專(zhuān)利名稱(chēng)：晶體爐隨爐退火裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種晶體生長(zhǎng)爐，具體說(shuō)就是一種晶體爐隨爐退火裝置。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的晶體生長(zhǎng)爐或冶煉設(shè)備(高頻或中頻感應(yīng)爐)中，當(dāng)晶體生長(zhǎng)結(jié)束后，晶體從坩堝中提出，由于坩堝外溫度較低，溫度梯度比較大，晶體容易受到很大的熱沖擊，且晶體的降溫過(guò)程始終處于一個(gè)比較大的溫度梯度場(chǎng)中，晶體內(nèi)部容易集聚比較大的熱應(yīng)力，造成晶體開(kāi)裂，而且，即使晶體當(dāng)時(shí)沒(méi)有開(kāi)裂，由于 晶體內(nèi)部集聚的熱應(yīng)力始終沒(méi)有釋放，晶體的后續(xù)加工過(guò)程中也很容易碎裂。所以，通常的對(duì)晶體處理采取的方式是，努力使晶體在爐內(nèi)降溫過(guò)程中不發(fā)生破裂，然后取出晶體，將其放置在另外一個(gè)專(zhuān)門(mén)的晶體退火爐中再進(jìn)行能夠晶體退火處理。這種方法需要專(zhuān)門(mén)的晶體退火設(shè)備、花費(fèi)額外的時(shí)間對(duì)晶體進(jìn)行退火處理，而且，這種方法本身需要保證從晶體爐內(nèi)生長(zhǎng)后、降溫取出來(lái)這個(gè)過(guò)程中晶體的完整性，這對(duì)整個(gè)設(shè)備及工藝都帶來(lái)很大的挑戰(zhàn)。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種設(shè)置在晶體爐上方的隨爐退火
>J-U裝直。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明設(shè)計(jì)了一種晶體爐隨爐退火裝置，包括晶體生長(zhǎng)爐，其特征在于還包括一個(gè)位于晶體生長(zhǎng)爐頂部的隨爐退火裝置，所述的隨爐退火裝置包括一個(gè)感應(yīng)線圈，以及置于感應(yīng)線圈內(nèi)的圓柱形后感應(yīng)保溫筒，還包括一個(gè)位于圓柱形后感應(yīng)保溫筒上的梯形后感應(yīng)保溫筒，以及一個(gè)測(cè)溫?zé)犭娕迹瑴y(cè)溫?zé)犭娕嫉亩瞬坎迦雸A柱形后感應(yīng)保溫筒內(nèi)。所述感應(yīng)線圈為中頻或高頻感應(yīng)線圈。所述感應(yīng)線圈的橫截面為方形或圓形，壁厚為0. 5-2_。所述梯形后感應(yīng)保溫筒的底面直徑與圓柱形后感應(yīng)保溫筒的直徑相同。所述圓柱形后感應(yīng)保溫筒與梯形后感應(yīng)保溫筒的壁厚為0. 5_3mm。所述測(cè)溫?zé)犭娕嫉亩瞬坎迦雸A柱形后感應(yīng)保溫筒內(nèi)，其插入深度為10mm。本實(shí)用新型同現(xiàn)有技術(shù)相比，保證了晶體生長(zhǎng)完后、從晶體爐中提拉出來(lái)后處于一個(gè)和晶體本身溫度基本相同的溫度場(chǎng)中，而且，這個(gè)溫度場(chǎng)比較均勻，只有很小的溫度梯度，這樣，保證了晶體在降溫過(guò)程中整體處于均勻的溫場(chǎng)下均勻降溫，最大限度的減少了晶體內(nèi)部產(chǎn)生的熱應(yīng)力，保證了晶體的完整性，提高了晶體的成品率，減少了后期專(zhuān)門(mén)的退火設(shè)備和退火時(shí)間，提聞了效率。

圖I為實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。參見(jiàn)圖I，I為晶體生長(zhǎng)爐；2為感應(yīng)線圈；3為圓柱形后感應(yīng)保溫筒；4為梯形后感應(yīng)保溫筒；5為測(cè)溫?zé)犭娕迹?為晶體。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述。如圖I所示，本實(shí)用新型包括晶體生長(zhǎng)裝爐1，還包括一個(gè)位于晶體生長(zhǎng)爐I頂部的隨爐退火裝置，該隨爐退火裝置包括一個(gè)感應(yīng)線圈2，該感應(yīng)線圈2為中頻或高頻感應(yīng)線圈，其截面為方形或圓形，壁厚為0. 5-2_。以及置于感應(yīng)線圈2內(nèi)的圓柱形后感應(yīng)保溫筒 3。還包括一個(gè)位于圓柱形后感應(yīng)保溫筒3上的梯形后感應(yīng)保溫筒4，梯形后感應(yīng)保溫筒4的底面直徑與圓柱形后感應(yīng)保溫筒3的直徑相同，且兩個(gè)感應(yīng)筒的壁厚為0. 5-3_。以及一個(gè)測(cè)溫?zé)犭娕?，測(cè)溫?zé)犭娕?的端部插入圓柱形后感應(yīng)保溫筒3內(nèi)，其插入深度為10mm。使用時(shí)，當(dāng)晶體生長(zhǎng)爐I準(zhǔn)備工作完成后，將圓柱形后感應(yīng)保溫筒3以及梯形后感應(yīng)保溫筒4放置在感應(yīng)線圈2內(nèi)，且置于爐體上方，開(kāi)始晶體生長(zhǎng)過(guò)程。將晶體6向上提拉，使晶體6脫離爐體液面約5mm。然后啟動(dòng)后感應(yīng)線圈電源，使測(cè)溫?zé)犭娕?溫度較沒(méi)有啟動(dòng)熱感應(yīng)線圈電源時(shí)的溫度要高，本實(shí)施例中溫度高約50 V，然后繼續(xù)提拉晶體6至圓柱形后感應(yīng)保溫筒3內(nèi)，此時(shí)通過(guò)控制感應(yīng)線圈2使整個(gè)筒體開(kāi)始降溫，當(dāng)筒內(nèi)溫度降到室溫后，即可開(kāi)爐取出晶體5。同現(xiàn)有技術(shù)相比，保證了晶體生長(zhǎng)完后、從晶體爐中提拉出來(lái)后處于一個(gè)和晶體本身溫度基本相同的溫度場(chǎng)中，而且，這個(gè)溫度場(chǎng)比較均勻，只有很小的溫度梯度，這樣，保證了晶體在降溫過(guò)程中整體處于均勻的溫場(chǎng)下均勻降溫，最大限度的減少了晶體內(nèi)部產(chǎn)生的熱應(yīng)力，保證了晶體的完整性，提高了晶體的成品率，減少了后期專(zhuān)門(mén)的退火設(shè)備和退火時(shí)間，提聞了效率。
權(quán)利要求1.一種晶體爐隨爐退火裝置，包括晶體生長(zhǎng)爐，其特征在于還包括一個(gè)位于晶體生長(zhǎng)爐頂部的隨爐退火裝置，所述的隨爐退火裝置包括一個(gè)感應(yīng)線圈，以及置于感應(yīng)線圈內(nèi)的圓柱形后感應(yīng)保溫筒，還包括一個(gè)位于圓柱形后感應(yīng)保溫筒上的梯形后感應(yīng)保溫筒，以及一個(gè)測(cè)溫?zé)犭娕?，測(cè)溫?zé)犭娕嫉亩瞬坎迦雸A柱形后感應(yīng)保溫筒內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體爐隨爐退火裝置，其特征在于所述感應(yīng)線圈為中頻或高頻感應(yīng)線圈。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的晶體爐隨爐退火裝置，其特征在于所述感應(yīng)線圈的橫截面為方形或圓形，壁厚為O. 5-2mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體爐隨爐退火裝置，其特征在于所述梯形后感應(yīng)保溫筒的底面直徑與圓柱形后感應(yīng)保溫筒的直徑相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體爐隨爐退火裝置，其特征在于所述圓柱形后感應(yīng)保溫筒與梯形后感應(yīng)保溫筒的壁厚為O. 5-3mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體爐隨爐退火裝置，其特征在于所述測(cè)溫?zé)犭娕嫉亩瞬坎迦雸A柱形后感應(yīng)保溫筒內(nèi)，其插入深度為10_。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種晶體生長(zhǎng)爐，具體說(shuō)就是一種晶體爐隨爐退火裝置，包括晶體生長(zhǎng)爐，其特征在于還包括一個(gè)位于晶體生長(zhǎng)爐頂部的隨爐退火裝置，所述的隨爐退火裝置包括一個(gè)感應(yīng)線圈，以及置于感應(yīng)線圈內(nèi)的圓柱形后感應(yīng)保溫筒，還包括一個(gè)位于圓柱形后感應(yīng)保溫筒上的梯形后感應(yīng)保溫筒，以及一個(gè)測(cè)溫?zé)犭娕?，測(cè)溫?zé)犭娕嫉亩瞬坎迦雸A柱形后感應(yīng)保溫筒內(nèi)。本實(shí)用新型同現(xiàn)有技術(shù)相比，晶體生長(zhǎng)完后、從晶體爐中提拉出來(lái)后處于一個(gè)和晶體本身溫度基本相同的溫度場(chǎng)中，保證了晶體的完整性，提高了晶體的成品率，減少了后期專(zhuān)門(mén)的退火設(shè)備和退火時(shí)間，提高了效率。
文檔編號(hào)C30B33/02GK202465959SQ20122001524
公開(kāi)日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2012年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月13日
發(fā)明者華偉, 李艷, 陳偉, 高超 申請(qǐng)人:上海贏奔晶體科技有限公司