電子模塊以及其制造方法
【專利摘要】一種電子模塊以及其制造方法，該電子模塊包括一線路基板、多個(gè)電子元件、多個(gè)封裝層、至少一第一導(dǎo)電層、至少一絕緣填充體以及一第二導(dǎo)電層。線路基板具有一第一平面以及至少一接地墊，接地墊位于第一平面上。電子元件固定在第一平面上且電性連接線路基板。封裝層包覆電子元件以及第一平面，其中相鄰兩個(gè)封裝層之間存在著一溝槽，而接地墊位于溝槽的底部。第一導(dǎo)電層覆蓋溝槽的槽壁與接地墊，且電性連接接地墊。絕緣填充體填入溝槽之中。第二導(dǎo)電層覆蓋封裝層以及絕緣填充體，而第二導(dǎo)電層電性連接第一導(dǎo)電層。
【專利說明】電子模塊以及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電子模塊以及其制造方法，且特別涉及一種包含電磁干擾屏蔽結(jié)構(gòu)的電子模塊以及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)今的電子模塊中，電子元件通常會(huì)和一線路板電性連接，以使得電子信號(hào)能夠在電子元件與線路板之間傳遞。然而，有些電子元件，例如高頻數(shù)字元件及射頻元件(Radio Frequency component, RF component)會(huì)產(chǎn)生電磁干擾(Electro-MagneticInterference, EMI)而影響電子模塊內(nèi)的電子元件運(yùn)行，以至于電子模塊內(nèi)會(huì)出現(xiàn)噪聲，進(jìn)而影響了電子元件的正常運(yùn)行。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種電子模塊，其具有電磁干擾屏蔽結(jié)構(gòu)。
[0004]本發(fā)明的另一目的在于提供一種電子模塊的制造方法，其用來制造上述電子模塊。
[0005]本發(fā)明提供一種電子模塊，此電子模塊包括線路基板、多個(gè)電子元件、多個(gè)封裝層、至少一第一導(dǎo)電層、至少一絕緣填充體以及第二導(dǎo)電層。線路基板具有第一平面以及至少一接地墊，其中接地墊位于第一平面上。電子元件固定在第一平面上并電性連接線路基板。封裝層包覆電子元件以及第一平面，其中相鄰兩封裝層之間存在著一條溝槽，而接地墊位于溝槽的底部。第一導(dǎo)電層覆蓋溝槽的槽壁以及接地墊，且第一導(dǎo)電層與接地墊電性連接。絕緣填充體填入溝槽之內(nèi)。第二導(dǎo)電層覆蓋封裝層以及絕緣填充體。此外，第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層電性連接，而絕緣填充體位于第二導(dǎo)電層與第一導(dǎo)電層之間。
[0006]其中，所述至少一個(gè)絕緣填充體的材料和所述多個(gè)封裝層的材料皆含有重量百分比10%至20%之間的環(huán)氧樹脂。
[0007]其中，所述至少一個(gè)絕緣填充體接觸所述至少一第一導(dǎo)電層以及該第二導(dǎo)電層。
[0008]其中，所述至少一個(gè)絕緣填充體相對(duì)于該第一平面的高度高于所述多個(gè)電子元件相對(duì)于該第一平面的高度。
[0009]其中，該線路基板還具有相鄰于該第一平面的四個(gè)側(cè)平面，且該第二導(dǎo)電層延伸到其中至少所述多個(gè)側(cè)平面之一。
[0010]其中，該第二導(dǎo)電層完全覆蓋其中至少所述多個(gè)側(cè)平面之一。
[0011]其中，該第二導(dǎo)電層部分覆蓋其中至少所述多個(gè)側(cè)平面之一。
[0012]其中，該線路基板還具有至少一側(cè)邊金屬墊，其中所述至少一側(cè)邊金屬墊位于其中至少所述多個(gè)側(cè)平面之一，且該第二導(dǎo)電層延伸至所述多個(gè)側(cè)平面并電性連接所述至少
一側(cè)邊金屬墊。
[0013]其中，該溝槽的寬度為80um，而所述至少一第一導(dǎo)電層的厚度為30um。
[0014]本發(fā)明提供一種電子模塊的制造方法。首先，提供一種電子封裝模塊，此電子封裝模塊包括:線路基板、多個(gè)電子元件以及封裝材料層。線路基板具有第一平面與至少一個(gè)接地墊，接地墊位于第一平面上。電子元件設(shè)置于第一平面上，并電性連接線路基板。封裝材料層位于第一平面上并包覆第一平面、接地墊以及電子元件。接下來，形成一保護(hù)層于封裝材料層上，其中保護(hù)層覆蓋封裝材料層。之后，切割封裝材料層以及保護(hù)層以形成多個(gè)封裝層以及至少一條溝槽，其中溝槽位于相鄰兩個(gè)封裝層之間并暴露出接地墊。然后，于溝槽中形成第一導(dǎo)電層，其中第一導(dǎo)電層覆蓋溝槽的槽壁以及接地墊，并電性連接接地墊。接著，在溝槽之中形成絕緣填充體。移除該保護(hù)層，以暴露出所述多個(gè)封裝層。之后，于封裝層及絕緣填充體上形成第二導(dǎo)電層，其中第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層相連接。
[0015]其中，形成該保護(hù)層的方法包括:于該封裝材料層涂布一保護(hù)材料層，該保護(hù)材料層覆蓋該封裝材料層；以及固化該保護(hù)材料層。
[0016]其中，在該溝槽中形成所述至少一個(gè)絕緣填充體的方法包括:填入至少一絕緣填充材料于該溝槽之中，其中所述至少一絕緣填充材料的黏度小于40cps ;以及固化該絕緣填充材料。
[0017]其中，該保護(hù)層的材料包括二氧化硅粉末以及聚甲基丙烯酸甲酯。
[0018]綜上所述，本發(fā)明提供了一種電子模塊以及其制造方法，其中第一導(dǎo)電層覆蓋溝槽的槽壁，并連接接地墊，而第二導(dǎo)電層覆蓋封裝層與絕緣填充體，并連接第一導(dǎo)電層與接地墊。因此，第一導(dǎo)電層以及第二導(dǎo)電層能作為電磁干擾屏蔽結(jié)構(gòu)，以避免電磁干擾影響內(nèi)部電子元件運(yùn)行，進(jìn)而降低電磁干擾對(duì)運(yùn)行中的電子元件的影響程度。
[0019]為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，但是此等說明與所附圖式僅用來說明本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的權(quán)利范圍作任何的限制。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1A為本發(fā)明一實(shí)施例的電子模塊的剖面示意圖。
[0021]圖1B至圖1H為圖1A中的電子模塊的制造方法示意圖。
[0022]圖1I為本發(fā)明另一實(shí)施例的電子模塊的剖面示意圖。
[0023]圖2為本發(fā)明另一實(shí)施例的電子模塊的剖面示意圖。
[0024]其中，附圖標(biāo)記說明如下:
[0025]1、I’、2電子模塊
[0026]10、10’線路基板
[0027]11電子封裝模塊
[0028]12接地墊
[0029]14a 第一平面
[0030]14b、14b，側(cè)平面
[0031]16側(cè)邊金屬墊
[0032]20封裝材料層
[0033]20’封裝層
[0034]22 溝槽
[0035]30電子元件[0036]40保護(hù)層
[0037]50第一導(dǎo)電層
[0038]60絕緣填充體
[0039]70、70’ 第二導(dǎo)電層
[0040]80激光束
[0041]hl、h2 高度
【具體實(shí)施方式】
[0042]圖1A為本發(fā)明一實(shí)施例的電子模塊I的剖面示意圖，而圖1A所示的電子模塊I包括一線路基板10、多個(gè)電子元件30、多個(gè)封裝層20’、至少一第一導(dǎo)電層50、至少一絕緣填充體60以及一第二導(dǎo)電層70。
[0043]請(qǐng)參閱圖1A，線路基板10具有一第一平面14a、四個(gè)側(cè)平面14b以及至少一接地墊12,其中四個(gè)側(cè)平面14b相鄰于第一平面14a,并連接第一平面14a的邊緣。須說明的是，由于圖1A為電子模塊I的剖面示意圖，因此圖1A所示的側(cè)平面14b的數(shù)量?jī)H為兩個(gè)。然而，在實(shí)際狀況中，本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者都知道電子模塊I為一立體結(jié)構(gòu)，因此線路基板10的側(cè)平面14b的數(shù)量應(yīng)為四個(gè)。
[0044]接地墊12位于第一平面14a，且接地墊12的形狀及尺寸并不加以限制。例如，接地墊12的形狀可為長(zhǎng)條狀、圓盤狀或方盤狀。此外，電子模塊I所包括的接地墊12的數(shù)量可以是一個(gè)或多個(gè)，而當(dāng)接地墊12的數(shù)量為多個(gè)時(shí)，多個(gè)接地墊12可以排列成一線。多個(gè)電子元件30設(shè)置在第一平面14a`上，并電性連接第一平面14a。另外，在多個(gè)電子元件30中，高度最高的電子元件30相對(duì)于第一平面14a具有一高度h2。
[0045]多個(gè)封裝層20’包覆電子元件30以及線路基板10的第一平面14a，其中一個(gè)封裝層20’可以包覆一個(gè)或多個(gè)電子元件30。例如，圖1A為例，位于右邊的封裝層20’包覆兩個(gè)電子元件30。封裝層20’的材料為包含重量百分比10%至20%之間的環(huán)氧樹脂(Epoxy)，且封裝層 20’的熱膨脹系數(shù)(Coeff icient of Thermal Expansion, CTE)為 a 1:0.6 X lCT5/。。至1.0父10-5/1:及/或a2:3.5X10-5/°C^4.5X10-5/°C。此外，相鄰兩個(gè)封裝層20’之間存有一溝槽22，其中接地墊12位于溝槽22的底部。
[0046]在本實(shí)施例中，線路基板10為雙面線路板(Double side wiring board)。然而，在其它實(shí)施例中，線路基板10也可以是多層線路板(Multilayer wiring board)。當(dāng)線路基板10為多層線路板時(shí)，電子元件30設(shè)置于線路基板10的外層線路層上，并且電性連接此外層線路層，而線路基板10中的至少兩層線路層之間可用通孔(Through hole)或者是盲孔(Blind hole)來電性連接。本發(fā)明不限制線路基板10所具有的線路層的層數(shù)。
[0047]另外，電子元件30可以是裸晶(Die)或者是封裝后的芯片(Packaged chip)。此外，電子元件30也可以是被動(dòng)元件，其例如是電阻器、電感器或電容器。此外，在本實(shí)施例中，電子元件30可用覆晶(Flip chip)的方式固定在第一平面14a上。然而,在其它實(shí)施例中，電子元件30也可以是利用打線接合的方式(Wire bonding)固定在第一平面14a上。
[0048]關(guān)于電子模塊I中的接地墊12，在圖1A所示的實(shí)施例中，電子模塊I所具有的接地墊12的數(shù)量可僅為一個(gè)，且接地墊12位于溝槽22的底部。然而，在其它實(shí)施例中，電子模塊I也可具有多個(gè)接地墊12。在這些接地墊12當(dāng)中，其中一些接地墊12可位于溝槽22以外的區(qū)域，并可被封裝層20’包覆，而另一些接地墊12可位于溝槽22的底部而不被封裝層20’包覆。
[0049]另外，從圖1A來看，第一導(dǎo)電層50覆蓋溝槽22的槽壁以及位于溝槽22底部的接地墊12，且上述第一導(dǎo)電層50電性連接接地墊12。由此可知，第一導(dǎo)電層50是位于溝槽22內(nèi)的導(dǎo)電層，而在其它實(shí)施例中，電子模塊I可以具有多條溝槽22，且這些溝槽22可彼此不連通，以至于電子模塊I所包括的第一導(dǎo)電層50的數(shù)量為多層。因此，本實(shí)施例并不限制溝槽22以及第一導(dǎo)電層50 二者的數(shù)量。
[0050]絕緣填充體60填入溝槽22，其中絕緣填充體60可接觸溝槽22的槽壁以及接地墊12。絕緣填充體60的材料可包含重量百分比10%至20%之間的環(huán)氧樹脂，且絕緣填充體60的熱膨脹系數(shù)為a 1:0.6X10_5/°C至1.0X 10_5/°C及/或a 2:3.5X 10_5/°C至
4.5X10_5/°C。另外，絕緣填充體60相對(duì)于第一平面14a具有一高度hl，其中絕緣填充體60的高度hi會(huì)大于電子元件30的高度h2，也就是說絕緣填充體60相對(duì)于第一平面14a的高度hi會(huì)高于所有電子元件30相對(duì)于第一平面14a的高度。
[0051]在本實(shí)施例中，封裝層20’以及絕緣填充體60的二者材料可以相同或相近，例如封裝層20’以及絕緣填充體60的材料皆含有重量分比10%至20%之間的環(huán)氧樹脂，因此封裝層20’與絕緣填充體60兩者的熱膨脹系數(shù)相近。由于封裝層20’以及絕緣填充體60的熱膨脹系數(shù)差異小，因此當(dāng)溫度變化時(shí)，可以減少電子模塊I板彎的程度，以提升電子模塊I的可靠性。
[0052]另外，在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層50的厚度可在30微米(um)以內(nèi)。第一導(dǎo)電層50越薄，第一導(dǎo)電層50受到熱膨脹影響而增加的體積變化量也越小，而厚度在30um以內(nèi)的第一導(dǎo)電層50可以幫助減小電子模塊I板彎的程度，從而有效地提升電子模塊I的可靠性。然而，本發(fā)明并不以此為限制，所述至少一第一導(dǎo)電層50的厚度也可以視情況而調(diào)整。
[0053]請(qǐng)參閱圖1A，第二導(dǎo)電層70覆蓋封裝層20’以及絕緣填充體60，并且覆蓋封裝層20’與絕緣填充體60兩者的頂面，所以絕緣填充體60會(huì)位于第一導(dǎo)電層50以及第二導(dǎo)電層70之間，其中絕緣填充體60可接觸第一導(dǎo)電層50以及第二導(dǎo)電層70。第二導(dǎo)電層70從封裝層20’的頂面延伸到封裝層20’的側(cè)邊以及線路基板10的四個(gè)側(cè)平面14b的至少一面，因此第二導(dǎo)電層70可覆蓋封裝層20’的側(cè)邊。
[0054]另外，本發(fā)明不限制第二導(dǎo)電層70延伸的長(zhǎng)度。如圖1A所示，第二導(dǎo)電層70可以完全覆蓋其中至少一個(gè)側(cè)平面14b。當(dāng)然，第二導(dǎo)電層70也可以部分覆蓋其中至少一個(gè)側(cè)平面14b。而在其它實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層70也可以不延伸到四個(gè)側(cè)平面14b的任一個(gè)側(cè)平面14b，也就是說第二導(dǎo)電層70可以不覆蓋四個(gè)側(cè)平面14b的任一個(gè)側(cè)平面14b。此夕卜，第二導(dǎo)電層70和第一導(dǎo)電層50電性連接，以使第二導(dǎo)電層70能和第一導(dǎo)電層50電性導(dǎo)通。
[0055]圖1B至圖1H為本發(fā)明電子模塊I的制造方法示意圖。請(qǐng)參閱圖1B，首先提供一電子封裝模塊11，須說明的是，電子封裝模塊11為電子模塊I的半成品，且電子封裝模塊11包括線路基板10、多個(gè)電子元件30以及一封裝材料層20，其中這些電子元件30已裝設(shè)(Mount)在線路基板10上，所以電子元件30位于第一平面14a上，并且電性連接線路基板10。
[0056]此外，電子封裝模塊11可以是單體化(Singulating,也可翻譯成Dicing) —塊大型封裝模塊而形成。也就是說，電子封裝模塊11可以是利用激光或者是機(jī)械的方式切割大型封裝模塊而形成。電子封裝模塊11與大型封裝模塊的結(jié)構(gòu)相似。例如，大型封裝模塊包括大尺寸線路基板、多個(gè)電子元件以及一層封裝材料層，其中電子元件裝設(shè)在大尺寸線路基板上，而封裝材料層包覆這些電子元件。
[0057]請(qǐng)參閱圖1C，之后，形成一保護(hù)層40于封裝材料層20上，保護(hù)層40覆蓋封裝材料層20。保護(hù)層40的材料包括二氧化硅(Si02)粉末以及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，并可用來吸附顆粒(Particle)，其例如是粉塵。形成保護(hù)層40的方法可包括，涂布一層保護(hù)材料層(圖中未繪示)于封裝材料層20上。接著，固化保護(hù)材料層以形成一保護(hù)層40于封裝材料層20，其中固化保護(hù)材料層的方法包括加熱保護(hù)材料層，或?qū)ΡＷo(hù)材料層照射紫外光。然而，本發(fā)明不限定固化保護(hù)材料層的方法。
[0058]請(qǐng)參閱圖1D，接下來，切割封裝材料層20以及保護(hù)層40以形成多個(gè)封裝層20’與至少一溝槽22。溝槽22位于相鄰兩個(gè)封裝層20’之間，并且暴露出接地墊12。此外，上述切割流程主要是切割封裝材料層20以及保護(hù)層40，而非將線路基板10分割成多塊小型線路基板。
[0059]切割封裝材料層20與保護(hù)層40的方法可為激光切割或機(jī)械切割，其中激光切割所使用的激光束80可為綠光激光(波長(zhǎng)例如是532nm)。在進(jìn)行激光切割后，少部分的封裝材料層20會(huì)殘留于溝槽22的底部，也就是殘留在接地墊12上，以至于影響后續(xù)形成的第一導(dǎo)電層50與接地墊12之間的電性連接質(zhì)量。因此，在激光切割完成后，可進(jìn)行去膠渣(Desmear)0例如，用化學(xué)藥液或電漿來去除殘留在接地墊12上的部分封裝材料層20。如此，可維持或提升第一導(dǎo)電層50與接地墊12之間的電性連接質(zhì)量。
[0060]另外，激光切割也會(huì)產(chǎn)生粉塵，而這些粉塵會(huì)影響電子模塊I的質(zhì)量。然而，由于保護(hù)層40覆蓋封裝材料層20，因此上述粉塵不會(huì)附著在封裝材料層20上。如此，保護(hù)層40能避免封裝材料層20被激光切割所產(chǎn)生的粉塵污染，因而能降低粉塵對(duì)電子模塊I造成的不良影響。此外，須說明的是，在其它實(shí)施例中，除了激光切割與機(jī)械切割之外，也可以使用其它切割方式，本發(fā)明并不限定切割封裝材料層20與保護(hù)層40的方式。
[0061 ] 請(qǐng)參閱圖1E，接下來，形成第一導(dǎo)電層50于溝槽22之中并部分覆蓋保護(hù)層40。第一導(dǎo)電層50會(huì)覆蓋溝槽22的槽壁、接地墊12以及溝槽22開口周圍的保護(hù)層40表面，并且第一導(dǎo)電層50會(huì)電性連接接地墊12。須說明的是，形成第一導(dǎo)電層50的方式可以是濺鍍(Sputtering)、印刷(Printing)以及噴涂(Spraying)等方式形成,但本發(fā)明不限定第一導(dǎo)電層50形成的方法。
[0062]請(qǐng)參閱圖1F，接著，形成絕緣填充體60于溝槽22之中，其中絕緣填充體60可接觸第一導(dǎo)電層50。形成絕緣填充體60的方法包括，填入絕緣填充材料于溝槽22之中以及固化絕緣填充材料。如此，絕緣填充體60得以形成于溝槽22之中。
[0063]值得說明的是，由于溝槽22的寬度僅為80um，因此，在本實(shí)施例中，絕緣填充材料的黏度小于40cps，以降低絕緣填充材料填入溝槽22的困難程度。另外，固化絕緣填充材料的方法包括加熱絕緣填充材料，或?qū)^緣填充材料照射紫外光，但本發(fā)明不限定固化絕緣填充材料的方法。
[0064]請(qǐng)參閱圖1G，再來，移除保護(hù)層40，以暴露出封裝層20’，其中保護(hù)層40可用化學(xué)藥液來移除。此外，在移除保護(hù)層40的過程中，覆蓋在保護(hù)層40上的第一導(dǎo)電層50會(huì)隨著保護(hù)層40的移除而跟著被移除。接著，請(qǐng)參閱圖1H，形成第二導(dǎo)電層70于封裝層20’以及絕緣填充體60上，其中第二導(dǎo)電層70電性連接第一導(dǎo)電層50。第二導(dǎo)電層70從封裝層20’的頂面延伸到封裝層20’的側(cè)邊以及線路基板10的側(cè)平面14b (如圖1H所示)。
[0065]本發(fā)明不限制第二導(dǎo)電層70延伸的長(zhǎng)度。舉例而言，第二導(dǎo)電層70可以完全覆蓋其中至少一個(gè)側(cè)平面14b。另外，第二導(dǎo)電層70也可以部分覆蓋其中至少一個(gè)側(cè)平面14b。此外，第二導(dǎo)電層70和第一導(dǎo)電層50相連接，以使第二導(dǎo)電層70能和第一導(dǎo)電層50電性導(dǎo)通。絕緣填充體60可以接觸第一導(dǎo)電層50以及第二導(dǎo)電層70，并位于第一導(dǎo)電層50以及第二導(dǎo)電層70之間。
[0066]另外，圖1I為本發(fā)明另一實(shí)施例電子模塊I’的剖面示意圖。請(qǐng)參閱圖1I，不同于前一實(shí)施例的電子模塊1，本實(shí)施例的第二導(dǎo)電層70可以不延伸至四個(gè)側(cè)平面14b的其中任一個(gè)側(cè)平面14b，即第二導(dǎo)電層70不覆蓋四個(gè)側(cè)平面14b的其中任一個(gè)側(cè)平面14b。如圖1I所示，第二導(dǎo)電層70可以僅從封裝層20’的頂面延伸至封裝層20’的側(cè)邊。
[0067]圖2為本發(fā)明另一實(shí)施例電子模塊2的剖面示意圖，而圖2所示的電子模塊2包括一線路基板10’、多個(gè)電子元件30、多個(gè)封裝層20’、至少一第一導(dǎo)電層50、至少一絕緣填充體60以及一第二導(dǎo)電層70’。
[0068]請(qǐng)參閱圖2，不同于前一實(shí)施例的電子模塊1，除了接地墊12，線路基板10’還具有四個(gè)側(cè)平面14b’與至少一側(cè)邊金屬墊16,而所述至少一個(gè)側(cè)邊金屬墊16設(shè)置于其中至少一個(gè)側(cè)平面14b’，其中所述至少一個(gè)側(cè)邊金屬墊16接地，例如側(cè)邊金屬墊16與接地墊12電性導(dǎo)通,或是電性連接線路基板10’的接地面(grounding plane,圖2未繪示)。此外，圖2所示的電子模塊2具有多個(gè)側(cè)邊金屬墊16 (圖2繪示兩個(gè))，但在其它實(shí)施例中，側(cè)邊金屬墊16的數(shù)量可以僅為一個(gè)，而本發(fā)明不以此為限。
[0069]這些側(cè)平面14b’相鄰于第一平面14a，而第二導(dǎo)電層70’自封裝層20’的側(cè)邊延伸至這些側(cè)邊金屬墊16，并且第二導(dǎo)電層70’電性連接這些側(cè)邊金屬墊16，以使得接地墊12經(jīng)由第一導(dǎo)電金屬層50以及第二導(dǎo)電層70’來電性連接側(cè)邊金屬墊16。
[0070]此外，如圖2所示，在本實(shí)施例中，側(cè)邊金屬墊16位于側(cè)平面14b’的中間位置。然而，在其它實(shí)施例中，這些側(cè)邊金屬墊16可以分別位于側(cè)平面14b’的其它位置上，例如這些側(cè)邊金屬墊16可以靠近第一平面14a，或者是遠(yuǎn)離第一平面14a，而本發(fā)明不以此為限制。
[0071]另外，第二導(dǎo)電層70’只需要接觸側(cè)邊金屬墊16，以使第二導(dǎo)電層70’能與側(cè)邊金屬墊16電性導(dǎo)通，因此本發(fā)明不限制第二導(dǎo)電層70’延伸的長(zhǎng)度。也就是說，第二導(dǎo)電層70’可以完全覆蓋側(cè)平面14b’或者是部分覆蓋側(cè)平面14b’。
[0072]必須說明的是，以上所述的電子模塊2的制造方法實(shí)質(zhì)上皆相同于圖1B至圖1H中電子模塊I的制造方法，而本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者能根據(jù)圖1B至圖1H所揭露的電子模塊I的制造方法得知電子模塊2的制造方法。所以，縱使未繪示出電子模塊2的制造方法，對(duì)于本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者來說，上述實(shí)施方式記載的內(nèi)容已相當(dāng)明確且充分揭露。
[0073]綜上所述，本發(fā)明提供了一種電子模塊以及其制造方法，所述電子模塊包括線路基板、電子元件、封裝層、至少一第一導(dǎo)電層、絕緣填充體以及第二導(dǎo)電層。所述電子模塊利用第一導(dǎo)電層以及第二導(dǎo)電層來作為電磁干擾屏蔽結(jié)構(gòu)，以避免電磁干擾影響內(nèi)部電子元件運(yùn)行。
[0074]其次，由于絕緣填充體與封裝層兩者的熱膨脹系數(shù)差距小，因此當(dāng)溫度變化時(shí)，可以減少電子模塊的板彎程度，以提升電子模塊的可靠性。此外，在本發(fā)明的制造方法中，當(dāng)進(jìn)行激光切割封裝材料層與保護(hù)層時(shí)，本發(fā)明利用保護(hù)層來避免封裝材料層被激光切割所產(chǎn)生的顆粒(例如是粉塵)污染，以降低顆粒對(duì)電子模塊造成的不良影響。
[0075]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，其并非用以限定本發(fā)明的專利保護(hù)范圍。任何熟習(xí)相像技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神與范圍內(nèi)，所作的更動(dòng)及潤(rùn)飾的等效替換，仍為本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種電子模塊,其特征在于,包括: 一線路基板，該線路基板具有一第一平面以及至少一接地墊，所述至少一接地墊位于該第一平面； 多個(gè)電子元件，所述多個(gè)電子元件設(shè)置在該第一平面上，并電性連接該線路基板； 多個(gè)封裝層，所述多個(gè)封裝層包覆所述多個(gè)電子元件以及該第一平面，其中相鄰兩個(gè)封裝層之間存在著一溝槽，而所述至少一接地墊位于該溝槽的底部； 至少一第一導(dǎo)電層，所述至少一第一導(dǎo)電層覆蓋于該溝槽的槽壁與所述至少一接地墊，且和所述至少一接地墊電性連接； 至少一個(gè)絕緣填充體，所述至少一絕緣填充體填入該溝槽；以及一第二導(dǎo)電層，該第二導(dǎo)電層覆蓋于所述多個(gè)封裝層以及所述至少一個(gè)絕緣填充體，且該第二導(dǎo)電層和所述至少一第一導(dǎo)電層電性連接，其中所述至少一個(gè)絕緣填充體位于該第二導(dǎo)電層與所述至少一第一導(dǎo)電層之間。
2.如權(quán)利要求1所述的電子模塊，其特征在于，所述至少一個(gè)絕緣填充體的材料和所述多個(gè)封裝層的材料皆含有重量百分比10%至20%之間的環(huán)氧樹脂。
3.如權(quán)利要求1所述 的電子模塊，其特征在于，所述至少一個(gè)絕緣填充體接觸所述至少一第一導(dǎo)電層以及該第二導(dǎo)電層。
4.如權(quán)利要求1所述的電子模塊，其特征在于，所述至少一個(gè)絕緣填充體相對(duì)于該第一平面的高度高于所述多個(gè)電子元件相對(duì)于該第一平面的高度。
5.如權(quán)利要求1所述的電子模塊，其特征在于，該線路基板還具有相鄰于該第一平面的四個(gè)側(cè)平面，且該第二導(dǎo)電層延伸到其中至少所述多個(gè)側(cè)平面之一。
6.如權(quán)利要求5所述的電子模塊，其特征在于，該第二導(dǎo)電層完全覆蓋其中至少所述多個(gè)側(cè)平面之一。
7.如權(quán)利要求5所述的電子模塊，其特征在于，該第二導(dǎo)電層部分覆蓋其中至少所述多個(gè)側(cè)平面之一。
8.如權(quán)利要求5所述的電子模塊，其特征在于，該線路基板還具有至少一側(cè)邊金屬墊，其中所述至少一側(cè)邊金屬墊位于其中至少所述多個(gè)側(cè)平面之一，且該第二導(dǎo)電層延伸至所述多個(gè)側(cè)平面并電性連接所述至少一側(cè)邊金屬墊。
9.如權(quán)利要求1所述的電子模塊，其特征在于，該溝槽的寬度為80um，而所述至少一第一導(dǎo)電層的厚度為30um。
10.一種電子模塊的制造方法，其特征在于，包括: 提供一電子封裝模塊，該電子封裝模塊包括: 一線路基板，該線路基板具有一第一平面與至少一接地墊，所述至少一接地墊設(shè)置于該第一平面上； 多個(gè)電子元件，所述多個(gè)電子元件設(shè)置于該第一平面上，并且電性連接該線路基板；以及 一封裝材料層，該封裝材料層設(shè)置于該第一平面上，其中該封裝材料層包覆該第一平面、所述至少一接地墊與所述多個(gè)電子元件； 形成一保護(hù)層于該封裝材料層上，該保護(hù)層覆蓋在該封裝材料層； 切割該封裝材料層與該保護(hù)層以形成多個(gè)封裝層與至少一溝槽，其中該溝槽位于相鄰兩個(gè)封裝層之間，并且暴露出所述至少一接地墊； 于該溝槽中形成至少一第一導(dǎo)電層，該第一導(dǎo)電層覆蓋于該溝槽的槽壁并部分覆蓋保護(hù)層，并且電性連接所述至少一接地墊； 在形成所述至少一第一導(dǎo)電層之后，在該溝槽中形成至少一個(gè)絕緣填充體； 在形成所述至少一個(gè)絕緣填充體之后，移除該保護(hù)層，以暴露出所述多個(gè)封裝層；以及于所述多個(gè)封裝層與所述至少一絕緣填充體上形成一第二導(dǎo)電層，其中該第二導(dǎo)電層和所述至少一第一導(dǎo)電層電性連接。
11.如權(quán)利要求10所述的電子模塊的制造方法，其特征在于，形成該保護(hù)層的方法包括: 于該封裝材料層涂布一保護(hù)材料層，該保護(hù)材料層覆蓋該封裝材料層；以及 固化該保護(hù)材料層。
12.如權(quán)利要求10所述的電子模塊的制造方法，其特征在于，在該溝槽中形成所述至少一個(gè)絕緣填充體的方法包括: 填入至少一絕緣填充材料于該溝槽之中，其中所述至少一絕緣填充材料的黏度小于40cps ;以及 固化該絕緣填充材料。
13.如權(quán)利要求10所述的電子模塊的制造方法，其特征在于，該保護(hù)層的材料包括二氧化硅粉末以及聚甲基丙烯酸甲酯。
14.如權(quán)利要求10所述的電子模塊的制造方法，其特征在于，該線路基板還具有相鄰于該第一平面的四個(gè)側(cè)平面，且該第二導(dǎo)電層延伸到其中至少一側(cè)平面。
15.如權(quán)利要求14所述的電子模塊的制造方法，其特征在于，該第二導(dǎo)電層完全覆蓋其中至少一側(cè)平面。
16.如權(quán)利要求14所述的電子模塊的制造方法，其特征在于，該第二導(dǎo)電層部分覆蓋其中至少一側(cè)平面。
17.如權(quán)利要求14所述的電子模塊的制造方法，其特征在于，該線路基板還具有至少一側(cè)邊金屬墊，所述至少一側(cè)邊金屬墊位于其中至少一側(cè)平面，且該第二導(dǎo)電層延伸至該側(cè)平面并電性連接所述至少一側(cè)邊金屬墊。
【文檔編號(hào)】H05K9/00GK103681625SQ201210356955
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年9月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月24日
【發(fā)明者】陳仁君, 施百勝, 張欣晴 申請(qǐng)人:環(huán)旭電子股份有限公司, 環(huán)鴻科技股份有限公司