專利名稱：一種太陽能單晶硅棒的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及硅棒的領(lǐng)域，尤其是一種太陽能單晶硅棒。
背景技術(shù)：
目前世界光伏產(chǎn)業(yè)以31. 2%的年平均增長率高速發(fā)展，位于全球能源發(fā)電市場增長率首位。各國根據(jù)這一趨勢，紛紛出臺有力政策或制定發(fā)展計(jì)劃，使光伏市場呈現(xiàn)出蓬勃發(fā)展的格局。近幾年來，隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，單晶硅被用來制作太陽能電池，呈現(xiàn)出供不應(yīng)求的局面。太陽能電池板在陽光照射下，光能便立即轉(zhuǎn)化成電能，而且能不停地發(fā)電，可以連續(xù)工作20年以上。他發(fā)出的直流電可直接供給用電器，還可以儲存到蓄電池內(nèi)，再逆變成220V/380V交流電，進(jìn)而組裝成太陽能發(fā)電機(jī)組，供各種家用電器使用，還可以將許多硅電池鏈接起來，組裝成光伏電站向國家電網(wǎng)輸電。太陽能光伏電池是國家大力推廣，發(fā)展前途光明，沒有污染的綠色能源?！尉Ч璋羰枪璧膯尉w，是具有基本完整點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體，不同的方法具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料，有較弱的導(dǎo)電性，其導(dǎo)電率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導(dǎo)電性。在單晶硅棒線切割時(shí)，線網(wǎng)接觸晶棒表面的時(shí)候，由于力的作用容易造成硅棒的擺動，這樣就容易造成切割出來的晶片厚薄不均勻，從而導(dǎo)致晶片的性能，另外，目前現(xiàn)有的對單晶硅棒進(jìn)行切割只能進(jìn)行單根的硅棒切割，其切割效率低，如果疊加起來進(jìn)行切割的話，又會造成硅棒的不對齊從而導(dǎo)致切割不平整的現(xiàn)象。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是為了克服上述中存在的問題，提供了一種太陽能單晶硅棒，其設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)合理并且不易在切割過程中被磨料沖碎、成品率高。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種太陽能單晶硅棒，包括復(fù)數(shù)根單晶硅棒體疊加而成，所述的單晶硅棒體的上表面設(shè)有與單晶硅棒體相貼合的保護(hù)膜，保護(hù)膜上覆蓋有粘貼層，單晶硅棒體的下部設(shè)有底板，底板上涂覆有環(huán)氧樹脂粘貼層，單晶硅棒體的兩側(cè)均設(shè)有擋板，單晶硅棒體通過擋板粘貼在底板上。進(jìn)一步地，所述粘貼層的材質(zhì)是環(huán)氧樹脂制成。為了能夠?qū)⑶懈顗虻挠嗔侠^續(xù)回收，所述的單晶硅棒體橫截面的相鄰棱邊相交處是倒角結(jié)構(gòu)，其倒角與棱邊之間的夾角呈60°。所述的單晶硅棒體的長度是220 280mm。本實(shí)用新型的有益效果是所述的太陽能單晶硅棒，此設(shè)計(jì)的硅棒，能夠在進(jìn)行線網(wǎng)切割時(shí)，避免出現(xiàn)厚度不均勻的現(xiàn)象，能夠有效地提聞晶片的質(zhì)量。
以下結(jié)合附圖
和實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。圖I是本實(shí)用新型所述的太陽能單晶硅棒的主視圖；[0012]圖2的本實(shí)用新型所述的太陽能單晶硅棒的側(cè)視圖。附圖中標(biāo)記分述如下1、單晶硅棒體，2、保護(hù)膜，3、粘貼層，4、底板，5、環(huán)氧樹脂粘貼層，6、擋板。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu)成。如圖I和圖2所示的太陽能單晶硅棒，包括復(fù)數(shù)根長度為250mm的單晶硅棒體I疊加而成，單晶硅棒體I的橫截面的相鄰棱邊相交處為倒角結(jié)構(gòu)，其倒角與棱邊之間的夾角呈60°，在單晶硅棒體I的上表面設(shè)有與單晶硅棒體I相貼合的保護(hù)膜2，保護(hù)膜2上覆蓋有材質(zhì)為環(huán)氧樹脂的粘貼層3，單晶硅棒體I的下部設(shè)有底板4，底板4上涂覆有環(huán)氧樹 脂粘貼層5，單晶硅棒體I的兩側(cè)均設(shè)有擋板6，單晶硅棒體I通過擋板6粘貼在底板4上。本實(shí)用新型的太陽能單晶硅棒，利用多根單晶硅棒體相互疊加起來，上下兩根單晶硅棒體I通過保護(hù)膜2上面的粘貼層3進(jìn)行粘貼，底板4通過環(huán)氧樹脂粘貼層粘住單晶硅棒體I的底部，在切割時(shí)，使其切割更加平整，保證了切割后晶片的品質(zhì)。以上述依據(jù)本實(shí)用新型的理想實(shí)施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項(xiàng)實(shí)用新型技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)實(shí)用新型的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。
權(quán)利要求1.一種太陽能單晶硅棒，其特征是包括復(fù)數(shù)根單晶硅棒體(I)疊加而成，所述的單晶硅棒體(I)的上表面設(shè)有與單晶硅棒體(I)相貼合的保護(hù)膜(2)，保護(hù)膜(2)上覆蓋有粘貼層(3)，單晶硅棒體(I)的下部設(shè)有底板(4)，底板(4)上涂覆有環(huán)氧樹脂粘貼層(5)，單晶硅棒體(I)的兩側(cè)均設(shè)有擋板(6)，單晶硅棒體(I)通過擋板(6)粘貼在底板(4)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的太陽能單晶硅棒，其特征是所述粘貼層(3)的材質(zhì)是環(huán)氧樹脂制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的太陽能單晶硅棒，其特征是所述的單晶硅棒體(I)橫截面的相鄰棱邊相交處是倒角結(jié)構(gòu)，其倒角與棱邊之間的夾角60°。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的太陽能單晶硅棒，其特征是所述的單晶硅棒體(I)的長度是 220 280mm。
專利摘要本實(shí)用新型涉及太陽能單晶硅棒，包括復(fù)數(shù)根單晶硅棒體疊加而成，單晶硅棒體的上表面設(shè)有與單晶硅棒體相貼合的保護(hù)膜，保護(hù)膜上覆蓋有粘貼層，單晶硅棒體的下部設(shè)有底板，底板上涂覆有環(huán)氧樹脂粘貼層，單晶硅棒體的兩側(cè)均設(shè)有擋板，單晶硅棒體通過擋板粘貼在底板上。所述的太陽能單晶硅棒，此設(shè)計(jì)的硅棒，能夠在進(jìn)行線網(wǎng)切割時(shí)，避免出現(xiàn)厚度不均勻的現(xiàn)象，能夠有效地提高晶片的質(zhì)量。
文檔編號C30B29/06GK202744662SQ20122043737
公開日2013年2月20日 申請日期2012年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月30日
發(fā)明者王桂奮, 謝德兵, 王迎春 申請人:金壇正信光伏電子有限公司