一種二氧化鉿發(fā)光薄膜及其制備方法和電致發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于光電材料領(lǐng)域，其公開了一種二氧化鉿發(fā)光薄膜及其制備方法和電致發(fā)光器件；該發(fā)光薄膜的化學通式為：Hf1-xO2:xM3+；其中，HfO2是基質(zhì)，M3+是稀土離子，為發(fā)光薄膜中的激活離子，在發(fā)光薄膜中充當主要的發(fā)光中心，M選自Ce,Pr,Nd或Ho，x的取值為0.01～0.05。本發(fā)明的二氧化鉿發(fā)光薄膜作為發(fā)光層的電致發(fā)光譜（EL）中，在620nm位置有很強的發(fā)光峰。
【專利說明】一種二氧化鉿發(fā)光薄膜及其制備方法和電致發(fā)光器件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光電材料領(lǐng)域，尤其涉及一種二氧化鉿發(fā)光薄膜及其制備方法。本發(fā)明還涉及一種使用該二氧化鉿發(fā)光薄膜作為發(fā)光層的電致發(fā)光器件。

【背景技術(shù)】
[0002]薄膜電致發(fā)光顯示器(TFELD)由于其主動發(fā)光、全固體化、耐沖擊、反應快、視角大、適用溫度寬、工序簡單等優(yōu)點，已引起了廣泛的關(guān)注，且發(fā)展迅速。
[0003]稀土摻雜過渡金屬氧化物類發(fā)光材料是作為LED熒光粉的熱門研究材料，二氧化鉿摻雜體系的發(fā)光性能也在不斷提升，但是把稀土摻雜二氧化鉿材料作為發(fā)光薄膜的研究仍未見報道。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于上述問題，本發(fā)明所要解決的問題在于提供一種二氧化鉿發(fā)光薄膜。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0006]一種二氧化鉿發(fā)光薄膜，其化學通式為=HfhO2 = XM3+ ;其中，HfO2是基質(zhì)，M3+是稀土離子，為發(fā)光薄膜中的激活離子，在發(fā)光薄膜中充當主要的發(fā)光中心，M選自Ce，Pr, Nd或Ho, χ的取值為0.01~0.05。
[0007]所述二氧化鉿發(fā)光薄膜，優(yōu)選，χ的取值為0.03。
[0008]本發(fā)明還提供上述二氧化鉿發(fā)光薄膜的制備方法，采用化學氣相沉積法(M0CVD)，工藝步驟包括:
[0009]將洗凈、干燥后的ITO玻璃襯底送入鍍膜設(shè)備反應室中，并密封反應室，接著對反應室抽真空處理，控制反應室的真空度為1.0X10_2Pa~1.0X10_3Pa ;然后在700°C下對襯底進行熱處理10~30分鐘，隨后溫度降為250~650°C，準備沉積發(fā)光薄膜；
[0010]打開鍍膜設(shè)備的旋轉(zhuǎn)電機，調(diào)節(jié)襯底托的轉(zhuǎn)速為50~1000轉(zhuǎn)/分，接著通入含有反應氣體的氬氣載氣，氬氣載氣的氣流量為5~15SCCm，然后再通入流量為10~200SCCm的氧氣，開始沉積發(fā)光薄膜；其中，反應氣體為摩爾比為l_x:x的二羰基鉿(Hf (CO)2)和三(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)M有機源((DPM)3M);反應氣體與氬氣的體積比為(0.0001~0.01):1 ;氧氣的作用是為了補償鍍膜制備過程靶材中流失的氧元素，減少氧空位形成的無輻射復合中心，增加發(fā)光效率；
[0011] 待發(fā)光薄膜的厚度為80~300nm時，關(guān)閉反應氣體和氬氣載氣,繼續(xù)通氧氣,待反應室溫度降至室溫，獲得氧化鉿發(fā)光薄膜，該氧化鉿發(fā)光薄膜的化學通式為=HfVxO2 = XM3+ ；其中，HfO2是基質(zhì)，M3+是稀土離子，為發(fā)光薄膜中的激活離子，在發(fā)光薄膜中充當主要的發(fā)光中心，M選自Ce，Pr, Nd或Ho，χ的取值為0.01~0.05。
[0012]所述二氧化鉿發(fā)光薄膜的制備方法，優(yōu)選，ITO玻璃襯底的洗凈、干燥過程為:先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，最后氮氣風干干燥。
[0013]所述二氧化鉿發(fā)光薄膜的制備方法，優(yōu)選，對反應室抽真空處理是采用機械泵和分子泵進行的。
[0014]所述二氧化鉿發(fā)光薄膜的制備方法，優(yōu)選，反應室的真空度為4.0X 10_3Pa。
[0015]所述二氧化鉿發(fā)光薄膜的制備方法，優(yōu)選，襯底托的轉(zhuǎn)速為300轉(zhuǎn)/分,IS氣載氣的氣流量為lOccm，氧氣的通入流量為120sccm。
[0016]所述二氧化鉿發(fā)光薄膜的制備方法，優(yōu)選，發(fā)光薄膜的厚度為150nm。
[0017]本發(fā)明還提供一種電致發(fā)光器件，包括玻璃襯底、ITO陽極、發(fā)光薄膜層以及Ag陰極層，其中，發(fā)光薄膜層采用上述二氧化鉿發(fā)光薄膜。
[0018]電致發(fā)光器件的制備工藝如下:
[0019]將洗凈、干燥后的ITO玻璃襯底送入鍍膜設(shè)備反應室中，并密封反應室，接著對反應室抽真空處理，控制反應室的真空度為1.0X10_2Pa~1.0X10_3Pa ;然后在700°C下對襯底進行熱處理10~30分鐘，隨后溫度降為250~650°C，準備沉積發(fā)光薄膜；
[0020]打開鍍膜設(shè)備的旋轉(zhuǎn)電機，調(diào)節(jié)襯底托的轉(zhuǎn)速為50~1000轉(zhuǎn)/分，接著通入含有反應氣體的氬氣載氣，氬氣載氣的氣流量為5~15sccm，然后再通入流量為10~200sCCm的氧氣，開始沉積發(fā)光薄膜；其中，反應氣體為摩爾比為l-x:x的二羰基鉿和三(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)M有機源；反應氣體與氬氣的體積比為(0.0001~0.01):1 ；
[0021]待發(fā)光薄膜的厚度為80~300nm時，關(guān)閉反應氣體和氬氣載氣，繼續(xù)通氧氣，待反應室溫度降至室溫，獲得氧化鉿發(fā)光薄膜，該氧化鉿發(fā)光薄膜的化學通式為=HfVxO2 = XM3+ ；其中，HfO2是基質(zhì)，M3+是稀土離子，為發(fā)光薄膜中的激活離子，在發(fā)光薄膜中充當主要的發(fā)光中心，M選自Ce，Pr, Nd或Ho，χ的取值為0.01~0.05;
[0022]將含發(fā)光薄膜的ITO玻璃襯底以及Ag納米粒子移入真空蒸鍍設(shè)備中，在發(fā)光薄膜表面蒸鍍一層起陰極作用的Ag層；
[0023]待上述步驟完成后，制得電致發(fā)光器件。
[0024]本發(fā)明采用MOCVD設(shè)備，制備稀土摻雜二氧化鉿Hf02:XM3+發(fā)光薄膜，得到薄膜的電致發(fā)光譜(EL)中，在620nm位置有很強的發(fā)光峰。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]圖1為實施例1制得的二氧化鉿發(fā)光薄膜的EL光譜；
[0026] 圖2為實施例12制得的電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0027]下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明的較佳實施例作進一步詳細說明。
[0028]實施例1
[0029]襯底為南玻公司購買的ITO玻璃，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，氮氣風干后送入設(shè)備反應室。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽至4.0 X 1-3Pa ;然后把襯底進行700°C熱處理20分鐘，然后溫度降為500°C。打開旋轉(zhuǎn)電機，調(diào)節(jié)襯底托的轉(zhuǎn)速為300轉(zhuǎn)/分，通入二羰基鉿Hf (CO) 2和三(2，2，6，6-四甲基_3，5-庚二酮酸)鈰源(DPM)3Ce的載氣Ar氣，流量為lOsccm，摩爾流量比為0.97:0.03，通入氧氣，流量為120sCCm，其中反應氣體與氬氣的體積比為0.0045:1，開始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至150nm，關(guān)閉有機源和載氣，繼續(xù)通氧氣，溫度降到100°C以下，取出樣品Hfa9702:0.03Ce3+發(fā)光薄膜。
[0030]圖1為實施例1制得的二氧化鉿發(fā)光薄膜的EL光譜；得到薄膜的電致發(fā)光譜(EL)中，在620nm位置有很強的發(fā)光峰。
[0031]實施例2
[0032]襯底為南玻公司購買的ITO玻璃，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，氮氣風干后送入設(shè)備反應室。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽至1.0 X 10_3Pa ;然后把襯底進行700°C熱處理10分鐘，然后溫度降為250°C。打開旋轉(zhuǎn)電機，調(diào)節(jié)襯底托的轉(zhuǎn)速為50轉(zhuǎn)/分，通入二羰基鉿Hf (CO)2和三(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)鈰源(DPM)3Ce的載氣Ar氣，流量為lOsccm。摩爾流量比為0.94:0.06，通入氧氣，流量為lOsccm，其中反應氣體與氬氣的體積比為0.0OOl: 1，開始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至80nm，關(guān)閉有機源和載氣，繼續(xù)通氧氣，溫度降到100°C以下，取出樣品HfQ.9402:0.06Ce3+發(fā)光薄膜。
[0033]實施例3
[0034]襯底為南玻公司購買的ITO玻璃，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，氮氣風干后送入設(shè)備反應室。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽至1.0 X 10_2Pa ;然后把襯底進行700°C熱處理30分鐘，然后溫度降為650°C。打開旋轉(zhuǎn)電機，調(diào)節(jié)襯底托的轉(zhuǎn)速為1000轉(zhuǎn)/分，通入二羰基鉿Hf (CO)2和三(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)鈰源(DPM)3Ce的載氣Ar氣，流量為lOsccm。摩爾流量比為0.99:0.01，通入氧氣，流量為200sCCm，其中反應氣體與氬氣的體積比為0.001: 1，開始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至300nm，關(guān)閉有機源和載氣，繼續(xù)通氧氣，溫度降到100°C以下，取出樣品HfQ.9902: 0.01Ce3+發(fā)光薄膜。
[0035]實施例4
[0036]襯底為南玻公司購買的ITO玻璃，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，氮氣風干后送入設(shè)備反應室。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽至4.0 X 1-3Pa ;然后把襯底進行700°C熱處理20分鐘，然后溫度降為500°C。打開旋轉(zhuǎn)電機，調(diào)節(jié)襯底托的轉(zhuǎn)速為300轉(zhuǎn)/分，通入二羰基鉿Hf (CO) 2和三(2，2，6，6-四甲基_3，5-庚二酮酸)鐠源(DPM)3Pr的載氣Ar氣，流量為lOsccm，摩爾流量比為0.97:0.03，通入氧氣，流量為120sCCm，其中反應氣體與氬氣的體積比為0.006:1，開始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至150nm，關(guān)閉有機源和載氣，繼續(xù)通氧氣，溫度降到100°C以下，取出樣品HfQ.9702:0.03Pr3+發(fā)光薄膜。
[0037]實施例5
[0038]襯底為南玻公司購買的ITO玻璃，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，氮氣風干后送入設(shè)備反應室。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽至1.0 X 10_3Pa ;然后把襯底進行700°C熱處理10分鐘，然后溫度降為250°C。打開旋轉(zhuǎn)電機，調(diào)節(jié)襯底托的轉(zhuǎn)速為50轉(zhuǎn)/分，通入二羰基鉿Hf (CO)2和三(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)鐠源(DPM)3Pr的載氣Ar氣，流量為lOsccm。摩爾流量比為0.94:0.06，通入氧氣，流量為lOsccm，其中反應氣體與氬氣的體積比為0.0085:1，開始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至80nm，關(guān)閉有機源和載氣，繼續(xù)通氧氣，溫度降到100°C以下，取出樣品HfQ.9402:0.06Pr3+發(fā)光薄膜。
[0039]實施例6
[0040]襯底為南玻公司購買的ITO玻璃，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，氮氣風干后送入設(shè)備反應室。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽至1.0 X 10_2Pa ;然后把襯底進行700°C熱處理30分鐘，然后溫度降為650°C。打開旋轉(zhuǎn)電機，調(diào)節(jié)襯底托的轉(zhuǎn)速為1000轉(zhuǎn)/分，通入二羰基鉿Hf (CO)2和三(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)鐠源(DPM)3Pr的載氣Ar氣，流量為lOsccm。摩爾流量比為0.99:0.01，通入氧氣，流量為200sCCm，其中反應氣體與氬氣的體積比為0.0095:1，開始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至300nm，關(guān)閉有機源和載氣，繼續(xù)通氧氣，溫度降到100°C以下，取出樣品Hf。.9902: 0.01Pr3+發(fā)光薄膜。
[0041]實施例7
[0042]襯底為南玻公司購買的ITO玻璃，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，氮氣風干后送入設(shè)備反應室。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽至
4.0 X 10? ;然后把襯底進行700°C熱處理20分鐘，然后溫度降為500°C。打開旋轉(zhuǎn)電機，調(diào)節(jié)襯底托的轉(zhuǎn)速為300轉(zhuǎn)/分，通入二羰基鉿Hf (CO) 2和三(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)釹源(DPM)3Nd的載氣Ar氣，流量為lOsccm，摩爾流量比為0.97:0.03，通入氧氣，流量為120sCCm，其中反應氣體與氬氣的體積比為0.002:1開始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至150nm，關(guān)閉有機源和載氣，繼續(xù)通氧氣，溫度降到100°C以下，取出樣品HfQ.9702:0.03Nd3+發(fā)光薄膜。
[0043]實施例8
[0044] 襯底為南玻公司購買的ITO玻璃，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，氮氣風干后送入設(shè)備反應室。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽至LOXlO-3Pa ;然后把襯底進行700°C熱處理10分鐘，然后溫度降為250°C。打開旋轉(zhuǎn)電機，調(diào)節(jié)襯底托的轉(zhuǎn)速為50轉(zhuǎn)/分，通入二羰基鉿Hf (CO)2和三(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)釹源(DPM)3Nd的載氣Ar氣，流量為lOsccm。摩爾流量比為0.94:0.06，通入氧氣，流量為lOsccm，其中反應氣體與氬氣的體積比為0.003:1，開始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至80nm，關(guān)閉有機源和載氣，繼續(xù)通氧氣，溫度降到100°C以下，取出樣品HfQ.9402:0.06Nd3+發(fā)光薄膜。
[0045]實施例9
[0046]襯底為南玻公司購買的ITO玻璃，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，氮氣風干后送入設(shè)備反應室。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽至1.0 X 10_2Pa ;然后把襯底進行700°C熱處理30分鐘，然后溫度降為650°C。打開旋轉(zhuǎn)電機，調(diào)節(jié)襯底托的轉(zhuǎn)速為1000轉(zhuǎn)/分，通入二羰基鉿Hf (CO)2和三(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)釹源(DPM)3Nd的載氣Ar氣，流量為lOsccm。摩爾流量比為0.99:0.01，通入氧氣，流量為200sCCm，其中反應氣體與氬氣的體積比為0.004:1，開始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至300nm，關(guān)閉有機源和載氣，繼續(xù)通氧氣，溫度降到100°C以下，取出樣品HfQ.9902: 0.01Nd3+發(fā)光薄膜。
[0047]實施例10
[0048]襯底為南玻公司購買的ITO玻璃，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，氮氣風干后送入設(shè)備反應室。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽至
4.0 X 1-3Pa ;然后把襯底進行700°C熱處理20分鐘，然后溫度降為500°C。打開旋轉(zhuǎn)電機，調(diào)節(jié)襯底托的轉(zhuǎn)速為300轉(zhuǎn)/分，通入二羰基鉿Hf (CO) 2和三(2，2，6，6-四甲基_3，5-庚二酮酸)欽源(DPM)3Ho的載氣Ar氣，流量為lOsccm，摩爾流量比為0.97:0.03，通入氧氣，流量為120sCCm，其中反應氣體與氬氣的體積比為0.0055:1，開始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至150nm，關(guān)閉有機源和載氣，繼續(xù)通氧氣，溫度降到100°C以下，取出樣品HfQ.9702:0.03Ho3+發(fā)光薄膜。
[0049]實施例11
[0050]襯底為南玻公司購買的ITO玻璃，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，氮氣風干后送入設(shè)備反應室。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽至LOXlO-3Pa ;然后把襯底進行700°C熱處理10分鐘，然后溫度降為250V。打開旋轉(zhuǎn)電機，調(diào)節(jié)襯底托的轉(zhuǎn)速為50轉(zhuǎn)/分，通入二羰基鉿Hf (CO)2和三(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)欽源(DPM)3Ho的載氣Ar氣，流量為lOsccm。摩爾流量比為0.94:0.06，通入氧氣，流量為lOsccm，其中反應氣體與氬氣的體積比為0.008:1，開始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至80nm，關(guān)閉有機源和載氣，繼續(xù)通氧氣，溫度降到100°C以下，取出樣品HfQ.9402:0.06Ho3+發(fā)光薄膜。
[0051]實施例12
[0052]本實施為電致發(fā)光器件，如圖2所示，其中，I為玻璃襯底；2為ITO透明導電薄膜，作為陽極；3為發(fā)光材料薄膜層；4為Ag層，作為陰極。
[0053]襯底為南玻公司購買的ITO玻璃，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，氮氣風干后送入設(shè)備反應室。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽至
1.0 X 10 _2Pa ;然后把襯底進行700°C熱處理30分鐘，然后溫度降為650°C。打開旋轉(zhuǎn)電機，調(diào)節(jié)襯底托的轉(zhuǎn)速為1000轉(zhuǎn)/分，通入二羰基鉿Hf (CO)2和三(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)欽源(DPM)3Ho的載氣Ar氣，流量為lOsccm。摩爾流量比為0.99:0.01，通入氧氣，流量為200sCCm，其中反應氣體與氬氣的體積比為0.0065:1，開始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至300nm，關(guān)閉有機源和載氣，繼續(xù)通氧氣，溫度降到100°C以下，取出樣品Hf。.9902: 0.01Ho3+發(fā)光薄膜。然后在將發(fā)光薄膜移入真空蒸鍍設(shè)備中，在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極。
[0054]應當理解的是，上述針對本發(fā)明較佳實施例的表述較為詳細，并不能因此而認為是對本發(fā)明專利保護范圍的限制，本發(fā)明的專利保護范圍應以所附權(quán)利要求為準。
【權(quán)利要求】
1.一種二氧化鉿發(fā)光薄膜，其特征在于，其化學通式為=HfhO2 = XM3+;其中，HfO2是基質(zhì)，M3+是稀土離子，為發(fā)光薄膜中的激活離子，在發(fā)光薄膜中充當主要的發(fā)光中心，M選自Ce, Pr, Nd 或 Ho, x 的取值為 0.01 ~0.05。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化鉿發(fā)光薄膜，其特征在于，X的取值為0.03。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化鉿發(fā)光薄膜，其特征在于，包括如下化學式的二氧化鉿發(fā)光薄膜:
Hf0 97O2: 0.03Ce3+ ；Hf0 9402: 0.06Ce3+ ; Hf0.9902: 0.01Ce3+ ; Hf0.9702: 0.03Pr3+ ；Hf0 9402:0.06Pr3+ ；Hf0 9902: 0.01Pr3+ ;Hf0 9702:0.03NcT ；Hf0 9402:0.06Nd3+ ；Hf0 9902: 0.01Nd3+ ；Hf0 9702:0.03Ho3+ ；Hf0 9402:0.06Ho3+ ；Hf0 9902:0.0IHo3+?
4.一種二氧化鉿發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 將洗凈、干燥后的ITO玻璃襯底送入鍍膜設(shè)備反應室中，并密封反應室，接著對反應室抽真空處理，控制反應室的真空度為1.0X10_2Pa~1.0X10_3Pa ;然后在700°C下對襯底進行熱處理10~30分鐘，隨后溫度降為250~650°C，準備沉積發(fā)光薄膜； 打開鍍膜設(shè)備的旋轉(zhuǎn)電機，調(diào)節(jié)襯底托的轉(zhuǎn)速為50~1000轉(zhuǎn)/分，接著通入含有反應氣體的IS氣載氣，IS氣載氣的氣流量為5~15sccm,然后再通入流量為10~200sccm的氧氣，開始沉積發(fā)光薄膜；其中，反應氣體為摩爾比為l-x:x的二羰基鉿和三(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)M有機源；反應氣體與氬氣的體積比為(0.0001~0.01):1 ； 待發(fā)光薄膜的厚度為80~300nm時，關(guān)閉反應氣體和氬氣載氣，繼續(xù)通氧氣，待反應室溫度降至室溫，獲得氧化鉿發(fā)光薄膜，該氧化鉿發(fā)光薄膜的化學通式為:Η?νχ02:ΧΜ3+ ； 其中，HfO2是基質(zhì)，M3+是稀土離子，為發(fā)光薄膜中的激活離子，在發(fā)光薄膜中充當主要的發(fā)光中心，M選自Ce，Pr, Nd或Ho，χ的取值為0.01~0.05。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的二氧化鉿發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，ITO玻璃襯底的洗凈、干燥過程為:先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，最后氮氣風干干燥。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的二氧化鉿發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，對反應室抽真空處理是采用機械泵和分子泵進行的。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的二氧化鉿發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，反應室的真空度為 4.0XlO-3Pa0
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的二氧化鉿發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，襯底托的轉(zhuǎn)速為300轉(zhuǎn)/分，氬氣載氣的氣流量為lOccm，氧氣的通入流量為120SCCm。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的二氧化鉿發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，發(fā)光薄膜的厚度為150nm。
10.一種電致發(fā)光器件，包括玻璃襯底、ITO陽極、發(fā)光薄膜層以及Ag陰極層，其特征在于，發(fā)光薄膜層采用權(quán)利I~4任一所述的二氧化鉿發(fā)光薄膜。
【文檔編號】H05B33/14GK104178149SQ201310195251
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2013年5月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月23日
【發(fā)明者】周明杰, 陳吉星, 王平, 張娟娟 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司