專利名稱：一種高純度硅片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及晶態(tài)硅技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高純度的晶態(tài)硅片。
背景技術(shù)：
晶態(tài)娃分為單晶娃和多晶娃，它們均具有金剛石晶格，晶體硬而脆，具有金屬光澤，能導(dǎo)電，但導(dǎo)電率不及金屬，且隨溫度升高而增加，具有半導(dǎo)體性質(zhì)。單晶硅在日常生活中是電子計算機(jī)、自動控制系統(tǒng)等現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)中不可缺少的基本材料。電視、電腦、冰箱、電話、手表、汽車，處處都離不開單晶硅材料，單晶硅作為科技應(yīng)用普及材料之一，已經(jīng)滲透到人們生活中的各個角落。多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異 主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如，在力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)和熱學(xué)性質(zhì)的各向異性方面，遠(yuǎn)不如單晶硅明顯；在電學(xué)性質(zhì)方面，多晶硅晶體的導(dǎo)電性也遠(yuǎn)不如單晶硅顯著，甚至于幾乎沒有導(dǎo)電性?，F(xiàn)有技術(shù)中聞純度的娃片，無論是單晶娃還是多晶娃，其形狀通常都是正方形，該正方形的四個角都是圓角，這主要是由單晶硅片的制造工藝所決定的，而且硅片在使用過程中容易損壞，現(xiàn)在對于已經(jīng)損壞的單晶硅片通常都是做廢棄處理，造成了極大的浪費，而事實上，這些已經(jīng)損壞的單晶硅片在進(jìn)行重新切割后部分是可用的。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于，提出一種高純度硅片，其采用長方形結(jié)構(gòu)設(shè)置，可以避免正方形浪費硅片，可對硅棒體進(jìn)行更多的利用。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供了一種高純度硅片，其包括硅片本體，所述硅片本體為單晶硅片或多晶硅片，該硅片本體為四個頂角均為直角的長方形結(jié)構(gòu)。具體的，所述硅片本體可以采用4. 5英寸X3. 5英寸的長方形結(jié)構(gòu)設(shè)置?；蛘?，所述硅片本體還可以采用3. 5英寸X5英寸的長方形結(jié)構(gòu)設(shè)置。此外，所述硅片本體還可以采用6英寸X 4英寸的長方形結(jié)構(gòu)設(shè)置。本實用新型的高純度硅片，其采用長方形的結(jié)構(gòu)設(shè)計，且長方形的四個頂角均采用直角設(shè)置，不僅可以避免正方形設(shè)置浪費硅片的缺點，且可以對硅棒體進(jìn)行更多的利用，減少損耗，可以在一定程度上降低生產(chǎn)成本。

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。[0011]圖I為本實用新型的高純度硅片一種具體實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。如圖I所示，本實用新型提供一種高純度硅片，其包括硅片本體10，所述硅片本體10可以為單晶硅片或多晶硅片，該硅片本體10為四個頂角均為直角的長方形結(jié)構(gòu)。該直角設(shè)置的長方形結(jié)構(gòu)，可以使得硅片的表面積更大，在利用本實用新型制成的電池拼裝成電池組的時候，電池與電池之間的間隙幾乎沒有，因此，本實用新型相對現(xiàn)有的正方形結(jié)構(gòu)的硅片而言，還具有發(fā)電功率高，利用其制成電池后在拼裝時安裝空間的利用更為充分的優(yōu)點?！0014]本實用新型的高純度硅片在具體制作時，硅片本體10的長度與寬度均需小于硅棒體(未圖示)的直徑。作為本實用新型的一種選擇性實施例，該硅片本體10可以采用4. 5英寸X3. 5英寸的長方形結(jié)構(gòu)設(shè)置。或者，所述硅片本體10還可以采用3. 5英寸X5英寸的長方形結(jié)構(gòu)設(shè)置。此外，作為本實用新型的另一種選擇性實施例，所述硅片本體10還可以采用6英寸X4英寸的長方形結(jié)構(gòu)設(shè)置。在本實用新型其它具體實施例中，該硅片本體10的長度與寬度均可根據(jù)硅棒體的直徑及實際的尺寸需求進(jìn)行具體制作。該長方形結(jié)構(gòu)設(shè)置的硅片本體10可以避免正方形設(shè)置浪費硅片的缺點，且可以對硅棒體進(jìn)行更多的利用，減少資源損耗，可以在一定程度上降低生產(chǎn)成本。以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種高純度硅片，包括硅片本體，其特征在于，所述硅片本體為單晶硅片或多晶硅片，該硅片本體為四個頂角均為直角的長方形結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求I所述的一種高純度硅片，其特征在于，所述硅片本體采用4.5英寸X 3. 5英寸的長方形結(jié)構(gòu)設(shè)置。
3.如權(quán)利要求I所述的一種高純度硅片，其特征在于，所述硅片本體采用3.5英寸X5英寸的長方形結(jié)構(gòu)設(shè)置。
4.如權(quán)利要求I所述的一種高純度硅片，其特征在于，所述硅片本體采用6英寸X4英寸的長方形結(jié)構(gòu)設(shè)置。·
專利摘要本實用新型涉及晶態(tài)硅技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種高純度硅片，其包括硅片本體，所述硅片本體為單晶硅片或多晶硅片，該硅片本體為四個頂角均為直角的長方形結(jié)構(gòu)。本實用新型的高純度硅片，其采用長方形的結(jié)構(gòu)設(shè)計，且長方形的四個頂角均采用直角設(shè)置，不僅可以避免正方形設(shè)置浪費硅片的缺點，且可以對硅棒體進(jìn)行更多的利用，減少損耗，可以在一定程度上降低生產(chǎn)成本。
文檔編號C30B29/06GK202786508SQ201220414958
公開日2013年3月13日 申請日期2012年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月21日
發(fā)明者夏學(xué)軍 申請人:云南三奇光電科技有限公司