專利名稱：線路板及其制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種線路板及其制作方法，且特別是涉及一種線路布局上具有較大的自由度的線路板及其制作方法。
背景技術：
近年來，隨著電子技術的日新月異，高科技電子產業(yè)的相繼問世，使得更人性化、功能更佳的電子產品不斷地推陳出新，并朝向輕、薄、短、小的趨勢設計。在這些電子產品內通常會配置具有導電線路的線路板。對于一般熟知的線路板來說，其制造方法通常是先于核心層的兩側形成第一層導體層。然后，對導體層進行圖案化制作工藝，以形成第一線路層。接著，以疊層法 (lamination)分別于核心層的二側壓合介電層以及第二層導體層，使得介電層壓合于核心層與第二層導體層之間。而后，分別于第二層導體層與介電層中形成開口，以暴露出第一線路層。繼之，進行電鍍制作工藝，在開口中電鍍銅以形成導通孔(conductive via)。之后，將第二層導體層圖案化，以在介電層上形成通過導通孔與第一線路層連接的第二線路層。當然，可視實際需求以相同的方式形成更多層的線路層。由于上述方法是對稱地于核心層兩側依序形成多層的線路層，因此所制造出的線路板具有偶數層的線路層。然而，上述的制造方法往往限制了線路布局設計(circuitlayout)的自由度，亦即必須制作出具有偶數層線路層的線路板。再者，為了避免線路板在制作的過程中或于電子元件組裝的過程中發(fā)生線路板翹曲的問題，因此現有的線路板的核心層兩側上的線路布局與介電層的厚度都必須采用對稱性的設計，如此一來，也限制了線路布局設計的自由度。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種線路板，其在線路布局上具有較大的自由度。本發(fā)明的另一目的在于提供一種線路板的制作方法，用以制作上述的線路板。為達上述目的,本發(fā)明提出一種線路板，其包括一第一介電層、一第一圖案化金屬箔層、一第一線路圖案、至少一第一導電孔道、一疊層結構、一第二介電層、一第二圖案化金屬箔層、一第二線路圖案及至少一第二導電孔道。第一介電層具有彼此相對的一第一表面與一第二表面。第一圖案化金屬箔層配置于第一介電層的第一表面上，且暴露出部分第一表面。第一線路圖案埋入第一介電層的第二表面。第一導電孔道與第一線路圖案一體成形，其中第一導電孔道的一端穿過第一介電層以連接第一圖案化金屬箔層，且第一導電孔道與第一圖案化金屬箔層之間具有界面。疊層結構配置于第一介電層的第二表面上，且覆蓋第一線路圖案與第一導電孔道的另一端。疊層結構包括至少一內連通結構與至少一圖案導體層。內連通結構電連接第一線路圖案與疊層結構相對遠離第一線路圖案的圖案導體層。第二介電層配置于疊層結構上。第二圖案化金屬箔層配置于第二介電層上，且暴露出部分第二介電層。第二線路圖案配置于第二圖案化金屬箔層上，且與第二圖案化金屬箔層共形設置。第二導電孔道與第二線路圖案一體成形，其中第二導電孔道的一端穿過第二介電層以電連接疊層結構，且第二導電孔道的另一端與第二線路圖案實質上切齊。本發(fā)明還提出一種線路板的制作方法，其包括下述步驟。分別壓合一第一介電層于一第一金屬箔層與一第二金屬箔層上，其中每一第一介電層具有彼此相對的一第一表面與一第二表面，且通過一膠層粘合第一金屬箔層與第二金屬箔層。膠層位于第一金屬箔層與第二金屬箔層的周邊，以與第一金屬箔層與第二金屬箔層形成一封閉空間。分別形成一疏水薄膜于第一介電層的第二表面上。對疏水薄膜照射一第一激光光束，以分別形成一穿透過疏水薄膜的第一凹刻圖案于第一介電層的第二表面上，并分別形成穿過第一介電層的至少一第一貫孔，其中第一貫孔分別暴露出部分第一金屬箔層與部分第二金屬箔層。對疏水薄膜進行一活化步驟，并于活化步驟后移除疏水薄膜。分別形成一第一線路圖案于第一凹刻圖案內，并同時分別形成至少一第一導電孔道于第一貫孔內。第一導電孔道的一端分別連接第一貫孔所暴露出的部分第一金屬箔層與部分第二金屬箔層，且第一 導電孔道分別與第一金屬箔層及第二金屬箔層之間具有一第一界面與一第二界面。移除疏水薄膜以分別暴露出第一介電層的第二表面。分別壓合一疊層結構于第一介電層的第二表面上，其中疊層結構分別覆蓋第一線路圖案與第一導電孔道的另一端。每一疊層結構包括至少一內連通結構與至少一圖案導體層。內連通結構電連接第一線路圖案與疊層結構相對遠離第一線路圖案的圖案導體層。分別壓合一第二介電層及一位于第二介電層上的第三金屬箔層于疊層結構上。對第二介電層照射一第二激光光束，以分別形成依序穿過第三金屬箔層與第二介電層的至少一第二貫孔，其中第二貫孔分別暴露出部分疊層結構。形成一導電材料于第二貫孔內，并延伸覆蓋于第二介電層上。分離第一金屬箔層與第二金屬箔層，以使疊層結構及其上的第二介電層、第三金屬箔層與導電材料分別位于第一金屬箔層與第二金屬箔層上。移除部分第一金屬箔層與部分第二金屬箔層，以分別形成一第一圖案化金屬箔層于第一介電層的第一表面上，并分別移除部分第三金屬箔層、部分導電材料，以分別形成一第二圖案化金屬箔層及一第二線路圖案于第二介電層上，而分別形成至少一第二導電孔道于第二貫孔內。第二導電孔道的一端分別連接第二貫孔所暴露出的部分疊層結構，且第二導電孔道分別與第二線路圖案一體成形。基于上述，本發(fā)明是采用對疏水薄膜照射激光光束來形成凹刻圖案及貫孔，而后再形成線路圖案于凹刻圖案內以及形成導電孔道于貫孔內。因此，本發(fā)明的線路板可具有較佳可靠度的細線路。再者，由于本發(fā)明是采用無核心(coreless)技術來形成線路板，因此具有較佳的生產效率，適于量產。此外，此線路板上的線路圖案(及細線路)的制作并非采用現有壓合導電層的方式來形成，因此可有效提升線路板的線路布局的自由度。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖作詳細說明如下。


圖IA至圖IK為本發(fā)明的一實施例的一種線路板的制作方法的剖面示意圖；圖2A至圖2C為本發(fā)明的另一實施例的一種線路板的制作方法的局部步驟的剖面示意圖；圖3A至圖31為本發(fā)明的另一實施例的一種線路板的制作方法的局部步驟的剖面示意圖；圖4A至圖4C為本發(fā)明的另一實施例的一種線路板的制作方法的局部步驟的剖面示意圖；圖5A為本發(fā)明的一實施例的一種線路板的剖面示意圖；圖5B為本發(fā)明的另一實施例的一種線路板的剖面示意圖。主要元件符號說明10、10b :膠層
20:疏水薄膜30、60 :圖案化光致抗蝕劑層40 :第一圖案化光致抗蝕劑層50 :第二圖案化光致抗蝕劑層100a、100b、100c、IOOcUIOOeUOOf :線路板110 :第一圖案化金屬箔層IlOa:第一金屬箔層IlOb:第二金屬箔層120:介電層122 :第一表面124 :第二表面130 :第一線路圖案140:第一導電孔道150 :疊層結構151 :第三表面152、152c:絕緣層153c :第四金屬箔層154、154c :圖案導體層155c :籽晶層156、156c :內連通結構160:第二介電層170 :第二圖案化金屬箔層170a、170a’、170a”第三金屬箔層175:圖案化籽晶層175a、175a’ 籽晶層180、182、184 :第二線路圖案180β>180β> :導電材料182a> 184d 電鍍材料190:第二導電孔道Cl :凹刻圖案H:導氣孔LI :第一激光光束
L2:第二激光光束L3 :第三激光光束SI :第一界面S2 :第二界面Tl :第一貫孔T2 :第二貫孔 T3 :第二貫孔R :封閉空間Y :切割線
具體實施例方式圖IA至圖IK為本發(fā)明的一實施例的一種線路板的制作方法的剖面示意圖。為了方便說明起見，圖IA(a)與圖IA(b)分別繪示第一金屬箔層與第二金屬箔層通過膠層粘合的立體示意圖。請先參考圖1A，依據本實施例的線路板的制作方法，首先，提供一第一金屬箔層IlOa以及一第二金屬箔層IlOb,其中通過一膠層10粘合第一金屬箔層IIOa與第二金屬箔層IlOb上。于此,膠層10位于第一金屬箔層IlOa與第二金屬箔層IlOb的周邊，以與第一金屬箔層IlOa與第二金屬箔層IlOb形成一封閉空間R。舉例而言，膠層10可呈一連續(xù)框形圖案(請參考圖IA(a))，此連續(xù)框形圖案與第一金屬箔層IlOa與第二金屬箔層IlOb圍出扁平狀的封閉空間R。如此一來，在后續(xù)的濕制作工藝(例如顯影、蝕刻、清洗等)中，夕卜物(例如顯影液、蝕刻液、清洗劑等)便不易穿過膠層10進入封閉空間R，進而對第一金屬箔層IlOa與第二層箔層IlOb造成損傷。在本實施例中，膠層10的材料例如是防焊油墨、抗化性膠帶或純膠材料，而膠層10的寬度例如是12毫米。需說明的是，于其他實施例中，請參考圖lA(b)，膠層IOb也可為一不連續(xù)框形圖案，也就是說，不連續(xù)框形圖案中存在有多個導氣孔H (至少6個以上)，其中每一導氣孔H的長度例如是介于10毫米至15毫米，而寬度例如是介于I毫米至3毫米。此外，第一金屬箔層IlOa與第二金屬箔層IlOb的中心線平均粗糙度(Ra)與十點平均粗糙度(Rz)皆大于3微米。其中，粗糙度的定義于量測方法可參考日本工業(yè)標準JIS B0601的最新版序所述。接著，請參考圖1B,分別壓合一第一介電層120于第一金屬箔層IlOa與第二金屬箔層IlOb上，其中每一第一介電層120具有彼此相對的一第一表面122與一第二表面124，且第一金屬箔層IlOa與第二金屬箔層IlOb分別位于這些第一介電層120的第一表面122上。接著，請參考圖1C，分別形成一疏水薄膜20于這些第一介電層120的這些第二表面124上。于此，疏水薄膜20是一種一熱聚合性材料，而且為一種低聚合的高分子材料。疏水薄膜20在熟化前可以含有多種聚合單體，并使用烘烤步驟促使其低度聚合。在聚合后，疏水薄膜20會含有多種高分子基團，例如經(人工)橡膠改質的環(huán)氧基團(epoxy)、丙烯酸基團、酰亞胺基團與酰胺基團等，還可以含有視情況需要的助劑、消泡劑與流平劑(wetting agent)等。所以在聚合后,疏水薄膜20是一種低聚合的共聚物。例如,疏水薄膜20會經過70°C -120°C，30分鐘以內的烘烤步驟而熟化(curing)，使得疏水薄膜20具有O.5 μ m-30 μ m (微米)的厚度。需注意的是，疏水薄膜20的熟化步驟，并不涉及光起始的聚合反應。疏水薄膜20并不使用光影像轉移方式而加以圖案化，所以疏水薄膜20并不是一種光致抗蝕劑。接著，請同時參考圖IC與圖1D，對這些疏水薄膜20照射一第一激光光束LI，以分別形成一穿透過這些疏水薄膜20的第一凹刻圖案Cl于這些第一介電層120的這些第二表面124上，并分別形成穿過這些第一介電層120的至少一第一貫孔Tl。其中，這些第一貫孔Tl分別暴露出部分第一金屬箔層IIOa與部分第二金屬箔層110b。需注意的是，由于對疏水薄膜20照射完第一激光光束LI之后，所形成的這些圖案化的疏水薄膜20上可能還留有殘渣，進而會妨礙后續(xù)形成的電連接品質，因此通常會進行一前處理步驟，以移除殘渣。前處理步驟時可能會使用到等離子體處理、有機溶劑，例如醇類、醚類、二甲亞砜(DMSO)或是氮、氮-二甲基甲酰胺(DMF)等，其可以膨潤圖案化的疏水薄膜20，或是氧化劑，例如硫酸/雙氧水與過錳酸根等。因此，疏水薄膜20必須要能抵抗有機溶劑或是氧化劑的侵蝕。另外，前處理步驟時也可能會使用到酸，例如硫酸或是弱堿，所以疏水薄膜20還要能抵抗酸或是 弱堿的侵蝕。接著，再對疏水薄膜20進行活化步驟，即進行晶種層(未繪示)的形成步驟。由于疏水薄膜20材料特性的緣故，所以既允許晶種層形成在第一凹刻圖案Cl中，也允許晶種層覆蓋第一凹刻圖案Cl所露出的部分第一介電層120的第二表面124與疏水薄膜20表面上。例如，將第一凹刻圖案Cl所露出的部分第一介電層120的第二表面124浸泡在含有貴金屬，例如至少包含有鉬、鈀、金或銠的溶液中，使得所形成的晶種層得以完全覆蓋第一凹刻圖案Cl以及第一凹刻圖案Cl所露出的部分第一介電層120的第二表面124。當然，所形成的晶種層也可以只選擇性地覆蓋第一凹刻圖案Cl以及第一凹刻圖案Cl所露出的部分第一介電層的第二表面。接著，完全去除疏水薄膜20。由于部分晶種層(未繪示)覆蓋疏水薄膜20，所以完全去除疏水薄膜20時，也會同時去除位于疏水薄膜20部分的晶種層。舉例來說，可以使用化學方法或是物理方法以移除疏水薄膜20?；瘜W方法可以是使用一堿性溶液以移除疏水薄膜20。堿性溶液可以是強無機堿，例如氫氧化鈉。堿性溶液可以具有大于11的pH值，較佳PH值介于11-13之間。物理方法可以負責或是輔助移除疏水薄膜20。例如，物理方法包含使用刷磨法、研磨法、等離子體處理法、超音波。接著，請參考圖1E，分別形成一第一線路圖案130于這些第一凹刻圖案Cl內，并同時分別形成至少一第一導電孔道140于這些第一貫孔Tl內，其中晶種層(未繪示)位于第一線路圖案130與這些第一凹刻圖案Cl內，以及位于第一線路圖案130與這些第一貫孔Tl內。特別是，本實施例的這些第一導電孔道140的一端分別連接第一貫孔Tl所暴露出的部分第一金屬箔層IIOa與部分第二金屬箔層IIOb,且這些第一導電孔道140分別與第一金屬箔層IlOa及第二金屬箔層IlOb之間具有一第一界面SI與一第二界面S2。接著，并移除這些疏水薄膜20以分別暴露出這些第一介電層120的這些第二表面124。接著，請參考圖1F，分別壓合一疊層結構150于這些第一介電層120的這些第二表面124上，其中這些疊層結構150分別覆蓋這些第一線路圖案130與這些第一導電孔道140的另一端。詳細來說，本實施例的每一疊層結構150包括至少一絕緣層152 (圖IF中僅示意地繪示三個)、至少一圖案導體層154 (圖IF中僅示意地繪示三個)以及至少一貫穿絕緣層152的內連通結構156 (圖IF中僅示意地繪示三個)。這些絕緣層152與這些圖案導體層154依序疊置于第一線路圖案130上，且這些圖案導體層154分別埋入這些絕緣層152的多個第三表面152a。于此，這些內連通結構156分別與這些圖案導體層154—體 成形，且最鄰近第一線路圖案130的內連通結構156的一端穿過對應的絕緣層152以連接這些第一線路圖案130。此外，分別貫穿相鄰兩這些絕緣層152的這些內連通結構156于第一線路圖案130上的正投影不重疊，且這些內連通結構156的另一端實質上分別低于這些絕緣層152的這些第三表面152a。當然，于一實施例中，請參考圖5A的線路板100e，其中分別貫穿相鄰兩這些絕緣層152的這些內連通結構156于第一線路圖案130上的正投影重疊。也就是說，線路板IOOe的這些內連通結構156的堆疊形式為一種垂直式疊孔設計。再者，于另一實施例中，這些內連通結構156的另一端也可實質上分別切齊這些絕緣層152的這些第三表面152a，于此并不加以限制。需說明的是，于本實施例中，形成每一疊層結構150的步驟，例如是依序重復至少一次(于此為重復三次)形成這些疏水薄膜20 (請參考圖IC的步驟)、形成這些第一凹刻圖案Cl及這些第一貫孔Tl (請參考圖ID的步驟)、形成這些第一線路圖案130及這些第一導電孔道140以及移除這些疏水薄膜20的步驟(請參考圖IE的步驟)。于此，并不加以限制疊層結構150的絕緣層152、圖案導體層154及內連通結構156的數量，可依據使用需求而自行增減依序重復形成這些疏水薄膜20、形成這些第一凹刻圖案Cl及這些第一貫孔Tl、形成這些第一線路圖案130及這些第一導電孔道140以及移除這些疏水薄膜20的步驟。接著，請參考圖1G，分別壓合一第二介電層160及一位于第二介電層160上的第三金屬箔層170a于這些疊層結構150上。于此，第二介電層160覆蓋相對遠離這些第一線路圖案130的絕緣層152的第三表面152a、圖案導體層154以及內連通結構156的另一端。接著，請參考圖1H，對這些第三金屬箔層170a進行減銅蝕刻，而形成這些第三金屬箔層170a’，其目的在于可提高激光貫孔的容易度。接著，對這些第二介電層160照射一第二激光光束L2，以分別形成依序穿過這些第三金屬箔層170a’與第二介電層160的至少一第二貫孔T2，其中這些第二貫孔T2分別暴露出部分這些疊層結構150。接著，并分別形成一籽晶層175a于這些第三金屬箔層170a’上以及這些第二貫孔T2內。其中，每一第三金屬箔層170a’的厚度加上每一籽晶層175a的厚度約略等于第一金屬箔層IlOa的厚度或第二金屬箔層IlOb的厚度。接著，請參考圖II，進行一電鍍步驟，以電鍍一導電材料180a于這些第二貫孔T2內，并延伸覆蓋于這些籽晶層175a上。接著，并進行減銅蝕刻，以形成導電材料180a’、這些籽晶層175a’以及這些第三金屬箔層170a”，其中導電材料180a’的厚度加上這些籽晶層175a’的厚度以及這些第三金屬箔層170a”的厚度會約略等于第一金屬箔層IlOa或第二金屬箔層IlOb的厚度。也就是說，導電材料180a’、這些籽晶層175a’以及這些第三金屬箔層170a”的整體厚度會減薄至與第一金屬箔層IlOa或第二金屬箔層IlOb的厚度相近。當然，請參考圖II’，于進行減銅蝕刻時，也可能僅留下位于這些第二貫孔T2內的部分導電材料180’、這些籽晶層175a’以及這些第三金屬箔層170a”，而每一第三金屬箔層170a”的厚度加上每一籽晶層175a’的厚度約略等于第一金屬箔層IlOa的厚度或第二金屬箔層IlOb的厚度。或者是，請參考圖II "，于進行減銅蝕刻時，也可能僅留下位于這些第二貫孔T2內的部分導電材料180’以及這些第三金屬箔層170”，而每一第三金屬箔層170a”的厚度約略等于第一金屬箔層IlOa的厚度或第二金屬箔層IlOb的厚度。接著，請同時參考圖II與圖1J，分離第一金屬箔層IlOa與第二金屬箔層110b，以使疊層結構150這些150及其上的這些第二介電層160、這些第三金屬箔層170a”與導電材料175a’分別位于第一金屬箔層IlOa與第二金屬箔層IlOb上。其中，分離第一金屬箔層IlOa與第二金屬箔層IlOb的方式有許多種。舉例而言，在本實施例中，可通過例如是電腦數值控制(Computer Numerical Control, CNC)統(tǒng)切技術來沿著多條切割線Y切除膠層10及部分與膠層10重疊的第一金屬箔層110a、第二金屬箔層110b、這些第一介電層120、這些疊層結構150、這些第二介電層160、這些第三金屬箔層170a”及這些籽晶層175a’，而使第一金屬箔層IlOa與第二金屬箔層IlOb分離。以下將以第一金屬箔層IlOa及其上方依序堆疊的第一介 電層120、第一線路圖案130、第一導電孔道140、疊層結構150、第二介電層160、第三金屬箔層170a”、籽晶層175a’及導電材料180a’為例說明。接著，并分別形成一圖案化光致抗蝕劑層30于導電材料180a’以及第一金屬箔層IlOa上，其中這些圖案化光致抗蝕劑層30分別暴露出部分導電材料180a’及第一金屬箔層110a。之后，請參考圖1K，以這些圖案化光致抗蝕劑層30為蝕刻掩模，蝕刻暴露于這些圖案化光致抗蝕劑層30之外的部分導電材料180a’及其下的籽晶層175a’與第三金屬箔層170a”以及部分第一金屬箔層IlOa,而于第二介電層160上形成一第二圖案化金屬箔層170及其上的一圖案化籽晶層175與一第二線路圖案180，于第二貫孔T2內形成至少一連接第二線路圖案180的第二導電孔道190，以及于第一介電層120的第一表面122形成一第一圖案化金屬箔層110。于此，第二導電孔道190的一端連接第二貫孔T2所暴露出的部分疊層結構150，第二導電孔道190與第二線路圖案180 —體成形，且第二導電孔道190的另一端與第二線路圖案180實質上切齊。最后，移除圖案化光致抗蝕劑層30，而完成本實施例的線路板IOOa的制作。請再參考圖1K，于結構上，本實施例的線路板IOOa包括第一圖案化金屬箔層110、第一介電層120、第一線路圖案130、第一導電孔道140、疊層結構150、第二介電層160、第二圖案化金屬箔層170、圖案化籽晶層175、第二線路圖案180及第二導電孔道190。第一介電層120具有彼此相對的第一表面122與第二表面124，其中第一圖案化金屬箔層110配置于第一介電層120的第一表面122上,暴露出部分第一表面122。第一線路圖案130埋入第一介電層120的第二表面124。第一導電孔道140與第一線路圖案130 —體成形，其中第一導電孔道140的一端穿過第一介電層120以連接第一圖案化金屬箔層130，且第一導電孔道140與第一圖案化金屬箔層110之間具有第一界面SI。疊層結構150配置于第一介電層120的第二表面124上，且覆蓋第二表面124、第一線路圖案130與第一導電孔道140的另一端。其中，疊層結構150包括依序堆疊的這些絕緣層152、這些圖案導體層154以及這些分別貫穿絕緣層152的內連通結構156。這些絕緣層152與這些圖案導體層154交錯疊置于第一線路圖案130上，且這些圖案導體層154分別埋入這些絕緣層152的這些第三表面152a，而這些內連通結構156分別與這些圖案導體層154—體成形。最鄰近第一線路圖案130之內連通結構156的一端穿過對應的絕緣層152以連接第一線路圖案130，且這些內連通結構156的另一端可實質上低于或切齊這些絕緣層152的這些第三表面152a。第二介電層160配置于疊層結構150上。第二圖案化金屬箔層170配置于第二介電層160上，且暴露出部分第二介電層160。第二線路圖案180配置于第二圖案化金屬箔層170上，且與第二圖案化金屬箔層170共形設置。圖案化籽晶層175配置于第二圖案化金屬箔層170與第二線路圖案180之間，以及第二介電層160與疊層結構150的最外層的圖案導體層154之間。第二導電孔道190與第二線路圖案180 —體成形，其中第二導電孔道190的一端穿過第二介電層160以連接疊層結構150，且第二導電孔道190與第二線路圖案180 —體成形。以下將再以不同的實施例來分別說明線路板100b、100c、100d的制作。在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中采用相同的標號來表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術內容的說明。關于省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重復贅述。圖2A至圖2C為本發(fā)明的另一實施例的一種線路板的制作方法的局部步驟的剖面示意圖。本實施例的線路板IOOb的制作方法與前述實施例的線路板IOOa的制作方法相似，惟二者主要差異之處在于于圖IH的步驟之后，意即分別形成這些籽晶層175a’于這些第 三金屬箔層170a”上以及這些第二貫孔T2內之后，請參考圖2A，分別形成一第一圖案化光致抗蝕劑層40于這些籽晶層175a’上。其中，這些第一圖案化光致抗蝕劑層40分別暴露出部分這些籽晶層175a’。其中，這些第一圖案化光致抗蝕劑層40分別暴露出部分這些籽晶層175a，。接著，同時請參考圖2A及圖2B，以這些第一圖案化光致抗蝕劑層40為電鍍掩模，以分別電鍍一電鍍材料182a于這些籽晶層175a’上。接著，移除這些第一圖案化光致抗蝕劑層40，并通過例如是CNC銑切技術來沿著多條切割線Y切除膠層10及部分與膠層10重疊的第一金屬箔層110a、第二金屬箔層110b、這些第一介電層120、這些疊層結構150、這些第二介電層160、這些第三金屬箔層170a”及這些籽晶層175a’，而使第一金屬箔層IlOa與第二金屬箔層IlOb分離。接著，形成一第二圖案化光致抗蝕劑層50于第一金屬箔層IlOa上。之后，請同時參考圖2B與圖2C，移除未被電鍍材料182a所覆蓋的部分籽晶層175a’及其下方的部分第三金屬箔層170a”,而于第二介電層160上形成一第二圖案化金屬箔層170、一第二線路圖案182與至少一第二導電孔道190，以及于第二圖案化金屬箔層170與第二線路圖案182之間及第二介電層160與第二導電孔道190之間的一圖案化籽晶層175，其中第二線路圖案182連接第二導電孔道190，且第二線路案182與第二導電孔道190—體成形。同時，以第二圖案化光致抗蝕劑層50為蝕刻掩模，蝕刻暴露于第二圖案化光致抗蝕劑層50之外的部分第一金屬箔層110a，而于第一介電層120的第一表面122上形成第一圖案化金屬箔層110。此時，第一圖案化金屬箔層130與第一導電孔道140之間具有界面SI。至此，已完成線路板IOOb的制作。當然，圖2A至圖2C所繪示的制作工藝僅是作為舉例說明之用，部分步驟為目前線路板制作工藝中常見的技術。本領域的技術人員當可依據實際狀況調整步驟順序、省略或增加可能的步驟，以符合制作工藝需求，此處不再逐一贅述。圖3A至圖31為本發(fā)明的另一實施例的一種線路板的制作方法的局部步驟的剖面示意圖。本實施例的線路板IOOc的制作方法與前述實施例的線路板IOOa的制作方法相似，而二者主要差異之處在于在圖IE的步驟之后，意即移除這些疏水薄膜20以分別暴露出這些第一介電層120的這些第二表面124之后，請參考圖3A，分別壓合一絕緣層152c及一位于絕緣層152c上的第四金屬箔層153c于第一介電層110的第二表面124上。于此,第四金屬箔層153c的厚度介于2微米至5微米之間。需說明的是，在此采用超薄金屬箔層(即第四金屬箔層153c)的目的在于減少后續(xù)進行蝕刻法的時間(請參考圖3D的步驟)，可以有效降低側蝕效應。接著，請參考圖3B，對這些第四金屬箔層153c分別照射一第三激光光束L3，以形成依序穿過這些第四金屬箔層與絕緣層152c的至少一第三貫孔T3，其中這些第三貫孔T3暴露出部分這些第一線路圖案130。接著，請再參考圖3B，分別形成一籽晶層155c于這些第四金屬箔層153c上與這些第三貫孔T3內，并分別形成一圖案化光致抗蝕劑層60于這些籽晶層155c上。接著，請參考圖3C，以這些圖案化光致抗蝕劑層60為電鍍掩模，以分別電鍍一圖案導體層154c以及至少一內連通結構156c于這些籽晶層155c上。其中，這些內連通結構156c對應位于這些第三貫孔T3內，而這些圖案導體層154c分別連接這些內連通結構·156c0接著，請參考圖3D，移除這些第一圖案化光致抗蝕劑層60及其下的部分這些籽晶層155c及這些第四金屬箔層153c。其中，移除這些第一圖案化光致抗蝕劑層60下方的部分這些籽晶層155c及這些第四金屬箔層153c的方法例如是蝕刻法。此時，這些內連通結構156c的另一端實質上分別高于這些絕緣層152c的一第三表面151，且這些圖案導體層154c分別突出于這些絕緣層152c的這些第三表面151。接著，請參考圖3E，可依序重復至少一次(于此為重復三次)圖3A至圖3D的步驟來形成分別壓合于這些第一介電層120的這些第二表面124上的一疊層結構150c，其中這些疊層結構150c分別覆蓋這些第一線路圖案130與這些第一導電孔道140的另一端。于此，并不加以限制疊層結構150c的絕緣層152c、圖案導體層154c及內連通結構156c的數量，可依據使用需求而自行增減依序重復圖3A至圖3D的步驟的次數。于此，分別貫穿相鄰兩這些絕緣層152c的這些內連通結構156c于這些第一線路圖案130上的正投影重疊。當然，在其他實施例中，請參考圖5B的線路板IOOf，其中分別貫穿相鄰兩這些絕緣層152c的這些內連通結構156c于這些第一線路圖案130上的正投影不重疊。再者，疊層結構150c中的部分絕緣層152c、圖案導體層154c及內連通結構156c的形成方式也可采用如前述圖IC至圖IE的步驟來形成，意即形成這些疏水薄膜20、形成這些第一凹刻圖案Cl及這些第一貫孔Tl、形成這些第一線路圖案130及這些第一導電孔道140以及移除這些疏水薄膜20的步驟。簡言之，本實施例于此并不限定這些絕緣層152、152c、圖案導體層154、154c及內連通結構156、156c的型態(tài)與層數，本領域的技術人員當可參照前述實施例的說明，依據實際需求，而選用前述的制作工藝方法，以達到所需的技術效果O接著，請參考圖3E，分別壓合一第二介電層160及一位于第二介電層160上的第三金屬箔層170a于這些疊層結構150c上。于此，第二介電層160覆蓋相對遠離這些第一線路圖案130的絕緣層152c的第三表面151、圖案導體層154c以及內連通結構156c的另一端。接著，請參考圖3F，對這些第二介電層160照射一第二激光光束L2，以分別形成穿過這些第二介電層160的至少一第二貫孔T2，其中這些第二貫孔T2分別暴露出部分這些疊層結構150c。接著，并分別形成一籽晶層175a于這些第三金屬箔層170a上以及這些第二貫孔T2內。于其他實施例中，也在進行圖3F的步驟之前，對這些第三金屬箔層170a’進行減銅蝕刻，其目的在于可提高激光貫孔的容易度。而，于進行完照射一第二激光光束L2后且形成籽晶層175a’于這些第三金屬箔層170a’上以及這些第二貫孔T2內時，也可使每一第三金屬箔層170a’的厚度加上每一籽晶層175a’的厚度約略等于第一金屬箔層IlOa的厚度或第二金屬箔層IlOb的厚度，請參考圖3F’。接著，請參考圖3G，進行一電鍍步驟，以電鍍一導電材料180a于這些第二貫孔T2內，并延伸覆蓋于這些籽晶層175a上。接著，請參考圖3G’，可進行減銅蝕刻，以形成導電材料180a’、這些籽晶層175a’以及這些第三金屬箔層170a’，其中導電材料180a’的厚度加上這些籽晶層175a’的厚度以及這些第三金屬箔層170a’的厚度會約略等于第一金屬箔層IlOa或第二金屬箔層IlOb的厚度。也就是說，導電材料180a’、這些籽晶層175a’以及這些第三金屬箔層170a’的整體厚度會減薄至與第一金屬箔層IlOa或第二金屬箔層IlOb的厚度相近。 接著，請同時參考圖3G’與圖3H，分離第一金屬箔層IlOa與第二金屬箔層110b，其中可通過例如是CNC銑切技術來沿著多條切割線Y切除膠層10及部分與膠層10重疊的第一金屬箔層110a、第二金屬箔層110b、這些第一介電層120、這些疊層結構150c、這些第二介電層160、這些第三金屬箔層170a’、這些籽晶層175a’及導電材料180a’，而使第一金屬箔層IlOa與第二金屬箔層IlOb分離。以下將以第一金屬箔層IlOa及其上方依序堆疊的第一介電層120、第一線路圖案130、第一導電孔道140、疊層結構150c、第二介電層160、第三金屬箔層170a’、籽晶層175a’及導電材料180a’為例說明。接著，并分別形成一圖案化光致抗蝕劑層30于導電材料180a’以及第一金屬箔層IlOa上，其中這些圖案化光致抗蝕劑層30分別暴露出部分導電材料180a’及第一金屬箔層110a。之后，請參考圖31，以這些圖案化光致抗蝕劑層30為蝕刻掩模，蝕刻暴露于這些圖案化光致抗蝕劑層30之外的部分導電材料180a’及其下的籽晶層175a’與第三金屬箔層170a’以及部分第一金屬箔層IlOa,而于第二介電層160上形成一第二圖案化金屬箔層170及其上的一圖案化籽晶層175與一第二線路圖案180，于第二貫孔T2內形成至少一連接第二線路圖案180的第二導電孔道190，以及于第一介電層120的第一表面122形成一第一圖案化金屬箔層110。于此，第二導電孔道190的一端連接第二貫孔T2所暴露出的部分疊層結構150c，第二導電孔道190與第二線路圖案180 —體成形，且第二導電孔道190的另一端與第二線路圖案180實質上切齊。最后，移除圖案化光致抗蝕劑層30，而完成本實施例的線路板IOOc的制作。請再參考圖31，于結構上，本實施例的線路板IOOc包括第一圖案化金屬箔層110、第一介電層120、第一線路圖案130、第一導電孔道140、疊層結構150c、第二介電層160、第二圖案化金屬箔層170、圖案化籽晶層175、第二線路圖案180及第二導電孔道190。第一介電層120具有彼此相對的第一表面122與第二表面124,其中第一圖案化金屬箔層110配置于第一介電層120的第一表面122上,暴露出部分第一表面122。第一線路圖案130埋入第一介電層120的第二表面124。第一導電孔道140與配置于第一導電孔道140上方的第一線路圖案130 —體成形，其中第一導電孔道140的一端穿過第一介電層120以連接第一圖案化金屬箔層110，且第一導電孔道140與第一圖案化金屬箔層110之間具有第一界面SI。疊層結構150c配置于第一介電層120的第二表面124上,且覆蓋第二表面124、第一線路圖案130與第一導電孔道140的另一端。其中，疊層結構150c包括依序堆疊的這些絕緣層152c、這些第四金屬箔層153c、這些籽晶層155c、這些圖案導體層154c以及這些分別貫穿絕緣層152c的內連通結構156c。這些絕緣層152c、這些第四金屬箔層153c、這些籽晶層155c、與這些圖案導體層154c依序交錯疊置于第一線路圖案130上，且這些圖案導體層154c分別突出于這些絕緣層152c的這些第三表面151。這些內連通結構156c分別與這些圖案導體層154c —體成形。最鄰近第一線路圖案130之內連通結構156c的一端穿過對應的絕緣層152c以連接第一線路圖案130，且這些內連通結構156c的另一端可實質上突出于這些絕緣層152c的這些第三表面151。第二介電層160配置于疊層結構150c上。第二圖案化金屬箔層170配置于第二介電層160上，且暴露出部分第二介電層160。第二線路圖案180配置于第二圖案化金屬箔層170上，且與第二圖案化金屬箔層170共形設置。圖案化籽晶層175配置于第二圖案化金屬箔層170與第二線路圖案180之間，以及第二介電層160與疊層結構150c的最外層的圖案導體層154c之間。第二導電孔道190與第二線路圖 案180 —體成形，其中第二導電孔道190的一端穿過第二介電層160以連接疊層結構150c，且第二導電孔道190與第二線路圖案180 —體成形。圖4A至圖4C為本發(fā)明的另一實施例的一種線路板的制作方法的局部步驟的剖面示意圖。本實施例的線路板IOOd的制作方法與前述實施例的線路板IOOc的制作方法相似，惟二者主要差異之處在于于圖3F的步驟之后，意即分別形成這些籽晶層175a于這些第三金屬箔層170a上以及這些第二貫孔T2內之后，請參考圖4A，分別形成一第一圖案化光致抗蝕劑層40于這些籽晶層175a上。其中，這些第一圖案化光致抗蝕劑層40分別暴露出部分這些籽晶層175a。于此，于形成第一圖案化光致抗蝕劑層40之前，已進行一減銅蝕刻，以使每一籽晶層175a’的厚度加上其下的第三金屬箔層170a’的厚度約略等于第一金屬箔層IlOa的厚度。當然，也可于形成這些籽晶層175a’之前，先對這些第三金屬箔層170a’進行減銅蝕刻，在此并不加以限制減銅蝕刻的順序。接著，同時請參考圖4A及圖4B，以這些第一圖案化光致抗蝕劑層40為電鍍掩模，以分別電鍍一電鍍材料184d于這些籽晶層175a上。接著，移除這些第一圖案化光致抗蝕劑層40，并通過例如是CNC銑切技術來沿著多條切割線Y切除膠層10及部分與膠層10重疊的第一金屬箔層110a、第二金屬箔層110b、這些第一介電層120、這些疊層結構150c、這些第二介電層160、這些第三金屬箔層170a’、這些籽晶層175a’及電鍍材料184d，而使第一金屬箔層IlOa與第二金屬箔層IlOb分離。接著,形成一第二圖案化光致抗蝕劑層50于第一金屬箔層IlOa上。之后，請同時參考圖4B與圖4C，移除未被電鍍材料184d所覆蓋的部分籽晶層175a’及其下方的部分第三金屬箔層170a”,而于第二介電層160上形成一第二圖案化金屬箔層170、一第二線路圖案184與至少一第二導電孔道190，以及于第二圖案化金屬箔層170與第二線路圖案184之間及第二介電層160與第二導電孔道190之間的一圖案化籽晶層175，其中第二線路圖案184連接第二導電孔道190，且第二線路案184與第二導電孔道190—體成形。同時，以第二圖案化光致抗蝕劑層50為蝕刻掩模，蝕刻暴露于第二圖案化光致抗蝕劑層50之外的部分第一金屬箔層110a，而于第一介電層120的第一表面122上形成第一圖案化金屬箔層110。此時，第一圖案化金屬箔層130與第一導電孔道140之間具有界面SI。至此，已完成線路板IOOd的制作。當然，圖4A至圖4C所繪示的制作工藝僅是作為舉例說明之用，部分步驟為目前線路板制作工藝中常見的技術。本領域的技術人員當可依據實際狀況調整步驟順序、省略或增加可能的步驟，以符合制作工藝需求，此處不再逐一贅述。綜上所述，本發(fā)明是采用對疏水薄膜照射激光光束來形成凹刻圖案及貫孔，而后再形成線路圖案于凹刻圖案內以及形成導電孔道于貫孔內。因此，本發(fā)明的線路板可具有較佳可靠度的細線路。再者，由于本發(fā)明是采用無核心(coreless)技術來形成線路板，因此具有較佳的生產效率，適于量產。此外，此線路板上的線路圖案(及細線路)的制作并非采用現有壓合導電層的方式來形成，因此可有效提升線路板的線路布局的自由度。雖然結合以上實施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術 領域中熟悉此技術者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護范圍應以附上的權利要求所界定的為準。
權利要求
1.一種線路板，包括 第一介電層，具有彼此相対的第一表面與第二表面； 第一圖案化金屬箔層，配置于該第一介電層的該第一表面上，且暴露出部分該第一表面； 第一線路圖案，埋入該第一介電層的該第二表面； 至少ー第一導電孔道，與該第一線路圖案一體成形，其中該第一導電孔道的一端穿過該第一介電層以連接該第一圖案化金屬箔層，且該第一導電孔道與該第一圖案化金屬箔層之間具有界面； 疊層結構，配置于該第一介電層的該第二表面上，且覆蓋該第二表面、該第一線路圖案與該第一導電孔道的另一端，其中該疊層結構包括至少ー內連通結構與至少ー圖案導體層，且該內連通結構電連接該第一線路圖案與該疊層結構相對遠離該第一線路圖案的該圖案導體層； 第二介電層，配置于該疊層結構上； 第二圖案化金屬箔層，配置于該第二介電層上，且暴露出部分該第二介電層； 第二線路圖案，配置于該第二圖案化金屬箔層上，且與該第二圖案化金屬箔層共形設置；以及 至少ー第二導電孔道，與該第二線路圖案一體成形，其中該第二導電孔道的一端穿過該第二介電層以電連接該疊層結構，且該第二導電孔道的另一端與該第二線路圖案實質上切齊。
2.如權利要求I所述的線路板，其中該疊層結構還包括至少ー絕緣層，該內連通結構貫穿該絕緣層，該絕緣層與該圖案導體層依序疊置于該第一線路圖案上，且該圖案導體層埋入或突出該絕緣層的ー第三表面，且該內連通結構與該圖案導體層一體成形，且該內連通結構的一端穿過該絕緣層以連接該第一線路圖案。
3.如權利要求2所述的線路板，其中該內連通結構的另一端實質上高于、低于或切齊該絕緣層的該第三表面。
4.如權利要求2所述的線路板，其中至少ー絕緣層包括多個絕緣層，至少ー內連通結構包括多個內連通結構，分別貫穿相鄰兩該些絕緣層的該些內連通結構于該些第一線路圖案上的正投影重疊。
5.如權利要求2所述的線路板，其中至少ー絕緣層包括多個絕緣層，至少ー內連通結構包括多個內連通結構，分別貫穿相鄰兩該些絕緣層的該些內連通結構于該些第一線路圖案上的正投影不重疊。
6.如權利要求I所述的線路板，還包括圖案化籽晶層，配置于該第二圖案化金屬箔層與該第二線路圖案之間，以及該第二介電層與該第二導電孔道之間。
7.一種線路板的制作方法，包括 分別壓合一第一介電層于一第一金屬箔層與一第二金屬箔層上，其中各該第一介電層具有彼此相對的ー第一表面與一第二表面，且通過ー膠層粘合該第一金屬箔層與該第二金屬箔層，其中該膠層位于該第一金屬箔層與該第二金屬箔層的周邊，以與該第一金屬箔層與該第二金屬箔層形成一封閉空間； 分別形成一疏水薄膜于該些第一介電層的該些第二表面上；對該些疏水薄膜照射一第一激光光束，以分別形成一穿透過該些疏水薄膜的第一凹刻圖案于該些第一介電層的該些第二表面上，并分別形成穿過該些第一介電層的至少ー第一貫孔，其中該些第一貫孔分別暴露出部分該第一金屬箔層與部分該第二金屬箔層； 對該些疏水薄膜進行ー活化步驟，并于該活化步驟后移除該些疏水薄膜； 分別形成一第一線路圖案于該些第一凹刻圖案內，并同時分別形成至少ー第一導電孔道于該些第一貫孔內，其中該些第一導電孔道的一端分別連接該些第一貫孔所暴露出的部分該第一金屬箔層與部分該第二金屬箔層，且該些第一導電孔道分別與該第一金屬箔層及該第二金屬箔層之間具有一第一界面與一第二界面； 分別壓合一疊層結構于該些第一介電層的該些第二表面上，其中該些疊層結構分別覆蓋該些第一線路圖案與該些第一導電孔道的另一端，其中各該疊層結構包括至少ー內連通結構與至少ー圖案導體層，且該內連通結構電連接該第一線路圖案與該疊層結構相對遠離 該第一線路圖案的該圖案導體層； 分別壓合一第二介電層及一位于該第二介電層上的第三金屬箔層于該些疊層結構上； 對該些第二介電層照射一第二激光光束，以分別依序形成穿過該些第三金屬箔層與該些第二介電層的至少ー第二貫孔，其中該些第二貫孔分別暴露出部分該些疊層結構； 形成ー導電材料于該些第二貫孔內，并延伸覆蓋于該些第二介電層上； 分離該第一金屬箔層與該第二金屬箔層，以使該些疊層結構及其上的該些第二介電層、該些第三金屬箔層與該導電材料分別位于該第一金屬箔層與該第二金屬箔層上；以及移除部分該第一金屬箔層與部分該第二金屬箔層，以分別形成一第一圖案化金屬箔層于該些第一介電層的該些第一表面上，并分別移除部分該第三金屬箔層、部分該導電材料，以分別形成一第二圖案化金屬箔層及一第二線路圖案于該些第二介電層上，而分別形成至少ー第二導電孔道于該些第二貫孔內，其中該些第二導電孔道的一端分別連接該些第二貫孔所暴露出的部分該些疊層結構，且該些第二導電孔道分別與該些第二線路圖案一體成形。
8.如權利要求7所述的線路板的制作方法，其中各該疊層結構還包括至少ー絕緣層，該內連通結構貫穿該絕緣層，該絕緣層與該圖案導體層依序疊置于該第一線路圖案上，且該圖案導體層埋入或突出于該絕緣層的一第三表面，且該內連通結構與該圖案導體層一體成形，且該內連通結構的一端穿過該絕緣層以連接該第一線路圖案。
9.如權利要求8所述的線路板的制作方法，其中至少ー絕緣層包括多個絕緣層，至少ー內連通結構包括多個內連通結構，分別貫穿相鄰兩該些絕緣層的該些內連通結構于該些第一線路圖案上的正投影重疊。
10.如權利要求8所述的線路板的制作方法，其中至少ー絕緣層包括多個絕緣層，至少ー內連通結構包括多個內連通結構，分別貫穿相鄰兩該些絕緣層的該些內連通結構于該些第一線路圖案上的正投影不重疊。
11.如權利要求8所述的線路板的制作方法，其中該內連通結構的另一端實質上高干、低于或切齊該絕緣層的該第三表面。
12.如權利要求7所述的線路板的制作方法，其中形成該些疊層結構的步驟，包括 依序重復至少一次形成該些疏水薄膜、對該些疏水薄膜照射該第一激光光束而形成該些第一凹刻圖案、對該些疏水薄膜進行該活化步驟，并于該活化步驟后移除該些疏水薄膜、形成該些第一線路圖案及該些第一導電孔道的步驟。
13.如權利要求7所述的線路板的制作方法，其中形成各該疊層結構的步驟，包括至少依序重復一次步驟(a)-(f)，該些步驟為 (a)壓合一絕緣層及一位于該絕緣層上的第四金屬箔層于該第一介電層的該第二表面上； (b)對該第四金屬箔層照射一第三激光光束，以形成穿過該絕緣層的至少ー第三貫孔，其中該第三貫孔暴露出部分該第一線路圖案； (C)形成一籽晶層于該第四金屬箔層上與該第三貫孔內； (d)形成一圖案化光致抗蝕劑層于該籽晶層上； (e)以該圖案化光致抗蝕劑層為電鍍掩模，以電鍍ー圖案導體層以及至少ー內連通結構于該些籽晶層上，其中該圖案導體層連接該內連通結構，且該圖案導體層與該內連通結構一體成形；以及 (f)移除該第一圖案化光致抗蝕劑層及其下的部分該籽晶層及部分該第四金屬箔層。
14.如權利要求7所述的線路板的制作方法，還包括 于形成該些第二貫孔之后，分別形成一籽晶層于該些第三金屬箔層上以及該些第二貫孔內； 進行ー電鍍步驟，以電鍍該導電材料于該些第二貫孔內，并延伸覆蓋于該些籽晶層上； 進行ー第一減銅蝕刻步驟，以使各該第三金屬箔層的厚度加上各該籽晶層的厚度以及該導電材料的厚度小于等于該第一金屬箔層的厚度或該第二金屬箔層的厚度； 在分離該第一金屬箔層與該第二金屬箔層之后，分別形成一圖案化光致抗蝕劑層于該導電材料以及該第一金屬箔層上； 以該些圖案化光致抗蝕劑層為蝕刻掩模，蝕刻暴露于該些圖案化光致抗蝕劑層之外的部分該導電材料及其下的該籽晶層與該第三金屬箔層以及部分該第一金屬箔層，而于該第ニ介電層上形成該第二圖案化金屬箔層及其上的ー圖案化籽晶層與該第二線路圖案，于該第二貫孔內形成連接該第二線路圖案的該第二導電孔道，以及于該第一介電層的該第一表面形成該第一圖案化金屬箔層；以及移除該圖案化光致抗蝕劑層。
15.如權利要求14所述的線路板的制作方法，還包括 在形成該些籽晶層之前或者是在形成該些籽晶層之后進行ー第二減銅蝕刻步驟，以使各該籽晶層的厚度加上各該第三金屬箔層的厚度小于等于該第一金屬箔層的厚度或該第ニ金屬箔層的厚度。
16.如權利要求7所述的線路板的制作方法，還包括 在形成該些第二貫孔之后，分別形成一籽晶層于該些第二介電層上以及該些第二貫孔內； 進行ー減銅蝕刻步驟，以使各該籽晶層的厚度加上該第三金屬箔層的厚度小于等于該第一金屬箔層的厚度或該第二金屬箔層的厚度； 分別形成一第一圖案化光致抗蝕劑層于該籽晶層上；以該些第一圖案化光致抗蝕劑層為電鍍掩模，以分別電鍍ー電鍍材料于該些籽晶層上； 在分離該第一銅薄層與該第二銅薄層之前，移除該第一圖案化光致抗蝕劑層； 在分離該第一金屬箔層與該第二金屬箔層之后，形成一第二圖案化光致抗蝕劑層于該第一金屬箔層上； 移除未被該電鍍材料所覆蓋的部分該些籽晶層及其下方的部分該些第三銅薄層，而分別該些第二介電層上形成該些第二圖案化金屬箔層、該些第二線路圖案與該些第二導電孔道，以及于該些第二圖案化金屬箔層與該些第二線路圖案之間及該些第二介電層與該些第ニ導電孔道之間的多個圖案化籽晶層，其中該些第二線路圖案連接該些第二導電孔道；以及 以該第二圖案化光致抗蝕劑層為蝕刻掩模，蝕刻暴露于該第二圖案化光致抗蝕劑層之外的部分該第一金屬箔層，而于該第一介電層的該第一表面上形成該第一圖案化金屬箔層。
17.如權利要求16所述的線路板的制作方法，其中進行該減銅蝕刻步驟是在形成該些籽晶層之前或者是在形成該些籽晶層之后。
18.如權利要求7所述的線路板的制作方法，其中該膠層的形狀為ー連續(xù)框形圖案。
19.如權利要求7所述的線路板的制作方法，其中該膠層的形狀為ー非連續(xù)框形圖案。
全文摘要
本發(fā)明公開一種線路板及其制作方法，該線路板包括一第一介電層、一第一圖案化金屬箔層、一第一線路圖案、至少一第一導電孔道、一疊層結構、一第二介電層、一第二圖案化金屬箔層、一第二線路圖案及至少一第二導電孔道。第一線路圖案埋入第一介電層。第一導電孔道的一端穿過第一介電層以連接第一圖案化金屬箔層，且第一導電孔道與第一圖案化金屬箔層之間具有界面。疊層結構配置于第一介電層的一第二表面上，且覆蓋第一線路圖案與第一導電孔道的另一端。第二介電層、第二圖案化金屬箔層及第二線路圖案依序配置于疊層結構上。第二導電孔道與第二線路圖案一體成形。第二導電孔道的一端穿過第二介電層以連接疊層結構。
文檔編號H05K1/02GK102958272SQ20121029238
公開日2013年3月6日 申請日期2012年8月16日 優(yōu)先權日2011年8月22日
發(fā)明者余丞博, 張啟民, 黃瀚霈 申請人:欣興電子股份有限公司