專利名稱：一種單晶爐石英加料裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種單晶爐石英加料裝置。
背景技術(shù)：
目前，單晶爐加料通常采用金屬容器，采用金屬容器加料雖然快捷簡(jiǎn)便，但最大的缺點(diǎn)是會(huì)造成單晶的金屬污染，嚴(yán)重影響單晶內(nèi)在質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供能加快加料速度，提高工作效率、提高單晶質(zhì)量的ー種單晶爐石英加料裝置。本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案是:ー種單晶爐石英加料裝置，其特征在于它包括活動(dòng)套桿、支架、加料筒和錐體，支架橫架在加料筒上，活動(dòng)套桿位于加料筒中且設(shè)置在支架上，活動(dòng)套桿的下端連接有錐體，錐體的底面直徑大于或等于加料筒的直徑。采用本實(shí)用新型，可以通過(guò)活動(dòng)套桿和支架將該裝置臨時(shí)吊裝在單晶爐中，直接在單晶爐高溫狀態(tài)下進(jìn)行加料，無(wú)需使單晶爐充分冷卻，既快速又便捷，能提高工作效率，又不會(huì)造成單晶的金屬污染。
圖1為本實(shí)用新型的示意圖。圖中的序號(hào)表示:活動(dòng)套桿1、支架2、加料筒3和錐體4。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)ー步說(shuō)明。參照?qǐng)D1，該單晶爐石英加料裝置它包括活動(dòng)套桿1、支架2、加料筒3和錐體4，支架2橫架在加料筒4上，活動(dòng)套桿I位于加料筒3中且設(shè)置在支架2上，活動(dòng)套桿I的下端連接有錐體4，錐體4的底面直徑大于或等于加料筒3的直徑。使用時(shí)，將加料筒3采用耐高溫高純石英材質(zhì)制作，如果單晶爐需要加料時(shí)，可以先在加料筒3由上往下加入硅料，然后通過(guò)活動(dòng)套桿I和支架2將該裝置臨時(shí)吊裝在單晶爐中，再將錐體4向下打開(kāi)，硅料會(huì)從錐體4與加料筒3之間的空隙落入單晶爐，這樣，無(wú)需在單晶爐充分冷卻的情況下，即可開(kāi)始加料，既快速又便捷，能提高工作效率，又不會(huì)造成單晶的金屬污染。
權(quán)利要求1.一種單晶爐石英加料裝置，其特征在于它包括活動(dòng)套桿、支架、加料筒和錐體，支架橫架在加料筒上，活動(dòng)套桿位于加料筒中且設(shè)置在支架上，活動(dòng)套桿的下端連接有錐體，錐體的底面直徑大于或等于加料筒的直徑。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種單晶爐石英加料裝置，該裝置的支架橫架在加料筒上，活動(dòng)套桿位于加料筒中且設(shè)置在支架上，活動(dòng)套桿的下端連接有錐體，錐體的底面直徑大于或等于加料筒的直徑。采用本實(shí)用新型，可以通過(guò)活動(dòng)套桿和支架將該裝置臨時(shí)吊裝在單晶爐中，直接在單晶爐高溫狀態(tài)下進(jìn)行加料，無(wú)需使單晶爐充分冷卻，既快速又便捷，能提高工作效率，又不會(huì)造成單晶的金屬污染。
文檔編號(hào)C30B35/00GK202925152SQ20122062399
公開(kāi)日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2012年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月23日
發(fā)明者趙紀(jì)平, 余俊軍, 方強(qiáng) 申請(qǐng)人:萬(wàn)向硅峰電子股份有限公司