多層陶瓷電容器及其制造方法和拋光裝置以及電路板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種多層陶瓷電容器及其制造方法、嵌入有多層陶瓷電容器嵌入的電路板以及用于多層陶瓷電容器的拋光裝置。
【專利說明】多層陶瓷電容器及其制造方法和拋光裝置以及電路板
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2013年01月29日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局申請的韓國專利申請N0.10-2013-0009881的優(yōu)先權(quán)，在此通過引用將上述申請公開的內(nèi)容并入本申請中。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及一種多層陶瓷電容器及其制造方法、嵌入有多層陶瓷電容器的電路板以及用于多層陶瓷電容器的拋光裝置。
【背景技術(shù)】
[0004]隨著電子電路的高密度化和高集成化，印刷電路板上的無源器件的安裝空間變得不充足。為了解決此問題，目的在于實現(xiàn)嵌入到印刷板上的元件(即嵌入器件)的努力已展開。具體地，已提出多種將用作電容元件的多層陶瓷電容器嵌入到板中的方法。
[0005]作為一種將多層陶瓷電容器嵌入到板中的方法，提供了一種使用用于多層陶瓷電子元件的電介質(zhì)材料作為所述板的材料并且使用銅線等作為用于多層陶瓷電子元件的電極的方法。另外，作為另一種實現(xiàn)將多層陶瓷電容器嵌入到板中的方法，提供了一種在板中形成高K聚合物基片(high-k polymer sheet)或介電薄膜以形成嵌入多層陶瓷電容器的板的方法，并且還提供了一種將多層陶瓷電容器嵌入到板中的方法。
[0006]一般地，多層陶瓷電容器包括多個由陶瓷材料形成的電介質(zhì)層，并且內(nèi)電極插入到電介質(zhì)層之間。如上所述的多層陶瓷電子元件設(shè)置在板中，從而可以實現(xiàn)嵌入到板中的并且具有的高電容的多層陶瓷電容器。
[0007]然而，在多層陶瓷電容器嵌入到板中的情況下，為了容易嵌入，多層陶瓷電容器的厚度小于其長度和寬度。通常，為了防止在加工過程中當陶瓷主體相互沖擊而損壞時出現(xiàn)的芯片缺陷(chipping defect),應(yīng)拋光陶瓷本體的邊緣和頂點部位。然而,在陶瓷本體厚度較薄的情況下，可能不容易拋光陶瓷本體，并且可能出現(xiàn)拋光不均勻。進一步地，在拋光過度或拋光不足的情況下，可能影響多層陶瓷電子元件的可靠性。
[0008]因此，需要用于拋光多層陶瓷電子元件的優(yōu)化尺寸，以及一種用于拋光多層陶瓷電子元件的方法。
[0009][相關(guān)技術(shù)文獻]
[0010](專利文獻I):日本專利公開出版物:Νο.2006-310700
[0011](專利文獻2):韓國專利公開出版物:Νο.2009-0083568

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]本發(fā)明的一方面提供了一種多層陶瓷電容器及其制造方法、一種嵌入有多層陶瓷電容器的電路板以及一種用于多層陶瓷電容器的拋光裝置。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種多層陶瓷電容器，該多層陶瓷電容器包括:1005型陶瓷本體，該陶瓷本體包括電介質(zhì)層和覆蓋層；第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極配置為彼此相對，同時所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極之間插入有所述電介質(zhì)層；以及第一外電極和第二外電極，所述第一外電極電連接于所述第一內(nèi)電極，所述第二外電極電連接于所述第二內(nèi)電極，其中，在所述陶瓷本體的長度-厚度(L-T)橫截面上，在正方形定義為包括平行于所述陶瓷主體的第一主表面的中央部分的邊和沿對角線方向配置在所述陶瓷本體的外表面上的頂點并且所述邊的長度為30 μπι的情況下，當所述正方形的未被所述陶瓷本體占據(jù)的區(qū)域的面積定義為A-外并且所述覆蓋層的厚度定義為t時，滿足下列方程:9 μ m2 < A-外，并且A-外/t < 3.7m。
[0014]所述陶瓷本體燒制后可以具有0.09mm或更小的厚度。
[0015]所述覆蓋層可以包括上覆蓋層和下覆 蓋層，并且所述覆蓋層的厚度t可以為所述上覆蓋層和下覆蓋層的厚度的平均值。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種嵌入有多層陶瓷電容器的電路板，該電路板包括:電路板部，該電路板部具有用于容納電子元件的凹槽；和多層陶瓷電容器，該多層陶瓷電容器包括1005型陶瓷本體并且配置在所述凹槽中，所述1005型陶瓷本體包括:電介質(zhì)層和覆蓋層；第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極配置為彼此相對，同時所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極之間插入有所述電介質(zhì)層；以及第一外電極和第二外電極，所述第一外電極電連接于所述第一內(nèi)電極，所述第二外電極電連接于所述第二內(nèi)電極，其中，在所述陶瓷本體的長度-厚度(L-T)橫截面上，在正方形定義為包括平行于所述陶瓷本體的第一主表面的中央部分的邊和沿對角線方向配置在所述陶瓷本體的外表面上的頂點并且所述邊的長度為30 μ m的情況下，當所述正方形的未被所述陶瓷本體占據(jù)的區(qū)域的面積定義為A-外并且所述覆蓋層的厚度定義為t時，滿足下列方程:
9μ m2 < A-外,并且 A-外 /t < 3.7m。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的另外一個方面，提供了一種多層陶瓷電容器的制造方法，該制造方法包括:制備陶瓷基片；使用用于內(nèi)電極的導(dǎo)電漿料在所述陶瓷基片上形成內(nèi)電極圖案；通過堆疊其上形成有所述內(nèi)電極圖案的所述陶瓷基片和其上未形成有所述內(nèi)電極圖案的所述陶瓷基片然后燒制堆疊的陶瓷基片形成1005型陶瓷本體，該1005型陶瓷本體包括:第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極配置為彼此相對；電介質(zhì)層，以及覆蓋層；拋光所述陶瓷本體的邊緣；以及形成第一外電極和第二外電極，所述第一外電極電連接于所述第一內(nèi)電極，所述第二外電極電連接于所述第二內(nèi)電極，其中，在所述陶瓷本體的長度-厚度(L-T)橫截面上，在正方形定義為包括平行于所述陶瓷本體的第一主表面的中央部分的邊和沿對角線方向配置在所述陶瓷本體的外表面上的頂點并且所述邊的長度為30 μ m的情況下，當所述正方形的未被所述陶瓷本體占據(jù)的區(qū)域的面積定義為A-外并且所述覆蓋層的厚度定義為t時，滿足下列方程:9 μ m2≤A-外，并且A-外/t ( 3.7m。
[0018]所述陶瓷本體燒制后可以具有0.09mm或更小的厚度。
[0019]所述覆蓋層可以包括上覆蓋層和下覆蓋層，所述覆蓋層的厚度t可以為所述上覆蓋層和下覆蓋層的厚度的平均值。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種拋光裝置，該拋光裝置包括:旋轉(zhuǎn)工作臺，該旋轉(zhuǎn)工作臺具有垂直于重力方向的旋轉(zhuǎn)軸線；拋光罐，該拋光罐配置在所述旋轉(zhuǎn)工作臺的表面，并且具有垂直于重力方向的旋轉(zhuǎn)軸線，所述拋光槽包括容納在該拋光罐中的1005型陶瓷本體和拋光件；拋光槽旋轉(zhuǎn)控制部，該拋光槽旋轉(zhuǎn)控制部控制所述拋光槽的旋轉(zhuǎn)；以及旋轉(zhuǎn)工作臺旋轉(zhuǎn)控制部，該旋轉(zhuǎn)工作臺旋轉(zhuǎn)控制部控制所述旋轉(zhuǎn)工作臺的旋轉(zhuǎn)，其中，所述拋光槽的旋轉(zhuǎn)軸線和所述旋轉(zhuǎn)工作臺的旋轉(zhuǎn)軸線形成在不同的位置以彼此平行。
[0021]當所述拋光槽的旋轉(zhuǎn)定義為自轉(zhuǎn)，并且所述旋轉(zhuǎn)工作臺的旋轉(zhuǎn)定義為公轉(zhuǎn)時，自轉(zhuǎn)速度/公轉(zhuǎn)速度可以為有理數(shù)并且不是整數(shù)。
[0022]所述1005型陶瓷本體可以包括電介質(zhì)層和覆蓋層，并且所述陶瓷本體在燒制后可以具有0.09mm或更小的厚度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]通過下面結(jié)合附圖的詳細描述，將能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述和其他方面、特征和其他優(yōu)點，其中:
[0024]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的多層陶瓷電容器的立體圖；
[0025]圖2是沿圖1中的線X-X’剖切的剖視圖；
[0026]圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的多層陶瓷電容器的陶瓷本體的立體圖；
[0027]圖4是沿圖3中的線X-X’剖切的剖視圖；
[0028]圖5是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的嵌入有多層陶瓷電容器的電路板的剖視圖；
[0029]圖6是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的拋光裝置的立體圖；以及
[0030]圖7是顯示根據(jù)本發(fā)明的實施方式的多層陶瓷電容器的制造過程的示意圖。
【具體實施方式】
[0031]在下文中，將參考附圖詳細描述本發(fā)明的【具體實施方式】。然而，本發(fā)明可以被實施為許多不同形式并且不應(yīng)當被解釋為限于這里闡述的實施方式。更確切地說，提供這些實施方式是為了使得本公開徹底且完整，并且將把本發(fā)明的范圍完全傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在圖中，為了清楚，將部件的形狀和尺寸夸大，并且整個說明書中相同或相似的元件采用相同的參考標記。
[0032]多層陶瓷電容器100
[0033]圖1是根據(jù)本發(fā)明的【具體實施方式】的多層陶瓷電容器的立體圖。
[0034]圖2是沿圖1中的線X-X’剖切的剖視圖。
[0035]參考圖1和圖2，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的嵌入到板中的多層陶瓷電容器可以包括陶瓷本體10以及第一外電極31和第二外電極32。
[0036]陶瓷本體10可以包括作為有助于在所述電容器內(nèi)形成電容的部分的工作層(active layer)，以及作為上、下邊緣部分形成在所述工作層的上部和下部的上覆蓋層12a和下覆蓋層12b。所述工作層可以包括電介質(zhì)層11和內(nèi)電極21和22，在這種情況下，內(nèi)電極21和內(nèi)電極22可以為多個交替形成的第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22,同時第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22之間分別插入有電介質(zhì)層11。
[0037]在本發(fā)明的【具體實施方式】中，陶瓷本體10的形狀不作具體地限制，但可以大體上為六面體。根據(jù)燒制芯片時陶瓷粉末的燒制收縮、內(nèi)電極圖案的有無以及所述陶瓷本體的邊緣拋光而產(chǎn)生不同的厚度，因此使得陶瓷本體10不具有完全的六面體形狀但可以具有大體上接近六面體的形狀。
[0038]為了清楚地描述本發(fā)明的實施方式將定義六面體的方向。附圖中所示的L、W和T分別指代長度方向、寬度方向和厚度方向。在此，所述厚度方向可以與電介質(zhì)層堆疊的方向相同。
[0039]進一步地，在本發(fā)明的實施方式中，為了便于描述，所述陶瓷本體的厚度方向上彼此相對的兩個表面定義為第一主表面I和第二主表面2，所述陶瓷本體的寬度方向上彼此相對的兩個表面定義為第一側(cè)表面3和第二側(cè)表面4，并且所述陶瓷本體的長度方向上彼此相對的兩個表面定義為第一端表面5和第二端表面6。
[0040]所述陶瓷本體在燒制后可以具有0.09mm或更小的厚度以及1005型。1005型陶瓷本體為燒制后具有0.95mm±0.05mm長度(L方向的長度)和0.47mm±0.05mm寬度(W方向上的寬度)的陶瓷本體。
[0041 ] 內(nèi)電極21和22可以包括配置為彼此相對的第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22，同時第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22之間插入有電介質(zhì)層11。第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22(相互具有不同極性的一對電極)可以通過在電介質(zhì)層11上印刷預(yù)先確定厚度的含有導(dǎo)電金屬的導(dǎo)電漿料形成，以沿電介質(zhì)層11堆疊的方向交替暴露于所述陶瓷本體的兩個端表面，并且可以通過插入在第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22之間的電介質(zhì)層11彼此電絕緣。
[0042]也就是說，第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22可以通過其在陶瓷本體10的兩個端表面交替暴露的部分各自電連接于第一外電極31和第二外電極32。
[0043]因此，當在第一外電極31和第二外電極32上施加電壓時，電荷儲存在彼此相對的第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22之間。在這種情況下，多層陶瓷電容器100的電容可以與第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22的重疊區(qū)域的面積成比例。
[0044]可以通過用途確定如上所述的第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22的厚度。例如，鑒于陶瓷本體10的尺寸，所述厚度可以確定為在0.2 μ m至1.0 μ m的范圍內(nèi)。然而，本發(fā)明不限于此。
[0045]而且，包含在第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22的導(dǎo)電材料可以是鎳(Ni)、銅(Cu)、鈀(Pd)或者是它們的合金，但是本發(fā)明不限于此。
[0046]在這種情況下，電介質(zhì)層11的厚度可以根據(jù)所述多層陶瓷電容器的預(yù)期電容設(shè)計而任意改變，但是單層的厚度燒制后可以為0.1 μ m至10 μ m。然而，本發(fā)明不局限于此。
[0047]進一步地，電介質(zhì)層11可以包含具有高介電常數(shù)的陶瓷粉末，例如，鈦酸鋇(BaTi03)基粉末或鈦酸鍶(SrTi03)基粉末等，但本發(fā)明不限于此。
[0048]除了其中不包括內(nèi)電極外，上覆蓋層12a和下覆蓋層12b可以與電介質(zhì)層11具有相同材質(zhì)和構(gòu)造?？梢酝ㄟ^分別在所述工作層的上表面和下表面上沿垂直方向堆疊至少一層電介質(zhì)層形成所述上覆蓋層和所述下覆蓋層，所述上覆蓋層和所述下覆蓋層通常用于防止所述第一內(nèi)電極21和所述第二內(nèi)電極22由于物理的或化學(xué)的應(yīng)力而損壞。
[0049]第一外電極31可以電連接于第一內(nèi)電極21，第二外電極32可以電連接于第二內(nèi)電極22。第一外電極31和第二外電極32可以包含導(dǎo)電材料,該導(dǎo)電材料可以是鎳(Ni)、銅(Cu)、鈀(Pd)、金(Au)或者是它們的合金，但是本發(fā)明不限于此。
[0050]在下文中，將描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的多層陶瓷電容器的陶瓷本體10的尺寸的芯片缺陷和其電容之間的關(guān)系。
[0051]圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的多層陶瓷電容器的陶瓷本體10的立體圖，以及圖4是沿圖3中的線X-X’剖切的剖視圖。[0052]參考圖4，所述上覆蓋層的厚度定義為h，所述下覆蓋層的厚度定義為t2。進一步地，在所述陶瓷本體的長度-厚度(L-T)橫截面上，正方形A定義為包括平行于所述陶瓷本體的第一主表面的中央部分的邊以及沿對角線方向設(shè)置在所述陶瓷本體的外表面上的頂點a和a’，所述邊的邊長為30 μ m，所述正方形的未被所述陶瓷本體占據(jù)的區(qū)域的面積定義為A-外，所述下覆蓋層和上覆蓋層的厚度的平均值定義為t。
[0053]所述第一主表面的中央部分指從所述陶瓷本體的第一主表面的中間點在長度方向上向其端部延伸ΙΟμπι的區(qū)域。
[0054]在此，上覆蓋層12a的厚度指從所述陶瓷本體的第一主表面I在長度方向和寬度方向上的中間點到形成在所述工作層的厚度方向上的最高部的第一內(nèi)電極21的距離，下覆蓋層12b的厚度指從所述陶瓷本體的第二主表面2在長度方向和寬度方向上的中間點到形成在所述工作臺的厚度方向上的最低部的第二內(nèi)電極22的距離。在這種情況下，t為h和 t2 的平均值(t= (ti+t2) /2)o
[0055]在燒制后具有脆性的陶瓷本體10中，頻繁產(chǎn)生芯片缺陷，該芯片缺陷發(fā)生在制造所述多層陶瓷電容器時的傳輸過程中陶瓷本體相互沖擊從而損壞時。因此，為了解決芯片缺陷現(xiàn)象，可以拋光所述陶瓷本體的頂點和邊緣上的預(yù)先確定部分以具有平滑的弧形形狀。
[0056]在所述陶瓷本體的頂點和邊緣沒有拋光到預(yù)定的或更高的水平的情況下，可能產(chǎn)生芯片缺陷，而在所述陶瓷本體的頂點和邊緣過度拋光的情況下，臨近所述陶瓷本體邊緣的覆蓋層的厚度可能變薄，從而使得不能避免內(nèi)電極21和22的氧化并且使最外面的內(nèi)電極氧化，電容因此減少 。為了避免芯片缺陷和電容減少，可以拋光所述陶瓷本體以滿足下列方程:9 μ m2 < A-外，并且 A-外 /t < 3.7m。
[0057]在燒制后具有0.09mm或更小的厚度的1005型的陶瓷本體中，當A-外小于9 μ m2時，可能頻繁產(chǎn)生芯片缺陷，而當A-外/t大于3.7m時，可能產(chǎn)生由于所述內(nèi)電極氧化導(dǎo)致電容減少的電容缺陷。
[0058]因此，所述陶瓷本體可以滿足下列方程:9 μ m2≤A-外，并且A-外/t ( 3.7m。
[0059]實驗例
[0060]通過如下步驟制成根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明實施例和對比例的多層陶瓷電容器。
[0061]將包括例如鈦酸鋇(BaTi03)等粉末的漿料涂抹在載體膜上，然后干燥以制備多個厚度為1.5μπι的陶瓷基片。
[0062]然后，使用絲網(wǎng)印刷工藝在各個陶瓷基片上涂敷用于鎳內(nèi)電極的導(dǎo)電漿料，以形成內(nèi)電極。
[0063]堆疊大約五十(50)個陶瓷基片，并且堆疊大約20個其上部和下部未形成有所述內(nèi)電極的陶瓷基片。將這種堆疊的主體在85°C下以lOOOkgf/cm2的壓力進行等靜壓壓制。
[0064]將受壓后的陶瓷堆疊體切割成單獨的基片，并隨后通過將切割的基片在230°C的空氣氣氛中保持60個小時來使切割的基片去粘合(de-bound)。
[0065]之后，將所述陶瓷堆疊體在氧分壓為10-natm至lO-'tm低于N1-NiO平衡氧分壓的還原氣氛下以1200°C燒制，以使得內(nèi)電極不被氧化。燒制后的多層片式電容器的基片尺寸大約為0.95_X0.47_ (長X寬(LXW)，1005型)。在這種情況下，長X寬(LXW)的制造公差決定在±0.05mm的范圍內(nèi).當制造公差滿足上述范圍時，拋光所述多層片式電容器，然后測量由于電容減少而產(chǎn)生的芯片缺陷和電容缺陷。
[0066]在1000個多層片式電容器中，在實際電容低于設(shè)計的電容的90%的多層片式電容器的數(shù)量為20個或更多的情況下，這種情況定義為具有電容缺陷(〇)，在實際電容低于設(shè)計的電容的90%的多層片式電容器的數(shù)量小于20個的情況下，這種情況定義為正常情況(X)。
[0067]使用拋光裝置(將在下文中進行描述)進行拋光，根據(jù)旋轉(zhuǎn)工作臺的轉(zhuǎn)速測量每分鐘轉(zhuǎn)數(shù)(RPM)。
[0068]然后，進行外電極形成工藝來制造多層陶瓷電容器。
[0069]【表1】
[0070]
【權(quán)利要求】
1.一種多層陶瓷電容器，該多層陶瓷電容器包括: 1005型陶瓷本體，該陶瓷本體包括電介質(zhì)層和覆蓋層； 第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極配置為彼此相對，并且所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極之間插入有所述電介質(zhì)層；以及 第一外電極和第二外電極，所述第一外電極電連接于所述第一內(nèi)電極，所述第二外電極電連接于所述第二內(nèi)電極， 其中，在所述陶瓷本體的長度-厚度(L-T)橫截面上，在正方形定義為包括平行于所述陶瓷本體的第一主表面的中央部分的邊和沿對角線方向配置在所述陶瓷本體的外表面上的頂點并且所述邊的長度為30 μπι的情況下，當所述正方形的未被所述陶瓷本體占據(jù)的區(qū)域的面積定義為A-外并且所述覆蓋層的厚度定義為t時，滿足下列方程:9 μ m2 ≤A-外，并且 A-外 /t≤3.7m。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述陶瓷本體燒制后具有0.09_或更小的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述覆蓋層包括上覆蓋層和下覆蓋層，并且所述覆蓋層的厚度t為所述上覆蓋層和下覆蓋層的厚度的平均值。
4.一種電路板，該電路板嵌入有多層陶瓷電容器，該電路板包括: 電路板部，該電路板部具有用于容納電子元件的凹槽；以及 多層陶瓷電容器，該多層陶瓷電容器包括1005型陶瓷本體并且配置在所述凹槽中，所述1005型陶瓷本體包括:電介質(zhì)層和覆蓋層；第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極配置為彼此相對，并且所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極之間插入有所述電介質(zhì)層；以及第一外電極和第二外電極，所述第一外電極電連接于所述第一內(nèi)電極，所述第二外電極電連接于所述第二內(nèi)電極， 其中，在所述陶瓷本體的長度-厚度(L-T)橫截面上，在正方形定義為包括平行于所述陶瓷本體的第一主表面的中央部分的邊和沿對角線方向配置在所述陶瓷本體的外表面上的頂點并且所述邊的長度為30 μ m的情況下，當所述正方形的未被所述陶瓷本體占據(jù)的區(qū)域的面積定義為A-外并且所述覆蓋層的厚度定義為t時，滿足下列方程:9 μ m2≤A-外，并且 A-外 /t ≤3.7m。
5.一種多層陶瓷電容器的制造方法，該制造方法包括: 制備陶瓷基片； 使用用于內(nèi)電極的導(dǎo)電漿料在所述陶瓷基片上形成內(nèi)電極圖案； 通過堆疊其上形成有所述內(nèi)電極圖案的所述陶瓷基片和其上未形成有所述內(nèi)電極圖案的所述陶瓷基片然后燒制堆疊的陶瓷基片來形成1005型陶瓷本體，該1005型陶瓷本體包括:第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極配置為彼此相對，電介質(zhì)層，以及復(fù)蓋層； 拋光所述陶瓷本體的邊緣；以及 形成第一外電極和第二外電極，所述第一外電極電連接于所述第一內(nèi)電極，所述第二外電極電連接于所述第二內(nèi)電極， 其中，在所述陶瓷本體的長度-厚度(L-T)橫截面上，在正方形定義為包括平行于所述陶瓷本體的第一主表面的中央部分的邊和沿對角線方向配置在所述陶瓷本體的外表面上的頂點并且所述邊的長度為30 μ m的情況下，當所述正方形的未被所述陶瓷本體占據(jù)的區(qū)域的面積定義為A-外并且所述覆蓋層的厚度定義為t時，滿足下列方程:9 μ m2 ≤ A-外，并且 A-外 /t ≤ 3.7m。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其中，所述陶瓷本體燒制后具有0.09mm或更小的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其中，所述覆蓋層包括上覆蓋層和下覆蓋層，并且所述覆蓋層的厚度t為所述上覆蓋層和下覆蓋層的厚度的平均值。
8.一種拋光裝置，該拋光裝置包括: 旋轉(zhuǎn)工作臺，該旋轉(zhuǎn)工作臺具有垂直于重力方向的旋轉(zhuǎn)軸線； 拋光罐，該拋光罐安裝在所述旋轉(zhuǎn)工作臺的表面上，并且具有垂直于重力方向的旋轉(zhuǎn)軸線，所述拋光罐包括容納在該拋光罐中的1005型陶瓷本體和拋光件； 拋光罐旋轉(zhuǎn)控制部，該拋光罐旋轉(zhuǎn)控制部控制所述拋光罐的旋轉(zhuǎn)；以及 旋轉(zhuǎn)工作臺旋轉(zhuǎn)控制部，該旋轉(zhuǎn)工作臺旋轉(zhuǎn)控制部控制所述旋轉(zhuǎn)工作臺的旋轉(zhuǎn)， 其中，所述拋光罐的旋轉(zhuǎn)軸線和所述旋轉(zhuǎn)工作臺的旋轉(zhuǎn)軸線形成在不同的位置以彼此平行。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的拋光裝置，其中，當所述拋光罐的旋轉(zhuǎn)定義為自轉(zhuǎn)，并且所述工作臺的旋轉(zhuǎn)定義為公轉(zhuǎn)時，自轉(zhuǎn)速度/公轉(zhuǎn)速度為有理數(shù)并且不是整數(shù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的拋光裝置，其中，所述1005型陶瓷本體包括電介質(zhì)層和覆蓋層，并且所述1005型陶瓷本體在燒制后具有0.09mm或更小的厚度。
【文檔編號】H05K1/18GK103971929SQ201310291733
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2013年7月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月29日
【發(fā)明者】吳德錫, 全正玹 申請人:三星電機株式會社