專利名稱：導(dǎo)熱墊、制造導(dǎo)熱墊的方法、散熱裝置和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及電子設(shè)備領(lǐng)域中的導(dǎo)熱墊、制造導(dǎo)熱墊的方法、散熱裝置和電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
電 子設(shè)備中芯片工作產(chǎn)生的熱量通常需借助散熱器實(shí)現(xiàn)熱量向外部的擴(kuò)散。從微觀角度看，芯片與散熱器的接觸界面都存在很多的凹凸不平，需使用界面導(dǎo)熱材料填充芯片與散熱器的接觸界面，降低接觸熱阻。界面導(dǎo)熱材料通常包含導(dǎo)熱硅脂、導(dǎo)熱墊、導(dǎo)熱凝膠、相變導(dǎo)熱材料、導(dǎo)熱雙面膠帶等，根據(jù)不同的應(yīng)用場(chǎng)景，可使用不同類型、不同導(dǎo)熱系數(shù)的界面導(dǎo)熱材料。導(dǎo)熱是一種與原子、分子及自由電子等微觀粒子的無(wú)序隨機(jī)運(yùn)動(dòng)相聯(lián)系的物理過(guò)程。由于高分子材料沒(méi)有均一致密的有序晶體結(jié)構(gòu)或者載荷子，其導(dǎo)熱性較差。目前，提高高分子材料的導(dǎo)熱性主要有兩種途徑一是制備具有良好導(dǎo)熱性的結(jié)構(gòu)型導(dǎo)熱高分子材料，如具有共軛結(jié)構(gòu)的聚乙炔、聚苯胺、聚吡咯等材料，或者是提高聚合物的結(jié)晶性，通過(guò)聲子導(dǎo)熱機(jī)理實(shí)現(xiàn)導(dǎo)熱目的；二是通過(guò)向基體中添加具有高導(dǎo)熱性的填料的方法制備填充型高分子復(fù)合。在實(shí)際工業(yè)應(yīng)用中，大多采用在有機(jī)基體中添加導(dǎo)熱填料的方法制備高分子導(dǎo)熱材料。導(dǎo)熱墊、導(dǎo)熱凝膠都是在有機(jī)樹(shù)脂中添加導(dǎo)熱填料，使導(dǎo)熱填料在高分子有機(jī)樹(shù)脂中均勻分散，然后在一定條件下發(fā)生聚合反應(yīng)形成的復(fù)合導(dǎo)熱材料。制作成片狀的復(fù)合導(dǎo)熱材料通常稱為導(dǎo)熱墊，制作成凝膠狀的復(fù)合導(dǎo)熱材料通常稱為導(dǎo)熱凝膠。由于導(dǎo)熱墊、導(dǎo)熱凝膠具有良好的柔軟性，在一定壓力下可壓縮至初始厚度的一定百分比，可彌補(bǔ)裝配公差，填充發(fā)熱部件與散熱器件之間的裝配間隙，實(shí)現(xiàn)熱量從發(fā)熱部件到散熱部件的傳遞。對(duì)于導(dǎo)熱墊、導(dǎo)熱凝膠這類填充型高分子復(fù)合材料，其導(dǎo)熱性能的提高主要依賴于填充物的導(dǎo)熱系數(shù)的高低、填充物在基體中的分布以及與基體的相互作用。當(dāng)粒子填充物的含量比較小的時(shí)候，粒子在基體中均勻而孤立地分布，粒子之間相互接觸的機(jī)會(huì)比較小，這樣粒子就會(huì)被基體所包圍形成以填充物為分散相、高分子材料為連續(xù)相的“海島”結(jié)構(gòu)，即使是具有高熱傳導(dǎo)系數(shù)的填充物，對(duì)復(fù)合材料的熱傳導(dǎo)性能提高的貢獻(xiàn)也不大。添加更多的導(dǎo)熱填料，通過(guò)合理的導(dǎo)熱填料分布，使更多的導(dǎo)熱填料粒子相互接觸，形成導(dǎo)熱通路，可增加高分子復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能。隨著電子設(shè)備高密小型化的發(fā)展，芯片及電路板的功率密度越來(lái)越高，多個(gè)芯片使用同一個(gè)散熱器進(jìn)行散熱的情況也越來(lái)越多。由于不同芯片存在不同的高度及高度公差，使用同一散熱器實(shí)現(xiàn)裝配，在芯片與散熱器之間存在一定的縫隙。通常需使用柔軟易變形的界面導(dǎo)熱材料來(lái)填充縫隙，吸收公差，同時(shí)實(shí)現(xiàn)良好的導(dǎo)熱功能。然而，針對(duì)添加導(dǎo)熱填料，與有機(jī)樹(shù)脂基材共混后形成的高分子復(fù)合材料，通常情況下，更高的導(dǎo)熱系數(shù)與更好的可應(yīng)用性是相互矛盾的關(guān)系。對(duì)于導(dǎo)熱墊，實(shí)際應(yīng)用中的關(guān)鍵性能是具有良好的可壓縮性。導(dǎo)熱系數(shù)越高，意味著更高的導(dǎo)熱填料含量，會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)熱墊的可壓縮性變差。導(dǎo)熱墊的可壓縮性變差，在彌補(bǔ)同等的公差下，其壓縮應(yīng)力會(huì)增加，可能導(dǎo)致電路板及其組件損傷。對(duì)于導(dǎo)熱凝膠，實(shí)際應(yīng)用中的關(guān)鍵性能是具有良好的可施加性。導(dǎo)熱系數(shù)越高，意味著更高的導(dǎo)熱填料含量，會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)熱凝膠的粘度過(guò)高。導(dǎo)熱凝膠粘度過(guò)高，會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)熱凝膠無(wú)法通過(guò)點(diǎn)膠工藝施加，不適合工業(yè)批量加工生產(chǎn)。因此，隨著電子設(shè)備中發(fā)熱部件的功率密度持續(xù)上升，單板的功率密度持續(xù)上升，對(duì)界面導(dǎo)熱材料的導(dǎo)熱性能要求越來(lái)越高，現(xiàn)有技術(shù)體系制作的導(dǎo)熱墊、導(dǎo)熱凝膠已不能滿足某些高性能電子設(shè)備的散熱需求，發(fā)熱部件與散熱器之間的溫升過(guò)高成為散熱瓶頸。在此情況下，在保證良好的可壓縮性前提下，后續(xù)需持續(xù)提高柔軟易變形的界面導(dǎo)熱材料的導(dǎo)熱系數(shù)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種導(dǎo)熱墊、制造導(dǎo)熱墊的方法、散熱裝置和電子設(shè)備，能夠使得導(dǎo)熱墊在具有良好的壓縮性能的同時(shí)，還具有良好的導(dǎo)熱性能。第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種導(dǎo)熱墊，該導(dǎo)熱墊包括導(dǎo)熱的片狀基材，該片狀基材在厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；和導(dǎo)熱的涂覆層，該涂覆層由柔性的有機(jī)化合物形成，其中，該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在該片狀基材的表面，或者該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在該片狀基材的表面。在第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該導(dǎo)熱墊的導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于3W/mK ；或該導(dǎo)熱墊的導(dǎo)熱系數(shù)在3W/mK至5W/mK的范圍內(nèi)；或該導(dǎo)熱墊的導(dǎo)熱系數(shù)在5W/mK至15ff/mK的范圍內(nèi)；或該導(dǎo)熱墊的導(dǎo)熱系數(shù)在15W/mK至30W/mK的范圍內(nèi)。在第一方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該導(dǎo)熱墊的肖式硬度小于或等于ShoreA 60 ;或該導(dǎo)熱墊的肖式硬度小于或等于Shore 00 60。在第一方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該導(dǎo)熱墊在具有50%的壓縮量時(shí)具有的壓縮應(yīng)力小于或等于IOOpsi ;或該導(dǎo)熱墊在具有50%的壓縮量時(shí)具有的壓縮應(yīng)力小于或等于150psi ;或該導(dǎo)熱墊在具有50%的壓縮量時(shí)具有的壓縮應(yīng)力小于或等于250psi。結(jié)合第一方面或第一方面的第一種至第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該片狀基材的導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于2W/mK ;或該片狀基材的導(dǎo)熱系數(shù)在5W/mK至30W/mK的范圍內(nèi)。結(jié)合第一方面或第一方面的第一種至第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該片狀基材的孔隙率大于或等于50% ；或該片狀基材的孔隙率在80. 0%至99. 8%的范圍內(nèi)。結(jié)合第一方面或第一方面的第一種至第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第六種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該片狀基材的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為金屬或炭素。結(jié)合第一方面的第六方面，在第一方面的第七種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該片狀基材為膨脹石墨片材、泡沫金屬片材或石墨烯泡沫片材。結(jié)合第一方面或第一方面的第一種至第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第八種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該有機(jī)化合物的導(dǎo)熱系數(shù)在O. 5ff/mK至6W/mK的范圍內(nèi)；或該有機(jī)化合物的導(dǎo)熱系數(shù)在lW/mK至3W/mK的范圍內(nèi)。
結(jié)合第一方面或第一方面的第一種至第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第九種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該涂覆層的肖式硬度小于或等于Shore00 60 ;或該涂覆層的肖式硬度小于或等于ShoreOO 30。結(jié)合第一方面或第一方面的第一種至第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第十種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，覆蓋在該片狀基材的表面的該涂覆層的厚度在I μ m至O. 5mm的范圍內(nèi)。結(jié)合第一方面的第七方面，在第一方面的第十一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該片狀基材為膨脹石墨片材，該膨脹石墨片材的密度在O. Ig/cm3至O. 25g/cm3的范圍內(nèi)，該片狀基材的孔隙率在89. 0%至96. 0%的范圍內(nèi)，該導(dǎo)熱墊的導(dǎo)熱系數(shù)在5W/mK至25W/mK的范圍內(nèi)。結(jié)合第一方面的第七方面，在第一方面的第十二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該片狀基材為泡沫銅片材，該泡沫銅片材的孔隙率在90. 0%至98. 0%的范圍內(nèi)，且該泡沫銅片材的孔徑在90PPI至120PPI的范圍內(nèi)；或該片狀基材為石墨烯泡沫片材，該石墨烯泡沫片材的孔 隙率在80. 0%至99. 8%的范圍內(nèi)，且該石墨烯泡沫片材的孔徑在90PPI至120PPI的范圍內(nèi)。第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種制造導(dǎo)熱墊的方法，該方法包括提供一種導(dǎo)熱的片狀基材，該片狀基材在厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；提供一種導(dǎo)熱的、柔性的有機(jī)化合物；將該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在該片狀基材的表面，或者該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在該片狀基材的表面，形成該導(dǎo)熱墊。在第二方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該將該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在該片狀基材的表面，或者該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在該片狀基材的表面，形成該導(dǎo)熱墊，包括將該片狀基材進(jìn)行卷繞或疊加，形成具有多層結(jié)構(gòu)的多層片狀基材；該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在該片狀基材的表面，或者該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在該片狀基材的表面形成第一導(dǎo)熱墊毛坯；沿該第一導(dǎo)熱墊毛坯的導(dǎo)熱方向?qū)υ摰谝粚?dǎo)熱墊毛坯進(jìn)行切割，形成該導(dǎo)熱墊。在第二方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該將該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在該片狀基材的表面，或者該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在該片狀基材的表面，形成該導(dǎo)熱墊，包括將該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在該片狀基材的表面，或者該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在該片狀基材的表面，形成第二導(dǎo)熱墊毛坯；將該第二導(dǎo)熱墊毛坯進(jìn)行卷繞或疊加，形成具有多層結(jié)構(gòu)的第三導(dǎo)熱墊毛坯；沿該第三導(dǎo)熱墊毛坯的導(dǎo)熱方向?qū)υ摰谌龑?dǎo)熱墊毛坯進(jìn)行切割，形成該導(dǎo)熱墊。結(jié)合第二方面或第二方面的第一種或第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第二方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該片狀基材的導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于2W/mK;或該導(dǎo)熱墊的導(dǎo)熱系數(shù)在5W/mK至30W/mK的范圍內(nèi)。結(jié)合第二方面或第二方面的第一種或第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第二方面的第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該片狀基材的孔隙率大于或等于50% ;或該片狀基材的孔隙率在80. 0%至99. 8%的范圍內(nèi)。結(jié)合第二方面或第二方面的第一種或第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第二方面的第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該片狀基材的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為金屬或炭素；或該片狀基材為膨脹石墨片材、泡沫金屬片材或石墨烯泡沫片材。結(jié)合第二方面或第二方面的第一種或第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第二方面的第六種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該有機(jī)化合物的導(dǎo)熱系數(shù)在O. 5ff/mK至6W/mK的范圍內(nèi)；或該有機(jī)化合物的導(dǎo)熱系數(shù)在lW/mK至3W/mK的范圍內(nèi)。結(jié)合第二方面或第二方面的第一種或第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第二方面的第七種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該有機(jī)化合物固化后的肖式硬度小于或等于Shore 00 60 ;或該有機(jī)化合物固化后的肖式硬度小于或等于Shore 00 30。第三方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種散熱裝置，該散熱裝置包括散熱部件；和設(shè) 置在該散熱部件以及發(fā)熱部件之間的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)熱墊，或根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法制造的導(dǎo)熱墊，其中，該導(dǎo)熱墊包括導(dǎo)熱的片狀基材，該片狀基材在厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；和導(dǎo)熱的涂覆層，該涂覆層由柔性的有機(jī)化合物形成，其中，該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在該片狀基材的表面，或者該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在該片狀基材的表面；其中，該制造導(dǎo)熱墊的方法包括提供一種導(dǎo)熱的片狀基材，該片狀基材在厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；提供一種導(dǎo)熱的、柔性的有機(jī)化合物；將該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在該片狀基材的表面，或者該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在該片狀基材的表面，形成該導(dǎo)熱墊。第四方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備包括發(fā)熱部件；散熱部件；和設(shè)置在該發(fā)熱部件以及散熱部件之間的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)熱墊，或根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法制造的導(dǎo)熱墊，其中，該導(dǎo)熱墊包括導(dǎo)熱的片狀基材，該片狀基材在厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；和導(dǎo)熱的涂覆層，該涂覆層由柔性的有機(jī)化合物形成，其中，該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在該片狀基材的表面，或者該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在該片狀基材的表面；其中，該制造導(dǎo)熱墊的方法包括提供一種導(dǎo)熱的片狀基材，該片狀基材在厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；提供一種導(dǎo)熱的、柔性的有機(jī)化合物；將該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在該片狀基材的表面，或者該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在該片狀基材的表面，形成該導(dǎo)熱墊?；谏鲜黾夹g(shù)方案，本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)熱墊、制造導(dǎo)熱墊的方法、散熱裝置和電子設(shè)備，通過(guò)采用柔性導(dǎo)熱的有機(jī)化合物，填充或覆蓋厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱片狀基材，使得形成的導(dǎo)熱墊在具有良好的壓縮性能的同時(shí)，還具有良好的導(dǎo)熱性能，從而能夠提高電子設(shè)備的散熱性能。
為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面所描述的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)熱墊的截面示意圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造導(dǎo)熱墊的方法的示意性流程圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造導(dǎo)熱墊的方法的另一示意性流程圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造導(dǎo)熱墊的方法的再一示意性流程圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的散熱裝置的示意性結(jié)構(gòu)圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備的示意性結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。圖I示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)熱墊100的截面示意圖。如圖I所示，該導(dǎo)熱墊100包括導(dǎo)熱的片狀基材110，該片狀基材110在厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；和導(dǎo)熱的涂覆層120，該涂覆層120由柔性的有機(jī)化合物形成，其中，該有機(jī)化合物填充在該片狀基材110的內(nèi)部或覆蓋在該片狀基材110的表面。本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)熱墊，通過(guò)采用柔性導(dǎo)熱的有機(jī)化合物，填充或覆蓋厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱片狀基材，使得形成的導(dǎo)熱墊在具有良好的壓縮性能的同時(shí)，還具有良好的導(dǎo)熱性能，從而能夠提高電子設(shè)備的散熱性能。應(yīng)理解，在本發(fā)明實(shí)施例中，厚度方向?yàn)榕c片狀基材所在的平面相垂直的方向，如圖I所示，片狀基材110的厚度方向?yàn)閆方向。本發(fā)明實(shí)施例的片狀基材具有的可壓縮性，一方面可以取決于片狀基材的材質(zhì)具有的脆性，當(dāng)片狀基材在厚度方向上受到外力壓縮時(shí)，片狀基材在厚度方向上容易斷裂而被壓縮，另一方面可以取決于片狀基材形成的疏松多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。應(yīng)理解，在本發(fā)明實(shí)施例中，片狀基材在與厚度方向垂直的其它方向也可以具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，即該片狀基材可以具有疏松多孔的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，以具有更好的可壓縮性和導(dǎo)熱性。例如，在本發(fā)明實(shí)施例中，該片狀基材可以為膨脹石墨片材、泡沫金屬片材或石墨烯泡沫片材等。還應(yīng)理解，本發(fā)明實(shí)施例僅以此為例進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明實(shí)施例并不限于此。因而，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的片狀基材制成的導(dǎo)熱墊具有良好的可壓縮性，從而在多芯片共用散熱器的應(yīng)用場(chǎng)景下，構(gòu)成該導(dǎo)熱墊的片狀基材會(huì)斷裂，由此填補(bǔ)不同芯片之間的高度差或各種公差，使得發(fā)熱裝置與散熱器充分接觸，提高元器件之間的散熱性能；另一方面，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)熱墊由于具有高導(dǎo)熱系數(shù)，也能夠顯著提高元器件之間的散熱性能。具體而言，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例可以制作出兼具高導(dǎo)熱系數(shù)、良好可壓縮性的片狀導(dǎo)熱墊。由于片狀基材可以使用石墨、石墨烯等具有超高導(dǎo)熱系數(shù)的材料，且構(gòu)成片狀基材的孔隙結(jié)構(gòu)之間是相互連通的，相對(duì)于目前主流為球形氧化鋁導(dǎo)熱填料而言，在導(dǎo)熱性方面天生具有很大的優(yōu)勢(shì)。另一方面，由于該片狀基材本身是多孔疏松結(jié)構(gòu)，通過(guò)合適的密度、孔徑設(shè)計(jì)，可以容易實(shí)現(xiàn)良好的可壓縮性。綜合來(lái)看，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)熱墊可以突破現(xiàn)有技術(shù)在高導(dǎo)熱系數(shù)上的性能限制，制作出大于或等于15w/mk,甚至30w/mk的可壓縮片狀導(dǎo)熱墊。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的可壓縮片狀導(dǎo)熱墊，不僅可解決電子設(shè)備中高功率發(fā)熱部件的散熱瓶頸問(wèn)題，更重要的是可簡(jiǎn)化散熱器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及裝配難度，實(shí)現(xiàn)降低散熱器的制作成本，降低散熱器的裝配難度并提升長(zhǎng)期可靠性。此外，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，將片狀基材作為原料，與有機(jī)樹(shù)脂的復(fù)合成型工藝簡(jiǎn)單，適合大批量生產(chǎn)。特別是采用低密度膨脹石墨為片狀基材，由于低密度膨脹石墨基材的材料成本只有球形氧化鋁導(dǎo)熱填料成本的十分之一不到，可實(shí)現(xiàn)較低成本的超高導(dǎo)熱系數(shù)的可壓縮導(dǎo)熱墊。應(yīng)理解，在本發(fā)明實(shí)施例中，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)熱墊屬于熱界面材料(Thermal Interface Material),該熱界面材料也稱為導(dǎo)熱界面材料或者界面導(dǎo)熱材料，·是一種普遍用于集成電路(Integrated Circuit,簡(jiǎn)稱為“1C”)封裝和電子器件散熱的材料，主要用于填補(bǔ)兩種材料接合或接觸時(shí)產(chǎn)生的微空隙及表面凹凸不平的孔洞，減少熱傳遞的阻抗。還應(yīng)理解，在行業(yè)內(nèi)，導(dǎo)熱墊也可稱之為導(dǎo)熱硅膠片、導(dǎo)熱矽膠墊、導(dǎo)熱硅膠墊、絕緣導(dǎo)熱片或軟性散熱墊等。本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)熱墊，由于具有高導(dǎo)熱系數(shù)和良好的可壓縮性能，適用于發(fā)熱部件與散熱器表面的裝配間隙大于O. Imm的界面填充導(dǎo)熱，特別適用于發(fā)熱部件與散熱器表面的裝配公差大于或等于±0. Imm的應(yīng)用場(chǎng)景，例如多個(gè)芯片使用同一散熱器的應(yīng)用場(chǎng)
旦
-5^ O本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)熱墊完全不同于現(xiàn)有界面導(dǎo)熱材料的技術(shù)原理，現(xiàn)有技術(shù)是在高分子材料基材中添加導(dǎo)熱填料，以實(shí)現(xiàn)更高的導(dǎo)熱系數(shù)。而本發(fā)明實(shí)施例是在厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的片狀基材內(nèi)或表面，添加柔性導(dǎo)熱的有機(jī)化合物而形成導(dǎo)熱墊。例如，可選地，本發(fā)明實(shí)施例在具有連續(xù)導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的柔性可壓縮基材中，添加柔性導(dǎo)熱的有機(jī)樹(shù)脂，制作成片狀導(dǎo)熱材料。為了使得根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)熱墊在具有良好的壓縮性能的同時(shí)，還能夠具有良好的導(dǎo)熱性能，一方面需要片狀基材具有良好的導(dǎo)熱性和可壓縮性，另一方面也需要構(gòu)成涂覆層的有機(jī)化合物具有良好的導(dǎo)熱性和可壓縮性，下面將分別描述構(gòu)成導(dǎo)熱墊的片狀基材和有機(jī)化合物。在本發(fā)明實(shí)施例中，由于基材最終需要制作成片狀的界面導(dǎo)熱材料，基材本身可以制作成片狀；另一方面，長(zhǎng)長(zhǎng)的片狀基材甚至可以卷繞成卷，很適合大批量生產(chǎn)加工，從而能夠降低生產(chǎn)成本。片狀基材與有機(jī)化合物的相容性是構(gòu)成導(dǎo)熱墊的基礎(chǔ)，構(gòu)成片狀基材的材料本身特性、微孔結(jié)構(gòu)及孔壁的表面處理等對(duì)有機(jī)化合物的相容性影響較大。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)熱墊的導(dǎo)熱性、可壓縮性主要依靠在厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的片狀基材實(shí)現(xiàn)，當(dāng)該片狀基材具有以下特性時(shí)，可同時(shí)具有良好的導(dǎo)熱系數(shù)及可壓縮性
(I)片狀基材為多孔結(jié)構(gòu)，片狀基材內(nèi)部的孔密集的分布在基材中。孔的大小，孔壁的厚度，孔的數(shù)量都會(huì)影響基材的可壓縮性及導(dǎo)熱性能，通常而言，孔的數(shù)量越多，片狀基材的可壓縮性越好。(2)從微觀角度而言，至少在片狀基材的厚度方向上，通過(guò)相鄰孔的孔壁互連，構(gòu)成連續(xù)導(dǎo)熱的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，在片狀基材的厚度方向以及與厚度方向垂直的平面上，片狀基材從上到下都可以形成連續(xù)的導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。當(dāng)構(gòu)成片狀基材的材料本身為金屬或者高導(dǎo)熱炭素等材料時(shí)，該片狀基材主要通過(guò)自由電子傳熱時(shí)，可以具備較高的導(dǎo)熱系數(shù)。(3)片狀基材為疏松結(jié)構(gòu)，并具有可壓縮性。具體而言，在本發(fā)明實(shí)施例中，可選地，該片狀基材110的導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于2W/mK(瓦每米開(kāi))。例如，該片狀基材110的導(dǎo)熱系數(shù)為2W/mK、3W/mK、4W/mK、5W/mK、6W/mK、7W/mK、8W/mK、10W/mK、13W/mK、16W/mK、19W/mK、21W/mK、24W/mK、27W/mK 或 30W/mK?？蛇x地，該片狀基材110的導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于3W/mK ；·
可選地，該片狀基材110的導(dǎo)熱系數(shù)在3W/mK至5W/mK的范圍內(nèi)；或該片狀基材110的導(dǎo)熱系數(shù)在5W/mK至30W/mK的范圍內(nèi)。例如，該片狀基材110的導(dǎo)熱系數(shù)在5W/mK至10ff/mK的范圍內(nèi)；或該片狀基材110的導(dǎo)熱系數(shù)在10W/mK至15W/mK的范圍內(nèi)；或該片狀基材110的導(dǎo)熱系數(shù)在15W/mK至20W/mK的范圍內(nèi)；或該片狀基材110的導(dǎo)熱系數(shù)在20W/mK至25W/mK的范圍內(nèi)；或該片狀基材110的導(dǎo)熱系數(shù)在25W/mK至30W/mK的范圍內(nèi)。應(yīng)理解，在本發(fā)明實(shí)施例中，術(shù)語(yǔ)“在A至B的范圍內(nèi)”表示大于或等于A，且小于或等于B。還應(yīng)理解，在本發(fā)明實(shí)施例中，不同儀器或不同方法測(cè)量得到的物理量的具體數(shù)值可能稍有不同，或存在一定的轉(zhuǎn)換關(guān)系，本發(fā)明實(shí)施例中各物理量的具體數(shù)值僅以本發(fā)明實(shí)施例中提供的儀器或方法為例進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明實(shí)施例并不限于此。還應(yīng)理解，在本發(fā)明實(shí)施例中，該片狀基材110的導(dǎo)熱系數(shù)也可以大于或等于30W/mK，本發(fā)明實(shí)施例并不限于此。在本發(fā)明實(shí)施例中，可選地，該片狀基材110的孔隙率大于或等于50%。例如，該片狀基材110的孔隙率為55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%或99. 8%?？蛇x地，該片狀基材110的孔隙率在80. 0%至99. 8%的范圍內(nèi)。例如，該片狀基材110的孔隙率在80. 0%至85. 0%的范圍內(nèi)；或該片狀基材110的孔隙率在85. 0%至90. 0%的范圍內(nèi)；或該片狀基材110的孔隙率在90. 0%至95. 0%的范圍內(nèi)；或該片狀基材110的孔隙率在95. 0%至99. 8%的范圍內(nèi)。應(yīng)理解，在本發(fā)明實(shí)施例中，孔隙率指片狀基材內(nèi)部孔隙的體積占片狀基材總體積的百分率，片狀基材的孔隙率P可以如下列等式(I)表示
v-v { ρΛΡ^—-XlOO0Zo= I-X 100%
fOV P)(!)其中，Vtl表示片狀基材在自然狀態(tài)下的體積，包括片狀基材的實(shí)體及其開(kāi)口孔隙、閉口孔隙；v表示片狀基材的絕對(duì)密實(shí)體積；P O表示片狀基材在自然狀態(tài)下的密度，包括片狀基材的實(shí)體及其開(kāi)口孔隙、閉口孔隙；P表示片狀基材的絕對(duì)密實(shí)密度。在本發(fā)明實(shí)施例中，可選地，該片狀基材的孔徑在60PPI至150PPI的范圍內(nèi)，例如，該片狀基材的孔徑為 70PPI、80PPI、90PPI、100PPI、IIOPPI、120PPI、130PPI 或 140PPI?？蛇x地，該片狀基材的孔徑在90PPI至120PPI的范圍內(nèi)；可選地，該片狀基材的孔徑在IOOPPI至110PPI的范圍內(nèi)。應(yīng)理解，在本發(fā)明實(shí)施例中，片狀基材的孔徑還可以大于150PPI，本發(fā)明實(shí)施例并不限于此。在本發(fā)明實(shí)施例中，可選地，該片狀基材110的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為金屬或炭素。例如，該片狀基材110的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為金屬銅、金屬鋁、金屬銀、炭或石墨等?？蛇x地，該片狀基材110為膨脹石墨片材、泡沫金屬片材或石墨烯泡沫片材。下文中將分別以該片狀基材110為膨脹石墨片材、泡沫金屬片材和石墨烯泡沫片材為例，詳細(xì)描述由該片狀基材110構(gòu)成的導(dǎo)熱墊100。在本發(fā)明實(shí)施例中，可選地，該片狀基材110為膨脹石墨片材，該膨脹石墨片材的密度在O. lg/cm3至O. 25g/cm3的范圍內(nèi)，該片狀基材110的孔隙率在89. 0%至96. 0%的范圍內(nèi)，該導(dǎo)熱墊100的導(dǎo)熱系數(shù)在5W/mK至25W/mK的范圍內(nèi)。在本發(fā)明實(shí)施例中，可選地，該片狀基材110為泡沫銅片材，該泡沫銅片材的孔隙率在90. 0%至98. 0%的范圍內(nèi)，且該泡沫銅片材的孔徑在90PPI至120PPI的范圍內(nèi)；或該片狀基材110為石墨烯泡沫片材，該石墨烯泡沫片材的孔隙率在80. 0%至99. 8%的范圍內(nèi)，且該石墨烯泡沫片材的孔徑在90PPI至120PPI的范圍內(nèi)。應(yīng)理解，在本發(fā)明實(shí)施例中，炭和石墨材料是以碳元素為主的非金屬固體材料，其中炭材料基本上由非石墨質(zhì)碳組成的材料，而石墨材料則是基本上由石墨質(zhì)碳組成的材料，為了簡(jiǎn)便起見(jiàn)，炭和石墨材料統(tǒng)稱為炭素材料。由于多孔疏松的片狀基材存在表面凹凸不平、應(yīng)用過(guò)程中片狀基材可能會(huì)碎裂、部分片狀基材會(huì)脫落等問(wèn)題，即使這種片狀基材兼具高導(dǎo)熱性及良好的可壓縮性，也不能直接作為界面導(dǎo)熱材料使用。因此，需要使用對(duì)表面具有浸潤(rùn)性的諸如高分子材料的有機(jī)化合物，與導(dǎo)熱片狀基材進(jìn)行復(fù)合，彌補(bǔ)導(dǎo)熱片狀基材本身在應(yīng)用上的缺點(diǎn)，以起到降低界面接觸熱阻、防止應(yīng)用過(guò)程中有基材脫落的問(wèn)題。與導(dǎo)熱片狀基材進(jìn)行復(fù)合的有機(jī)化合物，固化后本身需具有良好的柔性，制作成片狀導(dǎo)熱墊后不會(huì)顯著劣化導(dǎo)熱片狀基材的可壓縮性。使用具有一定導(dǎo)熱系數(shù)的導(dǎo)熱有機(jī) 化合物需要固化后很柔軟，甚至具有一定的觸變性，硬度較低。具體而言，該有機(jī)化合物在固化前需要具有一定的可流動(dòng)性，可通過(guò)加熱、紫外線(Ultraviolet，簡(jiǎn)稱為“UV”)等方式進(jìn)行固化。為了提升導(dǎo)熱片狀基材的導(dǎo)熱性能，可使用具有一定導(dǎo)熱系數(shù)的填充型高分子樹(shù)脂。根據(jù)不同的配方設(shè)計(jì)的填充型高分子樹(shù)脂體現(xiàn)出的導(dǎo)熱性、流動(dòng)性、固化后可壓縮性都會(huì)有所差別。本發(fā)明實(shí)施例對(duì)諸如高分子樹(shù)脂的有機(jī)化合物的關(guān)鍵需求是固化后具有良好的可壓縮性。該類固化后具有良好可壓縮性的高分子樹(shù)脂通常具有Tg點(diǎn)溫度(玻璃化轉(zhuǎn)變溫度)低于材料實(shí)際工作溫度的特點(diǎn)。例如，Tg小于或等于80°C，可選地，Tg小于或等于-30°C。可選地，固化后的填充型高分子樹(shù)脂(通常稱為導(dǎo)熱有機(jī)化合物)的肖式硬度需低于Shore 00 60，可選地低于Shore 00 25。具體而言，在本發(fā)明實(shí)施例中，該有機(jī)化合物的導(dǎo)熱系數(shù)在O. 5W/mK至6W/mK的范圍內(nèi)。例如，該有機(jī)化合物的導(dǎo)熱系數(shù)在O. 5ff/mK至lW/mK的范圍內(nèi)；或該有機(jī)化合物的導(dǎo)熱系數(shù)在lW/mK至2W/mK的范圍內(nèi)；或該有機(jī)化合物的導(dǎo)熱系數(shù)在2W/mK至4W/mK的范圍內(nèi)；或該有機(jī)化合物的導(dǎo)熱系數(shù)在4W/mK至6W/mK的范圍內(nèi)?？蛇x地，該有機(jī)化合物的導(dǎo)熱系數(shù)在lW/mK至3W/mK的范圍內(nèi)。例如，該有機(jī)化合物的導(dǎo)熱系數(shù)在lW/mK至2W/mK的范圍內(nèi)；或該有機(jī)化合物的導(dǎo)熱系數(shù)在2W/mK至3W/mK的范圍內(nèi)。例如，該有機(jī)化合物的導(dǎo)熱系數(shù)為O. 8W/mK、I. 2W/mK、I. 6W/mK、2. 0W/mK、2. 4W/mK、
2.8W/mK、3. 2W/mK、3. 6W/mK、4. 0W/mK、4. 4W/mK、4. 8W/mK、5. 2W/mK、5. 6ff/mK 或 6W/mK。應(yīng)理解，在本發(fā)明實(shí)施例中，有機(jī)化合物的導(dǎo)熱系數(shù)也可以大于或等于6W/mK，本發(fā)明實(shí)施例并不限于此。在本發(fā)明實(shí)施例中，可選地，該涂覆層120的肖式硬度小于或等于ShoreOO 60。例如，該涂覆層 120 的肖式硬度為 Shore 00 55、Shore 00 50、ShoreOO 45、Shore 00 40、Shore 00 35 > Shore 00 30 > Shore 00 25 > Shore 0020 > Shore 00 15 > Shore 00 10 或 Shore00 5?？蛇x地，該涂覆層120的肖式硬度小于或等于Shore 00 30。例如，該涂覆層120的肖式硬度小于或等于Shore 00 20。在本發(fā)明實(shí)施例中，可選地，該有機(jī)化合物為有機(jī)硅樹(shù)脂體系，具體技術(shù)實(shí)現(xiàn)可以參考常規(guī)技術(shù)的導(dǎo)熱墊、導(dǎo)熱凝膠?？蛇x地，該有機(jī)化合物為聚丙烯酸、聚氨酯、環(huán)氧等樹(shù)脂。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)熱墊，會(huì)應(yīng)用于發(fā)熱部件與散熱部件之間。為了降低此復(fù)合導(dǎo)熱墊的熱阻，除了使用上述具有柔性的導(dǎo)熱有機(jī)化合物填充在導(dǎo)熱片狀基材的表面或者內(nèi)部外，在實(shí)際加工中可控制可壓縮導(dǎo)熱片狀基材表面所填充的柔性導(dǎo)熱有機(jī)化合物的平均厚度，導(dǎo)熱有機(jī)化合物的厚度越薄，由于導(dǎo)熱有機(jī)化合物導(dǎo)致的熱阻越低，此復(fù)合導(dǎo)熱墊的綜合熱阻也越低。應(yīng)理解，部分導(dǎo)熱片狀基材可以裸露在復(fù)合導(dǎo)熱墊的表面，實(shí)際應(yīng)用中此裸露片狀基材表面可直接與發(fā)熱部件、散熱部件接觸，實(shí)現(xiàn)更低的熱阻。在本發(fā)明實(shí)施例中，可選地，覆蓋在該片狀基材110的表面的該涂覆層120的厚度在I μπι至0.5mm的范圍內(nèi)。例如，覆蓋在該片狀基材110的表面的該涂覆層120的厚度在I μ m至50 μ m的范圍內(nèi)；或該厚度在50 μ m至100 μ m的范圍內(nèi)；或該厚度在100 μ m至300 μ m的范圍內(nèi)；或該厚度在300μπι至0. 5_的范圍內(nèi)。例如，覆蓋在該片狀基材110的表面的該涂覆層 120 的厚度為 2 μ m、5 μ m、10 μ m、30 μ m、50 μ m、70 μ m、100 μ m、200 μ m、300 μ m 或 400 μ m。 在本發(fā)明實(shí)施例中，可壓縮的導(dǎo)熱片狀基材的內(nèi)部填充導(dǎo)熱有機(jī)化合物的量，與可壓縮導(dǎo)熱片狀基材中具有開(kāi)孔特征的孔隙大小、數(shù)量、導(dǎo)熱有機(jī)化合物的流動(dòng)性，復(fù)合工藝條件(以抽真空為例，真空度大小及時(shí)間)等強(qiáng)相關(guān)。在本發(fā)明實(shí)施例中，可壓縮的導(dǎo)熱片狀基材內(nèi)部的導(dǎo)熱有機(jī)化合物的填充量的取值范圍可以為大于O (相當(dāng)于內(nèi)部無(wú)填充)至片狀基材的開(kāi)孔孔隙率(相當(dāng)于內(nèi)部被全部填充)，本發(fā)明實(shí)施例并不限于此。在本發(fā)明實(shí)施例中，在厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱片狀基材110，以及由填充在該片狀基材110內(nèi)部或覆蓋在該片狀基材110表面上的柔性有機(jī)化合物形成的導(dǎo)熱涂覆層120，使得形成的導(dǎo)熱墊100在具有良好的壓縮性能的同時(shí)，還具有良好的導(dǎo)熱性能。具體而言，在本發(fā)明實(shí)施例中，可選地，該導(dǎo)熱墊100的導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于3W/mK，例如，該導(dǎo)熱墊 100 的導(dǎo)熱系數(shù)為 6W/mK、9W/mK、12W/mK、15W/mK、18W/mK、21W/mK、24W/mK、27W/mK或30W/mK?？蛇x地，該導(dǎo)熱墊100的導(dǎo)熱系數(shù)在3W/mK至5W/mK的范圍內(nèi)?？蛇x地，該導(dǎo)熱墊100的導(dǎo)熱系數(shù)在5W/mK至15W/mK的范圍內(nèi)，例如，該導(dǎo)熱墊100的導(dǎo)熱系數(shù)在5W/mK至10W/mK的范圍內(nèi)，或該導(dǎo)熱墊100的導(dǎo)熱系數(shù)在10W/mK至15W/mK的范圍內(nèi)?？蛇x地，該導(dǎo)熱墊100的導(dǎo)熱系數(shù)在15W/mK至30W/mK的范圍內(nèi)。例如，該導(dǎo)熱墊100的導(dǎo)熱系數(shù)在15W/mK至20W/mK的范圍內(nèi)；該導(dǎo)熱墊100的導(dǎo)熱系數(shù)在20W/mK至25W/mK的范圍內(nèi)；該導(dǎo)熱墊100的導(dǎo)熱系數(shù)在25W/mK至30W/mK的范圍內(nèi)。在本發(fā)明實(shí)施例中，可選地，該導(dǎo)熱墊100的肖式硬度小于或等于ShoreA 60，例如，該導(dǎo)熱墊100的肖式硬度小于或等于Shore A 20 ;可選地，該導(dǎo)熱墊100的肖式硬度小于或等于Shore 00 60,例如,該導(dǎo)熱塾100的肖式硬度為Shore 00 55>Shore 00 50>Shore
0045λ Shore 00 40Λ Shore 0035Λ Shore 00 30Λ Shore 00 25Λ Shore 00 20Λ Shore 00 15或Shore 00 10。應(yīng)理解,本發(fā)明實(shí)施例并不限于此。在本發(fā)明實(shí)施例中，可選地，該導(dǎo)熱墊100在具有50%的壓縮量時(shí)具有的壓縮應(yīng)力小于或等于lOOpsi。例如，該導(dǎo)熱墊100在具有50%的壓縮量時(shí)具有的壓縮應(yīng)力為90psi、80psi、70psi、60psi、50psi、40psi、30psi、20psi 或 IOpsi0 可選地，該導(dǎo)熱墊 100 在具有50%的壓縮量時(shí)具有的壓縮應(yīng)力小于或等于150psi ;或該導(dǎo)熱墊100在具有50%的壓縮量時(shí)具有的壓縮應(yīng)力小于或等于250psi。因此，本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)熱墊，通過(guò)采用柔性導(dǎo)熱的有機(jī)化合物，填充或覆蓋厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱片狀基材，使得形成的導(dǎo)熱墊在具有良好的壓縮性能的同時(shí)，還具有良好的導(dǎo)熱性能，從而能夠提高電子設(shè)備的散熱性能。在本發(fā)明實(shí)施例中，可以選擇選擇低密度膨脹石墨片材作為導(dǎo)熱基材，在表面或者內(nèi)部填充柔性有機(jī)硅樹(shù)脂，有機(jī)硅樹(shù)脂固化后定型，可以制作成片狀導(dǎo)熱材料。可選地,該膨脹石墨片材的密度在0. 05g/cm3至0. 5g/cm3的范圍內(nèi)。例如，該膨·脹石墨片材的密度縮小至0. 05g/cm3時(shí)，導(dǎo)熱系數(shù)會(huì)降低，但壓縮性更好；該膨脹石墨片材的密度增大至0. 5g/cm3,導(dǎo)熱系數(shù)會(huì)增加，但壓縮性會(huì)變得較差。例如，該膨脹石墨片材的密度為 0. lg/cm3、0. 15g/cm3、0. 2g/cm3、0. 25g/cm3、0. 3g/cm3、0. 35g/cm3、0. 4g/cm3 或 0. 45g/
3
cm o該膨脹石墨片材的孔隙率可根據(jù)密度進(jìn)行計(jì)算，該膨脹石墨片材的孔隙率可以在80%至97%的范圍內(nèi)。例如，當(dāng)該膨脹石墨片材的密度為0. lg/cm3時(shí)，孔隙率可以為96% ；當(dāng)該膨脹石墨片材的密度為0. 2^0. 25g/cm3時(shí)，孔隙率可以為89%至91%。具體而言，膨脹石墨本身膨脹石墨是由石墨微晶組成的一種疏松多孔材料，又稱石墨蠕蟲(chóng)。石墨微晶保留了石墨的層狀結(jié)構(gòu)，在平行于片層方向，碳原子經(jīng)SP2雜化與相鄰的三個(gè)碳原子以σ鍵結(jié)合，排列成網(wǎng)狀平面結(jié)構(gòu)；微晶之間結(jié)合力弱，以范德華力結(jié)合在一起。天然鱗片石墨經(jīng)氧化、插層形成石墨插層化合物(GICs),石墨插層化合物經(jīng)一定高溫膨脹，沿垂直于石墨片層的C軸方向微晶間距急劇增大，體積膨脹數(shù)百上千倍，形成蠕蟲(chóng)狀膨脹石墨。膨脹后的石墨稱為膨脹石墨或石墨蠕蟲(chóng)，由原鱗片狀變成密度很低的蠕蟲(chóng)狀，形成了一個(gè)非常好的絕熱層。膨脹石墨既是膨脹體系中的碳源，又是絕熱層，能有效隔熱，在火災(zāi)中具有熱釋放率低，質(zhì)量損失小，產(chǎn)生的煙氣少的特點(diǎn)。膨脹石墨雖然是現(xiàn)有成熟材料，但本發(fā)明案例不同于現(xiàn)有技術(shù)對(duì)膨脹石墨的應(yīng)用(隔熱、吸附、或者磨碎成片狀作為導(dǎo)熱填料)，而是將蠕蟲(chóng)狀膨脹石墨在經(jīng)過(guò)壓制，制作成一定密度，一定厚度的片狀膨脹石墨。針對(duì)膨脹石墨的導(dǎo)熱性研究少，利用膨脹石墨導(dǎo)熱性的更少。目前有將膨脹石墨壓制成密度>1. Og/cm3的柔性石墨片,X, Y平面導(dǎo)熱系數(shù)>200w/mk,可用于電子設(shè)備局部熱點(diǎn)的熱量傳遞。但這種柔性石墨片已不具備可壓縮性。
本發(fā)明實(shí)施例選擇低密度膨脹石墨片材作為導(dǎo)熱基材。這種膨脹石墨片材的導(dǎo)熱系數(shù)及可壓縮性主要由密度決定，壓制方法、石墨插層化合物的材料設(shè)計(jì)、高溫膨脹工藝等也會(huì)對(duì)片狀膨脹石墨的導(dǎo)熱性及可壓縮性產(chǎn)生一定的影響。傳統(tǒng)膨脹石墨采用強(qiáng)酸作為插層劑，這種膨脹石墨在使用中會(huì)有S、Cl等腐蝕性物質(zhì)存在，不適合用于電子設(shè)備。優(yōu)選無(wú)硫膨脹石墨體系。傳統(tǒng)膨脹石墨的膨脹溫度為80(nooo°c，高溫下碳元素?fù)p耗比較大，不利于制作具有高導(dǎo)熱系數(shù)的片狀膨脹石墨基材。優(yōu)選低溫膨脹工藝。例如，以磷酸銨為輔助插層劑制造可膨脹石墨片材為例，說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱片狀基材的制造方法，但本發(fā)明實(shí)施例并不限于此。具體地，可以以50目天然鱗片石墨為原料，以濃硫酸為插層劑，以磷酸銨為輔助插層劑，并以高錳酸鉀為氧化劑，按照比例石墨KMn04:H2S04(96%) : (NH4) 3P04=1:0. 2:3. 0:0. 45，用移液管量取一定體積的H2SO4 (96% )于燒杯中并稀釋至質(zhì)量分?jǐn)?shù)為75 %，靜置至室溫后，可以依次加入磷酸銨、石墨、高錳酸鉀，然后可以置于指定溫度的恒溫槽中反應(yīng)60分鐘，并不斷進(jìn)行攪拌以保證反應(yīng)均勻。反應(yīng)結(jié)束后將產(chǎn)品水洗、浸泡2小時(shí)至pH值為6-7，洗滌液無(wú)高錳酸鉀溶液的顏色后轉(zhuǎn)移至蒸發(fā)皿中，然后放入烘箱內(nèi)于50 70°C下干燥一定時(shí)間，待完全干燥后制得起始膨脹溫度165°C，膨脹體積400mL/g的高倍膨脹石墨。在165°C的烘箱中可以加熱30分鐘，制作得到高倍膨脹石墨。使用壓制模具，可以將上述膨脹石墨壓縮成O. Ig/cm3的片狀膨脹石墨片材。具體制作工藝流程可以概括為包括鱗片石墨與氧化劑和插層劑進(jìn)行氧化插層反應(yīng)流程、洗滌和過(guò)濾流程、干燥流程、高溫膨脹流程和壓制流程，從而形成低密度膨脹石墨片材。應(yīng)理解，改變壓制工藝條件或其它流程中的條件，可以獲取其它密度的膨脹石墨片材，本發(fā)明實(shí)施例并不限于此。應(yīng)理解，在本發(fā)明實(shí)施例中，導(dǎo)熱系數(shù)、一定壓縮量下壓縮應(yīng)力的測(cè)試方法、測(cè)試設(shè)備及條件都是按照下述方法進(jìn)行的，本發(fā)明實(shí)施例僅以此為例進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明實(shí)施例并不限于此。導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試方法中，按照ASTMD 5470，測(cè)試設(shè)備為L(zhǎng)ongwin LW9389，在10psi、20psi、30psi、40psi、50psi下測(cè)試樣品的熱阻,通過(guò)擬合得出其等效導(dǎo)熱系數(shù)。壓縮應(yīng)力測(cè)試方法中，使用Instron力學(xué)試驗(yàn)機(jī),將25mm*25的測(cè)試樣品放置在力學(xué)試驗(yàn)機(jī)的水平臺(tái)面，使用25mm*25mm的壓頭以25mm/min的速度向下壓縮被測(cè)試樣品，記錄不同壓縮量下導(dǎo)熱墊的壓縮應(yīng)力。經(jīng)過(guò)實(shí)測(cè)，片狀膨脹石墨的密度為O. lg/cm3時(shí)(孔隙率約96%)，在厚度方向上其導(dǎo)熱系數(shù)約5w/mk，且具有良好的可壓縮性，50%壓縮量下壓縮應(yīng)力〈lOOpsi。片狀膨脹石墨的密度為O. 2^0. 25g/cm3 (孔隙率約89°/Γ91%)時(shí)，在厚度方向的導(dǎo)熱系數(shù)可達(dá)到15 25w/mk，50%壓縮量下壓縮應(yīng)力<150psi。目前行業(yè)常用的有機(jī)硅導(dǎo)熱墊，在有機(jī)硅樹(shù)脂中添加>60%重量百分比的氧化鋁填料，當(dāng)導(dǎo)熱系數(shù)為3w/mk時(shí)，50%壓縮量下壓縮應(yīng)力>150psi。當(dāng)導(dǎo)熱系數(shù)為5w/mk時(shí)，由于壓縮應(yīng)力過(guò)大，實(shí)際應(yīng)用很少。但這種低密度膨脹石墨的機(jī)械強(qiáng)度差，容易開(kāi)裂，破碎產(chǎn)生導(dǎo)電的碎屑。由于低密度膨脹石墨片存在導(dǎo)電碎屑脫落的問(wèn)題，無(wú)法直接作為界面導(dǎo)熱材料使用。經(jīng)評(píng)估，膨脹石墨與多數(shù)有機(jī)樹(shù)脂的相容性良好。采用常規(guī)的技術(shù)，比如涂覆、印刷等，很容易在膨脹石墨片材的四周覆蓋一層有機(jī)硅化合物。在一定的工藝條件下，未固化的有機(jī)硅樹(shù)脂可滲透進(jìn)入低密度膨脹石墨材料中。例如，可以使用可膨脹石墨粉通過(guò)加熱膨脹、壓制等工藝制作出25mm (L) *25mm (W) *2. 5mm (H),密度為O. lg/cm3的片狀膨脹石墨。例如，可以將片狀膨脹石墨放置在一個(gè)容器中，依次添加已經(jīng)充分混合均勻的有機(jī)硅樹(shù)脂A、B組份，其中A組份可以為添加有不同 粒徑球形氧化鋁填料的含乙烯基的聚硅氧烷和Pt基催化劑的混合物，B組份可以為添加有不同粒徑球形氧化鋁填料的含硅氫鍵的低聚聚硅氧烷及其它添加物的混合物。此有機(jī)娃樹(shù)脂A、B組份正常固化(120°C 30min下)后，導(dǎo)熱系數(shù)為I. 15w/mk,硬度小于Shore 00 20?？梢詫⑷萜鞣胖迷诔檎婵盏脑O(shè)備中，隨著抽真空的進(jìn)行，可發(fā)現(xiàn)有機(jī)硅樹(shù)脂的液面有所降低，表明有一定程度的有機(jī)硅滲透進(jìn)入膨脹石墨基材。例如，在預(yù)定的加熱固化溫度為120°C且加熱30分鐘的情況下，可以實(shí)現(xiàn)有機(jī)硅樹(shù)脂的固化，制作出膨脹石墨基材表面及內(nèi)部填充有I. 15w/mk柔性導(dǎo)熱有機(jī)硅化合物的復(fù)合導(dǎo)熱片材。測(cè)試上述復(fù)合導(dǎo)熱片狀在厚度方向的導(dǎo)熱系數(shù)，測(cè)試方法為按照ASTM D 5470測(cè)試標(biāo)注，使用Longwin LW9389設(shè)備，制作樣品的Z向?qū)嵯禂?shù)均>5. 5w/mk。同時(shí)50%壓縮量下的瞬間最大壓縮應(yīng)力的測(cè)試設(shè)備為Instron力學(xué)試驗(yàn)機(jī)，測(cè)試方法為將導(dǎo)熱片狀放置在力學(xué)試驗(yàn)機(jī)的水平臺(tái)面，使用25mm*25mm的壓頭以25mm/min的速度向下壓縮導(dǎo)熱片材，記錄不同壓縮量下導(dǎo)熱墊的壓縮應(yīng)力。針對(duì)制作樣品，50%壓縮量下壓縮應(yīng)力均<120psi。根據(jù)上述實(shí)施例及其測(cè)試結(jié)果，片狀膨脹石墨使用有機(jī)硅導(dǎo)熱材料復(fù)合后，導(dǎo)熱系數(shù)有所增強(qiáng)，壓縮應(yīng)力略有增加，但可接受，同時(shí)可解決導(dǎo)電碎屑脫落問(wèn)題。在本發(fā)明實(shí)施例中，應(yīng)理解，蠕蟲(chóng)狀膨脹石墨在壓制過(guò)程中，總是具有一定的取向性。通常壓制后的膨脹石墨在水平面(x，Y方向)的取向性好，導(dǎo)熱系數(shù)較高，厚度方向(Ζ向)導(dǎo)熱系數(shù)約X，Y平面的導(dǎo)熱系數(shù)的1/20。本發(fā)明技術(shù)需利用片狀導(dǎo)熱材料在厚度方向的導(dǎo)熱性能。在壓制過(guò)程中，可通過(guò)改變壓制工藝條件，適當(dāng)提升厚度方向的導(dǎo)熱系數(shù)。例如，在片狀基材的長(zhǎng)、寬方向?qū)嵯禂?shù)顯著高于厚度方向?qū)嵯禂?shù)時(shí)，為了利用片狀基材長(zhǎng)、寬方向的高導(dǎo)熱系數(shù)，可在片狀基材與有機(jī)樹(shù)脂復(fù)合前或者復(fù)合后，將片狀基材進(jìn)行多層疊加或者卷繞，并制作成可連接成一體的上述導(dǎo)熱復(fù)合材料，沿著厚度方向或者徑向進(jìn)行切割。通常這種制作方法，可將片狀基材初始的高導(dǎo)熱方向改變?yōu)樽罱K片狀導(dǎo)熱材料的厚度方向。由于可壓縮導(dǎo)熱基材通常較脆，容易掉碎屑。切割方法及切割工具無(wú)明確限制，優(yōu)選單個(gè)刀片切割法，但不限制激光切割、水切割法、多刀片切割等。關(guān)鍵在于切割時(shí)的工作溫度及細(xì)節(jié)方法。推薦將復(fù)合后的導(dǎo)熱墊在-40°C飛。C下冷卻后再切割，或者對(duì)切割部件在-60°C飛。C下冷卻后再對(duì)復(fù)合后的導(dǎo)熱墊進(jìn)行切割。切割的工作溫度范圍推薦為材料的Tg-20°C Tg+20°C范圍。采取上述方法，可避免切割碎屑，且切割面平滑。在本發(fā)明實(shí)施例中，可以選擇開(kāi)孔泡沫金屬作為導(dǎo)熱片狀基材，在該導(dǎo)熱片狀基材的表面或者內(nèi)部填充柔性有機(jī)硅樹(shù)脂，有機(jī)硅樹(shù)脂固化后定型，制作成片狀的導(dǎo)熱墊?？蛇x地，該片狀基材為泡沫銅片材，該泡沫銅片材的孔隙率在90. 0%至98. 0%的范圍內(nèi)，且該泡沫銅片材的孔徑在90PPI至120PPI的范圍內(nèi)。例如，該泡沫銅片材的孔隙率在95. 0%至98. 0%的范圍內(nèi)。目前開(kāi)孔泡沫金屬包含泡沫鋁、泡沫鎳、泡沫銅等，多用于降噪、過(guò)濾分離、催化劑載體、熱交換器等。泡沫金屬用于兩相熱交換器，主要是借助其三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，有助于兩相換熱。由于銅的導(dǎo)熱系數(shù)較高，優(yōu)選泡沫銅。參考泡沫銅的一種現(xiàn)有制作技術(shù)，將有機(jī)泡沫基材經(jīng)過(guò)活化、電鍍銅、去除有機(jī)材料等一系列工藝，可批量制作出片狀泡沫銅。有機(jī)泡沫基材通常是很柔軟，可壓縮性很好。泡沫銅維持了三維的網(wǎng)絡(luò)骨架，具有良好的可壓縮性，同時(shí)由于多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的由金屬銅組成，具有一定的導(dǎo)熱性能。泡沫 銅的導(dǎo)熱性、可壓縮性與泡沫銅的孔隙率、孔密度強(qiáng)相關(guān)。以2. 5mm厚度、面密度為650g/m2、孔隙率約97%、孔徑為90PPI的泡沫銅為例，經(jīng)測(cè)試厚度方向的導(dǎo)熱系數(shù)可以為5. 3w/mk, 50%壓縮量下壓縮應(yīng)力為常規(guī)3w/mk有機(jī)硅導(dǎo)熱墊的50%。這種泡沫銅表面凹凸不平，可能有金屬碎屑脫落，且銅易暴露在空氣中易腐蝕，導(dǎo)致長(zhǎng)期應(yīng)用中導(dǎo)熱性能變差，因此泡沫銅不能直接用于界面導(dǎo)熱材料。泡沫銅具有肉眼可見(jiàn)的孔隙結(jié)構(gòu)，具有一定流動(dòng)性的有機(jī)樹(shù)脂在一定工藝條件下可實(shí)現(xiàn)在泡沫銅基材表面或者內(nèi)部的填充。使用導(dǎo)熱系數(shù)為I. 2w/mk的柔性有機(jī)硅樹(shù)脂，覆蓋在上述90PPI，面密度650g/m2的泡沫銅表面，并部分填充泡沫銅內(nèi)部，固化后制作成片狀的泡沫銅基復(fù)合導(dǎo)熱墊。測(cè)試此片狀導(dǎo)熱墊在厚度方向的導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于5. 8w/mk,50%壓縮量下壓縮應(yīng)力相對(duì)于泡沫銅基材,增加幅度小于50%。泡沫銅基材使用有機(jī)娃導(dǎo)熱材料復(fù)合后，導(dǎo)熱系數(shù)有所增強(qiáng)，壓縮應(yīng)力略有增加，但可接受，同時(shí)可解決導(dǎo)電碎屑脫落問(wèn)題。上述泡沫銅基復(fù)合導(dǎo)熱墊，相當(dāng)于泡沫銅基本被有機(jī)硅材料包覆。由于有機(jī)硅材料的疏水性，可延緩泡沫銅的腐蝕老化速度。實(shí)際應(yīng)用中，可考慮在泡沫銅基材中再電鍍一層耐蝕性好的金屬層，比如鎳，但本發(fā)明實(shí)施例并不限于此。在本發(fā)明實(shí)施例中，可以選擇具有開(kāi)孔泡沫結(jié)構(gòu)的片狀石墨烯材料作為導(dǎo)熱基材，在表面或者內(nèi)部填充柔性有機(jī)硅樹(shù)脂，有機(jī)硅樹(shù)脂固化后定型，可以制作成片狀導(dǎo)熱材料?？蛇x地，該片狀基材110為石墨稀泡沫片材，該石墨稀泡沫片材的孔隙率在80. 0%至99. 8%的范圍內(nèi)，且該石墨烯泡沫片材的孔徑在90PPI至120PPI的范圍內(nèi)。例如，該石墨烯泡沫片材的孔隙率在90. 0%至99. 8%的范圍內(nèi)。本發(fā)明實(shí)施例使用的具有開(kāi)孔泡沫結(jié)構(gòu)的片狀石墨烯，具有三維的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，構(gòu)成網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的材料為石墨烯。石墨烯作為目前導(dǎo)熱系數(shù)最高的材料，理論導(dǎo)熱系數(shù)可高達(dá)5000w/mk。由于石墨烯的導(dǎo)熱系數(shù)高，可以在孔壁直徑很細(xì)的情況下依然體現(xiàn)較高的導(dǎo)熱系數(shù)。正是由于石墨烯孔壁的直徑很細(xì)，構(gòu)成的片狀石墨烯泡沫結(jié)構(gòu)材料的可壓縮性很好，壓縮應(yīng)力在界面導(dǎo)熱材料的應(yīng)用中可忽略不計(jì)。按照一種現(xiàn)有的石墨烯泡沫技術(shù)，可以在泡沫鎳上采用化學(xué)氣相沉積法(CVD)制作石墨烯，然后去除金屬，可以制作出具有三維連續(xù)導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的片狀泡沫結(jié)構(gòu)石墨烯材料，其孔隙率約99%。經(jīng)實(shí)測(cè)，此類泡沫結(jié)構(gòu)石墨烯片材的導(dǎo)熱系數(shù)約2w/mk，50%壓縮量下壓縮應(yīng)力可以小于lOpsi。上述CVD法制作的石墨烯泡沫的密度很低，孔隙率過(guò)高，炭素含量過(guò)低，導(dǎo)致導(dǎo)熱系數(shù)偏低。通過(guò)增加石墨烯的密度，可制作出具有高導(dǎo)熱系數(shù)，壓縮應(yīng)力極低的導(dǎo)熱基材。在本發(fā)明實(shí)施例中，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的片狀導(dǎo)熱墊，是在具有連續(xù)導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的片狀基材表面或者內(nèi)部填充有機(jī)樹(shù)脂，有機(jī)樹(shù)脂固化后具有良好的柔性，制作成片狀導(dǎo)熱材料。有些片狀基材由于構(gòu)成網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的孔壁結(jié)構(gòu)具有一定的取向性，導(dǎo)致片狀基材具有各向異性的導(dǎo)熱性，即厚度方向(Z向)與長(zhǎng)、寬(x、Y方向)的導(dǎo)熱系數(shù)不同。以低密度膨脹石墨片材為例，石墨微晶片層結(jié)構(gòu)通常在x、Y平面的取向程度高，導(dǎo)致x、Y平面的導(dǎo)熱系數(shù)顯著高于Z向的導(dǎo)熱系數(shù)。為了利用片狀基材長(zhǎng)、寬方向的高導(dǎo)熱系數(shù)，可在片狀基材與有機(jī)樹(shù)脂復(fù)合前或者復(fù)合后，將片狀基材進(jìn)行多層疊加或者卷繞，并制作成可連接成一體的上述導(dǎo)熱復(fù)合材料，沿著厚度方向或者徑向進(jìn)行切割。通常這種制作方法，可將片狀基材初始的高導(dǎo)熱方向改變?yōu)樽罱K片狀導(dǎo)熱材料的厚度方向。應(yīng)理解，片狀基材具有多孔疏松結(jié)構(gòu)，有機(jī)樹(shù)脂具有良好的流動(dòng)性，借助灌封、涂覆、涂布、吸附、沉積等方式，在一定溫度、作用力的情況下，很容易實(shí)現(xiàn)有機(jī)樹(shù)脂在片狀基材表面或者內(nèi)部的填充，然后在有機(jī)樹(shù)脂的固化條件下完成有機(jī)樹(shù)脂的固化，制作成片狀導(dǎo)熱材料。因此，結(jié)合多種常規(guī)技術(shù)可以容易實(shí)現(xiàn)片狀基材與有機(jī)樹(shù)脂的復(fù)合成型，因而上述發(fā)明實(shí)施例對(duì)片狀基材與有機(jī)樹(shù)脂的復(fù)合成型方法沒(méi)有深入描述，但本發(fā)明實(shí)施例并不·限于此。因此，本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)熱墊，通過(guò)采用柔性導(dǎo)熱的有機(jī)化合物，填充或覆蓋厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱片狀基材，使得形成的導(dǎo)熱墊在具有良好的壓縮性能的同時(shí)，還具有良好的導(dǎo)熱性能，從而能夠提高電子設(shè)備的散熱性能。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種制造導(dǎo)熱墊的方法，如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造導(dǎo)熱墊的方法300包括S310，提供一種導(dǎo)熱的片狀基材，該片狀基材在厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；S320，提供一種導(dǎo)熱的、柔性的有機(jī)化合物；S330，將該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在該片狀基材的表面，或者該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在該片狀基材的表面，形成該導(dǎo)熱墊。因此，本發(fā)明實(shí)施例的制造導(dǎo)熱墊的方法，通過(guò)采用柔性導(dǎo)熱的有機(jī)化合物，填充或覆蓋厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱片狀基材，使得形成的導(dǎo)熱墊在具有良好的壓縮性能的同時(shí)，還具有良好的導(dǎo)熱性能，從而能夠提高電子設(shè)備的散熱性能。在本發(fā)明實(shí)施例中，可選地，如圖3所示，圖2中的S330該將該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在該片狀基材的表面，或者該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在該片狀基材的表面，形成該導(dǎo)熱墊，包括S331，將該片狀基材進(jìn)行卷繞或疊加，形成具有多層結(jié)構(gòu)的多層片狀基材；S332，將該有機(jī)化合物填充在該多層片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在該多層片狀基材的表面，形成第一導(dǎo)熱墊毛還;S333，沿該第一導(dǎo)熱墊毛坯的導(dǎo)熱方向?qū)υ摰谝粚?dǎo)熱墊毛坯進(jìn)行切割，形成該導(dǎo)熱墊。在本發(fā)明實(shí)施例中，可選地，如圖4所示，圖2中的S330該將該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在該片狀基材的表面，或者該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在該片狀基材的表面，形成該導(dǎo)熱墊，包括
S334，將該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在該片狀基材的表面，或者該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在該片狀基材的表面，形成第二導(dǎo)熱墊毛還;S335，將 該第二導(dǎo)熱墊毛坯進(jìn)行卷繞或疊加，形成具有多層結(jié)構(gòu)的第三導(dǎo)熱墊毛坯；S336，沿該第三導(dǎo)熱墊毛坯的導(dǎo)熱方向?qū)υ摰谌龑?dǎo)熱墊毛坯進(jìn)行切割，形成該導(dǎo)熱墊。在本發(fā)明實(shí)施例中，可選地，該片狀基材的導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于2W/mK ;或該導(dǎo)熱墊的導(dǎo)熱系數(shù)在5W/mK至30W/mK的范圍內(nèi)。在本發(fā)明實(shí)施例中，可選地，該片狀基材的孔隙率大于50% ;或該片狀基材的孔隙率在80. 0%至99. 8%的范圍內(nèi)。在本發(fā)明實(shí)施例中，可選地，該片狀基材的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為金屬或炭素；或該片狀基材為膨脹石墨片材、泡沫金屬片材或石墨烯泡沫片材。在本發(fā)明實(shí)施例中，可選地，該有機(jī)化合物的導(dǎo)熱系數(shù)在O. 5W/mK至6W/mK的范圍內(nèi)；或該有機(jī)化合物的導(dǎo)熱系數(shù)在lW/mK至3W/mK的范圍內(nèi)。在本發(fā)明實(shí)施例中，可選地，該有機(jī)化合物固化后的肖式硬度小于或等于Shore00 60 ;或該有機(jī)化合物固化后的肖式硬度小于或等于Shore 0030。應(yīng)理解，在本發(fā)明的各種實(shí)施例中，上述各過(guò)程的序號(hào)的大小并不意味著執(zhí)行順序的先后，各過(guò)程的執(zhí)行順序應(yīng)以其功能和內(nèi)在邏輯確定，而不應(yīng)對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)施過(guò)程構(gòu)成任何限定。還應(yīng)理解，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提供的片狀基材以及有機(jī)化合物的上述或其它特性，與根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的片狀基材110以及構(gòu)成涂覆層120的有機(jī)化合物相同或相應(yīng)，為了簡(jiǎn)潔，在此不再贅述。因此，本發(fā)明實(shí)施例的制造導(dǎo)熱墊的方法，通過(guò)采用柔性導(dǎo)熱的有機(jī)化合物，填充或覆蓋厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱片狀基材，使得形成的導(dǎo)熱墊在具有良好的壓縮性能的同時(shí)，還具有良好的導(dǎo)熱性能，從而能夠提高電子設(shè)備的散熱性能。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種散熱裝置，如圖5所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的散熱裝置500包括散熱部件510;和設(shè)置在該散熱部件510以及發(fā)熱部件之間的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)熱墊530，或根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法制造的導(dǎo)熱墊530，其中，該導(dǎo)熱墊包括導(dǎo)熱的片狀基材，該片狀基材在厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；和導(dǎo)熱的涂覆層，該涂覆層由柔性的有機(jī)化合物形成，其中，該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在該片狀基材的表面，或者該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在該片狀基材的表面；其中，該制造導(dǎo)熱墊的方法包括提供一種導(dǎo)熱的片狀基材，該片狀基材在厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；提供一種導(dǎo)熱的、柔性的有機(jī)化合物；將該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在該片狀基材的表面，或者該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在該片狀基材的表面，形成該導(dǎo)熱墊。
應(yīng)理解，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的散熱裝置500所包括的導(dǎo)熱墊530可對(duì)應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)熱墊100，或根據(jù)制造導(dǎo)熱墊的方法300制造得到的導(dǎo)熱墊，并且導(dǎo)熱墊530所包括的片狀基材以及構(gòu)成涂覆層的有機(jī)化合物，與根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)熱墊100，或根據(jù)制造導(dǎo)熱墊的方法300制造得到的導(dǎo)熱墊的片狀基材和有機(jī)化合物相同或相應(yīng)，為了簡(jiǎn)潔，在此不再贅述。因此，本發(fā)明實(shí)施例的散熱裝置，通過(guò)采用柔性導(dǎo)熱的有機(jī)化合物，填充或覆蓋厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱片狀基材，使得形成的導(dǎo)熱墊在具有良好的壓縮性能的同時(shí)，還具有良好的導(dǎo)熱性能，從而能夠提高電子設(shè)備的散熱性能。如圖6所示，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種電子設(shè)備，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備700包括 發(fā)熱部件710;散熱部件720;和設(shè)置在該發(fā)熱部件710以及該散熱部件720之間的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)熱墊730，或根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法制造的導(dǎo)熱墊730，其中，該導(dǎo)熱墊包括導(dǎo)熱的片狀基材，該片狀基材在厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；和導(dǎo)熱的涂覆層，該涂覆層由柔性的有機(jī)化合物形成，其中，該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在該片狀基材的表面，或者該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在該片狀基材的表面；其中，該制造導(dǎo)熱墊的方法包括提供一種導(dǎo)熱的片狀基材，該片狀基材在厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；提供一種導(dǎo)熱的、柔性的有機(jī)化合物；將該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在該片狀基材的表面，或者該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在該片狀基材的表面，形成該導(dǎo)熱墊。應(yīng)理解，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的散熱裝置700所包括的導(dǎo)熱墊730可對(duì)應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)熱墊100，或根據(jù)制造導(dǎo)熱墊的方法300制造得到的導(dǎo)熱墊，并且導(dǎo)熱墊730所包括的片狀基材以及構(gòu)成涂覆層的有機(jī)化合物，與根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)熱墊100，或根據(jù)制造導(dǎo)熱墊的方法300制造得到的導(dǎo)熱墊的片狀基材和有機(jī)化合物相同或相應(yīng)，為了簡(jiǎn)潔，在此不再贅述。因此，本發(fā)明實(shí)施例的電子設(shè)備，通過(guò)采用柔性導(dǎo)熱的有機(jī)化合物，填充或覆蓋厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱片狀基材，使得形成的導(dǎo)熱墊在具有良好的壓縮性能的同時(shí)，還具有良好的導(dǎo)熱性能，從而能夠提高電子設(shè)備的散熱性能。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識(shí)到，結(jié)合本文中所公開(kāi)的實(shí)施例描述的各示例的單元及算法步驟，能夠以電子硬件、計(jì)算機(jī)軟件或者二者的結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)，為了清楚地說(shuō)明硬件和軟件的可互換性，在上述說(shuō)明中已經(jīng)按照功能一般性地描述了各示例的組成及步驟。這些功能究竟以硬件還是軟件方式來(lái)執(zhí)行，取決于技術(shù)方案的特定應(yīng)用和設(shè)計(jì)約束條件。專業(yè)技術(shù)人員可以對(duì)每個(gè)特定的應(yīng)用來(lái)使用不同方法來(lái)實(shí)現(xiàn)所描述的功能，但是這種實(shí)現(xiàn)不應(yīng)認(rèn)為超出本發(fā)明的范圍。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到，為了描述的方便和簡(jiǎn)潔，上述描述的系統(tǒng)、裝置和單元的具體工作過(guò)程，可以參考前述方法實(shí)施例中的對(duì)應(yīng)過(guò)程，在此不再贅述。在本申請(qǐng)所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的系統(tǒng)、裝置和方法，可以通過(guò)其它的方式實(shí)現(xiàn)。例如，以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí)可以有另外的劃分方式，例如多個(gè)單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個(gè)系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另外，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過(guò)一些接口、裝置或單元的間接耦合或通信連接，也可以是電的，機(jī)械的或其它的形式連接。所述作為分離部件說(shuō)明的單元可以是或者也可以不是物理上分開(kāi)的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)網(wǎng)絡(luò)單元上?？梢愿鶕?jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部單元來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施例方案的目的。另外，在本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個(gè)處理單元中，也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以是兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)單元中。上述集成的 單元既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)。所述集成的單元如果以軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷(xiāo)售或使用時(shí)，可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中。基于這樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說(shuō)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分，或者該技術(shù)方案的全部或部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來(lái)，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括U盤(pán)、移動(dòng)硬盤(pán)、只讀存儲(chǔ)器(ROM，Read-OnlyMemory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM, Random Access Memory)、磁碟或者光盤(pán)等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到各種等效的修改或替換，這些修改或替換都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種導(dǎo)熱墊，其特征在于，包括 導(dǎo)熱的片狀基材，所述片狀基材在厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；和 導(dǎo)熱的涂覆層，所述涂覆層由柔性的有機(jī)化合物形成， 其中，所述有機(jī)化合物填充在所述片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在所述片狀基材的表面，或者所述有機(jī)化合物填充在所述片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在所述片狀基材的表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)熱墊，其特征在于，所述導(dǎo)熱墊的導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于3W/mK ;或 所述導(dǎo)熱墊的導(dǎo)熱系數(shù)在3W/mK至5W/mK的范圍內(nèi)；或 所述導(dǎo)熱墊的導(dǎo)熱系數(shù)在5W/mK至15W/mK的范圍內(nèi)；或 所述導(dǎo)熱墊的導(dǎo)熱系數(shù)在15W/mK至30W/mK的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)熱墊，其特征在于，所述導(dǎo)熱墊的肖式硬度小于或等于ShoreA60 ;或 所述導(dǎo)熱墊的肖式硬度小于或等于Shore 00 60。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的導(dǎo)熱墊，其特征在于，所述導(dǎo)熱墊在具有50%的壓縮量時(shí)具有的壓縮應(yīng)力小于或等于IOOpsi ;或 所述導(dǎo)熱墊在具有50%的壓縮量時(shí)具有的壓縮應(yīng)力小于或等于150psi ;或 所述導(dǎo)熱墊在具有50%的壓縮量時(shí)具有的壓縮應(yīng)力小于或等于250psi。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)熱墊，其特征在于，所述片狀基材的導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于2W/mK ;或 所述片狀基材的導(dǎo)熱系數(shù)在5W/mK至30W/mK的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)熱墊，其特征在于，所述片狀基材的孔隙率大于或等于50% ;或 所述片狀基材的孔隙率在80. 0%至99. 8%的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)熱墊，其特征在于，所述片狀基材的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為金屬或炭素。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)熱墊，其特征在于，所述片狀基材為膨脹石墨片材、泡沫金屬片材或石墨烯泡沫片材。
9.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)熱墊，其特征在于，所述有機(jī)化合物的導(dǎo)熱系數(shù)在O. 5ff/mK至6W/mK的范圍內(nèi)；或 所述有機(jī)化合物的導(dǎo)熱系數(shù)在lW/mK至3W/mK的范圍內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)熱墊，其特征在于，所述涂覆層的肖式硬度小于或等于Shore 00 60 ;或 所述涂覆層的肖式硬度小于或等于Shore 00 30。
11.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)熱墊，其特征在于，覆蓋在所述片狀基材的表面的所述涂覆層的厚度在I μ m至O. 5mm的范圍內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的導(dǎo)熱墊，其特征在于，所述片狀基材為膨脹石墨片材，所述膨脹石墨片材的密度在O. lg/cm3至O. 25g/cm3的范圍內(nèi)，所述片狀基材的孔隙率在89. 0%至96. 0%的范圍內(nèi)，所述導(dǎo)熱墊的導(dǎo)熱系數(shù)在5W/mK至25W/mK的范圍內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的導(dǎo)熱墊，其特征在于，所述片狀基材為泡沫銅片材，所述泡沫銅片材的孔隙率在90. 0%至98. 0%的范圍內(nèi)，且所述泡沫銅片材的孔徑在90PPI至120PPI的范圍內(nèi)；或 所述片狀基材為石墨稀泡沫片材，所述石墨稀泡沫片材的孔隙率在80. 0%至99. 8%的范圍內(nèi)，且所述石墨烯泡沫片材的孔徑在90PPI至120PPI的范圍內(nèi)。
14.一種制造導(dǎo)熱墊的方法，其特征在于，包括 提供一種導(dǎo)熱的片狀基材，所述片狀基材在厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)； 提供一種導(dǎo)熱的、柔性的有機(jī)化合物； 將所述有機(jī)化合物填充在所述片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在所述片狀基材的表面，或者所述有機(jī)化合物填充在所述片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在所述片狀基材的表面，形成所述導(dǎo)熱墊。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述將所述有機(jī)化合物填充在所述片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在所述片狀基材的表面，或者所述有機(jī)化合物填充在所述片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在所述片狀基材的表面，形成所述導(dǎo)熱墊，包括 將所述片狀基材進(jìn)行卷繞或疊加，形成具有多層結(jié)構(gòu)的多層片狀基材； 將所述有機(jī)化合物填充在所述片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在所述片狀基材的表面，或者所述有機(jī)化合物填充在所述片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在所述片狀基材的表面，形成第一導(dǎo)熱墊毛還； 沿所述第一導(dǎo)熱墊毛坯的導(dǎo)熱方向?qū)λ龅谝粚?dǎo)熱墊毛坯進(jìn)行切割，形成所述導(dǎo)熱墊。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述將所述有機(jī)化合物填充在所述片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在所述片狀基材的表面，或者所述有機(jī)化合物填充在所述片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在所述片狀基材的表面，形成所述導(dǎo)熱墊，包括 將所述有機(jī)化合物填充在所述片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在所述片狀基材的表面，或者所述有機(jī)化合物填充在所述片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在所述片狀基材的表面，形成第二導(dǎo)熱墊毛還； 將所述第二導(dǎo)熱墊毛坯進(jìn)行卷繞或疊加，形成具有多層結(jié)構(gòu)的第三導(dǎo)熱墊毛坯； 沿所述第三導(dǎo)熱墊毛坯的導(dǎo)熱方向?qū)λ龅谌龑?dǎo)熱墊毛坯進(jìn)行切割，形成所述導(dǎo)熱墊。
17.根據(jù)權(quán)利要求14至16中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述片狀基材的導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于2W/mK ;或 所述片狀基材的導(dǎo)熱系數(shù)在5W/mK至30W/mK的范圍內(nèi)。
18.根據(jù)權(quán)利要求14至16中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述片狀基材的孔隙率大于或等于50% ;或 所述片狀基材的孔隙率在80. 0%至99. 8%的范圍內(nèi)。
19.根據(jù)權(quán)利要求14至16中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述片狀基材的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為金屬或炭素；或 所述片狀基材為膨脹石墨片材、泡沫金屬片材或石墨烯泡沫片材。
20.根據(jù)權(quán)利要求14至16中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述有機(jī)化合物的導(dǎo)熱系數(shù)在O. 5ff/mK至6W/mK的范圍內(nèi)；或所述有機(jī)化合物的導(dǎo)熱系數(shù)在lW/mK至3W/mK的范圍內(nèi)。
21.根據(jù)權(quán)利要求14至16中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述有機(jī)化合物固化后的肖式硬度小于或等于Shore 00 60 ;或 所述有機(jī)化合物固化后的肖式硬度小于或等于Shore 00 30。
22.—種散熱裝置，其特征在于，包括 散熱部件；和 設(shè)置在所述散熱部件以及發(fā)熱部件之間的根據(jù)權(quán)利要求I至13中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)熱墊，或根據(jù)權(quán)利要求14至21中任一項(xiàng)所述的方法制造的導(dǎo)熱墊。
23.—種電子設(shè)備,其特征在于,包括 發(fā)熱部件； 散熱部件；和 設(shè)置在所述發(fā)熱部件以及所述散熱部件之間的根據(jù)權(quán)利要求I至13中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)熱墊，或根據(jù)權(quán)利要求14至21中任一項(xiàng)所述的方法制造的導(dǎo)熱墊。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種導(dǎo)熱墊、制造導(dǎo)熱墊的方法、散熱裝置和電子設(shè)備。該導(dǎo)熱墊包括導(dǎo)熱的片狀基材，該片狀基材在厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；和導(dǎo)熱的涂覆層，該涂覆層由柔性的有機(jī)化合物形成，其中，該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部或覆蓋在該片狀基材的表面，或者該有機(jī)化合物填充在該片狀基材的內(nèi)部的同時(shí)覆蓋在該片狀基材的表面。本發(fā)明實(shí)施例的導(dǎo)熱墊、制造導(dǎo)熱墊的方法、散熱裝置和電子設(shè)備，通過(guò)采用柔性導(dǎo)熱的有機(jī)化合物，填充或覆蓋厚度方向上具有可壓縮的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱片狀基材，使得形成的導(dǎo)熱墊在具有良好的壓縮性能的同時(shí)，還具有良好的導(dǎo)熱性能，從而能夠提高電子設(shè)備的散熱性能。
文檔編號(hào)H05K7/20GK102917574SQ20121041011
公開(kāi)日2013年2月6日 申請(qǐng)日期2012年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月24日
發(fā)明者徐焰, 涂運(yùn)驊 申請(qǐng)人:華為技術(shù)有限公司