專利名稱：區(qū)熔石墨舟的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
區(qū)熔石墨舟技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實用新型涉及一種石墨舟，特別涉及一種區(qū)熔石墨舟。
背景技術(shù)：
[0002]區(qū)熔法是一種利用局部區(qū)域熔化后，通過熔區(qū)的運動進行提純的方法，它是一種制備高純單晶的方法，廣泛應(yīng)用于硅鍺等單晶的制備。區(qū)熔法主要可分為水平區(qū)熔法和懸浮區(qū)熔法兩種，兩種方法生產(chǎn)工藝不同。[0003]物質(zhì)的固相和液相在密度差的驅(qū)動下，均會發(fā)生運動，因而可通過區(qū)域熔煉控制或者重新分配存在于原料紙的可溶性雜質(zhì)。同時區(qū)熔法可有效消除分凝效應(yīng)，也可將所期望的雜質(zhì)均勻摻入晶體中，并在一定程度上控制盒消除位錯、包裹體等結(jié)構(gòu)缺陷。[0004]區(qū)熔法是利用熱能在半導體棒料的一端產(chǎn)生一熔區(qū)，再熔接單晶籽晶。調(diào)節(jié)溫度使熔區(qū)緩慢地向棒的另一端移動，通過整根棒料，生長成一根單晶，晶向與籽晶晶向相同。 區(qū)熔法適宜生長那些在熔點溫度時具有非常強的溶解能力的材料，可生長熔點極高或活性較強的材料。區(qū)熔法主要分為兩種，即水平區(qū)熔法和懸浮區(qū)熔法。水平區(qū)熔提純是只把材料錠的一部分熔化形成熔區(qū)，并使熔區(qū)從錠條的一端移動另一端。因為每次熔化的僅是錠條的一部分，當熔區(qū)第二次在錠首時，由于雜質(zhì)濃度較高的尾部沒被熔化，所以小熔區(qū)中的雜質(zhì)濃度一定比原來錠的雜質(zhì)濃度要小，熔區(qū)移動后，新凝固的固相雜質(zhì)濃度要比第一次小。這樣當熔區(qū)一次次通過錠條時，材料就能逐漸被提純，使中間部分純度達到要求的程度。生產(chǎn)中，鍺錠放在一個清潔處理過的高純區(qū)熔石墨舟中，舟放入石英管中，區(qū)熔時，石英管內(nèi)填充氫氣或其他惰性氣體保護或者抽真空，防止鍺在高溫時被氧化?，F(xiàn)有區(qū)熔石墨舟為整體結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)的流動僅僅靠區(qū)熔過程中產(chǎn)生的動力，影響到提純的質(zhì)量，無雜質(zhì)儲存的區(qū)域，不易區(qū)分雜質(zhì)。實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是解決上述不足，提供一種雜質(zhì)流動具有更好的導向性，且具有存放雜質(zhì)的區(qū)域的，區(qū)熔石墨舟 。[0006]實現(xiàn)本實用新型目的的技術(shù)方案是一種區(qū)熔石墨舟，具有石墨舟本體，開設(shè)在石墨舟本體內(nèi)部的凹槽，所述石墨舟本體中還具有雜質(zhì)凹槽，凹槽與雜質(zhì)凹槽之間由隔塊間隔開。[0007]上述的區(qū)熔石墨舟，所述雜質(zhì)凹槽與凹槽的接觸面為梯形結(jié)構(gòu)，另一端即尾端為半圓形。[0008]上述的區(qū)熔石墨舟，所述雜質(zhì)凹槽的深度為凹槽深度的60%。[0009]上述的區(qū)熔石墨舟，所述雜質(zhì)凹槽與凹槽的長度比為1:7。[0010]上述的區(qū)熔石墨舟，所述隔塊(為軸截面為梯形的隔塊。[0011]本實用新型具有積極的效果(I)采用兩段設(shè)計，能夠?qū)﹄s質(zhì)流動有較好的導向性；(2)具有單獨的雜質(zhì)儲存區(qū)域，提聞提純效率。
為了使本實用新型的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實施例并結(jié)合附圖，對本實用新型作進一步詳細的說明，其中圖I為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖的俯視圖；圖2為本實用新型的剖面示意圖。其中I石墨舟本體，2凹槽，3雜質(zhì)凹槽，4隔塊。
具體實施方式
見圖1，本實用新型具有石墨舟本體1，開設(shè)在石墨舟本體I內(nèi)部的凹槽2，凹槽2 兩個頂端間的長度為405mm,深度為36mm ;石墨舟本體I中還具有雜質(zhì)凹槽3,凹槽3的長度為57mm，深度為21. 6mm,凹槽2與雜質(zhì)凹槽3之間由隔塊4間隔開，隔塊4的軸截面為梯形，雜質(zhì)凹槽3與凹槽2的接觸面為梯形，另一端即尾端為半圓形。以上所述的具體實施例，對本實用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實用新型的具體實施例而已，并不用于限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種區(qū)熔石墨舟，具有石墨舟本體(I)，開設(shè)在石墨舟本體(I)內(nèi)部的凹槽(2 )，其特征在于所述石墨舟本體(I)中還具有雜質(zhì)凹槽(3)，凹槽(2)與雜質(zhì)凹槽(3)之間由隔塊(4)間隔開。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的區(qū)熔石墨舟，其特征在于所述雜質(zhì)凹槽(3)與凹槽(2)的接觸面為梯形，另一端即尾端為半圓形。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的區(qū)熔石墨舟，其特征在于所述雜質(zhì)凹槽(3)的深度為凹槽(2)深度的60%。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的區(qū)熔石墨舟，其特征在于所述雜質(zhì)凹槽(3)與凹槽(2)的長度比為1:7。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的區(qū)熔石墨舟，其特征在于所述隔塊(4)的軸截面為梯形的隔塊。
專利摘要本實用新型涉及一種區(qū)熔石墨舟，具有石墨舟本體(1)，開設(shè)在石墨舟本體(1)內(nèi)部的凹槽(2)，所述石墨舟本體(1)中還具有雜質(zhì)凹槽(3)，凹槽(2)與雜質(zhì)凹槽(3)之間由隔塊(4)間隔開。本實用新型采用兩段設(shè)計，能夠?qū)﹄s質(zhì)流動有較好的導向性；具有單獨的雜質(zhì)儲存區(qū)域，提高提純效率。
文檔編號C30B13/14GK202786492SQ20122049292
公開日2013年3月13日 申請日期2012年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月25日
發(fā)明者吳建洪 申請人:常州市立新石墨有限公司