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一種低缺陷單晶硅棒的制作方法

文檔序號:8171520閱讀:312來源:國知局
專利名稱:一種低缺陷單晶硅棒的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及硅棒的領(lǐng)域,尤其是一種低缺陷單晶硅棒。
背景技術(shù)
目前世界光伏產(chǎn)業(yè)以31. 2%的年平均增長率高速發(fā)展,位于全球能源發(fā)電市場增長率首位。各國根據(jù)這一趨勢,紛紛出臺有力政策或制定發(fā)展計劃,使光伏市場呈現(xiàn)出蓬勃發(fā)展的格局。近幾年來,隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,單晶硅被用來制作太陽能電池,呈現(xiàn)出供不應(yīng)求的局面。太陽能電池板在陽光照射下,光能便立即轉(zhuǎn)化成電能,而且能不停地發(fā)電,可以連續(xù)工作20年以上。他發(fā)出的直流電可直接供給用電器,還可以儲存到蓄電池內(nèi),再逆變成220V/380V交流電,進(jìn)而組裝成太陽能發(fā)電機(jī)組,供各種家用電器使用,還可以將許多硅電池鏈接起來,組裝成光伏電站向國家電網(wǎng)輸電。太陽能光伏電池是國家大力推廣, 發(fā)展前途光明,沒有污染的綠色能源。目前,單晶硅棒具有良好的斷面電阻率均勻性、高壽命、含碳量少、微缺陷密度小、含氧量可以控制的特點(diǎn),至此,單晶硅棒是光伏產(chǎn)業(yè)鏈里面除原材料的第一道生產(chǎn)工序,對太陽能電池片的轉(zhuǎn)換效率有著深遠(yuǎn)的影響。目前制作的單晶硅棒的形狀大多數(shù)為四邊形或者圓形,由于圓形硅棒在進(jìn)行切割過程中,硅棒的滾動容易造成切割后的硅片表面的不平整,造成硅片的品質(zhì)不穩(wěn)定,至此,四邊形的硅棒為最常見,但四邊形的硅棒在運(yùn)輸途中,容易造成硅棒的四角造成缺角、崩碎的現(xiàn)象,嚴(yán)重影響硅片的生產(chǎn)良品率,另外,硅棒的外表面不具備保護(hù)層,容易在運(yùn)輸過程中損壞娃棒的外表面,從而影響娃棒的良品率。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是為了克服上述中存在的問題,提供了一種低缺陷單晶硅棒,其設(shè)計結(jié)構(gòu)合理并且能夠有效地保護(hù)硅棒、提高硅棒的良品率。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種低缺陷單晶硅棒,包括硅棒本體,所述的硅棒本體外表面包覆有保護(hù)層,所述的硅棒本體底部設(shè)有底座,硅棒本體通過粘接劑粘貼在底座上,所述硅棒本體橫截面的相鄰棱邊相交處為弧形角,弧形角的弧度為 90。。進(jìn)一步地,所述弧形角的半徑為20 25mm。所述娃棒本體的長度為150 200mm。為了能夠有效地保護(hù)硅棒外表面,所述的保護(hù)層材質(zhì)為PET制成,PET材質(zhì)制成的保護(hù)膜,其特點(diǎn)是質(zhì)地比較硬也比較耐刮,而且長時間使用也不會像PVC材料那樣翻黃出油。但是一般PET材質(zhì)制成的保護(hù)膜都是依靠靜電吸附的,比較容易起泡和脫落,不過即便脫落了在清水中洗一下又可以重復(fù)使用。所述粘接劑的材質(zhì)是環(huán)氧樹脂制成。本實(shí)用新型的有益效果是所述的低缺陷單晶硅棒,將硅棒的角進(jìn)行弧形設(shè)計,能夠在運(yùn)輸過程中避免出現(xiàn)崩碎的現(xiàn)象;在硅棒外表面包覆保護(hù)層,能夠有效地保護(hù)硅棒外表面,提聞良品率。
以下結(jié)合附圖
和實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。圖I是本實(shí)用新型所述的低缺陷單晶硅棒的整體結(jié)構(gòu)示意圖。附圖中標(biāo)記分述如下1、硅棒本體,2、保護(hù)層,3、底座,4、粘接劑,5、弧形角。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡化的示意圖,僅以示意方式說明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu),因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu)成。如圖I所示的低缺陷單晶硅棒,包括長度為180_的硅棒本體I,硅棒本體I外表面包覆有材質(zhì)為PET的保護(hù)層2,硅棒本體I底部設(shè)有底座3,硅棒本體I通過材質(zhì)為環(huán)氧樹脂的粘接劑4粘貼在底座3上,這樣的設(shè)計能夠在多根硅棒本體I同時進(jìn)行切割時,硅棒本體I與硅棒本體I端面對接時更加方便。硅棒本體I橫截面的相鄰棱邊相交處為弧形角5,弧形角5的弧度為90°,弧形角5的半徑為23mm。本實(shí)用新型的低缺陷單晶硅棒,在制作硅棒本體I時,由于硅棒本體I的四個角為弧形角5,這樣不管在運(yùn)輸途中,還是在切割中,都不存在崩碎的現(xiàn)象,節(jié)約成本。以上述依據(jù)本實(shí)用新型的理想實(shí)施例為啟示,通過上述的說明內(nèi)容,相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項(xiàng)實(shí)用新型技術(shù)思想的范圍內(nèi),進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)實(shí)用新型的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容,必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。
權(quán)利要求1.一種低缺陷單晶娃棒,其特征是包括娃棒本體(I),所述的娃棒本體(I)外表面包覆有保護(hù)層(2),所述的硅棒本體(I)底部設(shè)有底座(3),硅棒本體(I)通過粘接劑(4)粘貼在底座(3 )上,所述硅棒本體(I)橫截面的相鄰棱邊相交處是弧形角(5 ),弧形角(5 )的弧度是 90。ο
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的低缺陷單晶硅棒,其特征是所述弧形角(5)的半徑是20 25mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的低缺陷單晶硅棒,其特征是所述硅棒本體(I)的長度是150 200mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的低缺陷單晶硅棒,其特征是所述保護(hù)層(2)的材質(zhì)是PET制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的低缺陷單晶硅棒,其特征是所述粘接劑(4)的材質(zhì)是環(huán)氧樹脂制成。
專利摘要本實(shí)用新型涉及低缺陷單晶硅棒,包括硅棒本體,硅棒本體外表面包覆有保護(hù)層,硅棒本體底部設(shè)有底座,硅棒本體通過粘接劑粘貼在底座上,硅棒本體橫截面的相鄰棱邊相交處為弧形角,弧形角的弧度為90°。所述的低缺陷單晶硅棒,將硅棒的角進(jìn)行弧形設(shè)計,能夠在運(yùn)輸過程中避免出現(xiàn)崩碎的現(xiàn)象;在硅棒外表面包覆保護(hù)層,能夠有效地保護(hù)硅棒外表面,提高良品率。
文檔編號C30B29/06GK202744663SQ201220437379
公開日2013年2月20日 申請日期2012年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月30日
發(fā)明者王桂奮, 謝德兵, 王迎春 申請人:金壇正信光伏電子有限公司
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