技術(shù)特征：
1.一種多層堆疊件，包括：一層或多層用于降低氣體分子通過(guò)率的無(wú)機(jī)阻隔層；與所述一層或多層無(wú)機(jī)阻隔層相鄰設(shè)置的無(wú)機(jī)反應(yīng)層，該無(wú)機(jī)反應(yīng)層能夠與所述氣體分子發(fā)生反應(yīng)；其中，在所述多層堆疊件處于工作狀態(tài)時(shí)，由所述一層或多層無(wú)機(jī)阻隔層滲透出的氣體分子與所述無(wú)機(jī)反應(yīng)層發(fā)生反應(yīng)，從而所述氣體分子不能從所述多層堆疊件滲透穿過(guò)，所述無(wú)機(jī)反應(yīng)層包括至少一個(gè)選自下述組的組成部分，所述組包括：堿金屬氧化物、氧化鋅、二氧化鈦、金屬摻雜氧化鋅和氧化硅。2.如權(quán)利要求1所述的多層堆疊件，其特征在于，所述氣體分子包括至少一個(gè)選自下述組的組成部分，所述組包括：水分、氧氣、氮?dú)?、氫氣、二氧化碳、氬氣和硫化氫?.如權(quán)利要求1所述的多層堆疊件，其特征在于，所述無(wú)機(jī)阻隔層包括至少一個(gè)選自下述組的組成部分，所述組包括：金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氧氮化物、金屬碳氮化物和金屬氧碳化合物。4.如權(quán)利要求3所述的多層堆疊件，其特征在于，所述無(wú)機(jī)阻隔層包括至少一個(gè)選自下述組的組成部分，所述組包括：鋁、銀、硅、鋅、錫、鈦、鉭、鈮、釕、鎵、鉑、釩和銦。5.如權(quán)利要求1所述的多層堆疊件，其特征在于，所述無(wú)機(jī)反應(yīng)層中摻雜有一種或多種非氧化物的化學(xué)成分。6.如權(quán)利要求1所述的多層堆疊件，其特征在于，所述無(wú)機(jī)反應(yīng)層包含一種無(wú)機(jī)基質(zhì)。7.如權(quán)利要求1所述的多層堆疊件，其特征在于，所述無(wú)機(jī)阻隔層的厚度為10nm至1μm之間。8.如權(quán)利要求1所述的多層堆疊件，其特征在于，所述無(wú)機(jī)反應(yīng)層的厚度為為10nm至1μm之間。9.如權(quán)利要求1所述的多層堆疊件，其特征在于，所述一個(gè)或多個(gè)阻隔層包括兩層無(wú)機(jī)阻隔層，其中所述無(wú)機(jī)反應(yīng)層夾在兩層無(wú)機(jī)阻隔層之間。10.如權(quán)利要求1所述的多層堆疊件，其特征在于，所述無(wú)機(jī)反應(yīng)層包括柱狀形結(jié)構(gòu)。11.如權(quán)利要求1所述的多層堆疊件，其特征在于，所述一層或多層無(wú)機(jī)阻隔層中的任意一層由一種或多種非晶材料制成。12.如權(quán)利要求1所述的多層堆疊件，其特征在于，所述無(wú)機(jī)阻隔層是基本透明的。13.一種太陽(yáng)能電池組件，包括：太陽(yáng)能電池；以及至少部分封裝太陽(yáng)能電池的太陽(yáng)能電池封裝，所述太陽(yáng)能電池封裝包括：一層或多層用于降低氣體分子通過(guò)率的無(wú)機(jī)阻隔層；與所述一層或多層的無(wú)機(jī)阻隔層相鄰設(shè)置的無(wú)機(jī)反應(yīng)層，該無(wú)機(jī)反應(yīng)層能夠與氣體分子發(fā)生反應(yīng)；其中在所述太陽(yáng)能電池封裝處于工作狀態(tài)時(shí)，由所述一層或多層無(wú)機(jī)阻隔層滲透出的氣體分子與所述無(wú)機(jī)反應(yīng)層發(fā)生反應(yīng)，使所述太陽(yáng)能電池封裝保護(hù)所述太陽(yáng)能電池免受氣體的損害，所述無(wú)機(jī)反應(yīng)層包括至少一個(gè)選自下述組的組成部分，所述組包括：堿金屬氧化物、氧化鋅、二氧化鈦、金屬摻雜氧化鋅和氧化硅。14.如權(quán)利要求13所述的太陽(yáng)能電池組件，其特征在于，所述太陽(yáng)能電池選自下述組中的一種，所述組包括：硅基太陽(yáng)能電池、薄膜太陽(yáng)能電池、有機(jī)光伏太陽(yáng)能電池和染料敏化太陽(yáng)能電池。15.如權(quán)利要求14所述的太陽(yáng)能電池組件，其特征在于，所述薄膜太陽(yáng)能電池包括至少一個(gè)選自下述組的組成部分，所述組包括：銅、銦、鎵、砷、鎘、碲、硒和硫。16.一種光產(chǎn)生模塊，包括：光源；和用于至少部分封裝所述光源的光源封裝；所述光源封裝包括：一層或多層用于降低氣體分子通過(guò)率的無(wú)機(jī)阻隔層；與所述一層或多層的無(wú)機(jī)阻隔層相鄰設(shè)置的無(wú)機(jī)反應(yīng)層，該無(wú)機(jī)反應(yīng)層能夠與氣體分子發(fā)生反應(yīng)；其中在所述光源封裝處于工作狀態(tài)時(shí)，由所述一層或多層無(wú)機(jī)阻隔層滲透出的氣體分子與所述無(wú)機(jī)反應(yīng)層發(fā)生反應(yīng)，使所述光源封裝保護(hù)所述光源免受氣體的損害，所述無(wú)機(jī)反應(yīng)層包括至少一個(gè)選自下述組的組成部分，所述組包括：堿金屬氧化物、氧化鋅、二氧化鈦、金屬摻雜氧化鋅和氧化硅。17.如權(quán)利要求16所述的光產(chǎn)生模塊，其特征在于，所述光源包括有機(jī)或無(wú)機(jī)發(fā)光二極管。18.一種發(fā)光二極管顯示屏，包括：發(fā)光二極管；以及用于至少部分封裝所述發(fā)光二極管的發(fā)光二極管封裝，所述發(fā)光二極管封裝包括：一層或多層用于降低氣體分子通過(guò)率的無(wú)機(jī)阻隔層；與所述一層或多層的無(wú)機(jī)阻隔層相鄰設(shè)置的無(wú)機(jī)反應(yīng)層，該無(wú)機(jī)反應(yīng)層能夠與氣體分子發(fā)生反應(yīng)；其中在所述發(fā)光二極管封裝處于工作狀態(tài)時(shí)，由所述一層或多層無(wú)機(jī)阻隔層滲透出的氣體分子與所述無(wú)機(jī)反應(yīng)層發(fā)生反應(yīng)，使所述發(fā)光二極管封裝保護(hù)所述發(fā)光二極管免受氣體的損害，所述無(wú)機(jī)反應(yīng)層包括至少一個(gè)選自下述組的組成部分，所述組包括：堿金屬氧化物、氧化鋅、二氧化鈦、金屬摻雜氧化鋅和氧化硅。19.如權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極管顯示屏，其特征在于，所述發(fā)光二極管包括有機(jī)發(fā)光二極管，也被稱(chēng)為OLED。20.一種電解池；包括：陰極；陽(yáng)極；電解質(zhì)；和至少部分封裝所述陰極、所述陽(yáng)極和所述電解質(zhì)的電解池封裝，所述電解池封裝包括：一層或多層用于降低氣體分子通過(guò)率的無(wú)機(jī)阻隔層；與所述一層或多層的無(wú)機(jī)阻隔層相鄰設(shè)置的無(wú)機(jī)反應(yīng)層，該無(wú)機(jī)反應(yīng)層能夠與氣體分子發(fā)生反應(yīng)；其中在所述電解池封裝處于工作狀態(tài)時(shí)，由一層或多層無(wú)機(jī)阻隔層滲透出的氣體分子與所述無(wú)機(jī)反應(yīng)層發(fā)生反應(yīng)，從而使電解池封裝保護(hù)電解池免受氣體的損害，所述無(wú)機(jī)反應(yīng)層包括至少一個(gè)選自下述組的組成部分，所述組包括：堿金屬氧化物、氧化鋅、二氧化鈦、金屬摻雜氧化鋅和氧化硅。21.如權(quán)利要求20所述的電解池，其特征在于：所述電解池是柔性的。22.一種反射顯示器模塊；包括：反射顯示器；和至少部分封裝所述反射顯示器的反射顯示器封裝,所述反射顯示器封裝包括：一層或多層用于降低氣體分子通過(guò)率的無(wú)機(jī)阻隔層；與所述一層或多層的無(wú)機(jī)阻隔層相鄰設(shè)置的無(wú)機(jī)反應(yīng)層，該無(wú)機(jī)反應(yīng)層能夠與氣體分子發(fā)生反應(yīng)；其中在所述反射顯示器封裝處于工作狀態(tài)時(shí)，由所述一層或多層無(wú)機(jī)阻隔層滲透出的氣體分子與所述無(wú)機(jī)反應(yīng)層發(fā)生反應(yīng)，從而使所述反射顯示器封裝保護(hù)所述反射顯示器免受氣體的損害，所述無(wú)機(jī)反應(yīng)層包括至少一個(gè)選自下述組的組成部分，所述組包括：堿金屬氧化物、氧化鋅、二氧化鈦、金屬摻雜氧化鋅和氧化硅。23.如權(quán)利要求22所述的反射顯示器模塊，其特征在于，所述反射顯示器包括電泳顯示器或多層液晶顯示器。24.一種制造多層堆疊件的方法，該方法包括：將一個(gè)柔性基片裝載在涂層機(jī)上；移動(dòng)所述柔性基片或涂層機(jī)的部分機(jī)構(gòu)，使所述柔性基片置于所述涂層機(jī)內(nèi)部的第一位置處；在所述柔性基片位于第一位置處時(shí)，在所述柔性基片上制作一個(gè)或多個(gè)無(wú)機(jī)阻隔層，該無(wú)機(jī)阻隔層能夠降低氣體分子的通過(guò)率；移動(dòng)所述柔性基片或涂布機(jī)的部分機(jī)構(gòu)，使所述柔性基片至于所述涂層機(jī)內(nèi)部的第二位置處，其中第二位置與第一位置不同；和形成與所述一個(gè)或多個(gè)無(wú)機(jī)阻隔層相鄰的無(wú)機(jī)反應(yīng)層，該無(wú)機(jī)反應(yīng)層能與經(jīng)所述無(wú)機(jī)阻隔層滲透過(guò)來(lái)的氣體分子發(fā)生反應(yīng)，在所述柔性基片上的所述一個(gè)或多個(gè)無(wú)機(jī)阻隔層和對(duì)應(yīng)的無(wú)機(jī)反應(yīng)層結(jié)合后形成多層堆疊件，所述無(wú)機(jī)反應(yīng)層包括至少一個(gè)選自下述組的組成部分，所述組包括：堿金屬氧化物、氧化鋅、二氧化鈦、金屬摻雜氧化鋅和氧化硅。25.如權(quán)利要求24所述的制造多層堆疊件的方法，其特征在于，其還包括：將所述多層堆疊件應(yīng)用在選自下述組的至少一個(gè)組成部分上，所述組包括：太陽(yáng)能電池、光源、發(fā)光二極管顯示屏和電解池。26.如權(quán)利要求24所述的制造多層堆疊件的方法，其特征在于，所述制作所述一個(gè)或多個(gè)無(wú)機(jī)阻隔層包括至少一項(xiàng)選自下述組的技術(shù)，所述組包括：濺射、蒸發(fā)、化學(xué)氣相沉積和溶液涂覆工藝。27.如權(quán)利要求24所述的制造多層堆疊件的方法，其特征在于，所述形成所述無(wú)機(jī)反應(yīng)層包括至少一項(xiàng)選自下述組中的技術(shù)，所述組包括：濺射、蒸發(fā)、化學(xué)氣相沉積和溶液涂覆工藝。28.如權(quán)利要求24所述的制造多層堆疊件的方法，其特征在于，所述制作一個(gè)或多個(gè)無(wú)機(jī)阻隔層是在-20℃至200℃之間的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行的。29.如權(quán)利要求24所述的一種制造多層堆疊件的方法，其特征在于，所述形成所述無(wú)機(jī)反應(yīng)層是在-20℃至200℃之間的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行的。30.如權(quán)利要求24所述的制造多層堆疊件的方法，其特征在于，所述制作所述一個(gè)或多個(gè)無(wú)機(jī)阻隔層或所述形成所述無(wú)機(jī)反應(yīng)層均是以輥對(duì)輥的形式進(jìn)行的。31.如權(quán)利要求24所述的制造多層堆疊件的方法，其特征在于，所述裝載包括：定位所述涂層機(jī)上的柔性基片使所述柔性基片繞在一卷軸上；沿著所述卷軸對(duì)所述柔性基片進(jìn)行延伸并固定，保證所述柔性基片至少一部分暴露，便于進(jìn)行所述制作。32.如權(quán)利要求24所述的制造多層堆疊件的方法，其特征在于，在所述制作所述一個(gè)或多個(gè)無(wú)機(jī)阻隔層和所述形成所述無(wú)機(jī)反應(yīng)層時(shí)所述柔性基片均接觸一滾筒，該滾筒的溫度設(shè)置在-20℃至200℃的范圍內(nèi)。33.一種多層堆疊件的組成成分，包括：用于減少氣體分子通過(guò)的無(wú)機(jī)阻隔層，所述無(wú)機(jī)阻隔層包括金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氧氮化物、金屬碳氮化物和金屬氧碳氮化合物中的至少一種成分；及無(wú)機(jī)反應(yīng)層，其包括反應(yīng)材料，這種反應(yīng)材料能與經(jīng)所述無(wú)機(jī)阻隔層滲透過(guò)的氣體發(fā)生反應(yīng)，該反應(yīng)材料包括由堿金屬氧化物、氧化鋅、二氧化鈦、金屬摻雜氧化鋅和氧化硅組成物的至少一種材料。34.如權(quán)利要求33所述的多層堆疊件的組成成分，其特征在于：所述無(wú)機(jī)阻隔層含有的至少一種材料，其重量百分比介于1％至100％之間。35.如權(quán)利要求33所述的多層堆疊件的組成成分，其特征在于：所述至少一種反應(yīng)材料的重量百分比介于1％至100％之間。