200的導通性。
[0015]請參圖5，一種由上述方法制作的電路板200，其包括電路基板100和結(jié)構(gòu)型高分子導電膜層150。該電路基板100為單面板、雙面板或者多層板。該電路基板100包括圖案化導體層120，該圖案化導體層120包括焊接部122及導電線路部124，其中，該結(jié)構(gòu)型高分子導電膜層150覆蓋該焊接部122。該結(jié)構(gòu)型高分子導電膜層150的材質(zhì)為結(jié)構(gòu)型導電高分子。優(yōu)選地，該結(jié)構(gòu)型高分子為聚吡咯、聚苯硫醚、聚苯胺、聚噻吩。該結(jié)構(gòu)型高分子導電膜層150的厚度為10-200nm。
[0016]綜上所述，本發(fā)明提供的電路板制作方法其利用高分子導電膜層作為保護層覆蓋該焊接部，使電測步驟可以放在高分子導電膜層形成之后進行，避免了因賈凡尼效應(yīng)而導致線路過蝕斷開的問題；提升了電路板的裝配效率。進一步地，該結(jié)構(gòu)型高分子導電膜層為無鉛化和無鹵化材料，符合目前人們對環(huán)保的需求。
[0017]另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化，當然，這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種電路板的制作方法，其包括以下步驟: 提供一電路基板，該電路基板的一表面設(shè)有圖案化導體層，該圖案化導體層包括焊接部及導電線路部； 在該表面上形成一層覆蓋該焊接部及該導電線路部的干膜； 對該干膜曝光顯影以暴露該焊接部； 在該焊接部上形成覆蓋該焊接部的結(jié)構(gòu)型高分子導電膜層；及 去除該干膜。
2.如權(quán)利要求1所述的電路板的制作方法，其特征在于:提供該電路基板的步驟還包括對該電路基板進行防焊處理。
3.如權(quán)利要求1所述的電路板的制作方法，其特征在于:去除該干膜的步驟之后還包括對該電路板進行電測的步驟。
4.如權(quán)利要求1所述的電路板的制作方法，其特征在于:形成該結(jié)構(gòu)型高分子導電材料層的步驟采用等離子體沉積法。
5.如權(quán)利要求1所述的電路板的制作方法，其特征在于:該干膜為感光干膜。
6.如權(quán)利要求1所述的電路板的制作方法，其特征在于:去除該干膜的步驟中采用的溶液為氫氧化鈉或者氫氧化鉀。
7.如權(quán)利要求1所述的電路板的制作方法，其特征在于:該結(jié)構(gòu)型高分子導電材料層的材料為聚吡咯、聚苯硫醚、聚苯胺、聚噻吩中的一種。
8.如權(quán)利要求1所述的電路板的制作方法，其特征在于:該結(jié)構(gòu)型高分子導電材料層的厚度為10-200nm。
9.一種電路板,其包括電路基板和結(jié)構(gòu)型高分子導電膜層,該電路基板的一表面設(shè)有圖案化導體層，該圖案化導體層包括焊接部及導電線路部焊接部，其特征在于:該結(jié)構(gòu)型高分子導電膜層覆蓋該焊接部。
10.如權(quán)利要求9所述的電路板，其特征在于:該電路板為單面板、雙面板或者多層板。
【文檔編號】H05K3/00GK103582279SQ201210252335
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2012年7月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月20日
【發(fā)明者】白耀文, 高勝軍 申請人:宏恒勝電子科技（淮安）有限公司, 臻鼎科技股份有限公司