專利名稱：一種用于拉制6寸區(qū)熔單晶硅加熱線圈的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及硅制備エ藝單晶生產(chǎn)線圈，尤其涉及ー種用于拉制6寸區(qū)熔單晶娃加熱線圈。
背景技術：
在硅制備技術領域，區(qū)熔法將一多晶硅棒通過環(huán)帶狀加熱器，以產(chǎn)生局部融化現(xiàn)象，再控制凝固過程而生長單晶棒，在生長單晶時，使圓柱形硅棒固定于垂直方向旋轉，用高頻感應線圈在氬氣氣氛中加熱，使棒的底部和在其下部靠近的同軸固定的單晶籽晶間形成熔滴，這兩個棒朝相反方向旋轉，然后將在多晶棒與籽晶間僅靠表面張カ形成的熔區(qū)沿棒長逐步向上移動，將其轉換成單晶。但對于目前同類裝置，很多因線圈結構與局部尺寸不 合理受限，使其不利于大直徑單晶的生長成功率，特別是對于多晶原料的直徑不同和不規(guī)則運動的形狀效果不明顯，存在著硅刺現(xiàn)象，成晶不穩(wěn)定。因此，針對以上方面，需要對現(xiàn)有技術進行合理的改進。

實用新型內容針對以上缺陷，本實用新型提供ー種有利于提高成晶率、降低功耗損失、可消除硅刺現(xiàn)象、利于散熱、成晶更穩(wěn)定的用于拉制6寸區(qū)熔單晶硅加熱線圏，以解決現(xiàn)有技術的諸多不足。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用以下技術方案ー種用于拉制6寸區(qū)熔單晶硅加熱線圈，包括線圈盤體，此線圈盤體與外側線圈法蘭盤相接，所述線圈盤體外圍環(huán)繞設置環(huán)形線圈水路，位于線圈水路里側設置線圈臺階；所述線圈盤體外徑設置為I 50 mm-270mm。本實用新型所述的用于拉制6寸區(qū)熔單晶硅加熱線圈的有益效果為(I)產(chǎn)品單匝加熱線圈內徑小，可形成腰細、距離短的熔區(qū)，使之更穩(wěn)定；不受線圈內徑的限制，適合于制備大直徑FZ硅單晶，在生產(chǎn)中加熱后產(chǎn)生磁場應力，和爐內生長條件形成ー個非動態(tài)平衡條件，從而有利于循環(huán)生產(chǎn)；(2)通過優(yōu)化拓寬了線圈水路結構，對于單晶生產(chǎn)中線圈產(chǎn)生的熱量利于散熱，有利于保護廣品、提聞成晶率、尤其對于大直徑單晶生長可提聞成功率；(3)線圈腿腳増加了電極的橫截面積，利于降低功耗的損失，提高了功率利用率；(4)通過增設線圈臺階，可依據(jù)不同直徑的原料采用不同的線圈來改變生長時產(chǎn)生的磁場，利于單晶的生長，單晶成功率變高，生產(chǎn)エ藝成本可相對降低；(5)通過線圈傾斜角度的改變，使加熱磁場的方向做了改變，對于原料化料的形狀和旋轉的角度改變較為理想；(6)通過線圈直徑(外徑)尺寸的精確設置，有利于多晶原料的直徑不同和不規(guī)則運動的形狀化料有很好的效果，有利于多晶原料消除硅刺的現(xiàn)象，成晶更穩(wěn)定。
下面根據(jù)附圖對本實用新型作進ー步詳細說明。圖I是本實用新型實施例所述用于拉制6寸區(qū)熔單晶硅加熱線圈示意圖。圖中I、線圈法蘭盤；2、線圈中心；3、線圈臺階；4、線圈水路；5、線圈盤體。
具體實施方式
如圖I所示，本實用新型實施例所述的用于拉制6寸區(qū)熔單晶硅加熱線圈，包括線圈盤體5，此線圈盤體5與外側線圈法蘭盤I相接，位于線圈盤體5的線圈中心2外圍設置線圈臺階3，同時，所述線圈盤體5外圍環(huán)繞設置ー圈線圈水路4 ;此外，對于工作線圈中的線圈縫也進行了改變，線圈縫的傾斜夾角在40°至70°之間，所述線圈臺階3的高度范圍·為此線圈盤體5外徑范圍為150mm-270mm。該產(chǎn)品單阻加熱線圈內徑小,可形成腰細、距離短的熔區(qū)，使之更穩(wěn)定；不受線圈內徑的限制，適合于制備大直徑FZ硅單晶，在生產(chǎn)中加熱后產(chǎn)生磁場應力，和爐內生長條件形成ー個非動態(tài)平衡條件，從而有利于循環(huán)生產(chǎn)；線圈使用中，產(chǎn)生溫度過高不利于單晶生長，本產(chǎn)品中對于線圈的水路也作了優(yōu)化設計。以上實施例是本實用新型較優(yōu)選具體實施方式
的ー種，本領域技術人員在本技術方案范圍內進行的通常變化和替換應包含在本實用新型的保護范圍內。
權利要求1.ー種用于拉制6寸區(qū)熔單晶硅加熱線圈，包括線圈盤體(5)，此線圈盤體(5)與外側線圈法蘭盤(I)相接，其特征在于所述線圈盤體(5)外圍環(huán)繞設置環(huán)形線圈水路(4)，位于線圈水路(4)里側設置線圈臺階(3)，。
2.根據(jù)權利要求I所述的用于拉制6寸區(qū)熔單晶硅加熱線圈，其特征在于所述線圈盤體(5)外徑設置為150mm-270mm。
專利摘要本實用新型涉及一種用于拉制6寸區(qū)熔單晶硅加熱線圈，包括線圈盤體，此線圈盤體與外側線圈法蘭盤相接，所述線圈盤體外圍環(huán)繞設置環(huán)形線圈水路，位于線圈水路里側設置線圈臺階，線圈盤體外徑設置為150mm-270mm。本實用新型有益效果為產(chǎn)品單匝加熱線圈內徑小，可形成腰細、距離短的熔區(qū)，使之更穩(wěn)定；在生產(chǎn)中加熱后產(chǎn)生磁場應力，和爐內生長條件形成一個非動態(tài)平衡條件，從而有利于循環(huán)生產(chǎn)；尤其對于大直徑單晶生長可提高成功率，利于降低功耗的損失，提高了功率利用率；可依據(jù)不同直徑的原料采用不同的線圈來改變生長時產(chǎn)生的磁場，對于原料化料的形狀和旋轉的角度改變較為理想；有利于多晶原料消除硅刺的現(xiàn)象，成晶更穩(wěn)定。
文檔編號C30B13/20GK202658263SQ20122023594
公開日2013年1月9日 申請日期2012年5月24日 優(yōu)先權日2012年5月24日
發(fā)明者劉劍 申請人:劉劍