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等離子體去夾膜方法

文檔序號:8154194閱讀:613來源:國知局
專利名稱:等離子體去夾膜方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,更具體地說,本發(fā)明涉及一種利用等離子體去除線路夾膜的方法。
背景技術(shù)
圖形電鍍工藝與酸蝕工藝是印制板最常見的兩種制作工藝,對于一些精細線路,或在印制板中存在較大孔徑或無環(huán)的沉銅電鍍(PTH)孔時,超出了干膜的制程能力,為有效保護銅面,防止蝕刻時將要保留的圖形蝕刻掉,于是采取圖形電鍍的工藝進行制作,即在印制板表面先使用干膜制作出線路圖形,再在板面圖形處進行鍍銅加厚,最后鍍錫(或鉛錫)以保護要保留的區(qū)域,待蝕刻完畢后將銅面的錫(或鉛錫)褪掉,保留的圖形就是需要的線路圖形。
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常見的夾膜類型如圖I所示,在圖形電鍍銅、錫的過程中,印制板圖形區(qū)域線2與線2、線2與焊盤3、焊盤3與焊盤3之間的間距過小,當局部圖形較為孤立時,電鍍時電流集中,容易出現(xiàn)夾膜I異常,所謂夾膜I就是指電鍍銅、錫的厚度超出了干膜的厚度,電鍍的銅、錫將干膜覆蓋在下面,褪膜時無法將干膜褪洗干凈,蝕刻后造成線路之間出現(xiàn)短路,常規(guī)的人工檢修及粗化藥水咬蝕方法,針對精細線路容易造成線路損傷或出現(xiàn)線細異常,目前已不適用與精細線路夾膜的處理。針對圖形電鍍工藝中的夾膜問題,可以通過移線、削焊盤等增大線與線之間、焊盤與線及焊盤與焊盤之間的間距來避免夾膜,也可以通過調(diào)整電鍍參數(shù)或更改工藝流程來實現(xiàn),但這并不能從根本上解決印制板夾膜問題,且只能用在一些常規(guī)的板子上,對于精細線路的印制板,常規(guī)的方法已無法滿足制作要求。在線路出現(xiàn)夾膜時,常見的處理方式一般有兩種,一種是人工用檢修刀,將夾膜造成短路的區(qū)域用刀片摳開;另一種是使用去鉆污藥水將線路間殘留的夾膜用化學的方法去除掉?,F(xiàn)有技術(shù)的缺點是隨著印制板表層線路越來越精細,常規(guī)的去夾膜方法已很難有效去除線路上的夾膜,在處理過程中容易造成線路缺口、斷線開路及線細等異常,影響印制板的電氣性能,嚴重時會造成印制板報廢。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷,提供一種能夠避免常規(guī)手工操作或化學藥水咬蝕對精細線路的損傷,從而最大程度保證線路之間的可靠性的去夾膜方法。根據(jù)本發(fā)明,提供了一種等離子體去夾膜方法,其中,利用干膜執(zhí)行圖形電鍍,其中在印制板表面先使用干膜制作出線路圖形;再在印制板表面上由干膜制出的圖形處進行電鍍銅加厚并鍍錫以保護要保留的區(qū)域;隨后褪除干膜;此后檢查印制板表面上的作為殘留干膜的夾膜,并利用等離子體去除夾膜。優(yōu)選地,利用等離子體去除夾膜的過程分三步完成,第一步使用氧氣與氮氣進行抽真空;第二步使用氧氣、四氟化碳和氮氣來去除夾膜;第三步使用氧氣來進行清潔。優(yōu)選地,所述第一步中氧氣與氮氣的體積比為4 :1。優(yōu)選地,所述第二步中氧氣、四氟化碳和氮氣三者的體積比為15 3 :2。優(yōu)選地,利用等離子體去除夾膜的過程的處理時間介于20-60分鐘之間。優(yōu)選地,等離子體去夾膜方法包括依次執(zhí)行的步驟執(zhí)行去膜處理以便將印制板表面的干膜褪洗掉,露出干膜下面的金屬;檢查線路與線路之間、焊盤與線路之間或焊盤與焊盤之間是否有干膜殘留(殘留的干膜就是所說的夾膜);在判定結(jié)果表示圖形電鍍工藝的印制板上有夾膜時,使用等離子體去除夾膜的方式,其中將線路之間殘留的夾膜用電離的氣體產(chǎn)生自由根和離子的方式去除,防止線路之間出現(xiàn)短路現(xiàn)象。優(yōu)選地,等離子體去夾膜方法還包括在使用等離子體去除夾膜之后,將等離子體處理過的板子再進行一次去膜處理;此后,再次檢查線路與線路之間、焊盤與線路之間或焊 盤與焊盤之間是否還有干膜殘留。優(yōu)選地,等離子體去除夾膜的過程分三步完成,第一步使用氧氣與氮氣進行抽真空;第二步使用氧氣、四氟化碳和氮氣來去除夾膜;第三步使用氧氣來進行清潔。優(yōu)選地,所述第一步中氧氣與氮氣的體積比為4 :1。優(yōu)選地,所述第二步中氧氣、四氟化碳和氮氣三者的體積比為15 3 :2。本發(fā)明能夠針對一些精細線路的板子,當線路之間、焊盤與線路之間或焊盤與焊盤之間等處出現(xiàn)夾膜異常時,采用等離子體處理的方式將線路之間的夾膜去除,可以避免常規(guī)手工操作或化學藥水咬蝕對精細線路的損傷,從而最大程度保證線路之間的可靠性。


結(jié)合附圖,并通過參考下面的詳細描述,將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征,其中圖I示意性地示出了常見的夾膜類型。圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的等離子體去夾膜方法的流程圖。需要說明的是,附圖用于說明本發(fā)明,而非限制本發(fā)明。注意,表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且,附圖中,相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。
具體實施例方式為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂,下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進行詳細描述。本發(fā)明采用等離子體的方法,對精細線路造成的夾膜進行去除,避免對精細線路造成損傷。其中,“等離子體”指的是通過使用高壓電將氣體電離,使氣體受到射頻RF發(fā)生器的刺激,成為等離子體狀態(tài),由此產(chǎn)生的自由根和離子。具體地說,本發(fā)明提供了一種利用電離的氣體將線路之間的夾膜去除的一種工藝方法。術(shù)語“夾膜”指的是圖形電鍍工藝的板子,在表面褪膜之后,夾在線路之間、焊盤與線路之間或焊盤與焊盤之間的殘留干膜,夾膜的存在會造成線路短路。其中,“圖形電鍍”表示在印制板表面先鍍上一層銅(銅厚一般為30-40um),然后將印制板進行貼膜、曝光、顯影,制作出線路圖形后,再在線路圖形上進行電鍍銅、錫的一種電鍍制作工藝,主要針對酸性蝕刻無法實現(xiàn)的印制板線路圖形制作。而術(shù)語“貼膜、曝光、顯影”指的是在印制板表面貼上一層干膜,使用預(yù)先制作好的底片(與需要電鍍孔銅的孔相對應(yīng))進行曝光,并使用顯影技術(shù)將需要的圖形(指需要電鍍的線路圖形)制作出來。具體地說,在根據(jù)本發(fā)明實施例的等離子體去夾膜方法中,利用干膜執(zhí)行圖形電鍍,其中在印制板表面先使用干膜制作出線路圖形;再在印制板表面上由干膜制出的圖形處進行電鍍銅加厚(即,再次鍍銅使得銅的總厚度變厚)并鍍錫以保護要保留的區(qū)域;隨后褪除干膜;此后檢查印制板表面上的線路或焊盤之間是否有干膜殘留(殘留的干膜就是所說的夾膜),并利用等離子體去除夾膜。優(yōu)選地,其中,利用等離子體去除夾膜的過程分三步完成,第一步使用氧氣與氮氣進行抽真空,氧氣與氮氣的體積比優(yōu)選為4 1 ;第二步使用氧氣、四氟化碳和氮氣來去除夾膜,使用氧氣、四氟化碳和氮氣三者的體積比優(yōu)選地為15 3 2 ;第三步使用氧氣來進行清潔。等離子體去夾膜處理時間一般根據(jù)板子夾膜程度,夾膜越嚴重,去夾膜時間越長,等離
子體去夾膜處理時間一般在20-60分鐘之間。下面將具體描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。<等離子體去夾膜方法的具體示例>更具體地說,圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的等離子體去夾膜方法的一個具體的流程圖。如圖2所示,根據(jù)本發(fā)明實施例的具體示例的等離子體去夾膜方法包括第一步驟SI :進行水平線褪膜,具體地說,執(zhí)行去膜處理以便將印制板表面的干膜褪洗掉,露出干膜下面的金屬(例如金屬銅),以便于后續(xù)蝕刻線路;第二步驟S2 :進行專檢,即,利用例如放大鏡檢查線路與線路之間是否有干膜殘留,避免有干膜夾在線路之間造成短路異常;第三步驟S3 :在第二步驟S2的判定結(jié)果表示圖形電鍍工藝的印制板線路之間有干膜殘留(板內(nèi)夾膜);第四步驟S4:使用等離子體去夾膜方式,將線路之間殘留的夾膜用電離的氣體產(chǎn)生自由根和離子的方式去除,防止線路之間出現(xiàn)短路現(xiàn)象;第五步驟S5 :進行水平線二次褪膜,即,利用水平線將等離子體處理過的板子再進行一次去膜處理,防止等離子體去夾膜處理后有干膜碎屑殘留在線路與線路之間,造成微短路現(xiàn)象;第六步驟S6 :使用例如放大鏡檢查水平線二次褪膜后的板子,線路與線路之間是否還有干膜殘留,以保證夾膜處理干凈。由此,根據(jù)本發(fā)明實施例的等離子體去夾膜方法針對印制板夾膜問題,采用等離子體方式將板內(nèi)的夾膜用電離的高能氣體處理干凈,從而避免線路損傷。更具體地說,在第四步驟S4中,針對有夾膜的板子,在做等離子體去夾膜時,如何控制等離子體氣體的成分、比例以及等離子體處理時間是關(guān)鍵,這些參數(shù)直接影響到夾膜的去除效果。在本發(fā)明具體實施例中,優(yōu)選地,等離子體去夾膜過程分三步完成,第一步抽真空,使用的氣體是氧氣與氮氣,兩者比例(體積比)為4:1 ;第二步去夾膜,使用的氣體是氧氣、四氟化碳和氮氣,三者比例(體積比)為15 3 2 ;第三步清潔,使用的氣體是氧氣一種氣體。等離子體去夾膜處理時間一般根據(jù)板子夾膜程度,夾膜越嚴重,去夾膜時間越長,等離子體去夾膜處理時間一般在20-60分鐘之間。等離子體去夾膜過程的三步使用的氣體及氣體含量具體如下表所示。
權(quán)利要求
1.一種等離子體去夾膜方法,其特征在于,利用干膜執(zhí)行圖形電鍍,其中在印制板表面先使用干膜制作出線路圖形;再在印制板表面上由干膜制出的圖形處進行電鍍銅加厚并鍍錫以保護要保留的區(qū)域;隨后褪除干膜;此后檢查印制板表面上的線路或焊盤之間是否有干膜殘留(殘留的干膜就是所說的夾膜),并利用等離子體去除夾膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的等離子體去夾膜方法,其特征在于,利用等離子體去除夾膜的過程分三步完成,第一步使用氧氣與氮氣進行抽真空;第二步使用氧氣、四氟化碳和氮氣來去除夾膜;第三步使用氧氣來進行清潔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體去夾膜方法,其特征在于,所述第一步中氧氣與氮氣的體積比為4:1。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的等離子體去夾膜方法,其特征在于,所述第二步中氧氣、四氟化碳和氮氣三者的體積比為15 3 :2。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4之一所述的等離子體去夾膜方法,其特征在于,利用等離子體去除夾膜的過程的處理時間介于20-60分鐘之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的等離子體去夾膜方法,其特征在于包括依次執(zhí)行的步驟 執(zhí)行去膜處理以便將印制板表面的干膜褪洗掉,露出干膜下面的金屬; 檢查線路與線路之間、焊盤與線路之間或焊盤與焊盤之間是否有為干膜殘留; 在判定結(jié)果表示圖形電鍍工藝的印制板上有夾膜時,使用等離子體去除夾膜的方式,其中將線路之間殘留的夾膜用電離的氣體產(chǎn)生自由根和離子的方式去除,防止蝕刻后線路之間出現(xiàn)短路現(xiàn)象。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體去夾膜方法,其特征在于還包括 在使用等離子體去除夾膜之后,將等離子體處理過的板子再進行一次去膜處理;此后,再次檢查線路與線路之間、焊盤與線路之間或焊盤與焊盤之間是否還有干膜殘留,保證干膜去除干凈。
8.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的等離子體去夾膜方法,其特征在于,等離子體去除夾膜的過程分三步完成,第一步使用氧氣與氮氣進行抽真空;第二步使用氧氣、四氟化碳和氮氣來去除夾膜;第三步使用氧氣來進行清潔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體去夾膜方法,其特征在于,所述第一步中氧氣與氮氣的體積比為4 :1。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的等離子體去夾膜方法,其特征在于,所述第二步中氧氣、四氟化碳和氮氣三者的體積比為15 3 :2。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種等離子體去夾膜方法。利用干膜執(zhí)行圖形電鍍,其中在印制板表面先使用干膜制作出線路圖形;再在印制板表面上由干膜制出的圖形處進行電鍍銅加厚并鍍錫以保護要保留的區(qū)域;隨后褪除干膜;檢查印制板表面的線路或焊盤之間是否有干膜殘留,殘留的干膜就是所說的夾膜,并利用等離子體去除夾膜。利用等離子體去除夾膜的過程分三步完成,第一步使用氧氣與氮氣進行抽真空;第二步使用氧氣、四氟化碳和氮氣來去除夾膜;第三步使用氧氣來進行清潔。第一步中氧氣與氮氣的體積比為41。第二步中氧氣、四氟化碳和氮氣的體積比為1532。本發(fā)明采用等離子體處理的方式將線路之間的夾膜去除,可以避免常規(guī)手工操作或化學藥水咬蝕對精細線路的損傷,從而最大程度保證線路之間的可靠性。
文檔編號H05K3/06GK102883541SQ201210396130
公開日2013年1月16日 申請日期2012年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月17日
發(fā)明者吳小龍, 吳梅珠, 徐杰棟, 王改革, 劉秋華, 胡廣群, 梁少文, 陳文錄 申請人:無錫江南計算技術(shù)研究所
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