專利名稱：高頻基板結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種高頻基板結(jié)構(gòu)，尤指一種在兩金屬層之間夾置復(fù)合膜的高頻基板結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
印刷電路板是電子產(chǎn)品中不可或缺的材料，而隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求成長，對于印刷電路板的需求亦是與日俱增。由于軟性印刷電路板具有可撓曲性及可三度空間配線等特性，在科技化電子產(chǎn)品強(qiáng)調(diào)輕薄短小、可撓曲性的發(fā)展驅(qū)勢下，目前被廣泛應(yīng)用計(jì)算機(jī)及其外圍設(shè)備、通訊產(chǎn)品以及消費(fèi)性電子產(chǎn)品等等。近來，由于電子產(chǎn)品已走向高速及高頻的應(yīng)用趨勢，使得現(xiàn)今電子產(chǎn)品都需要使用高頻電路用印刷電路基板來支持，以達(dá)到高頻及高速的運(yùn)作功效。在眾多被用作為高頻 電路用印刷電路基板的材料中，除了陶瓷和發(fā)泡材料外，以氟系樹脂居多，其原因在于氟系樹脂具有低介電常數(shù)(Dk)和低介電損耗(Df )，如聚四氟乙烯(PTFE)基板在頻率IOGHz下具有Dk值2. I、Df值O. 0004，與低吸水率O. 0003等優(yōu)異的電氣性質(zhì)。但是，PTFE基板低玻璃轉(zhuǎn)移溫度Tg是19 °C，耐熱性不足。因此，仍需要開發(fā)能夠改善制程加工性，同時(shí)具有低介電常數(shù)與低介電損耗以及耐熱性佳的高頻基板結(jié)構(gòu)。

實(shí)用新型內(nèi)容為了克服上述缺陷，本實(shí)用新型提供了一種高頻基板結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型的高頻基板結(jié)構(gòu)制程加工性好，且具有低介電常數(shù)、低介電損耗以及良好的耐熱性。本實(shí)用新型為了解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種高頻基板結(jié)構(gòu)，包括復(fù)合膜，所述復(fù)合膜由依序相迭合的第一子層、第二子層和第三子層三個(gè)子層構(gòu)成，其中，所述第一子層、所述第二子層和所述第三子層三個(gè)子層中至少有一個(gè)子層為氟系聚合物層；還包括第一金屬層，所述第一金屬層形成于所述第一子層上，且所述第一子層夾置于所述第二子層和所述第一金屬層之間；還包括第二金屬層，所述第二金屬層形成于所述第三子層上，且所述第三子層夾置于所述第二子層與所述第二金屬層之間。較佳地，所述第二子層為氟系聚合物層，所述第一子層和所述第三子層皆為聚酰亞胺層。較佳地，所述氟系聚合物層是四氟乙烯與乙烯的共聚物(ETFE)層、聚四氟乙烯聚六氟丙烯共聚物層或聚四氟乙烯層(polytetrafIuorethylene)。優(yōu)選的是,所述氟系聚合物層是聚四氟乙烯(polytetrafluorethylene)層或四氟乙烯與乙烯的共聚物(ETFE)層。較佳地，所述第一金屬層和所述第二金屬層皆是銅層。較佳地，所述氟系聚合物層的厚度介于25至50微米之間。[0014]較佳地，所述第一金屬層和所述第二金屬層的厚度是各自介于12至36微米之間。較佳地，所述第一子層和所述第三子層的厚度是各自介于6至25微米之間。本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型的高頻基板結(jié)構(gòu)，包括復(fù)合膜，復(fù)合膜由依序相迭合的第一子層、第二子層和第三子層三個(gè)子層構(gòu)成，其中，三個(gè)子層中至少有一個(gè)子層為氟系聚合物層，還包括第一金屬層，第一金屬層形成于第一子層上，還包括第二金屬層，第二金屬層形成于第三子層上，本實(shí)用新型的高頻基板結(jié)構(gòu)制程加工性好，且經(jīng)測試結(jié)果可知本實(shí)用新型的高頻基板結(jié)構(gòu)具有低介電常數(shù)、低介電損耗以及良好的耐熱性。

圖I為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下通過特定的具體實(shí)施例說明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)及功效。本實(shí)用新型也可以其它不同的方式予以實(shí)施，即，在不悖離本實(shí)用新型所揭示的范疇下，能予不同的修飾與改變。須知，本說明書的附圖所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域普通技術(shù)人員了解與閱讀，并非用以限定本實(shí)用新型可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本實(shí)用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本實(shí)用新型所揭示的技術(shù)內(nèi)容能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說明書中所引用的如“上”、“第一”及“第二”等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本實(shí)用新型可實(shí)施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本實(shí)用新型可實(shí)施的范疇。實(shí)施例請參照圖1，為顯示本實(shí)用新型的高頻基板結(jié)構(gòu)100，包括第一金屬層110 ;復(fù)合膜120，該復(fù)合膜具有第一子層121、第二子層122及第三子層123 ;第二金屬層130 ;該第一金屬層110形成于該復(fù)合膜120的第一子層121上,使該第一子層121夾置于該第二子層122與第一金屬層110之間；該第二金屬層130形成于該第三子層123上,使該第三子層123夾置于該第二子層122與第二金屬層130之間。本實(shí)用新型的高頻基板結(jié)構(gòu)100的第二子層122是使用具有低介電常數(shù)材質(zhì)的氟系聚合物層，其實(shí)例包括但非限于聚四氟乙烯聚六氟丙烯共聚物、四氟乙烯與乙烯的共聚物或聚四氟乙烯。因氟系樹脂材料本身具有分子墮性與低表面能特性，因此，為提高其與第一子層和第三子層黏著特性，第二子層最佳使用為表面粗化處理的表面改質(zhì)氟系樹脂膜。具體實(shí)施時(shí)，該氟系聚合物層的材質(zhì)可以是聚四氟乙烯或四氟乙烯與乙烯的共聚物。一般而言，該第二子層22的厚度為25至50微米。本實(shí)用新型的高頻基板結(jié)構(gòu)100的第一金屬層110及第二金屬層130是銅層，且該第一金屬層110及第二金屬層130層之厚度系各自介于12至36微米之間。本實(shí)用新型的第一子層121與第三子層123可為為聚酰亞胺層，其厚度系各自介于6至25微米。本實(shí)施例的高頻基板的制造方法如下[0026]復(fù)合膜的第二子層使用一厚度為25微米的雙面改質(zhì)聚四氟乙烯膜(迪渥工業(yè)型號SD-222)，其中，第一金屬層和第二金屬層是銅箔，在各銅箔上涂布聚酰胺酸并經(jīng)烘箱干燥以及亞酰胺化后形成由第一金屬層以及第一子層構(gòu)成的單面無膠的第一覆銅板以及由第二金屬層以及第三子層構(gòu)成的單面無膠的第二覆銅板，其中，第一子層和第三子層為聚酰亞胺層且其厚度皆為12微米，將該聚四氟乙烯膜的兩面熱壓合第一覆銅板以及第二覆銅板后即可得到如圖I所示的高頻基板結(jié)構(gòu)。比較例I及2 :在比較例I中，復(fù)合膜的第二子層使用厚度為25微米的杜邦Kapton聚酰亞胺膜，首先，是將25微米的雙面改質(zhì)聚四氟乙烯膜(迪渥工業(yè)型號SD-222)做為第一子層與第三子層。接著，將該兩單面聚四氟乙烯膜熱壓合Kapton聚酰亞胺膜后形成復(fù)合膜，將該復(fù)合膜上下兩面熱壓12微米銅箔后形成比較例I的高頻基板結(jié)構(gòu)。另外，比較例2是將50微米聚四氟乙烯膜相對上下兩面熱壓18微米銅箔后形成比較例2的高頻基板結(jié)構(gòu)。測試?yán)哳l基板的電氣特性測試根據(jù)表I所示資料制備高頻基板樣品，并對該樣品進(jìn)行機(jī)械特性與電氣特性測試，測試項(xiàng)目包括熱應(yīng)力試驗(yàn)(Thermal stress test)，采用IPC-TM-65022的熱應(yīng)力試驗(yàn)方法，評估基板材料在高溫錫爐下了解材料的耐熱能力；介電常數(shù)和介電損耗量測則系依據(jù)ASTM 2520波導(dǎo)諧振腔(Waveguide Resonators)測試方式，并將結(jié)果記錄于表I。表I
權(quán)利要求1.一種高頻基板結(jié)構(gòu)，其特征在于包括復(fù)合膜，所述復(fù)合膜由依序相迭合的第一子層、第二子層和第三子層三個(gè)子層構(gòu)成，其中，所述第一子層、所述第二子層和所述第三子層三個(gè)子層中至少有一個(gè)子層為氟系聚合物層；還包括第一金屬層，所述第一金屬層形成于所述第一子層上，且所述第一子層夾置于所述第二子層和所述第一金屬層之間；還包括第二金屬層，所述第二金屬層形成于所述第三子層上，且所述第三子層夾置于所述第二子層與所述第二金屬層之間。
2.如權(quán)利要求I所述的高頻基板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第二子層為氟系聚合物層，所述第一子層和所述第三子層皆為聚酰亞胺層。
3.如權(quán)利要求I所述的高頻基板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述氟系聚合物層是四氟乙烯與乙烯的共聚物層、聚四氟乙烯聚六氟丙烯共聚物層或聚四氟乙烯層。
4.如權(quán)利要求3所述的高頻基板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述氟系聚合物層是聚四氟乙烯層或四氟乙烯與乙烯的共聚物層。
5.如權(quán)利要求I所述的高頻基板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一金屬層和所述第二金屬層皆是銅層。
6.如權(quán)利要求I所述的高頻基板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述氟系聚合物層的厚度介于25至50微米之間。
7.如權(quán)利要求I所述的高頻基板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一金屬層和所述第二金屬層的厚度是各自介于12至36微米之間。
8.如權(quán)利要求2所述的高頻基板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一子層和所述第三子層的厚度是各自介于6至25微米之間。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種高頻基板結(jié)構(gòu)，包括復(fù)合膜，所述復(fù)合膜由依序相迭合的第一子層、第二子層和第三子層三個(gè)子層構(gòu)成，其中，所述第一子層、所述第二子層和所述第三子層三個(gè)子層中至少有一個(gè)子層為氟系聚合物層；還包括第一金屬層，所述第一金屬層形成于所述第一子層上，且所述第一子層夾置于所述第二子層和所述第一金屬層之間；還包括第二金屬層，所述第二金屬層形成于所述第三子層上，且所述第三子層夾置于所述第二子層與所述第二金屬層之間，本實(shí)用新型的高頻基板結(jié)構(gòu)制程加工性好，且經(jīng)測試結(jié)果可知本實(shí)用新型的高頻基板結(jié)構(gòu)具有低介電常數(shù)、低介電損耗以及良好的耐熱性。
文檔編號H05K1/03GK202773176SQ20122042851
公開日2013年3月6日 申請日期2012年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月28日
發(fā)明者林志銘, 洪金賢, 林惠峰, 李建輝 申請人:昆山雅森電子材料科技有限公司