專利名稱：一種降低多晶硅制絨表面反射率的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶體硅太陽(yáng)能電池的制作技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及制絨工序中一種降低多晶硅制絨表面反射率的方法。
背景技術(shù)：
在晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)工藝中，對(duì)硅片表面進(jìn)行腐蝕制備出的絨面可以有效地降低硅片的表面反射率，表面反射率是影響晶硅太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的重要因素之一。由于多晶硅晶粒取向的多樣性，采用堿制絨工藝無(wú)法取得均勻的絨面，因此無(wú)法有效地降低多晶硅的表面反射率。目前，在多晶硅絨面的制備方法中，酸腐蝕技術(shù)(即各向同性腐蝕)既能獲得均勻且反射率較低的絨面，又能實(shí)現(xiàn)低成本、規(guī)?；a(chǎn)的目的。通常情況下，在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，降低硅片制絨后表面反射率的常規(guī)方法是采用提升帶速或是降低HF和HNO3的整體濃度來(lái)實(shí)現(xiàn)。該方法可以降低硅片表面反射率，同時(shí)硅片腐蝕量也下降，以致于引起硅片損傷層去除不凈。在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，還經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)花片、亮片。這些都會(huì)影響多晶硅太陽(yáng)能電池片的光電轉(zhuǎn)換效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種降低多晶硅制絨表面反射率的方法，該方法能夠在減薄量不變的情況下，降低多晶硅制絨表面反射率，有效提高太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)能夠減少花片、売片的廣生。本發(fā)明解決降低多晶硅表面反射率所采取的技術(shù)方案如下
在采用多晶硅酸制備絨面的情況下，出現(xiàn)表面反射率過(guò)高時(shí)，采用下面所述的兩種技術(shù)方案來(lái)降低多晶硅制絨表面的反射率。具體方案如下
方案A :停止補(bǔ)加HNO3,保證HF正常補(bǔ)加，持續(xù)60分鐘后溶液中HNO3的濃度下降，反射率降低；隨著時(shí)間的推移，溶液中HNO3的濃度下降，反射率進(jìn)一步下降；待反射率降低至技術(shù)參數(shù)要求范圍內(nèi)，進(jìn)行正常補(bǔ)加HNO3和HF。方案B :加水降低HNO3和HF的整體濃度，然后再通過(guò)加入HF，來(lái)提高HF的濃度使腐蝕程度不變，待反射率降低至技術(shù)參數(shù)要求范圍內(nèi)，進(jìn)行正常補(bǔ)加HNO3和HF。本發(fā)明的有益效果是采用本發(fā)明所提出的技術(shù)方案可以有效地降低多晶硅制絨后的表面反射率，可以有效地減少因反射率過(guò)高導(dǎo)致的亮片、花色片，達(dá)到減少表面反射，增強(qiáng)光電吸收，從而達(dá)到提高多晶硅太陽(yáng)能電池片的光電轉(zhuǎn)換效率的目的。
具體實(shí)施例方式下面根據(jù)本發(fā)明提供的一種降低多晶硅制絨表面反射率的方法，采用下面的具體實(shí)施方案作進(jìn)一步說(shuō)明。本實(shí)施方案是在制絨、擴(kuò)散、噴蠟、刻蝕、絲網(wǎng)印刷各道工序的工藝與原工藝相同的條件下進(jìn)行的。
具體實(shí)施方式
如下
I.在HNO3體積分?jǐn)?shù)63%，HF體積分?jǐn)?shù)9%，純水體積分?jǐn)?shù)28%的溶液中，溫度為8V，腐蝕時(shí)間為90秒，此條件下測(cè)得多晶硅片表面反射率25. 5%，減薄量為0. 43g。2.在步驟I的條件下，停止補(bǔ)加HNO3,保證HF正常補(bǔ)加，持續(xù)60分鐘后，測(cè)得此時(shí)多晶硅片表面反射率下降至23. 2%，再經(jīng)過(guò)10分鐘，測(cè)得多晶硅片表面反射率下降至22. 6%。3.待反射率降低至22. 6%，減薄量保持0. 43g時(shí)，正常補(bǔ)加HNO3和HF。將經(jīng)過(guò)完整制程加工的多晶硅太陽(yáng)能電池片置于標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下進(jìn)行檢測(cè)，采取本發(fā)明提供的技術(shù)方案和原技術(shù)方案進(jìn)行制絨處理的多晶硅太陽(yáng)能電池片的電性能參數(shù)如表I和表2所不。表I采用本發(fā)明所述技術(shù)方案制備的多晶硅太陽(yáng)能電池片的電性能參數(shù)
權(quán)利要求
1.ー種降低多晶硅制絨表面反射率的方法，其特征在于在采用多晶硅酸制備絨面的情況下，出現(xiàn)表面反射率過(guò)高時(shí)，采用下面所述的兩種技術(shù)方案來(lái)降低多晶硅制絨表面的反射率，具體エ藝步驟如下方案A :停止補(bǔ)加HNO3，保證HF正常補(bǔ)加，持續(xù)一定時(shí)間后溶液中HNO3的濃度下降，反射率降低，隨著時(shí)間的推移，溶液中HNO3的濃度下降，反射率進(jìn)ー步下降，待反射率降低至技術(shù)參數(shù) 要求范圍內(nèi)，進(jìn)行正常補(bǔ)加HNO3和HF '方案B :加水降低HNO3和HF的整體濃度，然后再通過(guò)加入HF，來(lái)提高HF的濃度使腐蝕程度不變，待反射率降低至技術(shù)參數(shù)要求范圍內(nèi)，進(jìn)行正常補(bǔ)加HNO3和HF。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種降低多晶硅制絨表面反射率的方法，具體地涉及在采用多晶硅酸制絨出現(xiàn)表面反射率過(guò)高時(shí)，降低多晶硅制絨表面的反射率。方案A停止補(bǔ)加HNO3，保證HF正常補(bǔ)加，持續(xù)一定時(shí)間后溶液中HNO3的濃度下降；隨著時(shí)間的推移，待反射率降低至技術(shù)參數(shù)要求范圍內(nèi)，進(jìn)行正常補(bǔ)加HNO3和HF。方案B加水降低HNO3和HF的整體濃度，然后再加入HF，待反射率降低至技術(shù)參數(shù)要求范圍內(nèi)，進(jìn)行正常補(bǔ)加HNO3和HF。本發(fā)明的有益效果是可以有效地降低多晶硅制絨后的表面反射率，減少因反射率過(guò)高導(dǎo)致的亮片、花色片，達(dá)到提高多晶硅太陽(yáng)能電池片的光電轉(zhuǎn)換效率的目的。
文檔編號(hào)C30B33/10GK102851743SQ20121032393
公開(kāi)日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2012年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月5日
發(fā)明者馮曉軍 申請(qǐng)人:浙江鴻禧光伏科技股份有限公司