屏蔽復(fù)合膜片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種屏蔽復(fù)合膜片，其包括有導磁層、多個導磁凸塊、導體層以及一導電膠層。多個導磁凸塊配置于導磁層上。導體層配置于導磁凸塊上。導體層介于這些導磁凸塊與導電膠層之間，導磁層、導電膠層與這些導磁凸塊的底部之間形成多個彼此相連通的孔隙。
【專利說明】屏蔽復(fù)合膜片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種膜片，特別是涉及一種屏蔽復(fù)合膜片。
【背景技術(shù)】
[0002]電子裝置(如電視、無線電、電腦、醫(yī)療儀器、商業(yè)機器、通信設(shè)備及類似物)的操作，是伴隨電子裝置的電子電路的電磁輻射的產(chǎn)生而進行，其可能會輻射至電子裝置中的其它元件并且對其產(chǎn)生干擾。此輻射通常發(fā)展為電磁頻譜的射頻波段(即介于約IOKHz與IOGHz之間)范圍內(nèi)的暫態(tài)，且被稱為電磁干擾(EMI)。
[0003]在常態(tài)作業(yè)中，電子裝置會產(chǎn)生因以輻射和傳導方式放出的電磁能而影響鄰近電子裝置干擾傳輸，此電磁干擾(EMI)可能會造成重要信號的衰降或完全損失，從而使得電子裝置效率不彰或無法運作。
[0004]隨著電子裝置不斷朝向輕量化、可撓曲、高效能及低成本發(fā)展，唯有高頻化驅(qū)動電路設(shè)計得以滿足產(chǎn)品的輕薄短小需求，但高密度模塊或元件封裝技術(shù)，使功率或傳輸元件極易產(chǎn)生高頻電磁干擾問題，此電磁干擾除了會影響到其它模塊功能安全運作之外，更嚴重時甚至會危害人體健康。
[0005]因此，為減弱電磁干擾(EMI)的影響，降低電磁干擾(EMI)的不利效應(yīng)，電子裝置可采用能吸收或反射電磁干擾(EMI)能量的屏蔽，以將電磁干擾(EMI)能量局限于一裝置內(nèi)，以使此裝置與其他裝置絕緣。此屏蔽被提供作為介于電子裝置與其他裝置之間的一障壁，且通常組態(tài)為一外罩或覆蓋于電子裝置中的電子元件外表面的一屏蔽層。目前常用的電磁干擾(EMI)屏蔽膜片，主要以電場屏蔽為主，其絕緣層不具任何其它功能，且電性壓合接著時容易分層脫落。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種屏蔽復(fù)合膜片，通過多個導磁凸塊配置于導磁層上的結(jié)構(gòu)可有效抑制電路間傳導或輻射等電磁雜訊，提升電路動作的穩(wěn)定性。
[0007]為達上述目的，本發(fā)明公開一種屏蔽復(fù)合膜片，屏蔽復(fù)合膜片包括有一導磁層、多個導磁凸塊、一導體層以及一導電膠層。多個導磁凸塊配置于導磁層上。導體層配置于導磁凸塊上。導體層介于這些導磁凸塊與導電膠層之間，導磁層、導電膠層與這些導磁凸塊的底部之間形成多個彼此相連通的孔隙。
[0008]本發(fā)明還公開一種屏蔽復(fù)合膜片，屏蔽復(fù)合膜片包括有一導磁核殼層以及多個導磁核殼凸塊。多個導磁核殼凸塊配置于導磁核殼層。
[0009]本發(fā)明提出的一種屏蔽復(fù)合膜片，主要在導磁層上具有導磁凸塊的結(jié)構(gòu)或是在導磁核殼層上配置多個導磁核殼凸塊，可增加電場屏蔽有效面積及深度，使電磁波產(chǎn)生多次反射，以提升整體電磁干擾(EMI)隔離屏蔽效能。另外，導電膠層與導體層之間或指導電膠層與導磁核殼層之間的空隙具透氣性，也可減少導電膠層與軟板間因熱壓接合時，因內(nèi)部氣體膨脹所引起的分層脫落現(xiàn)象，提升結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。[0010]以上的關(guān)于本
【發(fā)明內(nèi)容】
的說明及以下的實施方式的說明是用以示范與解釋本發(fā)明的精神與原理，并且提供本發(fā)明的權(quán)利要求更進一步的解釋。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明所公開的一種屏蔽復(fù)合膜片的示意圖；
[0012]圖2為本發(fā)明所公開的一種屏蔽復(fù)合膜片的示意圖；
[0013]圖3為本發(fā)明的電磁強度測試圖；
[0014]圖4為本發(fā)明的另一電磁強度測試圖。
[0015]主要元件符號說明
[0016]100屏蔽復(fù)合膜片
[0017]101導磁層
[0018]102導磁凸塊
[0019]103導體層
[0020]104導電膠層
[0021]200屏蔽 復(fù)合膜片
[0022]201導磁核殼層
[0023]202導磁核殼凸塊
[0024]204導電膠層
[0025]20導磁核殼
[0026]21磁性物
[0027]22導體層
【具體實施方式】
[0028]以下在實施方式中詳細敘述本發(fā)明的詳細特征以及優(yōu)點，其內(nèi)容足以使任何熟悉相關(guān)技術(shù)者了解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容并據(jù)以實施，且根據(jù)本說明書所發(fā)明的內(nèi)容、權(quán)利要求及附圖，任何熟悉相關(guān)技術(shù)者可輕易地理解本發(fā)明相關(guān)的目的及優(yōu)點。以下的實施例進一步詳細說明本發(fā)明的觀點，但非以任何觀點限制本發(fā)明的范疇。
[0029]請參考圖1，為本發(fā)明所公開的一種屏蔽復(fù)合膜片100的示意圖。本實施例為一屏蔽復(fù)合膜片100，屏蔽復(fù)合膜片100包括有導磁層101、多個導磁凸塊102、導體層103以及導電膠層104。
[0030]多個導磁凸塊102配置于導磁層101上，導磁凸塊102可為錐形體、矩形體、柱形體及上述任意組合所構(gòu)成的群組其中之一。導體層103配置于導磁凸塊102上。
[0031]請繼續(xù)參考圖1，屏蔽復(fù)合膜片100還包括有一導電膠層104，導電膠層104為異向或同向?qū)щ娔z層104。導體層103則介于導磁凸塊102與導電膠層104之間。屏蔽復(fù)合膜片100中導電膠層104與導磁凸塊102的底部之間形成多個彼此相連通的孔隙。
[0032]其中，導磁凸塊102的高度，即從導磁層101的表面至導磁凸塊102最高點的高度，一般為導磁層101厚度的2%-50%。導磁層101包含磁粉及高分子樹脂，成分比例可為磁粉100-70wt%及高分子樹脂0_30wt%或磁粉100-80wt%及高分子樹脂0_20wt%。另外，磁粉的平均粒徑為0.5-25um。導磁層101的厚度范圍可為0.02-0.7mm或0.05-0.3mm，其厚度大小與制作時刮刀法成形生胚有關(guān)。導磁層101為單層、多層等結(jié)構(gòu)及上述任意組合所構(gòu)成的群組其中之一，而導體層103為金、銀、銅、鋁及上述任意組合所構(gòu)成的群組其中之一。導體層103的厚度范圍為20-750nm或75-450nm。
[0033]導磁層101中的磁粉，可包含以下成分:磁粉為MOFe2O3鐵氧磁體時，其中M為錳、鈷、鎳、銅、鋅、鎂、鐵及上述任意組合所構(gòu)成的群組其中之一。磁粉為MFe12O19鐵氧磁體時，其中M為鋇、鍶及上述任意組合所構(gòu)成的群組其中之一。磁粉為Ba2M2Fe12O22鐵氧磁體時，其中M為錳、鈷、鎳、銅、鋅、鎂及上述任意組合所構(gòu)成的群組其中之一。磁粉為Fe-X合金時，其中X為錳、鈷、鎳、鋁、硅、鉻及上述任意組合所構(gòu)成的群組其中之一。磁粉可為M0Fe203、Ba2M2Fe12O22鐵氧磁體、Fe-X合金及金、銀、銅、鋁等導體及上述任意組合所構(gòu)成的群組其中之一 O
[0034]請繼續(xù)參考圖1，本發(fā)明提供一種屏蔽復(fù)合膜片100，其兼具電磁干擾(EMI)屏蔽及吸收的功能，此結(jié)構(gòu)的形成方式，主要在導磁層101表面施以角錐狀序化結(jié)構(gòu)的導磁凸塊102，接著濺鍍納米級厚的角錐型導體層103于導磁凸塊102上，并涂布導電膠層104提供接地抑制雜訊等用途。此屏蔽復(fù)合膜片100的優(yōu)勢在于此特定角錐面可增加屏蔽有效面積及深度，使電磁波產(chǎn)生多次反射，其導磁層101還可屏蔽高頻磁場，以提升整體EMI隔離屏蔽效能。此導電膠層104與導磁凸塊102的底部之間形成多個彼此相連通的孔隙，也可增加導電膠層104接著性以減少因熱壓接合時，內(nèi)部氣體膨脹所引起的分離脫落問題，提升結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。
[0035]請參考圖2，為本發(fā)明所公開的一種屏蔽復(fù)合膜片200的示意圖。本實施例為一屏蔽復(fù)合膜片200，屏蔽復(fù)合膜片200包括有導磁核殼層201以及導磁核殼凸塊202。
[0036]導磁核殼凸塊202配置于導磁核殼層201,導磁核殼凸塊202為錐形體、矩形體、柱形體及上述任意組合所構(gòu)成的群組其中之一。其中導磁核殼層201以及導磁核殼凸塊202由多個導磁核殼20構(gòu)成,每一導磁核殼20包括一磁性物21以及一導體層22,導體層22包覆磁性物21。
[0037]請繼續(xù)參考圖2，屏蔽復(fù)合膜片200還包括有一導電膠層204，導電膠層204為異向或同向?qū)щ娔z層204。導電膠層204位于導磁核殼層201的導磁核殼凸塊202上,屏蔽復(fù)合膜片200中導電膠層204與導磁核殼凸塊202的底部之間形成多個彼此相連通的孔隙。
[0038]其中，磁性物21包含磁粉及高分子樹脂，成分比例可為磁粉100_70wt%&高分子樹脂0-30wt%或磁粉100-80wt%及高分子樹脂0-20wt%。導體層22為金、銀、銅、鋁及上述任意組合所構(gòu)成的群組其中之一。
[0039]磁性物21中的磁粉，可包含以下成分:磁粉為MOFe2O3鐵氧磁體時，其中M為錳、鈷、鎳、銅、鋅、鎂、鐵及上述任意組合所構(gòu)成的群組其中之一。磁粉為MFe12O19鐵氧磁體時，其中M為鋇、鍶及上述任意組合所構(gòu)成的群組其中之一。磁粉為Ba2M2Fe12O22鐵氧磁體時，其中M為錳、鈷、鎳、銅、鋅、鎂及上述任意組合所構(gòu)成的群組其中之一。磁粉為Fe-X合金，其中X為錳、鈷、鎳、鋁、硅、鉻及上述任意組合所構(gòu)成的群組其中之一。磁粉可為M0Fe203、Ba2M2Fe12O22鐵氧磁體、Fe-X合金及金、銀、銅、鋁等導體及上述任意組合所構(gòu)成的群組其中之一 O
[0040]請繼續(xù)參考圖2，本發(fā)明提供一種屏蔽復(fù)合膜片200，其兼具電磁干擾(EMI)屏蔽及吸收的功能，此結(jié)構(gòu)的形成方式，主要在導磁核殼層201表面施以角錐狀序化結(jié)構(gòu)的導磁核殼凸塊202，接著涂布導電膠層204提供接地抑制雜訊等用途。此屏蔽復(fù)合膜片200的優(yōu)勢在于此特定角錐面可增加屏蔽有效面積及深度，使電磁波產(chǎn)生多次反射，其導磁核殼層201還可完全屏蔽高頻磁場，以提升整體電磁干擾(EMI)隔離屏蔽效能。此角錐面也可增加導電膠層204接著性以減少因熱壓接合時，內(nèi)部氣體膨脹所引起的分離脫落問題，提升結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。
[0041]請參考圖3，為本發(fā)明的電磁強度測試圖。本實施例請參考圖1，其中以甲苯或正丁醇等有機溶劑與NiCuZn鐵氧磁粉(Ferrite)混合16_20hr，再利用刮刀成型制作生胚，胚體經(jīng)過80°C /30min烘干，此鐵氧磁粉(Ferrite)導磁率為120。導磁層101厚度為0.63mm,并將角錐狀序化結(jié)構(gòu)(底面積lXlmm2，高45um)轉(zhuǎn)印至導磁層101的表面，形成一連續(xù)高低起伏面。之后再以濺鍍方式于導磁凸塊102的角錐表面鍍上導體層103 (厚度0.73um)。再覆蓋導電膠層104即可進行電磁波輻射測試。測試結(jié)果如圖3所示，趨勢線A為一般平面型導體層，趨勢線B為具角錐型的屏蔽復(fù)合膜片100。由圖3可知具角錐型的屏蔽復(fù)合膜片100的輻射損失平均值比平面型導體層低約8-12dBuv。以700MHz頻率來說，角錐型的屏蔽復(fù)合膜片100能因電場屏蔽面積及深度增加而使屏蔽效能提升約12dBuv，且導磁層101更有助于屏蔽高頻磁場，故此屏蔽復(fù)合膜片100有助于提升電磁屏蔽及抑制雜訊的能力。
[0042]請參考圖4，為本發(fā)明的另一電磁強度測試圖。本實施例請參考圖4，其中此實施例主要將鐵基金屬粉制作成薄層生胚(EW0201)，控制適當?shù)蔫F基粉及有機溶劑比例(62.5/37.5wt%)，胚體再經(jīng)過80°C /30min烘干，經(jīng)堆疊后導磁層101厚度控制為0.3mm,將導磁凸塊102的角錐狀規(guī)則陣列(底面積lXlmm2，高45um)轉(zhuǎn)印到鐵基生胚表面。以濺鍍法于導磁凸塊102表面批覆導體層103 (厚度:0.2um)。測試結(jié)果如圖4所示，趨勢線C為一般平面型導體層，趨勢線D為具角錐型的屏蔽復(fù)合膜片100。實施例結(jié)果發(fā)現(xiàn)具角錐型導體層的鐵基金屬系的屏蔽復(fù)合膜片100的屏蔽效果于0.8-lGHz頻段時效應(yīng)較為顯著，其屏蔽效能可提升達5-8dBuv值。
[0043]本發(fā)明在于提出一種屏蔽復(fù)合膜片，主要在導磁層上具有導磁凸塊的結(jié)構(gòu)或是在導磁核殼層上配置多個導磁核殼凸塊，可增加電場屏蔽有效面積及深度，使電磁波產(chǎn)生多次反射，以提升整體電磁干擾(EMI)隔離屏蔽效能。另外，導電膠層與導體層之間或指導電膠層與導磁核殼層之間的空隙具透氣性，也可減少導電膠層與軟板間因熱壓接合時，因內(nèi)部氣體膨脹所引起的分層脫落現(xiàn)象，提升結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。
【權(quán)利要求】
1.一種屏蔽復(fù)合膜片，其包括: 導磁層； 多個導磁凸塊，配置于該導磁層上； 導體層，其配置于該些導磁凸塊上；以及 導電膠層，該導體層介于該些導磁凸塊與該導電膠層之間，該導磁層、該導電膠層與該些導磁凸塊的底部之間形成多個彼此相連通的孔隙。
2.如權(quán)利要求1所述的屏蔽復(fù)合膜片，其中該導磁凸塊為錐形體、矩形體、柱形體及上述任意組合所構(gòu)成的群組其中之一。
3.如權(quán)利要求1所述的屏蔽復(fù)合膜片，其中該導電膠層為異向或同向?qū)щ娔z層。
4.如權(quán)利要求1所述的屏蔽復(fù)合膜片，其中該導磁層為單層或多層結(jié)構(gòu)。
5.一種屏蔽復(fù)合膜片，其包括: 導磁核殼層；以及 多個導磁核殼凸塊，配置于該導磁核殼層。
6.如權(quán)利要求5所述的屏蔽復(fù)合膜片,其中該導磁核殼層以及該些導磁核殼凸塊由多個導磁核殼構(gòu)成，每一該導磁核殼包括磁性物以及導體層，該導體層包覆該磁性物。
7.如權(quán)利要求5所述的屏蔽復(fù)合膜片，還包括有導電膠層，該導電膠層位于該導磁核殼層的該些導磁核殼凸塊上，該導電膠層與該些導磁核殼凸塊的底部之間形成多個彼此相連通的孔隙。
8.如權(quán)利要求7所述的屏蔽復(fù)合膜片，其中該導電膠層為異向或同向?qū)щ娔z層。
9.如權(quán)利要求5所述的屏蔽復(fù)合膜片，其中該導磁核殼凸塊為錐形體、矩形體、柱形體及上述任意組合所構(gòu)成的群組其中之一。
【文檔編號】H05K9/00GK103889197SQ201210579784
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2012年12月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月21日
【發(fā)明者】唐敏注, 湯士源, 王麗君, 王燕萍 申請人:財團法人工業(yè)技術(shù)研究院