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一種能提高石英坩堝投料量的環(huán)形卡套式裝置的制作方法

文檔序號:8169168閱讀:435來源:國知局
專利名稱:一種能提高石英坩堝投料量的環(huán)形卡套式裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種太陽能行業(yè)的石英坩堝,特別涉及能提高石英坩堝投料量的
裝直。
背景技術(shù)
多晶硅鑄錠是多晶硅片生產(chǎn)中的一個環(huán)節(jié),在多晶硅鑄錠前需將多晶硅料裝入石英坩堝中再投入多晶鑄錠爐中進行鑄錠。由于多晶硅料形狀不一,在投料過程中多晶硅料之間會產(chǎn)生大量空隙從而影響了投料量。目前公知的石英坩堝結(jié)構(gòu)見圖1。坩堝高度為420mm,投料量約為450kg,鑄錠出的硅錠高度為約280mm,相對于石英坩堝的高度420mm尚有160_高度的空間未被利用。如果能在石英坩堝上加入一種裝置提高坩堝高度,即可增加多晶硅投料量,從而能夠降低硅錠單位重量的能耗和生產(chǎn)成本。
發(fā)明內(nèi)容為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺點,本實用新型提供了一種能提高石英坩堝投料量的裝置。既在420mm石英坩堝上加入一種裝置提高石英坩堝的高度,以實現(xiàn)增加多晶投料量的目的。本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:本裝置為環(huán)形卡套式結(jié)構(gòu),由兩種部件(部件1(圖3、4、5)和部件2(圖6、7、8))每種四個共八個部件組合而成,裝置底部是深30mmX寬30mm的環(huán)形槽、裝置的內(nèi)徑小于坩堝內(nèi)徑、方罩的外徑大于坩堝的外徑,環(huán)形槽寬度略大于坩堝壁厚度可以不用任何固定件直接套在420_石英坩堝頂部,提高了420_石英坩堝的投料量。本裝置所用材料為高純氮化硅,可耐1500攝氏度高溫、不易變形且不與硅液反應(yīng),不影響硅錠品質(zhì),可重復(fù)使用。本實用新型的有益效果是:結(jié)構(gòu)簡單,操作方便,可重復(fù)使用,增加了 420mm石英坩堝的投料量,降低了生產(chǎn)成本,使每爐產(chǎn)能提高約有15%,并且大大提高成品率。

圖1是現(xiàn)在420mm石英坩堝的俯視圖圖2是現(xiàn)在420mm石英坩堝的正視圖圖3是本實用新型裝置部件I的俯視圖圖4是本實用新型裝置部件I的正視圖圖5是本實用新型裝置部件I的側(cè)視圖圖6是本實用新型裝置部件2的正視圖圖7是本實用新型裝置部件2的俯視圖圖8是本實用新型裝置部件2的側(cè)視圖圖9是本實用新型裝置部件I和部件2組合之后的示意圖圖10是本實用新型裝置與420mm石英坩堝組合之后的俯視圖[0016]圖11是本實用新型裝置與420mm石英坩堝組合之后的正視圖圖中1.部件1,2.部件2,3.420mm石英坩堝
具體實施方式
結(jié)合附圖對本實用新型實施例進一步說明。如圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8和圖9,圖3、4、5為部件1,圖6、7、8為部件2,四個部件I和四個部件2間隔排列組成一個環(huán)形卡套式裝置,即圖9。如圖10和圖11,本實用新型環(huán)形卡套式裝置直接套在現(xiàn)在用的420mm坩堝3上方。加本裝置后的纟甘禍聞于原纟甘禍聞度60mm,相當(dāng)于將原樹禍的聞度提聞為480mm,可裝入500-600kg的硅料。根據(jù)實際生產(chǎn)的數(shù)據(jù)可知,600kg的硅料產(chǎn)出的硅錠高度約為360_,原坩堝高度為420mm左右,距離坩堝上沿還有60mm的空間,所以本裝置位于坩堝內(nèi)側(cè)的部分完全不會影響鑄錠的過程,不會在熔化階段和長晶階段與硅料接觸,也不會影響硅錠品質(zhì)。
權(quán)利要求1.一種能提高石英坩堝投料量的環(huán)形卡套式裝置,其特征是:一個環(huán)形裝置,由兩種部件、每種四個、共八個部件組合而成,裝置為卡套式可直接套在石英坩堝頂部,裝置提高了石英坩堝高度從而達到提高投料量的目的,裝置材質(zhì)為高純氮化硅,裝置可以重復(fù)使用。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能提高石英坩堝投料量的環(huán)形卡套式裝置,其特征是由兩種部件、每種四個交替連接而成一個環(huán)形裝置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種能提高石英坩堝投料量的環(huán)形卡套式裝置,其特征是裝置的內(nèi)徑小于坩堝內(nèi)徑,方罩的外徑大于坩堝的外徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能提高石英坩堝投料量的環(huán)形卡套式裝置,其特征是裝置底部是深30mmX寬30mm的環(huán)形槽,其寬度略大于坩堝壁厚度可以直接套在坩堝上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能提高石英坩堝投料量的環(huán)形卡套式裝置,其特征是裝置材質(zhì)為能耐1500攝氏度1 溫的1 純氣化娃,可以重復(fù)使用。
專利摘要本實用新型公開了一種能提高石英坩堝投料量的環(huán)形卡套式裝置,它選用高純氮化硅材料制成兩種部件,每種4個,共8個,這些部件組合起來構(gòu)成環(huán)形卡套式裝置,可直接套在420mm石英坩堝頂部,高溫下不宜變形和開裂,結(jié)構(gòu)簡單,操作方便。本裝置可重復(fù)使用,增加每爐的多晶硅投料量。
文檔編號C30B28/06GK203021678SQ20122036952
公開日2013年6月26日 申請日期2012年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月30日
發(fā)明者王新, 張鳴劍, 張紅光, 林哲, 張建超, 趙兵, 李書聲 申請人:北京京儀集團涿鹿光伏材料有限公司
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