專利名稱：一種電磁爐的電壓采樣及浪涌保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及廚房電器領(lǐng)域，特別是一種電磁爐的電壓采樣及浪涌保護(hù)電路。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)的電磁爐中電壓取樣電路和電壓浪涌電路分別從市電通過整流后取得，并引入兩部分從高壓直接并聯(lián)使用。例如，現(xiàn)有一種電磁爐用的電壓和電流浪涌保護(hù)電路，其中設(shè)有電壓浪涌檢測(cè)電路、電流浪涌檢測(cè)電路，再分別接入兩個(gè)電壓比較器，將得出的電壓信號(hào)再接入一個(gè)邏輯或門，再將此數(shù)字邏輯信號(hào)送入一個(gè)IGBT控制模塊加以脈沖輸出。一般地，電壓浪涌電路和電壓取樣電路設(shè)于整流電路前端并從零線電路引出，且分別設(shè)有電壓浪涌口和電壓取樣口，這種方案導(dǎo)致待機(jī)能耗較高。且因?yàn)殡姶艩t的工作電源從市電高壓引入，對(duì)電阻要求較高，成本較高，所以需要解決這種缺陷。 發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提出一種電磁爐的電壓采樣及浪涌保護(hù)電路。為了解決上述技術(shù)問題，提供一種電磁爐的電壓采樣及浪涌保護(hù)電路，包括整流模塊、浪涌檢測(cè)模塊和單片機(jī)MCU，浪涌檢測(cè)模塊包括電壓比較器，電壓比較器的輸出端與單片機(jī)MCU連接，其特征在于所述電壓采樣及浪涌保護(hù)電路還包括與整流模塊連接的信號(hào)米樣模塊，信號(hào)米樣模塊包括加速電容Cl、分壓電阻R2、分壓電阻R3和濾波電容C2,分壓電阻R2和分壓電阻R3之間的連接處設(shè)有信號(hào)采樣端，電壓比較器的輸入端經(jīng)浪涌采樣支路與信號(hào)采樣端連接，且單片機(jī)MCU的輸入口經(jīng)電壓采樣支路與信號(hào)采樣端連接。進(jìn)一步的，信號(hào)采樣模塊連接于整流電路的輸出端。進(jìn)一步的，信號(hào)采樣模塊連接于整流電路的市電電流輸入端處。進(jìn)一步的，電壓采樣支路設(shè)有可控開關(guān)。進(jìn)一步的，電壓采樣支路包括濾波電阻R4和濾波電容C3。進(jìn)一步的，所述電壓比較器集成于MCU內(nèi)部，并通過一個(gè)I/O 口與信號(hào)采樣端加以連接。進(jìn)一步的，整流模塊輸出端與濾波電路連接。由于本實(shí)用新型電磁爐只用一路從市電高壓取得信號(hào)，進(jìn)行電壓浪涌和電壓取樣，故與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下有益效果本方案采用一路從高壓取得的信號(hào)，避免了電壓取樣和浪涌?jī)陕凡⒙?lián)，從而降低了工作功耗及待機(jī)功耗。同時(shí)由于只有一路從高壓取得的信號(hào)，避免了多路多器件增加的成本和噪聲；如果將A/D取樣口與電壓比較器集成在MCU內(nèi)部，也可以減少一個(gè)引腳端，節(jié)約MCU封裝成本；通過節(jié)約器件和封裝，減少了 PCB板大小，降低了成本；實(shí)現(xiàn)了電壓浪涌信號(hào)及電壓取樣信號(hào)復(fù)用，避免了加大待機(jī)功耗和功耗，節(jié)約了元件；同時(shí)通過集成比較器及A/D取樣口，降低了封裝成本和封裝空間，實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品小型化。以下結(jié)合附圖
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明圖I為本實(shí)用新型的實(shí)施例一的電路示意圖；圖2為本實(shí)用新型的實(shí)施例二的電路示意圖；圖3為本實(shí)用新型的實(shí)施例三的電路示意圖；圖4為本實(shí)用新型的實(shí)施例四的電路示意圖；圖5為本實(shí)用新型的實(shí)施例五的電路示意圖。主要元件標(biāo)號(hào)保險(xiǎn)管I、信號(hào)采樣模塊的輸入端11、基準(zhǔn)電壓電路12、整流電路2、信號(hào)采樣端21、濾波電路3、加速電容Cl、主諧振電路4、分壓電阻Rl、MCU5、分壓電阻R2、比較器6、分壓電阻R3、電壓采樣電路7、濾波電容C2、IGBT控制電路8、IGBT電路9、濾波電阻R4、可控開關(guān)31、濾波電容C3、可控開關(guān)32。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例一如圖I所示本實(shí)用新型一種實(shí)施例，一種電磁爐的電壓采樣及浪涌保護(hù)電路，電磁爐包括溫度保險(xiǎn)管I和輸入整流電路2的市電火線L和零線N，濾波電路3和主諧振電路4，電壓采樣及浪涌保護(hù)電路包括整流模塊2、浪涌檢測(cè)模塊和單片機(jī)MCU 5，浪涌檢測(cè)模塊包括電壓比較器6，電壓比較器6的輸出端與單片機(jī)MCU連接，所述電壓采樣及浪涌保護(hù)電路還包括與整流模塊2連接的信號(hào)采樣模塊10，信號(hào)采樣模塊包括加速電容Cl、分壓電阻R2、分壓電阻R3和濾波電容C2，分壓電阻R2和分壓電阻R3之間的連接處設(shè)有信號(hào)采樣端21，電壓比較器的輸入端經(jīng)浪涌采樣支路與信號(hào)采樣端21連接，且單片機(jī)MCU的輸入口經(jīng)電壓采樣支路7與信號(hào)采樣端21連接。電壓比較器6和設(shè)有加速電容Cl、濾波電容C2和分壓電阻R1，R2，R3的信號(hào)采樣模塊10連接。其中信號(hào)采樣模塊10的輸入端11連接于整流電路2輸出端，信號(hào)采樣模塊10設(shè)有信號(hào)采樣端21，信號(hào)采樣模塊10通過其信號(hào)采樣端21分別接入電壓比較器6和MCU 5。主諧振電路4設(shè)有IGBT電路9和電連接至MCU 5的IGBT控制電路8。IGBT電路9的C極與加熱線圈和諧振電容連接，并通過一個(gè)IGBT控制電路8加以控制，MCU 5實(shí)現(xiàn)對(duì)控制電路8的操作。其中，信號(hào)采樣端21是通過電壓采樣支路7接入MCU 5，電壓采樣支路7包括濾波電阻R4和濾波電容C3，電壓比較器6的輸出端接入MCU 5。MCU 5在濾波和軟件處理后進(jìn)行恒功率控制。信號(hào)采樣模塊10的輸入端與整流電路2輸出端的電路連接，實(shí)現(xiàn)電壓取樣和浪涌電壓信號(hào)輸入，經(jīng)過加速電容Cl，分壓電阻Rl和R2后與比較器6的輸入端連接，并在此信號(hào)采樣端21連接至MCU5，實(shí)現(xiàn)MCU 5對(duì)電壓的取樣，經(jīng)過濾波處理后進(jìn)行恒功率控制。實(shí)施例二 如圖2所示，如實(shí)施例一所述的信號(hào)采樣端21連接至比較器6，電壓采樣支路7通過電線直接連接至MCU 5，電壓比較器6的輸出端接入MCU 5的中斷口進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)保護(hù)，通過軟件濾波處理進(jìn)行恒功率控制。實(shí)施例三如圖3所示，其與實(shí)施實(shí)施例一的區(qū)別在于所述的電壓比較器6的輸入端及電壓采樣支路7是都集成在MCU 5內(nèi)部，通過一個(gè)I/O 口與電壓及信號(hào)采樣端21進(jìn)行電氣連接，電壓采樣支路7設(shè)有可控開關(guān)31、32。實(shí)施例四如圖4所示，如實(shí)施例一的區(qū)別在于所述的電壓比較器6是集成于MCU 5內(nèi)部，并通過一個(gè)I/O 口與信號(hào)采樣端21加以連接，其中電壓比較器6輸入端連接至I/O 口以進(jìn) 行電壓浪涌保護(hù)，MCU 5在濾波和軟件處理后進(jìn)行恒功率控制。實(shí)施例五如圖5所不，與實(shí)施例一的區(qū)別在于信號(hào)米樣模塊的輸入端11從整流橋輸入端取樣，并通過二極管進(jìn)行整流。根據(jù)本實(shí)用新型的原理，對(duì)方案中電壓采樣及浪涌保護(hù)電路改進(jìn)或是等同的變化均應(yīng)落在本實(shí)用新型的權(quán)利要求所要求的范圍。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，以上的實(shí)施例僅是用來說明本實(shí)用新型，而并非用作為對(duì)本實(shí)用新型的限定，只要在本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)精神范圍內(nèi)，對(duì)以上實(shí)施例的變化、變型都將落在本實(shí)用新型的權(quán)利要求書范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種電磁爐的電壓采樣及浪涌保護(hù)電路，包括整流模塊(2)、浪涌檢測(cè)模塊和單片機(jī)MCU (5)，浪涌檢測(cè)模塊包括電壓比較器(6)，電壓比較器(6)的輸出端與單片機(jī)MCU連接，其特征在于所述電壓采樣及浪涌保護(hù)電路還包括與整流模塊(2)連接的信號(hào)采樣模塊(10)，信號(hào)采樣模塊包括加速電容Cl、分壓電阻R2、分壓電阻R3和濾波電容C2，分壓電阻R2和分壓電阻R3之間的連接處設(shè)有信號(hào)采樣端(21)，電壓比較器的輸入端經(jīng)浪涌采樣支路與信號(hào)采樣端(21)連接，且單片機(jī)MCU的輸入口經(jīng)電壓采樣支路(7)與信號(hào)采樣端(21)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電磁爐的電壓采樣及浪涌保護(hù)電路，其特征在于所述信號(hào)采樣模塊(10)連接于整流電路(2)的輸出端。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電磁爐的電壓采樣及浪涌保護(hù)電路，其特征在于所述信號(hào)采樣模塊(10)連接于整流電路(2)的市電電流輸入端處。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的電磁爐的電壓采樣及浪涌保護(hù)電路，其特征在于所述電壓采樣支路(7)設(shè)有可控開關(guān)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的電磁爐的電壓采樣及浪涌保護(hù)電路，其特征在于所述電壓采樣支路(7)包括濾波電阻R4和濾波電容C3。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的電磁爐的電壓采樣及浪涌保護(hù)電路，其特征在于所述電壓比較器(6)集成于MCU (5)內(nèi)部，并通過一個(gè)I/O 口與信號(hào)采樣端(21)加以連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電磁爐的電壓采樣及浪涌保護(hù)電路，其特征在于所述整流模塊(2 )輸出端與濾波電路(3 )連接。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種電磁爐的電壓采樣及浪涌保護(hù)電路，包括整流模塊、浪涌檢測(cè)模塊和單片機(jī)MCU，浪涌檢測(cè)模塊包括電壓比較器，電壓比較器的輸出端與單片機(jī)MCU連接，其特征在于所述電壓采樣及浪涌保護(hù)電路還包括與整流模塊連接的信號(hào)采樣模塊，信號(hào)采樣模塊包括加速電容C1、分壓電阻R2、分壓電阻R3和濾波電容C2，分壓電阻R2和分壓電阻R3之間的連接處設(shè)有信號(hào)采樣端，電壓比較器的輸入端經(jīng)浪涌采樣支路與信號(hào)采樣端連接，且單片機(jī)MCU的輸入口經(jīng)電壓采樣支路與信號(hào)采樣端連接，避免了取樣和浪涌?jī)陕凡⒙?lián)，從而降低了工作功耗及待機(jī)功耗。
文檔編號(hào)H05B6/06GK202679686SQ20122020427
公開日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2012年5月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月9日
發(fā)明者朱澤春, 喬中義, 雷雄峰 申請(qǐng)人:九陽(yáng)股份有限公司