壓環(huán)及等離子體加工設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種壓環(huán)及等離子體加工設(shè)備，壓環(huán)用于固定被加工工件的承載裝置，壓環(huán)包括環(huán)體和至少三個(gè)壓爪，至少三個(gè)壓爪與環(huán)體固定連接，且沿著環(huán)體的周向間隔設(shè)置，且每個(gè)壓爪的下表面疊置在承載裝置上表面的邊緣區(qū)域，并且在環(huán)體與承載裝置之間形成有排氣口，用以排出流入環(huán)體的環(huán)孔內(nèi)的工藝氣體。本發(fā)明提供的壓環(huán)，可以提高承載裝置上被加工工件的刻蝕速率的均勻性，進(jìn)而可以提高工藝的均勻性。
【專利說(shuō)明】壓環(huán)及等離子體加工設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體加工【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種壓環(huán)及等離子體加工設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002]圖形化藍(lán)寶石襯底(Patterned Sapphire Substrate,以下簡(jiǎn)稱PSS)是目前較為主流的提高藍(lán)光LED出光效率的方法之一，該方法通常采用干法刻蝕技術(shù)對(duì)存在掩膜圖形的藍(lán)寶石襯底進(jìn)行刻蝕，以在藍(lán)寶石襯底上制作圖形。感應(yīng)稱合等離子體(Inductivelycoupled plasma,以下簡(jiǎn)稱ICP)刻蝕設(shè)備是一種應(yīng)用比較廣泛的制作PSS襯底的設(shè)備,其通常借助壓環(huán)將用于承載襯底的承載裝置固定在反應(yīng)腔室內(nèi)進(jìn)行工藝。
[0003]圖1為現(xiàn)有的壓環(huán)的結(jié)構(gòu)俯視圖，請(qǐng)參閱圖1，壓環(huán)包括環(huán)體11，環(huán)體11的環(huán)孔110的直徑Dl小于承載裝置10的外徑D2，環(huán)體11的下表面的靠近環(huán)孔110周邊的環(huán)形區(qū)域與承載裝置10的上表面的邊緣區(qū)域相互疊置，用以固定承載裝置10。在裝載被加工工件的過(guò)程中，將承載有被加工工件的承載裝置10傳入反應(yīng)腔室內(nèi)的卡盤上，并使環(huán)體11下降直至壓住承載裝置10，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)承載裝置10的固定。
[0004]上述固定裝置在實(shí)際應(yīng)用中不可避免地存在以下問(wèn)題，即:由于環(huán)體11的下表面的靠近環(huán)孔110周邊的環(huán)形區(qū)域疊置在承載裝置10的邊緣區(qū)域，導(dǎo)致到達(dá)承載裝置10的上表面的工藝氣體因受到該上表面上壓環(huán)的阻擋而發(fā)生較大程度的偏轉(zhuǎn)，如圖2所示，這使得工藝氣體分布在承載裝置10上表面的邊緣區(qū)域的濃度較小，從而造成位于該邊緣區(qū)域的被加工工件的刻蝕速率較慢，進(jìn)而降低了工藝均勻性。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題，提供了一種壓環(huán)及等離子體加工設(shè)備，其可以提高承載裝置上被加工工件的刻蝕速率的均勻性，進(jìn)而可以提高工藝的均勻性。
[0006]本發(fā)明提供一種壓環(huán)，用于固定被加工工件的承載裝置，所述壓環(huán)包括環(huán)體和至少三個(gè)壓爪，所述至少三個(gè)壓爪與所述環(huán)體固定連接，且沿著所述環(huán)體的周向間隔設(shè)置，且每個(gè)所述壓爪的下表面疊置在所述承載裝置上表面的邊緣區(qū)域，并且在所述環(huán)體與所述承載裝置之間形成有排氣口，用以排出流入所述環(huán)體的環(huán)孔內(nèi)的工藝氣體。
[0007]其中，所述環(huán)孔的直徑大于所述承載裝置的外徑，且每個(gè)所述壓爪固定在所述環(huán)孔的孔壁上；所述環(huán)孔的內(nèi)周緣與所述承載裝置的外周緣之間形成作為所述排氣口的間隙，且該間隙具有水平間距。
[0008]優(yōu)選地，所述水平間距在所述環(huán)孔的徑向上的寬度為10?15mm。
[0009]其中，所述環(huán)孔的直徑大于所述承載裝置的外徑，且每個(gè)所述壓爪的上表面與所述壓環(huán)的下表面相互疊置，且二者固定連接；所述環(huán)孔的內(nèi)周緣與所述承載裝置的外周緣之間形成作為所述排氣口的間隙，且該間隙具有水平間距，以及所述環(huán)體的下表面和所述承載裝置的上表面之間形成作為所述排氣口的間隙，且該間隙具有豎直間距。
[0010]優(yōu)選地，所述水平間距在所述環(huán)孔的徑向上的寬度為10?15mm，所述豎直間距在所述環(huán)孔的軸向上的寬度為5?10mm。
[0011]其中，所述環(huán)孔的直徑小于或等于所述承載裝置的外徑，且每個(gè)所述壓爪的上表面與所述壓環(huán)的下表面相互疊置，且二者固定連接；所述環(huán)體的下表面與所述承載裝置的上表面之間形成作為所述排氣口的間隙，且該間隙具有豎直間距。
[0012]優(yōu)選地，所述豎直間距在所述環(huán)孔的軸向上的寬度為5?10mm。
[0013]優(yōu)選地，所述至少三個(gè)壓爪沿所述環(huán)體的周向均勻分布。
[0014]優(yōu)選地，相鄰的兩個(gè)壓爪之間的水平夾角為20°?72°。
[0015]其中，每個(gè)所述壓爪投影在所述承載裝置上表面上的徑向長(zhǎng)度為3?5mm。
[0016]其中，每個(gè)所述壓爪沿所述環(huán)孔的周向的寬度為5?10mm。
[0017]優(yōu)選地，所述壓爪和所述環(huán)體均采用絕緣材料制成，且二者采用一體成型的整體式結(jié)構(gòu)。
[0018]其中,所述絕緣材料包括陶瓷或者石英。
[0019]其中，所述承載裝置包括托盤和蓋板，其中
[0020]在所述托盤的上表面上設(shè)置有多個(gè)用于承載被加工工件的承載位；在所述蓋板上設(shè)置有通孔，所述通孔的數(shù)量和位置與所述承載位的數(shù)量和位置一一對(duì)應(yīng)，且所述通孔的直徑小于所述被加工工件的直徑，并且對(duì)應(yīng)于每個(gè)通孔，所述蓋板下表面的靠近通孔周邊的環(huán)形區(qū)域與置于所述承載位上的被加工工件上表面的邊緣區(qū)域相互疊置；每個(gè)所述壓爪的下表面疊置在所述蓋板上表面的邊緣區(qū)域。
[0021]本發(fā)明還提供一種等離子加工設(shè)備，包括反應(yīng)腔室及設(shè)置在其內(nèi)的卡盤、承載裝置和壓環(huán)，其中，所述承載裝置用于承載被加工工件，所述卡盤用于承載所述承載裝置；所述壓環(huán)用于將所述承載裝置固定在所述卡盤的上表面上，所述壓環(huán)采用上述的壓環(huán)。
[0022]本發(fā)明具有下述有益效果:
[0023]本發(fā)明提供的壓環(huán)，其沿環(huán)體的周向間隔設(shè)置有至少三個(gè)壓爪，且每個(gè)壓爪的下表面疊置在承載裝置上表面的邊緣區(qū)域，用以固定被加工工件的承載裝置，并且在環(huán)體與承載裝置之間形成有排氣口，用以排出流入環(huán)體的環(huán)孔內(nèi)的工藝氣體，可以使得工藝氣體經(jīng)由該排氣口平穩(wěn)地流動(dòng)，這使得工藝氣體在承載裝置的上表面上分布均勻，從而可以提高承載裝置上被加工工件的刻蝕速率的均勻性，進(jìn)而可以提高工藝的均勻性。
[0024]本發(fā)明提供的等離子體加工設(shè)備，其采用本發(fā)明提供的壓環(huán)，可以提高承載裝置上被加工工件的刻蝕速率的均勻性，從而可以提高工藝的均勻性，進(jìn)而可以提高工藝質(zhì)量和良品率。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1為現(xiàn)有的壓環(huán)的結(jié)構(gòu)俯視圖；
[0026]圖2為圖1中工藝氣體流向示意圖；
[0027]圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的壓環(huán)的俯視圖；
[0028]圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的壓環(huán)和承載裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖5為圖4中工藝氣體流向示意圖；
[0030]圖6為圖4中蓋板的俯視圖；
[0031]圖7為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的另一種壓環(huán)和承載裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖8為圖7中工藝氣體流向示意圖；
[0033]圖9為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的壓環(huán)和承載裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖10為圖9中工藝氣體流向示意圖；
[0035]圖11為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的另一種壓環(huán)和承載裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；以及
[0036]圖12為圖11中工藝氣體流向示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0037]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提供的壓環(huán)及等離子體加工設(shè)備進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0038]圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的壓環(huán)的俯視圖。圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的壓環(huán)和承載裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為圖4中工藝氣體流向示意圖。請(qǐng)一并參閱圖3、圖4和圖5，本實(shí)施例提供的壓環(huán)用于固定被加工工件的承載裝置，其中，壓環(huán)包括環(huán)體20包括至少三個(gè)壓爪22，至少三個(gè)壓爪22與環(huán)體20固定連接，且沿著環(huán)體20的周向間隔設(shè)置，且每個(gè)壓爪22的下表面疊置在承載裝置上表面的邊緣區(qū)域，并且在環(huán)體20與承載裝置之間形成有排氣口，用以排出流入環(huán)體20的環(huán)孔21內(nèi)的工藝氣體，可以使得工藝氣體經(jīng)由該排氣口平穩(wěn)地流動(dòng),這使得工藝氣體在承載裝置的上表面上分布均勻，從而可以提高承載裝置上被加工工件的刻蝕速率的均勻性，進(jìn)而可以提高工藝的均勻性。
[0039]在本實(shí)施例中，環(huán)孔21的直徑Dl大于承載裝置的外徑D2，每個(gè)壓爪22固定在環(huán)孔21的孔壁上，環(huán)孔21的內(nèi)周緣與承載裝置的外周緣之間形成作為排氣口的間隙，且該間隙具有水平間距L，可以使得流入環(huán)孔21內(nèi)的工藝氣體經(jīng)由該排氣口平穩(wěn)地流動(dòng)，這使得工藝氣體在承載裝置的上表面上分布均勻，從而可以提高承載裝置上被加工工件的刻蝕速率的均勻性，進(jìn)而可以提高工藝的均勻性。優(yōu)選地，水平間距L在環(huán)孔21的徑向上的寬度為10?15mm，可以進(jìn)一步保證工藝氣體經(jīng)由具有該水平間距L的間隙作為排氣口平穩(wěn)地流動(dòng)，從而可以進(jìn)一步提高工藝氣體分布的均勻性，進(jìn)而可以進(jìn)一步提高工藝的均勻性。
[0040]在本實(shí)施例中，承載裝置包括托盤30和蓋板31,其中在托盤30的上表面上設(shè)置有多個(gè)用于承載被加工工件S的承載位；在蓋板31上設(shè)置有通孔32，如圖6所示，為圖4中蓋板的俯視圖，通孔32的數(shù)量和位置與承載位的數(shù)量和位置一一對(duì)應(yīng)，且通孔32的直徑小于被加工工件S的直徑，并且對(duì)應(yīng)于每個(gè)通孔32，蓋板31下表面的靠近通孔32周邊的環(huán)形區(qū)域與置于承載位上的被加工工件S上表面的邊緣區(qū)域相互疊置，在這種情況下，承載裝置的上表面即為蓋板31的上表面，則每個(gè)壓爪22的下表面疊置在蓋板31上表面的邊緣區(qū)域。
[0041]優(yōu)選地，至少三個(gè)壓爪22沿環(huán)體20的周向均勻分布，這使得蓋板31上表面的邊緣區(qū)域受力均勻，從而可以將承載裝置穩(wěn)定地固定，進(jìn)可以提高工藝的穩(wěn)定性。
[0042]容易理解，環(huán)孔21的內(nèi)周緣與承載裝置的外周緣之間形成作為排氣口的間隙被至少三個(gè)壓爪22分割成與壓爪22的數(shù)量相對(duì)應(yīng)的獨(dú)立的間隙，因此，在實(shí)際應(yīng)用中，要根據(jù)實(shí)際情況設(shè)定壓爪22的尺寸、數(shù)量以及相鄰的兩個(gè)壓爪22之間的水平夾角，不僅要保證工藝氣體經(jīng)由該間隙作為的排氣口沿承載裝置的上表面平穩(wěn)流動(dòng)，而且要保證承載裝置被穩(wěn)定地固定。優(yōu)選地，相鄰的兩個(gè)壓爪22之間的水平夾角為20°?72°。在本實(shí)施例中，壓爪22的數(shù)量為五個(gè)，且每個(gè)壓爪22為條形結(jié)構(gòu)，每個(gè)壓爪22投影在承載裝置上表面上的徑向長(zhǎng)度M為3?5mm,每個(gè)壓爪22沿環(huán)孔21的周向的寬度N為5?1mm ;相鄰的兩個(gè)壓爪22之間的水平夾角A為72°。
[0043]在本實(shí)施例中，壓爪22和環(huán)體20采用絕緣材料制成，且二者采用一體成型的整體式結(jié)構(gòu)，這樣可以進(jìn)一步提高壓環(huán)的強(qiáng)度，從而可以進(jìn)一步提高壓環(huán)的使用壽命，其中，絕緣材料包括陶瓷或者石英。在實(shí)際應(yīng)用中，壓爪22和環(huán)體20也可以采用分體式結(jié)構(gòu)，二者可以采用粘接、螺紋、插接的連接的方式固定。
[0044]需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施例中，壓爪22為條形結(jié)構(gòu)，但是，本發(fā)明并不局限于此，在實(shí)際應(yīng)用中，在保證壓爪22的下表面和承載裝置的上表面穩(wěn)定接觸的前提下，壓爪22也可以采用其他的結(jié)構(gòu)。
[0045]還需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施例中，每個(gè)壓爪22固定在環(huán)孔21的孔壁上，但是，本發(fā)明并不局限于此，在實(shí)際應(yīng)用中，如圖7所示，為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的另一種壓環(huán)和承載裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，圖8為圖7中工藝氣體流向示意圖。圖7中每個(gè)壓爪22的上表面與環(huán)體20的下表面相互疊置，且二者固定連接，在這種情況下，環(huán)孔21的內(nèi)周緣與承載裝置的外周緣之間形成作為排氣口的間隙，且該間隙具有水平間距L，以及環(huán)體20的下表面和承載裝置的上表面之間形成作為排氣口的間隙，且該間隙具有豎直間距H，因此可以通過(guò)共同設(shè)定水平間距L和垂直間距H來(lái)決定排氣口的大小，從而可以提高排氣口設(shè)定的靈活性。優(yōu)選地，水平間距L在環(huán)孔21的徑向上的寬度為10?15mm，豎直間距H在環(huán)孔21的軸向上的寬度為5?1mm,
[0046]圖9為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的壓環(huán)和承載裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖10為圖9中工藝氣體流向示意圖。圖11為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的另一種壓環(huán)和承載裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖12為圖11中工藝氣體流向示意圖。請(qǐng)一并參閱圖9、圖10、圖11和圖12，本實(shí)施例提供的壓環(huán)與上述第一實(shí)施例提供的壓環(huán)相比，同樣包括環(huán)體20和壓爪22，由于環(huán)體20和壓爪22的結(jié)構(gòu)和功能在上述第一實(shí)施例中已有詳細(xì)的描述，在此不再贅述。
[0047]下面詳細(xì)地對(duì)本實(shí)施例與第一實(shí)施例之間的不同點(diǎn)進(jìn)行詳細(xì)地描述:具體地，環(huán)孔21的直徑Dl小于或等于承載裝置的外徑D2，每個(gè)壓爪22的上表面與環(huán)體20的下表面相互疊置，且二者固定連接，在這種情況下，環(huán)體20的下表面與承載裝置的上表面之間形成作為排氣口的間隙，且該間隙具有豎直間距H，優(yōu)選地，豎直間距H在環(huán)孔21的軸向上的寬度為5?ICtam。
[0048]容易理解，當(dāng)環(huán)孔21的直徑Dl小于或等于承載裝置的外徑D2時(shí)，壓爪22的尺寸應(yīng)該滿足:壓爪22位于環(huán)體20的下表面在承載裝置的上表面上的投影內(nèi)，這樣可以避免壓爪22的尺寸過(guò)大造成承載裝置的上表面上承載被加工工件S的可用面積減少。
[0049]需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施例中，可以在現(xiàn)有技術(shù)中的壓環(huán)22的下表面上增設(shè)壓爪22，這使得與環(huán)體配套使用的部分器件并不需要改進(jìn)，從而可以降低生產(chǎn)成本，進(jìn)而提高經(jīng)濟(jì)效益。
[0050]作為另外一個(gè)技術(shù)方案，本實(shí)施例還提供一種等離子加工設(shè)備，等離子體加工設(shè)備包括反應(yīng)腔室及設(shè)置在其內(nèi)的卡盤、承載裝置和壓環(huán)，其中，承載裝置用于承載被加工工件，卡盤用于承載上述承載裝置；壓環(huán)用于將承載裝置固定在卡盤的上表面上，并且，壓環(huán)采用本實(shí)施例提供的上述壓環(huán)。
[0051]本實(shí)施例提供的等離子體加工設(shè)備，其通過(guò)采用本實(shí)施例提供的上述壓環(huán)，可以提高承載裝置上被加工工件的刻蝕速率的均勻性，從而可以提高工藝的均勻性，進(jìn)而可以提高工藝質(zhì)量和良品率。
[0052]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的原理和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種壓環(huán)，用于固定被加工工件的承載裝置，其特征在于，所述壓環(huán)包括環(huán)體和至少三個(gè)壓爪，所述至少三個(gè)壓爪與所述環(huán)體固定連接，且沿著所述環(huán)體的周向間隔設(shè)置，且每個(gè)所述壓爪的下表面疊置在所述承載裝置上表面的邊緣區(qū)域，并且 在所述環(huán)體與所述承載裝置之間形成有排氣口，用以排出流入所述環(huán)體的環(huán)孔內(nèi)的工藝氣體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓環(huán)，其特征在于，所述環(huán)孔的直徑大于所述承載裝置的外徑，且每個(gè)所述壓爪固定在所述環(huán)孔的孔壁上； 所述環(huán)孔的內(nèi)周緣與所述承載裝置的外周緣之間形成作為所述排氣口的間隙，且該間隙具有水平間距。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的壓環(huán)，其特征在于，所述水平間距在所述環(huán)孔的徑向上的寬度為10?15mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓環(huán)，其特征在于，所述環(huán)孔的直徑大于所述承載裝置的外徑，且每個(gè)所述壓爪的上表面與所述壓環(huán)的下表面相互疊置，且二者固定連接； 所述環(huán)孔的內(nèi)周緣與所述承載裝置的外周緣之間形成作為所述排氣口的間隙，且該間隙具有水平間距，以及 所述環(huán)體的下表面和所述承載裝置的上表面之間形成作為所述排氣口的間隙，且該間隙具有豎直間距。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的壓環(huán)，其特征在于，所述水平間距在所述環(huán)孔的徑向上的寬度為10?15mm，所述豎直間距在所述環(huán)孔的軸向上的寬度為5?10mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓環(huán)，其特征在于，所述環(huán)孔的直徑小于或等于所述承載裝置的外徑，且每個(gè)所述壓爪的上表面與所述壓環(huán)的下表面相互疊置，且二者固定連接； 所述環(huán)體的下表面與所述承載裝置的上表面之間形成作為所述排氣口的間隙，且該間隙具有豎直間距。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓環(huán)，其特征在于，所述豎直間距在所述環(huán)孔的軸向上的寬度為5?10_。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓環(huán)，其特征在于，所述至少三個(gè)壓爪沿所述環(huán)體的周向均勻分布。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓環(huán)，其特征在于，相鄰的兩個(gè)壓爪之間的水平夾角為20。?72°。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓環(huán)，其特征在于，每個(gè)所述壓爪投影在所述承載裝置上表面上的徑向長(zhǎng)度為3?5mm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓環(huán)，其特征在于，每個(gè)所述壓爪沿所述環(huán)孔的周向的寬度為 5 ?10mnin
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓環(huán)，其特征在于，所述壓爪和所述環(huán)體均采用絕緣材料制成，且二者采用一體成型的整體式結(jié)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的壓環(huán)，其特征在于，所述絕緣材料包括陶瓷或者石英。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓環(huán)，其特征在于，所述承載裝置包括托盤和蓋板，其中 在所述托盤的上表面上設(shè)置有多個(gè)用于承載被加工工件的承載位； 在所述蓋板上設(shè)置有通孔，所述通孔的數(shù)量和位置與所述承載位的數(shù)量和位置一一對(duì)應(yīng)，且所述通孔的直徑小于所述被加工工件的直徑，并且對(duì)應(yīng)于每個(gè)通孔，所述蓋板下表面的靠近通孔周邊的環(huán)形區(qū)域與置于所述承載位上的被加工工件上表面的邊緣區(qū)域相互疊置； 每個(gè)所述壓爪的下表面疊置在所述蓋板上表面的邊緣區(qū)域。
15.一種等離子加工設(shè)備，包括反應(yīng)腔室及設(shè)置在其內(nèi)的卡盤、承載裝置和壓環(huán)，其中，所述承載裝置用于承載被加工工件，所述卡盤用于承載所述承載裝置；所述壓環(huán)用于將所述承載裝置固定在所述卡盤的上表面上，其特征在于，所述壓環(huán)采用權(quán)利要求1-14任意一項(xiàng)所述的壓環(huán)。
【文檔編號(hào)】C30B33/12GK104342758SQ201310313552
【公開日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2013年7月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月24日
【發(fā)明者】賈士亮 申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司