專利名稱：發(fā)光元件驅(qū)動裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對作為發(fā)光元件的LED (發(fā)光二極管)進(jìn)行驅(qū)動的發(fā)光元件驅(qū)動裝置。
背景技術(shù)：
公開有如下所述的技術(shù):在將串聯(lián)連接多個LED而成的發(fā)光元件列并聯(lián)連接多列，通過分別與各個發(fā)光元件列串聯(lián)連接的恒流驅(qū)動器對多列發(fā)光元件列進(jìn)行驅(qū)動的發(fā)光元件驅(qū)動裝置中，將施加在多個恒流驅(qū)動器上的電壓內(nèi)的最低的電壓選擇為檢測電壓，以該檢測電壓的值成為基準(zhǔn)電壓的方式，自動地對電源裝置的輸出電壓進(jìn)行控制(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。專利文獻(xiàn)I日本特開2003-332624號公報但是，在現(xiàn)有技術(shù)中，需要將施加在多個恒流驅(qū)動器上的電壓內(nèi)的最低的電壓設(shè)定為在發(fā)光元件系列上流過發(fā)光所需電流的充分的電壓。因此，在多個恒流驅(qū)動器上施加必要以上的電壓，存在在恒流驅(qū)動器上產(chǎn)生功率損耗的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，鑒于上述問題解決現(xiàn)有技術(shù)的上述問題，提供能夠減少對發(fā)光元件系列進(jìn)行閃爍驅(qū)動的開關(guān)元件中的功率喪失的發(fā)光元件驅(qū)動裝置。本發(fā)明的發(fā)光元件驅(qū)動裝置，其通過與多個發(fā)光元件列分別串聯(lián)連接而成的開關(guān)元件對并聯(lián)連接的多個所述發(fā)光元件列進(jìn)行閃爍驅(qū)動，該發(fā)光元件驅(qū)動裝置的特征在于具有:電流檢測單元，其將分別流過多個所述發(fā)光元件列的電流分別檢測為發(fā)光元件列電流；選擇單元，其選擇該電流檢測單元檢測的檢測結(jié)果中的最小的所述發(fā)光元件列電流；以及輸出電壓控制單元，其對供給到多個所述發(fā)光元件列的輸出電壓進(jìn)行控制，使得通過該選擇單元選擇的所述發(fā)光 元件列電流成為預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)電流值。而且，在本發(fā)明的發(fā)光元件驅(qū)動裝置中，也可以具有平均電流控制單元，該平均電流控制單元分別控制對多個所述開關(guān)元件進(jìn)行接通/斷開驅(qū)動的占空比，使得通過所述電流檢測單元檢測的多個所述發(fā)光元件列電流的平均值成為相同的值。而且，在本發(fā)明的發(fā)光元件驅(qū)動裝置中，所述輸出電壓控制單元也可以在接通驅(qū)動了多個所述開關(guān)元件中的至少任意一個的開關(guān)元件接通期間，根據(jù)所述發(fā)光元件列電流控制所述輸出電壓，在斷開驅(qū)動了多個所述開關(guān)元件的全部的開關(guān)元件斷開期間，根據(jù)緊前的所述開關(guān)元件接通期間的所述發(fā)光元件列電流控制所述輸出電壓。而且，在本發(fā)明的發(fā)光元件驅(qū)動裝置中，所述輸出電壓控制單元也可以生成與通過所述選擇單元選擇的所述發(fā)光元件列電流相關(guān)的基準(zhǔn)電壓，根據(jù)該基準(zhǔn)電壓反饋控制所述輸出電壓。根據(jù)本發(fā)明，由于構(gòu)成為對供給到多個發(fā)光元件列的輸出電壓進(jìn)行控制，使得分別流過多個發(fā)光元件列的電流中最小的發(fā)光元件列電流成為預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)電流值，因此不需要為了使發(fā)光元件系列閃爍驅(qū)動而使用恒流驅(qū)動器，起到能夠減少對發(fā)光元件系列進(jìn) 行閃爍驅(qū)動的開關(guān)元件中的功率喪失的效果。


圖1是示出本發(fā)明的發(fā)光元件驅(qū)動裝置的實施方式的電路結(jié)構(gòu)的電路結(jié)構(gòu)圖。圖2是示出圖1所示的選擇電路的電路結(jié)構(gòu)的電路結(jié)構(gòu)圖。圖3是示出圖1所示的平均電流控制電路的電路結(jié)構(gòu)的電路結(jié)構(gòu)圖。圖4是示出圖1所示的輸出電壓控制電路的電路結(jié)構(gòu)的電路結(jié)構(gòu)圖。圖5是示出圖1所示的輸出電壓控制電路的其他電路結(jié)構(gòu)的電路結(jié)構(gòu)圖。符號說明I發(fā)光部2電源裝置3控制裝置11 13發(fā)光元件列LI扼流線圈4選擇電路5平均電流控制電路6輸出電壓控制電路Cl平滑電容器Dl 二極管CCl恒流源Rl R5 電阻Ql Q4M0SFETQ10、Q12、Q14、Q16 Q18P 型 MOSFETQ11、Q13、Q15、Q19N 型 MOSFET51振蕩電路52a 52c檢測電路53a 53c積分電路54a 54c觸發(fā)電路55a 55c驅(qū)動電路56或電路610TA (運算跨導(dǎo)放大器)誤差放大電路62采樣和保持電路63誤差放大電路64、65控制電路
具體實施例方式參照圖1，本實施方式的發(fā)光元件驅(qū)動裝置具有:發(fā)光部I ;向發(fā)光部I供給輸出電壓Vout的電源裝置2 ;以及進(jìn)行供給到發(fā)光部I的輸出電壓Vout的控制和發(fā)光部I的亮燈控制的控制裝置3。
發(fā)光部I具有串聯(lián)連接四個LED而成的發(fā)光元件列11 13。另外，在本實施方式中，雖然由三個發(fā)光兀件列11 13來構(gòu)成了發(fā)光部I,但是關(guān)于發(fā)光兀件列11 13的數(shù)量、構(gòu)成發(fā)光元件列11 13的LED的串聯(lián)數(shù)，不進(jìn)行限制，根據(jù)需要的光量等來適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行設(shè)定。另外，作為發(fā)光元件列11 13，雖然使用相同的元件，但是假設(shè)存在某種程度的特
性偏差。本實施方式的電源裝置2為升壓斬波電路，具有扼流線圈L1、二極管D1、平滑電容器Cl、MOSFET Ql0在連接有直流電源Vin的正極端子的輸入端子Tl與接地端子之間，連接有由扼流線圈LI和作為切換元件工作的MOSFET Ql構(gòu)成的串聯(lián)電路。另外，在扼流線圈LI與MOSFET QI之間的連接點和接地端子之間，連接有由作為輸出整流元件的二極管DI和平滑電容器Cl構(gòu)成的串聯(lián)電路。在二極管Dl與平滑電容器Cl之間的連接點連接有發(fā)光元件列11 13的陽極側(cè)端子，通過M0SFETQ1的接通斷開控制而升高的輸出電壓Vout供給到發(fā)光元件列11 13。控制裝置3具有MOSFET Q2 Q4、電阻Rl R5、選擇電路4、平均電流控制電路
5、輸出電壓控制電路6。在發(fā)光元件列11的陰極側(cè)端子與接地端子之間，連接有由對發(fā)光元件列11進(jìn)行閃爍驅(qū)動的MOSFET Q2和電阻Rl構(gòu)成的串聯(lián)電路。同樣地，在發(fā)光元件列12的陰極側(cè)端子與接地端子之間，串聯(lián)連接有由對發(fā)光元件列12進(jìn)行閃爍驅(qū)動的MOSFETQ3和電阻R2構(gòu)成的串聯(lián)電路，在發(fā)光元件列13的陰極側(cè)端子與接地端子之間，串聯(lián)連接有由對發(fā)光元件列13進(jìn)行閃爍驅(qū)動的MOSFET Q4和電阻R3構(gòu)成的串聯(lián)電路。另外，MOSFETQ2 Q4具有相同的特性，電阻Rl R3具有相同的電阻值。選擇電路4選擇流過MOSFET Q2 Q4的電流內(nèi)的、最小的電流值，將與所選擇的電流值對應(yīng)的檢測電壓Vmin輸出到輸出電壓控制電路6。參照圖2，在控制電源Reg與接地端子之間，連接有由恒流源CC1、P型MOSFET Q10、N型MOSFET Qll構(gòu)成的串聯(lián)電路。另夕卜，在電源Reg與接地端子之間，連接有由P型MOSFET Q12和N型MOSFET Q13構(gòu)成的串聯(lián)電路，并且連接有由P型MOSFET Q14和N型MOSFET Q15構(gòu)成的串聯(lián)電路。而且，由P型MOSFET Q16 Q18構(gòu)成的并聯(lián)電路，通過恒流源CCl與電源Reg連接，并且通過N型MOSFETQ19與接地端子連接。N型MOSFET Q19和N型MOSFET Q15構(gòu)成電流鏡像電路，N型MOSFET Q19的柵極端子和N型MOSFET Q15的柵極端子彼此連接，其連接點與N型M0SFETQ19的漏極端子連接。另外，N型MOSFET Qll和N型MOSFET Q13構(gòu)成電流鏡像電路，N型MOSFET Qll的柵極端子與N型MOSFET Q13的柵極端子彼此連接，其連接點與N型MOSFET Qll的漏極端子連接。而且，P型MOSFET Q12和P型MOSFET Q14構(gòu)成電流鏡像電路，P型MOSFET Q12的柵極端子和P型MOSFET Q14的柵極端子彼此連接，其連接點與P型MOSFET Q12的源極端子連接。與P型MOSFET Q16的柵極端子連接的端子T2，連接在對發(fā)光元件列11進(jìn)行閃爍驅(qū)動的MOSFET Q2與電阻Rl之間的連接點上。電阻Rl是對流過MOSFET Q2 (發(fā)光元件列
11)的電流進(jìn)行檢測的電流檢測用電阻，與流過MOSFET Q2的電流相關(guān)的電壓被施加到P型MOSFET Q16的柵極端子上。另外，與P型MOSFET Q17的柵極端子連接的端子T3連接在對發(fā)光元件列12進(jìn)行閃爍驅(qū)動的MOSFET Q3與電阻R2之間的連接點上。電阻R2是對流過MOSFET Q3 (發(fā)光元件列12)的電流進(jìn)行檢測的電流檢測用電阻，與流過MOSFET Q3的電流相關(guān)的電壓被施加到P型M0SFETQ17的柵極端子上。而且，與P型MOSFET Q18的柵極端子連接的端子T4連接在對發(fā)光元件列13進(jìn)行閃爍驅(qū)動的MOSFET Q4與電阻R3之間的連接點上。電阻R3是對流過MOSFET Q4 (發(fā)光元件列13)的電流進(jìn)行檢測的電流檢測用電阻，與流過MOSFET Q4的電流相關(guān)的電壓被施加到P型MOSFET Q18的柵極端子上。另外，P型MOSFET Q14與N型MOSFET Q15之間的連接點與P型MOSFET QlO的柵極端子和輸出端子T5連接。在圖2中示出，在選擇電路4中，流過P型MOSFET Q16、Q17、Q18的總計電流Ia，流過N型MOSFET Q19和N型MOSFET Q15的狀態(tài)。此處，流過P型M0SFETQ10的電流Ib，經(jīng)由由N型MOSFET Qll和N型MOSFET Q13構(gòu)成的電流鏡像電路，流過由P型MOSFET Q12和P型MOSFET Q14構(gòu)成的電流鏡像電路。因此，從輸出端子T5輸出的電壓信號成為電流Ia與電流Ib之間的差信號，但是P型M0SFETQ10的柵極端子由于與輸出端子T5連接，因此以電流Ia和電流Ib變得相等的方式工作。由此，在圖2所示的選擇電路4中，選擇施加在端子T2 T4上的電壓(與流過MOSFET Q2 Q4的電流相關(guān)的電壓)內(nèi)的最低的電壓，所選擇的電壓經(jīng)由使用了運算放大器的電壓跟隨器，從端子T5作為檢測電壓Vmin而輸出到輸出電壓控制電路6。參照圖3，平均電流控制電路5具有:振蕩電路51、檢測電路52a 52c、積分電路53a 53c、RS型的觸發(fā)電路54a 54c、驅(qū)動電路55a 55c以及或電路56。振蕩電路51的輸入端子與從外部輸入有調(diào)光信號的端子T6連接，并且振蕩電路51的輸出端子與觸發(fā)電路54a 54c的設(shè)置端子S連接。從端子T6輸入的調(diào)光信號是通過占空比(時間比例)而對發(fā)光部I的亮度進(jìn)行控制的信號，振蕩電路51在調(diào)光信號為ON動作時進(jìn)行振蕩工作，以規(guī)定周期輸出設(shè)置觸發(fā)電路54a 54c的設(shè)置信號。檢測電路52a的輸入端子連接在MOSFET Q2與電阻Rl之間的連接點上，并且檢測電路52a的輸出端子與積分電路53a的輸入端子連接，積分電路53a的輸出端子與觸發(fā)電路54a的重置端子R連接。檢測電路52a對流過MOSFET Q2 (發(fā)光元件列11)的電流進(jìn)行檢測。積分電路53a對通過檢測電路52a檢測的電流進(jìn)行積分，當(dāng)電流積分值到達(dá)規(guī)定基準(zhǔn)積分值時，輸出對觸發(fā)電路54a進(jìn)行重置的重置信號。另外，觸發(fā)電路54a的輸出端子Q與驅(qū)動電路55a的輸入端子連接，并且驅(qū)動電路55a的輸出端子與MOSFET Q2的柵極端子連接。從觸發(fā)電路54a的輸出端子Q輸出根據(jù)來自振蕩電路51的設(shè)置信號而接通、根據(jù)來自積分電路53a的重置信號而斷開的接通/斷開信號。驅(qū)動電路55a根據(jù)來自觸發(fā)電路54a的接通/斷開信號而使MOSFET Q2接通/斷開驅(qū)動。檢測電路52b的輸入端子連接在MOSFET Q3與電阻R2之間的連接點上，檢測電路52b的輸出端子與積分電路53b的輸入端子連接,積分電路53b的輸出端子與觸發(fā)電路54b的重置端子R連接。檢測電路52b對流過MOSFET Q3(發(fā)光元件列12)的電流進(jìn)行檢測。積分電路53b對通過檢測電路52b檢測的電流進(jìn)行積分，當(dāng)電流積分值到達(dá)規(guī)定基準(zhǔn)積分值時，輸出對觸發(fā)電路54b進(jìn)行重置的重置信號。另外，觸發(fā)電路54b的輸出端子Q與驅(qū)動電路55b的輸入端子連接，并且驅(qū)動電路55b的輸出端子與MOSFET Q3的柵極端子連接。從觸發(fā)電路54b的輸出端子Q輸出根據(jù)來自振蕩電路51的設(shè)置信號而接通、根據(jù)來自積分電路53b的重置信號而斷開的接通/斷開信號。驅(qū)動電路55b根據(jù)來自觸發(fā)電路54b的接通/斷開信號而使MOSFET Q3接通/斷開驅(qū)動。檢測電路52c的輸入端子連接在MOSFET Q4與電阻R3之間的連接點上，并且檢測電路52c的輸出端子與積分電路53c的輸入端子連接，積分電路53c的輸出端子與觸發(fā)電路54c的重置端子R連接。檢測電路52c對流過MOSFET Q4 (發(fā)光元件列13)的電流進(jìn)行檢測。積分電路53c對通過檢測電路52c進(jìn)行了檢測的電流進(jìn)行積分，當(dāng)電流積分值到達(dá)規(guī)定基準(zhǔn)積分值時，輸出對觸發(fā)電路54c進(jìn)行重置的重置信號。另外，觸發(fā)電路54c的輸出端子Q與驅(qū)動電路55c的輸入端子連接，并且驅(qū)動電路55c的輸出端子與MOSFET Q4的柵極端子連接。從觸發(fā)電路54c的輸出端子Q輸出根據(jù)來自振蕩電路51的設(shè)置信號而接通、根據(jù)來自積分電路53c的重置信號而斷開的接通/斷開信號。驅(qū)動電路55c根據(jù)來自觸發(fā)電路54c的接通/斷開信號而使MOSFET Q4接通/斷開驅(qū)動。在從端子T6輸入的調(diào)光信號為ON動作時,觸發(fā)電路54a 54c根據(jù)來自振蕩電路51的設(shè)置信號而同時被設(shè)置，MOSFET Q2 Q4同時被接通驅(qū)動。當(dāng)MOSFET Q2 Q4被接通驅(qū)動時，在發(fā)光元件列11 13上流過電流，通過檢測電路52a 52c分別檢測的電流通過積分電路53a 53c而分別被積分。當(dāng)在積分電路53a 53c中電流積分值到達(dá)規(guī)定基準(zhǔn)積分值(在積分電路53a 53c中共同)時，觸發(fā)電路54a 54c分別被重置，MOSFETQ2 Q4被斷開驅(qū)動，在發(fā)光元件列11 13上流過的電流被切斷。即，關(guān)于MOSFET Q2 Q4被斷開驅(qū)動的定時，根據(jù)流過發(fā)光元件列11 13的電流而在發(fā)光元件列11 13上不同，以流過發(fā)光元件列11 13的電流的平均值成為相同的值的方式，控制對多個MOSFETQ2 Q4進(jìn)行接通/斷開驅(qū)動的占空比。通過該控制，由于流過發(fā)光元件列11 13的電流的平均值成為相同的值，因此即使由于發(fā)光元件列11 13的特性偏差，在實際流過發(fā)光元件列11 13的電流的值不同的情況下，也能夠使發(fā)光元件列11 13以相同的亮度來發(fā)光。另外，觸發(fā)電路54a 54c各自的輸出端子Q分別與或電路56的輸入端子連接，并且或電路56的輸出端子與輸出電壓控制電路6連接，從或電路56向輸出電壓控制電路6輸出SH (米樣和保持)信號。關(guān)于從或電路56輸出的SH信號,在從觸發(fā)電路54a 54c中的任意一個輸出了接通信號的期間、即MOSFET Q2 Q4中的任意一個被接通驅(qū)動的開關(guān)元件接通期間成為采樣期間，從所有觸發(fā)電路54a 54c輸出了斷開信號的期間、即所有MOSFET Q2 Q4被斷開驅(qū)動的開關(guān)元件斷開期間成為保持期間。參照圖4，輸出電壓控制電路6具有OTA (運算跨導(dǎo)放大器)誤差放大電路61、采樣和保持電路62、誤差放大電路63、控制電路64、基準(zhǔn)電壓Vref。在OTA誤差放大電路61的非反轉(zhuǎn)輸入端子上施加有基準(zhǔn)電壓Vref，并且，在OTA誤差放大電路61的反轉(zhuǎn)輸入端子上輸入有來自選擇電路4的檢測電壓Vmin。OTA誤差放大電路61是對基準(zhǔn)電壓Vref和檢測電壓Vmin進(jìn)行比較，輸出其誤差信號的電路，從OTA誤差放大電路61的輸出端子，作為誤差信號輸出有與基準(zhǔn)電壓Vref與檢測電壓Vmin之間的誤差電壓相應(yīng)的誤差電流。在采樣和保持電路62的控制端子上輸入有來自平均電流控制電路5的SH信號。采樣和保持電路62在SH信號的采樣期間對來自O(shè)TA誤差放大電路61的輸出電流進(jìn)行檢測，輸出與檢測結(jié)果相應(yīng)的可變基準(zhǔn)電壓Vref2，在SH信號的保持期間，保持檢測結(jié)果，直接輸出緊前的可變基準(zhǔn)電壓Vref2。來自采樣和保持電路62的可變基準(zhǔn)電壓Vref 2被施加到誤差放大電路63的非反轉(zhuǎn)輸入端子上，在誤差放大電路63的反轉(zhuǎn)輸入端子上輸入有通過電阻R4和電阻R5對輸出電壓Vout進(jìn)行了分壓得到的電壓Vo。誤差放大電路63是對可變基準(zhǔn)電壓Vref2和對應(yīng)于輸出電壓Vout的電壓Vo進(jìn)行比較，輸出其誤差信號的電路。可變基準(zhǔn)電壓Vref2與電壓Vo之間的誤差電壓被放大而作為誤差信號從誤差放大電路63的輸出端子輸出，控制電路64根據(jù)來自誤差放大電路63的誤差信號而使MOSFET Ql接通/斷開驅(qū)動。如上所述，輸出電壓控制電路6以來自選擇電路4的檢測電壓Vmin成為基準(zhǔn)電壓Vref的方式進(jìn)行輸出電壓Vout的控制。此處，來自選擇電路4的檢測電壓Vmin，在SH信號的采樣期間(在MOSFET Q2 Q4中的任意一個被接通驅(qū)動的開關(guān)元件接通期間發(fā)光元件列11 13中至少任意一個點亮?xí)r)，是與流過MOSFET Q2 Q4的電流相關(guān)的電壓內(nèi)的最低電壓。例如，在所有的MOSFET Q2 Q4接通時，與流過MOSFET Q2 Q4的最小電流相關(guān)的電壓成為檢測電壓Vmin。另外，在MOSFET Q2接通、MOSFET Q3 Q4斷開時，與流過MOSFETQ2的電流相關(guān)的電壓成為檢測電壓Vmin。因此，輸出電壓控制電路6以如下所述的方式進(jìn)行輸出電壓Vout的控制:在SH信號的采樣期間，流過MOSFET Q2 Q4的電流內(nèi)的、最小電流成為預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)電流值。另外，基準(zhǔn)電流值是由基準(zhǔn)電壓Vref而確定的。實際流過M0SFETQ2 Q4的電流以基準(zhǔn)電流值為中心上下浮動，因此基準(zhǔn)電壓Vref是以基準(zhǔn)電流值成為比能夠使發(fā)光元件列11 13發(fā)光的下限電流值稍大的值的方式設(shè)定的。另外，在本實施方式中，在輸出電壓控制電路6中，雖然構(gòu)成為根據(jù)來自比較可變基準(zhǔn)電壓Vref 2和對應(yīng)于輸出電壓Vout的電壓Vo的比較誤差放大電路63的誤差信號，控制輸出電壓Vout，但是也可以不使用比較誤差放大電路63，而根據(jù)可變基準(zhǔn)電壓Vref2控制輸出電壓Vout。在圖5中示出具有根據(jù)可變基準(zhǔn)電壓Vref2控制輸出電壓Vout的控制電路65的輸出電壓控制電路6a。在輸出電壓控制電路6a上設(shè)置有從外部輸入有調(diào)光信號的端子T7，通過占空比(時間比例)控制發(fā)光部I的亮度的調(diào)光信號，輸入到控制電路65的控制端子?？刂齐娐?5在調(diào)光信號為ON動作時，根據(jù)可變基準(zhǔn)電壓Vref2而使MOSFET Ql接通/斷開驅(qū)動，在調(diào)光信號為OFF動作時，使MOSFET Ql的接通/斷開驅(qū)動停止。由此，在調(diào)光信號為OFF動作時，停止針對平滑電容器Cl的電力供給。由此，能夠防止針對平滑電容器Cl的電力供給量過高，輸出電壓Vout變高為必要以上。另外，在本方式中，在調(diào)光信號為OFF占空時，由于完全停止針對平滑電容器Cl的電力供給，因此在能夠忽略來自平滑電容器Cl的漏電流的值時有效。如上所述，本實施方式是通過與多個發(fā)光元件列11 13分別串聯(lián)連接的開關(guān)元件(MOSFET Q2 Q4)對并聯(lián)連接的多個發(fā)光元件列11 13進(jìn)行閃爍驅(qū)動的發(fā)光元件驅(qū)動裝置，具有:電流檢測用的電阻Rl R3，其將分別流過多個發(fā)光元件列11 13的電流分別檢測為發(fā)光元件列電流；選擇電路4，其選擇最小的所述發(fā)光元件列電流；以及輸出電壓控制電路6，其以通過選擇電路4選擇的發(fā)光元件列電流成為預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)電流值的方式，對供給到多個發(fā)光元件列11 13的輸出電壓Vout進(jìn)行控制。由此，不需要為了對發(fā)光元件列11 13進(jìn)行閃爍驅(qū)動而使用恒流驅(qū)動器，能夠使對發(fā)光元件列11 13進(jìn)行閃爍驅(qū)動的開關(guān)元件(MOSFET Q2 Q4)中的功率喪失減少。而且，根據(jù)本實施方式，具有平均電流控制電路5，其以多個發(fā)光元件列電流的平均值成為相同的值的方式，分別控制對多個開關(guān)元件(MOSFET Q2 Q4)進(jìn)行接通/斷開驅(qū)動的占空比。由此，即使由于發(fā)光元件列11 13的特性偏差，實際流過發(fā)光元件列11 13的電流的值不同的情況下，也能夠使發(fā)光元件列11 13以相同的亮度來發(fā)光。
而且，根據(jù)本實施方式，輸出電壓控制電路6以如下所述的方式構(gòu)成:在多個開關(guān)元件(MOSFET Q2 Q4)中的至少任意一個被接通驅(qū)動的開關(guān)元件接通期間，根據(jù)發(fā)光元件列電流控制輸出電壓Vout，在所有多個開關(guān)元件(MOSFET Q2 Q4)都被斷開驅(qū)動的開關(guān)元件斷開期間，根據(jù)緊前的開關(guān)元件接通期間的發(fā)光元件列電流來控制輸出電壓Vout。由此，即使在所有多個開關(guān)元件(MOSFET Q2 Q4)都被斷開驅(qū)動，檢測不到發(fā)光元件列電流的情況下，也能夠根據(jù)緊前的開關(guān)元件接通期間的發(fā)光元件列電流而進(jìn)行輸出電壓Vout的控制，能夠進(jìn)行穩(wěn)定的反饋控制。而且，根據(jù)本實施方式，輸出電壓控制電路6以如下所述的方式構(gòu)成:根據(jù)由選擇電路4選擇的發(fā)光元件列電流來生成可變基準(zhǔn)電壓Vref 2，根據(jù)可變基準(zhǔn)電壓Vref 2對輸出電壓Vout進(jìn)行反饋控制。由此，即使在所有多個開關(guān)元件(MOSFET Q2 Q4)都被斷開驅(qū)動時，也由于以可變基準(zhǔn)電壓Vref2和對輸出電壓Vout進(jìn)行分壓得到的電壓No相等的方式控制輸出電壓Vout，因此不會使輸出電壓Vout變得過高、或變得過低，能夠進(jìn)行穩(wěn)定的反饋控制。以上，雖然以具體的實施方式說明了本發(fā)明，但是上述實施方式為一例，當(dāng)然可以在不脫離本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)進(jìn)行變更來實施。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光元件驅(qū)動裝置，其通過與多個發(fā)光元件列分別串聯(lián)連接而成的開關(guān)元件對并聯(lián)連接的多個所述發(fā)光元件列進(jìn)行閃爍驅(qū)動，該發(fā)光元件驅(qū)動裝置的特征在于具有: 電流檢測單元，其檢測分別流過多個所述發(fā)光元件列的電流分別作為發(fā)光元件列電流； 選擇單元，其選擇該電流檢測單元的檢測結(jié)果中的最小的所述發(fā)光元件列電流；以及輸出電壓控制單元，其對供給到多個所述發(fā)光元件列的輸出電壓進(jìn)行控制，使得通過該選擇單元選擇的所述發(fā)光元件列電流成為預(yù)先設(shè)定的基準(zhǔn)電流值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件驅(qū)動裝置，其特征在于具有平均電流控制單元，該平均電流控制單元分別控制對多個所述開關(guān)元件進(jìn)行接通/斷開驅(qū)動的占空比，使得通過所述電流檢測單元檢測的多個所述發(fā)光元件列電流的平均值成為相同的值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光元件驅(qū)動裝置，其特征在于， 所述輸出電壓控制單元 在對多個所述開關(guān)元件中的至少任意一個進(jìn)行接通驅(qū)動的開關(guān)元件接通期間內(nèi)，根據(jù)所述發(fā)光元件列電流控制所述輸出電壓，在對多個所述開關(guān)元件的全部進(jìn)行斷開驅(qū)動的開關(guān)元件斷開期間內(nèi)，根據(jù)緊前的所述開關(guān)元件接通期間內(nèi)的所述發(fā)光元件列電流控制所述輸出電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件驅(qū)動裝置，其特征在于， 所述輸出電壓控制單元生成與通過所述選擇單元選擇的所述發(fā)光元件列電流相關(guān)的基準(zhǔn)電壓，根據(jù)該基準(zhǔn)電壓對所述輸出電壓進(jìn)行反饋控制。
全文摘要
本發(fā)明提供發(fā)光元件驅(qū)動裝置，該發(fā)光元件驅(qū)動裝置通過與發(fā)光元件列(11～13)分別串聯(lián)連接的開關(guān)元件(MOSFET Q2～Q4)對多個發(fā)光元件列(11～13)進(jìn)行閃爍驅(qū)動，具有選擇電路(4)，將分別流過多個發(fā)光元件列(11～13)的電流分別檢測為發(fā)光元件列電流，選擇最小的發(fā)光元件列電流；以及輸出電壓控制電路(6)，以其通過選擇電路(4)選擇的發(fā)光元件列電流成為基準(zhǔn)電流值的方式，對供給到多個發(fā)光元件列(11～13)的輸出電壓(Vout)進(jìn)行控制。另外，具有平均電流控制電路(5)，其以多個發(fā)光元件列電流的平均值成為相同的值的方式，分別控制對多個開關(guān)元件(MOSFET Q2～Q4)進(jìn)行接通/斷開驅(qū)動的占空比。
文檔編號H05B37/02GK103209515SQ20121054380
公開日2013年7月17日 申請日期2012年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月11日
發(fā)明者中村浩章, 大坂昇平 申請人:三墾電氣株式會社