專利名稱：一種晶體硅太陽(yáng)能電池rie制絨裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于晶體硅太陽(yáng)能電池制絨設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種晶體硅太陽(yáng)能電池RIE制絨裝置。
背景技術(shù)：
太陽(yáng)能作為一種綠色能源，以其取之不竭、無(wú)污染、不受地域資源限制等優(yōu)點(diǎn)越來(lái)越受到人們的重視。在太陽(yáng)電池的研制歷程中曾使用過(guò)各種半導(dǎo)體，硅是其中最重要的一種。按豐度排列.硅是地球上第二大元素。硅是單元素半導(dǎo)體，無(wú)毒，廢棄硅對(duì)環(huán)境沒(méi)有污染。因此硅至今仍是太陽(yáng)電池的最佳選用材料。在太陽(yáng)能電池的制造工藝流程中，RIE制絨逐漸成為降低晶體硅表面反射率，提高陷光效果的重要方法，尤其是在多晶硅方面，大大的減少了硅的表面反射率，提高了電池的 轉(zhuǎn)化效率。但是，在后續(xù)電池可靠性方面，電池主柵的焊接拉力也隨著降低。這樣，在一定程度上增加組件的串聯(lián)電阻，降低組件效率和功率，在后期的組件穩(wěn)定性留下了隱患。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)上述存在的問(wèn)題而提供的一種晶體硅太陽(yáng)能電池RIE制絨裝置，該裝置可控性好，靈活性高，適用于晶體硅太陽(yáng)能電池的工業(yè)化生產(chǎn)。本發(fā)明的一種晶體硅太陽(yáng)能電池RIE制絨裝置采用的技術(shù)方案為包括反應(yīng)室、氣體管道、噴淋裝置和反應(yīng)離子擋板，其中，噴淋裝置位于反應(yīng)室的頂部，反應(yīng)氣體通過(guò)氣體管道由噴淋裝置進(jìn)入反應(yīng)室，氣體管道上設(shè)置有流量控制器；在硅片的制絨過(guò)程中，在硅片正面上方添加反應(yīng)離子擋板，通過(guò)控制反應(yīng)離子檔板的位置，實(shí)現(xiàn)電池主柵區(qū)域未制絨的效果。所述的反應(yīng)離子擋板位于電池正面上方0-100cm。所述的反應(yīng)離子擋板位于電池正面上方O. Ol-IOcm0反應(yīng)離子擋板位于硅片正面電池主柵區(qū)域正上方，形狀與電池主柵區(qū)域的形狀一致。反應(yīng)離子擋板的寬度為0-30cm ;所述的反應(yīng)離子擋板的寬度優(yōu)選為O. 01-5cm。應(yīng)離子擋板為至少一個(gè)，反應(yīng)離子擋板之間相互平行。反應(yīng)離子擋板由耐腐蝕材料制成。反應(yīng)離子擋板優(yōu)選由石墨制成；或者是由耐腐蝕的陶瓷材料、金屬材料或高分子材料的其中一種或幾種制成。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明的一種晶體硅太陽(yáng)能電池RIE制絨裝置包括反應(yīng)室、氣體管道、噴淋裝置，噴淋裝置位于反應(yīng)室的頂部，反應(yīng)氣體通過(guò)氣體管道由噴淋裝置進(jìn)入反應(yīng)室，氣體管道上設(shè)置有流量控制器，反應(yīng)室中還設(shè)有反應(yīng)離子擋板，置于需制絨硅片的正面上方。該裝置可控性好，靈活性高，能夠準(zhǔn)確地在硅片電池主柵區(qū)域以外的區(qū)域制絨，實(shí)現(xiàn)電池主柵區(qū)域未制絨的效果，適用于晶體硅太陽(yáng)能電池的工業(yè)化生產(chǎn)。另外，多個(gè)反應(yīng)離子擋板的設(shè)計(jì)可以更好的適應(yīng)產(chǎn)線工藝的變更。采用該裝置制備的晶體硅太陽(yáng)能電池可以改善其焊接拉力，提高組件性能的穩(wěn)定性以及轉(zhuǎn)化效率。


圖I所示為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意 圖2所示為本發(fā)明實(shí)施效果圖。圖中，I.反應(yīng)室，2.氣體管道，3.噴淋裝置，4.反應(yīng)離子擋板，5.流量控制器，6.硅片，7.電池主柵區(qū)域。
具體實(shí)施例方式 為了更好地理解本發(fā)明，下面結(jié)合附圖和實(shí)例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，但是本發(fā)明并不局限于此。一種晶體硅太陽(yáng)能電池RIE制絨裝置，包括反應(yīng)室I、氣體管道2、噴淋裝置3和反應(yīng)離子擋板4，其中，噴淋裝置3位于反應(yīng)室I的頂部，反應(yīng)氣體通過(guò)氣體管道2由噴淋裝置 3進(jìn)入反應(yīng)室I，氣體管道2上設(shè)置有流量控制器5 ;在硅片6的制絨過(guò)程中，在硅片6正面上方添加反應(yīng)離子擋板4，通過(guò)控制反應(yīng)離子檔板4的位置，實(shí)現(xiàn)電池主柵區(qū)域7未制絨的效果。所述的反應(yīng)離子擋板4位于娃片6正面上方0-100cm。所述的反應(yīng)離子擋板4位于硅片6正面上方O. Ol-IOcm0反應(yīng)離子擋板4位于硅片正面電池主柵區(qū)域7正上方，形狀與電池主柵區(qū)域7的形狀一致。反應(yīng)離子擋板4的寬度為0-30cm ;所述的反應(yīng)離子擋板4的寬度優(yōu)選為O. 01_5cmo所述的反應(yīng)離子擋板4為至少一個(gè)，而且多個(gè)反應(yīng)離子擋板4之間相互平行。反應(yīng)離子擋板4由耐腐蝕材料制成。反應(yīng)離子擋板4優(yōu)選由石墨制成，或者是由耐腐蝕的陶瓷材料、金屬材料或高分子材料的其中一種或幾種制成。采用該裝置制備的晶體硅太陽(yáng)能電池可以改善其焊接拉力，提高組件性能的穩(wěn)定性以及轉(zhuǎn)化效率。
權(quán)利要求
1.一種晶體硅太陽(yáng)能電池RIE制絨裝置，包括反應(yīng)室、氣體管道、噴淋裝置，其特征在于，噴淋裝置位于反應(yīng)室的頂部，反應(yīng)氣體通過(guò)氣體管道由噴淋裝置進(jìn)入反應(yīng)室，氣體管道上設(shè)置有流量控制器，反應(yīng)室中還設(shè)有反應(yīng)離子擋板，置于需制絨硅片的正面上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅太陽(yáng)能電池RIE制絨裝置，其特征在于反應(yīng)離子擋板位于娃片正面上方0-100cm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體硅太陽(yáng)能電池RIE制絨裝置，其特征在于反應(yīng)離子擋板位于娃片正面上方O. Ol-IOcnio
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅太陽(yáng)能電池RIE制絨裝置，其特征在于反應(yīng)離子擋板位于硅片正面電池主柵區(qū)域正上方，形狀與電池主柵區(qū)域的形狀一致。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體硅太陽(yáng)能電池RIE制絨裝置，其特征在于遮擋在硅片電池主柵區(qū)域上方的反應(yīng)離子擋板的寬度為0-30cm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶體硅太陽(yáng)能電池RIE制絨裝置，其特征在于遮擋在硅片電池主柵區(qū)域上方的反應(yīng)離子擋板的寬度為O. 01-5cm。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅太陽(yáng)能電池RIE制絨裝置，其特征在于反應(yīng)離子擋板為至少一個(gè)，反應(yīng)離子擋板之間相互平行。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅太陽(yáng)能電池RIE制絨裝置，其特征在于反應(yīng)離子擋板由耐腐蝕材料制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶體硅太陽(yáng)能電池RIE制絨裝置，其特征在于反應(yīng)離子擋板由石墨制成。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶體硅太陽(yáng)能電池RIE制絨裝置，其特征在于反應(yīng)離子擋板由耐腐蝕的陶瓷材料、金屬材料或高分子材料的其中一種或幾種制成。
全文摘要
本發(fā)明屬于晶體硅太陽(yáng)能電池制絨設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種晶體硅太陽(yáng)能電池RIE制絨裝置。該裝置包括反應(yīng)室、氣體管道、噴淋裝置和反應(yīng)離子擋板，其中，噴淋裝置位于反應(yīng)室的頂部，氣體管道上設(shè)置有流量控制器；硅片正面上方添加反應(yīng)離子擋板。本發(fā)明可以改善電池片在后續(xù)組件的焊接性能，有利于提高組件的穩(wěn)定性和轉(zhuǎn)化效率；另外，本發(fā)明可控性好，靈活性高，適用于晶體硅太陽(yáng)能電池的工業(yè)化生產(chǎn)。
文檔編號(hào)C30B33/12GK102903796SQ20121040364
公開(kāi)日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2012年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月22日
發(fā)明者李秉霖, 姜言森, 任現(xiàn)坤, 張春艷, 程亮, 賈河順, 馬繼磊, 孫繼峰 申請(qǐng)人:山東力諾太陽(yáng)能電力股份有限公司