專利名稱：一種低壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及照明燈具鎮(zhèn)流器技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種低壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器電路。
背景技術(shù)：
低壓鈉燈是利用低壓鈉蒸氣放電發(fā)光的電光源，在它的玻璃外殼內(nèi)涂以紅外線反射膜，是光衰較小和現(xiàn)今光效最高的人造光源，其光效高達(dá)2001m/W。低壓鈉燈發(fā)出的是單色黃光，用于對光色沒有要求的場所，但它的“透霧性”表現(xiàn)得非常出色，特別適合于高速公路、交通道路、市政道路、公園、庭院照明，能使人清晰地看到色差比較小的物體。低壓鈉燈也是替代高壓汞燈節(jié)約用電的一種高效燈種，應(yīng)用場所也在不斷擴(kuò)大。傳統(tǒng)的低壓鈉燈鎮(zhèn)流器使用的是自耦漏磁工頻電感式鎮(zhèn)流器，因自身體積大，重量高，自身損耗大，在工頻供電的條件下，有明顯頻閃效應(yīng)，影響了低壓鈉燈光效的提高，輸出功率隨供電電壓的波動變化較大，能耗高，并且嚴(yán)重影響了低壓鈉燈管的使用壽命。綠色照明工程在國內(nèi)的推廣，電子鎮(zhèn)流器將逐步取代工頻電感式鎮(zhèn)流器，進(jìn)入實(shí)用化產(chǎn)品化階段，電子鎮(zhèn)流器在控制性能、運(yùn)行特性、經(jīng)濟(jì)效益以及價(jià)格成本均優(yōu)于電感鎮(zhèn)流，低壓鈉燈特有的結(jié)構(gòu)和性能，對電子鎮(zhèn)流器電路提出了更高的要求，現(xiàn)有的低壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器電路，采用功率MOSFET管半橋驅(qū)動方式，其使用壽命在很大程度上取決于集成芯片的工作穩(wěn)定性，但是其工作電源傳統(tǒng)的采用簡易電源供電方式，往往達(dá)不到性能要求。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型一種低壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器電路，其特征在于針對上述之不足，提供一種工作穩(wěn)定，具有獨(dú)立的、穩(wěn)定的集成芯片輔助電源，過流過壓保護(hù)和燈異常保護(hù)功能的低壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器電路。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)解決方案為一種低壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器電路是由濾波和整流電路、功率因數(shù)校正電路、驅(qū)動控制和保護(hù)電路、集成芯片輔助電源電路、高頻半橋逆變電路和低壓鈉燈啟動電路組成，濾波和整流電路與外部交流電源連接，低壓鈉燈啟動電路與低壓鈉燈管連接。所述的濾波和整流電路由壓敏電阻RV、電感L1、電容Cl C3和C7及整流橋BRGl構(gòu)成。所述的功率因數(shù)校正電路由集成芯片IC1、工頻變壓器Tl、電阻Rl R9、電容C4 C6和C8 C11、功率MOSFET管Ql及二極管Dl和D2構(gòu)成，并且具有穩(wěn)壓功能。所述的驅(qū)動控制和保護(hù)電路由集成IC2、二極管D7、電阻RlO R13、電解電容C13、R16和R17、電容C14 C18及工頻變壓器T2構(gòu)成。所述的集成芯片輔助電源電路是由整流橋BRG2和BRG3、電容C12及穩(wěn)壓管LM構(gòu)成。所述的高頻半橋逆變電路由工頻變壓器T2、電阻R14、R15和R18、功率MOSFET管Q2和Q3及二極管D5和D6構(gòu)成。[0011]所述的低壓鈉燈啟動電路是由電感L2、電容C19和C20構(gòu)成。本實(shí)用新型的有益效果是交流市電經(jīng)濾波和整流后轉(zhuǎn)化為直流電，直流電經(jīng)功率因數(shù)校正電路，通過集成芯片輔助電源電路啟動驅(qū)動控制和保護(hù)電路，使高頻半橋逆變電路和低壓鈉燈啟動電路工作，對低壓鈉燈做功，保護(hù)電路從高頻半橋逆變電路獲取輸出電壓信號，處理后發(fā)送至驅(qū)動控制電路，驅(qū)動控制電路根據(jù)燈異常保護(hù)電路輸出的電壓信號對功率輸出進(jìn)行控制，對功率因數(shù)校正電路及驅(qū)動控制和保護(hù)電路中的集成芯片提供的穩(wěn)定可靠的工作輔助電源，可以保障低壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器的穩(wěn)定運(yùn)行。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本實(shí)用新型進(jìn)一步描述。附

圖1為本實(shí)用新型的電路原理方框圖。附圖2為本實(shí)用新型的電路原理圖。圖中01、濾波和整流電路，02、功率因數(shù)校正電路，03、高頻半橋逆變電路，04、低壓鈉燈啟動電路，05、驅(qū)動控制和保護(hù)電路，06、集成芯片輔助電源電路。
具體實(shí)施方式
如附圖所示一種低壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器電路是由濾波和整流電路01、功率因數(shù)校正電路02、高頻半橋逆變電路03、低壓鈉燈啟動電路04、驅(qū)動控制和保護(hù)電路05、集成芯片輔助電源電路06組成，濾波和整流電路01與外部交流電源連接，低壓鈉燈啟動電路04與低壓鈉燈管連接，濾波和整流電路01由壓敏電阻RV、電感L1、電容Cl C3和C7及整流橋BRGl構(gòu)成；功率因數(shù)校正電路02由集成芯片ICl、工頻變壓器Tl、電阻Rl R9、電容C4 C6和C8 C11、功率MOSFET管Ql及二極管Dl和D2構(gòu)成，并且具有穩(wěn)壓功能；驅(qū)動控制和保護(hù)電路05由集成IC2、二極管D7、電阻RlO R13、電解電容C13、R16和R17、電容C14 C18及工頻變壓器T2構(gòu)成；集成芯片輔助電源電路06是由整流橋BRG2和BRG3、電容C12及穩(wěn)壓管LM構(gòu)成；高頻半橋逆變電路03由工頻變壓器T2、電阻R14、R15和R18、功率MOSFET管Q2和Q3及二極管D5和D6構(gòu)成；低壓鈉燈啟動電路04是由電感L2、電容C19和C20構(gòu)成。整流橋BRG2的交流輸入兩端分別與工頻變壓器Tl的次級線圈兩端相連，集成芯片IC2的管腳OUTl與工頻變壓器T2的初級線圈相連，集成芯片IC2的管腳0UT2通過電容與工頻變壓器T2的初級線圈的另一端相連，初級線圈的兩端分別與整流橋BRG3的交流輸入兩端相連，整流橋BRG2和BRG3的正極端都接于穩(wěn)壓管LM的Vin端，其負(fù)極端和穩(wěn)壓管LM的管腳Gnd端接電源地，穩(wěn)壓管LM的管腳Vout端分別通過二極管D3和D4與集成芯片ICl的管腳3和集成IC2的管腳Vcc端相連，電容C5與電阻R4串聯(lián)后再與電容C6并聯(lián)，其兩端分別接于集成芯片ICl的管腳I和管腳2，集成芯片ICl的管腳I與電阻R8和R9的接點(diǎn)相連，電阻R9的另一端接電源地，集成芯片ICl的管腳4分別與電容Cll和電阻R6相連，集成芯片ICl的管腳5通過電阻R3與工頻變壓器Tl的采樣線圈相連，采樣線圈的另一端接電源地，集成芯片ICl的管腳6接電源地，集成芯片ICl的管腳7作為輸出端通過電阻R5與功率MOSFET管Ql的柵極連接，集成芯片ICl的管腳8通過電解電容C9和電容ClO接電源地，并通過電阻Rl與管腳3連接，集成芯片IC2的管腳Ncc端分別與RlO和電解電容C13的正極相連，其Rpre端、RT端、Cpre端和CT端分別通過電阻R12和R13、電容C15和C14接電源地，功率MOSFET管Q3的漏極通過二極管D7和電阻R16連接到集成芯片IC2的過流檢測輸入Pro端，并通過電阻R18接電源地，過流檢測輸入Pro端又通過并聯(lián)的電阻R17和電容C18接電源地，集成芯片IC2的異常保護(hù)輸入LD端通過電容C16接電源地，集成芯片IC2的其余管腳接電源地，工頻變壓器T2的次級兩線圈分別通過電阻R14和R15與功率MOSFET管Q2和Q3的柵極相連，次級兩線圈的另一端分別與功率MOSFET管Q2和Q3的漏極相連，功率MOSFET管Q2的漏極與Q3的源極相連后接于電感L2 —端，電感L2的另一端分別與電容C19相連，電容C19的另一端接燈管LAMP，燈管LAMP的另一端接電源地，電容C20并接在低壓鈉燈管LAMP的兩端。交流市電經(jīng)濾波和整流后轉(zhuǎn)化為直流電，直流電經(jīng)功率因數(shù)校正電路02，通過電阻RlO向電容C13充電，達(dá)到啟動電壓時，集成芯片IC2正常工作，產(chǎn)生PWM波來驅(qū)動功率MOSFET管Q2和Q3，使之輪流導(dǎo)通和截止，其占空比約為50%的方波信號，經(jīng)電感L2及電容C19和C20給燈管LAMP提供啟輝信號，電感L2及電容C19和C20組成LC諧振變換器，在低壓鈉燈啟動前，由于低壓鈉燈電弧管中填充的隋性氣體未氣化，所以低壓鈉燈處于相當(dāng)高的阻抗?fàn)顟B(tài)，可以認(rèn)為低壓鈉燈處于開路狀態(tài)；在半橋LC諧振變換器中，串聯(lián)諧振電容C19和并聯(lián)諧振電容C20共同串聯(lián)在一起和諧振電感L2在交流電源驅(qū)動下諧振，從而在C20兩端產(chǎn)生高電壓；在穩(wěn)態(tài)工作的半橋LC諧振變換器中，串聯(lián)諧振電容C19和諧振電感L2在交流電源驅(qū)動下為燈負(fù)載供電，提供穩(wěn)態(tài)工作所需的燈電壓和燈電流，在并聯(lián)諧振電容C20中通過很小的旁路電流。保護(hù)電路從高頻半橋逆變電路03獲取輸出電壓信號，處理后發(fā)送至驅(qū)動控制電路，驅(qū)動控制電路根據(jù)燈異常保護(hù)電路輸出的電壓信號對功率輸出進(jìn)行控制，對集成芯片ICl和IC2提供的穩(wěn)定可靠的集成芯片輔助電源電路，可以保障低壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器的穩(wěn)定運(yùn)行。以上所述，實(shí)施方式僅僅是對本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行描述，并非對本實(shí)用新型的范圍進(jìn)行限定，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)的精神的前提下，本領(lǐng)域工程技術(shù)人員對本實(shí)用新型的技術(shù)方案作出的各種變形和改進(jìn)，均應(yīng)落入本實(shí)用新型的權(quán)利要求書確定的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種低壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器電路，其特征是所述的低壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器電路是由濾波和整流電路、功率因數(shù)校正電路、驅(qū)動控制和保護(hù)電路、集成芯片輔助電源電路、高頻半橋逆變電路和低壓鈉燈啟動電路組成，濾波和整流電路與外部交流電源連接，低壓鈉燈啟動電路與低壓鈉燈管連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器電路，其特征是所述的濾波和整流電路由壓敏電阻RV、電感L1、電容Cl C3和C7及整流橋BRGl構(gòu)成；所述的功率因數(shù)校正電路由集成芯片IC1、工頻變壓器Tl、電阻Rl R9、電容C4 C6和C8 C11、功率MOSFET管Ql及二極管Dl和D2構(gòu)成，并且具有穩(wěn)壓功能；所述的驅(qū)動控制和保護(hù)電路由集成IC2、二極管D7、電阻RlO R13、電解電容C13、R16和R17、電容C14 C18及工頻變壓器T2構(gòu)成；所述的集成芯片輔助電源電路是由整流橋BRG2和BRG3、電容C12及穩(wěn)壓管LM構(gòu)成；所述的高頻半橋逆變電路由工頻變壓器T2、電阻R14、R15和R18、功率MOSFET管Q2和Q3及二極管D5和D6構(gòu)成；所述的低壓鈉燈啟動電路是由電感L2、電容C19和C20構(gòu)成。
專利摘要本實(shí)用新型一種低壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器電路，提供一種工作穩(wěn)定，具有獨(dú)立的、穩(wěn)定的集成芯片輔助電源，過流過壓保護(hù)和燈異常保護(hù)功能的低壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器電路，該低壓鈉燈電子鎮(zhèn)流器電路是由濾波和整流電路、功率因數(shù)校正電路、驅(qū)動控制和保護(hù)電路、集成芯片輔助電源電路、高頻半橋逆變電路和低壓鈉燈啟動電路組成，整流濾波電路與外部交流電源連接，低壓鈉燈啟動電路與低壓鈉燈管連接。
文檔編號H05B41/36GK202857112SQ20122057444
公開日2013年4月3日 申請日期2012年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月5日
發(fā)明者修建東 申請人:修建東