一種可調(diào)光的led恒流驅(qū)動電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種可調(diào)光的LED恒流驅(qū)動電路，LED驅(qū)動電路【技術(shù)領(lǐng)域】。該驅(qū)動電路包括可控硅調(diào)光器、整流橋、穩(wěn)壓濾波電路以及（M+1）個N溝道增強(qiáng)型MOS管，被驅(qū)動的LED光源部分被劃分為依次串聯(lián)耦接的第一組LED至第M組LED，其中，第一增強(qiáng)型MOS管用于在整流橋的正向輸出端的輸出電壓低于第一組LED的工作電壓時以第一恒流值為可控硅調(diào)光器提供維持電流并使LED光源部分短路；第X增強(qiáng)型MOS管用于在整流橋的正向輸出端的輸出電壓大于或等于第1組LED至第（X-1）組LED的工作電壓時以第二恒流值驅(qū)動第1組LED至第（X-1）組LED工作并使第X組LED至第M組LED短路，2≤X≤（M+1），M為大于或等于2的整數(shù)。該驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)簡單、成本低，并且發(fā)光效率高，可以實(shí)現(xiàn)恒流、可調(diào)光驅(qū)動。
【專利說明】—種可調(diào)光的LED恒流驅(qū)動電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于LED (Light-Emitting D1de,發(fā)光二極管)驅(qū)動電路【技術(shù)領(lǐng)域】,涉及可調(diào)光的LED恒流驅(qū)動電路。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著LED照明技術(shù)的不斷發(fā)展與普及，人們不斷追求高發(fā)光效率、低成本的LED照明裝置，并且，為LED提供電源的驅(qū)動電路成為技術(shù)的焦點(diǎn)之一。
[0003]一般地，需要對LED電光源部分進(jìn)行可調(diào)光控制，通常采用的調(diào)光裝置按其原理可以分為幅值調(diào)光(例如可變電阻調(diào)光、自耦調(diào)壓器調(diào)光)和相位調(diào)光兩種，其中，采用相位調(diào)光原理的可控硅調(diào)光器被廣泛應(yīng)用于LED的驅(qū)動電路，以實(shí)現(xiàn)其調(diào)光控制。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，為兼容可控硅調(diào)光控制器，驅(qū)動電路中均采用各類IC控制的開關(guān)電源的電路方案，通常地，其電路復(fù)雜、成本較高(由于采用了 1C)，發(fā)光效率也相對較低；并且，IC控制的開關(guān)電壓工作在高頻狀態(tài)，因而導(dǎo)致驅(qū)動電路的電磁兼容性差。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的之一在于，實(shí)現(xiàn)對LED光源部分的恒流驅(qū)動并兼容可控硅調(diào)光器的調(diào)光控制。
[0006]本發(fā)明的又一目的在于，簡化LED驅(qū)動電路的電路結(jié)構(gòu)并減低其成本。
[0007]本發(fā)明的還一目的在于，提高LED光源部分的發(fā)光效率。
[0008]為實(shí)現(xiàn)以上目的或者其他目的，本發(fā)明提供一種可調(diào)光的LED恒流驅(qū)動電路，其用于驅(qū)動控制包括多個串聯(lián)耦接的LED的LED光源部分，所述LED光源部分被劃分為依次串聯(lián)耦接的第一組LED至第M組LED，M為大于或等于2的整數(shù)；所述LED恒流驅(qū)動電路包括:
可控娃調(diào)光器；
整流橋，其正向輸出端耦接于第一組LED輸入端，其負(fù)向輸出端耦接于第M組LED的輸出端；
并聯(lián)于所述整流橋的正向輸出端與負(fù)向輸出端之間的穩(wěn)壓濾波電路；以及(M+1)個N溝道增強(qiáng)型MOS管，其包括第一增強(qiáng)型MOS管至第(M+1)增強(qiáng)型MOS管；其中，(M+1)個N溝道增強(qiáng)型MOS管通過所述分壓濾波電路為其柵極偏置大于其閾值電壓的電位；
第一增強(qiáng)型MOS管用于在所述整流橋的正向輸出端的輸出電壓低于第一組LED的工作電壓時以第一恒流值為所述可控硅調(diào)光器提供維持電流并使所述LED光源部分短路；
第X增強(qiáng)型MOS管用于在所述整流橋的正向輸出端的輸出電壓大于或等于第I組LED至第(X-1)組LED的工作電壓時以第二恒流值驅(qū)動第I組LED至第(X-1)組LED工作并使第X組LED至第M組LED短路，2彡X彡(M+1)；
所述第一恒流值小于第二恒流值。
[0009]按照本發(fā)明一實(shí)施例的LED恒流驅(qū)動電路，其中，所述N溝道增強(qiáng)型MOS管的漏極與所述LED光源部分耦接，所述第一增強(qiáng)型MOS管至所述第M增強(qiáng)型MOS管的源極分別串聯(lián)設(shè)置有若干用于提升其源極相對其柵極的電位的升壓元件，以使所述第X增強(qiáng)型MOS管導(dǎo)通時，所述第一增強(qiáng)型MOS管至第(X-1)增強(qiáng)型MOS管截止。
[0010]具體地，所述升壓元件可以為第一二極管，所述第一二極管的正極與所述N溝道增強(qiáng)型MOS管的源端耦接，所述第一二極管的負(fù)極與所述整流橋模塊的負(fù)向輸出端耦接。
[0011]具體地，所述第一增強(qiáng)型MOS管至所述第M增強(qiáng)型MOS管分別所對應(yīng)設(shè)置的升壓元件的數(shù)量依次減少。
[0012]按照本發(fā)明又一實(shí)施例的LED恒流驅(qū)動電路，其中，所述第一增強(qiáng)型MOS管的源極串聯(lián)地耦接于第一恒流二極管以使所述第一增強(qiáng)型MOS管導(dǎo)通時以所述第一恒流值工作。
[0013]進(jìn)一步地，所述第X增強(qiáng)型MOS管的源極串聯(lián)地耦接第二恒流二極管以使所述第X增強(qiáng)型MOS管導(dǎo)通時以所述第二恒流值工作。
[0014]按照本發(fā)明還一實(shí)施例的LED恒流驅(qū)動電路，其中，所述第一增強(qiáng)型MOS管的源極串聯(lián)地耦接于第一限流電阻以使所述第一增強(qiáng)型MOS管導(dǎo)通時以所述第一恒流值工作。
[0015]進(jìn)一步地，所述第X增強(qiáng)型MOS管的源極串聯(lián)地耦接第二限流電阻以使所述第X增強(qiáng)型MOS管導(dǎo)通時以所述第二恒流值工作。
[0016]在之前所述任一實(shí)施例的LED恒流驅(qū)動電路中，優(yōu)選地，所述第一增強(qiáng)型MOS管至第(M+1)增強(qiáng)型MOS管為型號相同的N溝道增強(qiáng)型MOS管，并且具有相同的閾值電壓。
[0017]按照本發(fā)明再一實(shí)施例的LED恒流驅(qū)動電路，其中，所述穩(wěn)壓濾波電路包括:
穩(wěn)壓二極管；
與所述穩(wěn)壓二極管并聯(lián)連接的第一濾波電容；以及與所述穩(wěn)壓二極管串聯(lián)的第二限流電阻；
其中，所述穩(wěn)壓二極管的陽極與所述述整流橋的負(fù)向輸出端耦接，所述增強(qiáng)型MOS管的柵極與所述穩(wěn)壓二極管的陰極耦接。
[0018]在之前所述任一實(shí)施例的LED恒流驅(qū)動電路中，優(yōu)選地，所述第一增強(qiáng)型MOS管至第(M+1)增強(qiáng)型MOS管的柵極分別通過第一電阻至第(M+1)電阻與所述穩(wěn)壓二極管的陰極率禹接。
[0019]在之前所述任一實(shí)施例的LED恒流驅(qū)動電路中，優(yōu)選地，所述第一組LED至第M組LED中的每組LED分別與一第二濾波電容并聯(lián)。
[0020]在之前所述任一實(shí)施例的LED恒流驅(qū)動電路中，優(yōu)選地，每個所述濾波電容對應(yīng)設(shè)置一第二二極管，以防止所述第二濾波電容反沖放電。
[0021]具體地，所述光源部分的多個LED可以為高壓LED。
[0022]本發(fā)明的技術(shù)效果是，該LED恒流驅(qū)動電路中，可以根據(jù)電源電壓的大小對應(yīng)驅(qū)動相應(yīng)部分的LED工作，發(fā)光效率大大提高，并且實(shí)現(xiàn)恒流驅(qū)動。同時，電路結(jié)構(gòu)簡單，成本低，良好地實(shí)現(xiàn)了與可控硅調(diào)光器的兼容。而且，由于工作在低頻狀態(tài)，電磁兼容性好。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]從結(jié)合附圖的以下詳細(xì)說明中，將會使本發(fā)明的上述和其他目的及優(yōu)點(diǎn)更加完整清楚，其中，相同或相似的要素采用相同的標(biāo)號表示。
[0024]圖1是按照本發(fā)明一實(shí)施例的可調(diào)光的LED恒流驅(qū)動電路的示意圖。
[0025]圖2是整流橋輸出的電源的示意性波形圖。
[0026]圖3是按照本發(fā)明又一實(shí)施例的可調(diào)光的LED恒流驅(qū)動電路的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0027]下面介紹的是本發(fā)明的多個可能實(shí)施例中的一些，旨在提供對本發(fā)明的基本了解，并不旨在確認(rèn)本發(fā)明的關(guān)鍵或決定性的要素或限定所要保護(hù)的范圍。容易理解，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案，在不變更本發(fā)明的實(shí)質(zhì)精神下，本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員可以提出可相互替換的其他實(shí)現(xiàn)方式。因此，以下【具體實(shí)施方式】以及附圖僅是對本發(fā)明的技術(shù)方案的示例性說明，而不應(yīng)當(dāng)視為本發(fā)明的全部或者視為對本發(fā)明技術(shù)方案的限定或限制。
[0028]下面的描述中，為描述的清楚和簡明，并沒有對圖中所示的所有部件進(jìn)行逐個詳細(xì)描述。附圖中示出了本領(lǐng)域普通技術(shù)人員完全能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的公開內(nèi)容。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，許多部件的操作或工作都是熟悉而且明顯的。
[0029]將理解，當(dāng)據(jù)稱將部件“連接”或“耦接”到另一個部件時，它可以直接連接或直接耦接到另一個部件或可以存在中間部件。相反，當(dāng)據(jù)稱將部件“直接耦接”或“直接連接”到另一個部件時，則不存在中間部件。
[0030]圖1所示為按照本發(fā)明一實(shí)施例的可調(diào)光的LED恒流驅(qū)動電路的示意圖。在該實(shí)施例中，LED恒流驅(qū)動電路30用于為LED光源部分33提供電源以驅(qū)動控制其工作。在該實(shí)施例中，LED光源部分33可以但不限于由5個LED依次串聯(lián)連接形成，每個LED的型號均相同，并且其工作電壓Vl因此也相同；其中LED光源部分33被分為兩組，即LED組332和LED組333，LED組332和LED組333也串聯(lián)地連接在一起。具體地，LED光源部分33的每個LED可以為高壓LED。
[0031]LED恒流驅(qū)動電路30由交流電源(VAC)供電，其火線端接可控硅調(diào)光器31，可控硅調(diào)光器31可以為標(biāo)準(zhǔn)型的可控硅調(diào)光器，例如，220V的可控硅調(diào)光器，可以改變交流電源的相位。交流電源例如可以為180-260V交流電源，其通過控硅調(diào)光器31后輸入至整流橋32。整流橋32為橋式整流器，其通過4個DO組成，其中a端為正向輸出端，b端為負(fù)向輸出端。
[0032]圖2所示為整流橋輸出的電源的示意性波形圖。如圖2所示，321為整流前的交流電源的波形，322為經(jīng)過整流橋32整流處理后的正向端a的電源波形。當(dāng)然，在該圖示實(shí)施例中，未考慮可控硅調(diào)光31對交流電源的波形的影響，可以理解，它們的具體波形形狀不是限制性的。
[0033]LED恒流驅(qū)動電路30還包括穩(wěn)壓濾波電路，在該實(shí)施例中，其包括穩(wěn)壓二極管(D9) 375、濾波電容376、限流電阻374，穩(wěn)壓二極管(D9) 375的陰極與b端連接，其陽極通過串聯(lián)的限流電阻373連接在a端，濾波電容376與穩(wěn)壓二極管375并聯(lián)。這樣穩(wěn)壓二極管(D9) 375的穩(wěn)定電壓決定A、B、C三端的電壓。
[0034]LED恒流驅(qū)動電路30還包括3個N溝道增強(qiáng)型MOS管341、342、343，在圖1中，A與A對應(yīng)連接，B與B對應(yīng)連接，C與C對應(yīng)連接，因此，MOS管341、342、343分別通過電阻371、372、373與穩(wěn)壓二極管375的陰極連接，MOS管341、342、343的柵極被偏置一相對穩(wěn)定的正電位，該正電位大于MOS管341、342、343的閾值電壓(Vth)，從而在正常情況下，MOS管341、342、343能導(dǎo)通。其中，電阻371、372、373可以防止MOS管341、342和343之間的相互干擾。
[0035]在該實(shí)施例中，MOS管341的漏極(D)連接于整流橋32的a端，MOS管341的源極
(S)還設(shè)置有多個串聯(lián)連接的二極管D3至D6，M0S管341的源極連接于二極管D3的陽極；二極管D6的陰極耦接于整流橋32的b端。具體地，二極管D6的陰極還設(shè)置有恒流二極管361，從而在MOS管341導(dǎo)通時，其導(dǎo)通電流通過恒流二極管361被恒定在1:。
[0036]進(jìn)一步，MOS管342對應(yīng)LED組332設(shè)置，MOS管342的漏極與LED組332的負(fù)向端連接；M0S管343對應(yīng)LED組333設(shè)置，MOS管343的漏極與LED組333的負(fù)向端連接。MOS管342的源極還設(shè)置有串聯(lián)連接的二極管D8和D7 ;二極管D7的陰極耦接于恒流二極管162，MOS管343的源極直接連接于恒流二極管162。這樣，在MOS管342或343導(dǎo)通時，其導(dǎo)通電流通過恒流二極管162被恒定在I2，且I1小于12。
[0037]其中，D3至D6用于改變MOS管341的源極相對b端的電位，也即提升其相對MOS管341的柵極的電位(不管MOS管341是導(dǎo)通還是截止)，因此，D3至D6可以理解為升壓元件，其串聯(lián)組合形成第一升壓模塊351。同樣地，D7和D8用于改變MOS管342的源極相對b端的電位，也即提升其相對MOS管342的柵極的電位(不管MOS管342是導(dǎo)通還是截止)，因此，D7和D8可以理解為升壓元件，其串聯(lián)組合形成第二升壓模塊352。而在MOS管341的源極，沒有使用升壓元件來提升其源極相對柵極的電位。MOS管341、342、343的源極所串聯(lián)的二極管的數(shù)量逐漸減少，MOS管341、342、343的源極的電位逐漸降低，這樣，Vgs逐漸減小，也即Vgs341 < Vgs342 < Vgs343，它們之間的差值與源極串接的二極管的數(shù)量的差異以及二極管的正向壓降有關(guān)，因此，具體可以根據(jù)具體要求來設(shè)置二極管的數(shù)量。Vgs的變化可以導(dǎo)致MOS管341、342、343在同樣的漏極偏壓和柵極偏壓的情況下，其導(dǎo)通情況發(fā)生變化。
[0038]具體地，在該實(shí)施例中，結(jié)合圖2所示，MOS管341、342、343的Vg都基本等于O ;在a端的電壓低于LED組332的工作電壓時，也即小于3V1時，LED組332不工作且表現(xiàn)為截止，MOS管342、343自然表現(xiàn)截止(即關(guān)斷)，但是，此時，增強(qiáng)型MOS管341可以以恒流值I1導(dǎo)通(A端的電壓大于其閾值電壓Vth)，這樣，可以為可控硅調(diào)光器11提供維持電流，并使LED光源部分32短路。
[0039]在a端的電壓大于或等于LED組332的工作電壓時，也即大于或等于3V1時，LED組333不工作且表現(xiàn)為截止，MOS管343自然表現(xiàn)截止；由于第一升壓模塊351的存在，可以使Vgs341 < Vth，同時第二升壓模塊351可以使Vgs342 < Vth，這樣，MOS管341截止、MOS管342以恒流值I2導(dǎo)通，從而，恒流驅(qū)動LED組332工作，并使LED組333短路。
[0040]在a端的電壓大于或等于LED組332和LED組333的工作電壓時，也即大于或等于5V1時，增強(qiáng)型MOS管343將以恒流值I2導(dǎo)通，同時，第一升壓模塊351可以使Vgs341 < Vth,第二升壓模塊351可以使Vgs342 < Vth，這樣，MOS管341、342均截止；從而，恒流驅(qū)動LED組332和333工作。
[0041]因此，LED恒流驅(qū)動電路30在工作時，可以根據(jù)電源電壓的大小對應(yīng)使相應(yīng)部分的LED工作，發(fā)光效率大大提高，并且實(shí)現(xiàn)恒流驅(qū)動。同時，不管是MOS管341或MOS管342、還是MOS管343導(dǎo)通時，均能夠?yàn)榭煽毓枵{(diào)光器11提供維持電流，因此，可以方便實(shí)現(xiàn)調(diào)光控制。
[0042]在以上實(shí)施例中，第一升壓模塊351和/或第二升壓模塊352不限于使用二極管，例如其還可以使用穩(wěn)壓二極管。需要理解的是，第一升壓模塊351和第二升壓模塊352的存在造成了 MOS管341、342、343的源極之間的電位差異，第一升壓模塊351和/或第二升壓模塊352的升壓值的大小，需要保證在MOS管343導(dǎo)通時MOS管341和342未開啟、在MOS管342導(dǎo)通時MOS管341未開啟，也即，在同樣的漏極偏壓的情況下，MOS管343比MOS管342優(yōu)先導(dǎo)通，MOS管342比MOS管341優(yōu)先導(dǎo)通。
[0043]進(jìn)一步如圖1所示，LED恒流驅(qū)動電路30還包括分別與LED組332、LED組333并聯(lián)的濾波電容382、383。相應(yīng)地，在LED組332的正向端與MOS管341的漏極之間，設(shè)置二極管Dl ;在LED組333的正向端與MOS管342的漏極之間，設(shè)置二極管D2。二極管Dl或D2可以分別防止濾波電容382或383反沖放電，影響LED的正常工作。
[0044]圖3所示為按照本發(fā)明又一實(shí)施例的可調(diào)光的LED恒流驅(qū)動電路的示意圖。在該實(shí)施例中，LED恒流驅(qū)動電路40相比于圖1所示實(shí)施例的LED恒流驅(qū)動電路30的主要差別在于其恒流原理的差異，在LED恒流驅(qū)動電路30中，采用恒流二極管實(shí)現(xiàn)恒流驅(qū)動，而在LED恒流驅(qū)動電路40中，其設(shè)置限流電阻461和462。具體地，限流電阻461設(shè)置在二極管D6的陰極并通過D3至D6與MOS管341的源極串聯(lián)耦接，并且相對MOS管342或343是并聯(lián)的；限流電阻462的一端與b端耦接，另一端并聯(lián)耦接于MOS管341、342、343的源極。因此，在MOS管341導(dǎo)通時，通過限流電阻461和462來將電流限定在I1，在MOS管342或MOS管343導(dǎo)通時，通過限流電阻462來將電流限定在12，因此，I2 > Ip并且，可以根據(jù)12、I1的具體大小要求，設(shè)置限流電阻461的阻值Rl和/或限流電阻462的阻值R2。
[0045]LED恒流驅(qū)動電路40中的其他部件與LED恒流驅(qū)動電路30中的其他部件基本對應(yīng)相同，并且二者的工作原理基本類似。在此不再一一贅述。
[0046]需要理解的是，盡管以上圖1和圖3所示實(shí)施例中僅示出2組串聯(lián)的LED組和3個相應(yīng)的MOS管，但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)以上揭示，例如可以類推地設(shè)置4組串聯(lián)的LED組和5個相應(yīng)的MOS管等其他情形，每個MOS管的源極所設(shè)置升壓元件的數(shù)量也可以相應(yīng)變化設(shè)置，以使多個MOS管的導(dǎo)通順序按照以上所揭示的規(guī)律進(jìn)行導(dǎo)通。
[0047]以上實(shí)施例的LED恒流驅(qū)動電路不需要使用IC芯片，電路結(jié)構(gòu)簡單，成本大大降低，良好地實(shí)現(xiàn)了與可控硅調(diào)光器的兼容。而且，其由于工作在低頻狀態(tài)(工作頻率為幾百Hz以內(nèi))，電磁兼容性好。
[0048]以上例子主要說明了本發(fā)明的調(diào)光的LED恒流驅(qū)動電路。盡管只對其中一些本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了描述，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解，本發(fā)明可以在不偏離其主旨與范圍內(nèi)以許多其他的形式實(shí)施。因此，所展示的例子與實(shí)施方式被視為示意性的而非限制性的，在不脫離如所附各權(quán)利要求所定義的本發(fā)明精神及范圍的情況下，本發(fā)明可能涵蓋各種的修改與替換。
【權(quán)利要求】
1.一種可調(diào)光的LED恒流驅(qū)動電路，其用于驅(qū)動控制包括多個串聯(lián)耦接的LED的LED光源部分，其特征在于，所述LED光源部分被劃分為依次串聯(lián)耦接的第一組LED至第M組LED, M為大于或等于2的整數(shù)；所述LED恒流驅(qū)動電路包括: 可控娃調(diào)光器； 整流橋，其正向輸出端耦接于第一組LED輸入端，其負(fù)向輸出端耦接于第M組LED的輸出端； 并聯(lián)于所述整流橋的正向輸出端與負(fù)向輸出端之間的穩(wěn)壓濾波電路；以及 (M+1)個N溝道增強(qiáng)型MOS管，其包括第一增強(qiáng)型MOS管至第(M+1)增強(qiáng)型MOS管； 其中，(M+1)個N溝道增強(qiáng)型MOS管通過所述分壓濾波電路為其柵極偏置大于其閾值電壓的電位； 第一增強(qiáng)型MOS管用于在所述整流橋的正向輸出端的輸出電壓低于第一組LED的工作電壓時以第一恒流值為所述可控硅調(diào)光器提供維持電流并使所述LED光源部分短路； 第X增強(qiáng)型MOS管用于在所述整流橋的正向輸出端的輸出電壓大于或等于第I組LED至第(X-1)組LED的工作電壓時以第二恒流值驅(qū)動第I組LED至第(X-1)組LED工作并使第X組LED至第M組LED短路，2彡X彡(M+1)； 所述第一恒流值小于第二恒流值。
2.如權(quán)利要求1所述的LED恒流驅(qū)動電路，其特征在于，所述N溝道增強(qiáng)型MOS管的漏極與所述LED光源部分耦接，所述第一增強(qiáng)型MOS管至所述第M增強(qiáng)型MOS管的源極分別串聯(lián)設(shè)置有若干用于提升其源極相對其柵極的電位的升壓元件，以使所述第X增強(qiáng)型MOS管導(dǎo)通時，所述第一增強(qiáng)型MOS管至第(X-1)增強(qiáng)型MOS管截止。
3.如權(quán)利要求2所述的LED恒流驅(qū)動電路，其特征在于，所述升壓元件為第一二極管，所述第一二極管的正極與所述N溝道增強(qiáng)型MOS管的源端耦接，所述第一二極管的負(fù)極與所述整流橋模塊的負(fù)向輸出端耦接。
4.如權(quán)利要求1或2所述的LED恒流驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一增強(qiáng)型MOS管至所述第M增強(qiáng)型MOS管分別所對應(yīng)設(shè)置的升壓元件的數(shù)量依次減少。
5.如權(quán)利要求1所述的LED恒流驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一增強(qiáng)型MOS管的源極串聯(lián)地耦接于第一恒流二極管以使所述第一增強(qiáng)型MOS管導(dǎo)通時以所述第一恒流值工作。
6.如權(quán)利要求1或5所述的LED恒流驅(qū)動電路，其特征在于，所述第X增強(qiáng)型MOS管的源極串聯(lián)地耦接第二恒流二極管以使所述第X增強(qiáng)型MOS管導(dǎo)通時以所述第二恒流值工作。
7.如權(quán)利要求1所述的LED恒流驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一增強(qiáng)型MOS管的源極串聯(lián)地耦接于第一限流電阻以使所述第一增強(qiáng)型MOS管導(dǎo)通時以所述第一恒流值工作。
8.如權(quán)利要求1或7所述的LED恒流驅(qū)動電路，其特征在于，所述第X增強(qiáng)型MOS管的源極串聯(lián)地耦接第二限流電阻以使所述第X增強(qiáng)型MOS管導(dǎo)通時以所述第二恒流值工作。
9.如權(quán)利要求1所述的LED恒流驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一增強(qiáng)型MOS管至第(M+1)增強(qiáng)型MOS管為型號相同的N溝道增強(qiáng)型MOS管，并且具有相同的閾值電壓。
10.如權(quán)利要求1所述的LED恒流驅(qū)動電路，其特征在于，所述穩(wěn)壓濾波電路包括: 穩(wěn)壓二極管； 與所述穩(wěn)壓二極管并聯(lián)連接的第一濾波電容；以及 與所述穩(wěn)壓二極管串聯(lián)的第二限流電阻； 其中，所述穩(wěn)壓二極管的陽極與所述述整流橋的負(fù)向輸出端耦接，所述增強(qiáng)型MOS管的柵極與所述穩(wěn)壓二極管的陰極耦接。
11.如權(quán)利要求10所述的LED恒流驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一增強(qiáng)型MOS管至第(M+1)增強(qiáng)型MOS管的柵極分別通過第一電阻至第(M+1)電阻與所述穩(wěn)壓二極管的陰極耦接。
12.如權(quán)利要求1所述的LED恒流驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一組LED至第M組LED中的每組LED分別與一第二濾波電容并聯(lián)。
13.如權(quán)利要求11所述的LED恒流驅(qū)動電路，其特征在于，每個所述濾波電容對應(yīng)設(shè)置一第二二極管，以防止所述第二濾波電容反沖放電。
14.如權(quán)利要求1所述的LED恒流驅(qū)動電路，其特征在于，所述光源部分的多個LED為聞壓LED。
【文檔編號】H05B37/02GK104135787SQ201310158029
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2013年5月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月2日
【發(fā)明者】朱方杰, 杜磊 申請人:無錫華潤華晶微電子有限公司