電路板及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種電路板及其制造方法。電路板具有：芯絕緣層，其具有第一面和其相反側(cè)的第二面；通孔導(dǎo)體，其形成于芯絕緣層；第一導(dǎo)體層，其形成于芯絕緣層的第一面上，包括通孔導(dǎo)體的第一連接盤；以及第一層疊部，其由形成于芯絕緣層的第一面上和第一導(dǎo)體層上的至少一組層間絕緣層和導(dǎo)體層以及形成于該層間絕緣層的通路導(dǎo)體構(gòu)成，其中，通孔導(dǎo)體以及在第一連接盤上堆疊的第一層疊部的最下層的通路導(dǎo)體構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)的至少一部分，在堆疊結(jié)構(gòu)中，與第一連接盤相連接的通孔導(dǎo)體的第一端面的寬度大于第一層疊部的最下層的通路導(dǎo)體的底面的寬度且小于第一層疊部的最下層的通路導(dǎo)體的上端面的寬度。
【專利說明】電路板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種具有堆疊結(jié)構(gòu)的電路板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在專利文獻I中公開了一種電路板，該電路板具有由多個通路導(dǎo)體和各通路導(dǎo)體的連接盤構(gòu)成的堆疊結(jié)構(gòu)。
[0003]在本說明書中取入專利文獻I的內(nèi)容。
[0004]專利文獻1:日本專利申請公開2002-26521號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

_5] 發(fā)明要解決的問題
[0006]在專利文獻I所公開的電路板中，認(rèn)為由于層間絕緣層(例如樹脂)的熱膨脹率與通路導(dǎo)體(例如金屬)的熱膨脹率之差而應(yīng)力(特別是熱應(yīng)力)容易集中于構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)的通路導(dǎo)體(特別是接近芯基板的通路導(dǎo)體)。而且，當(dāng)產(chǎn)生這種應(yīng)力的集中時，認(rèn)為電路板中的堆疊結(jié)構(gòu)的連接可靠性容易降低。
[0007]本發(fā)明是鑒于這種情形而完成的，目的在于提高電路板中的堆疊結(jié)構(gòu)的連接可靠性。另外，本發(fā)明的其它目的在于提高電路板外層的強度并且在電路板的內(nèi)層容易形成高密度布線。另外，本發(fā)明的其它目的在于容易制造具有連接可靠性高的堆疊結(jié)構(gòu)的電路板。
[0008]用于解決問題的方案
[0009]本發(fā)明所涉及的電路板具有:芯絕緣層，其具有第一面和其相反側(cè)的第二面；通孔導(dǎo)體，其形成于上述芯絕緣層；第一導(dǎo)體層，其形成于上述芯絕緣層的上述第一面上，包括上述通孔導(dǎo)體的第一連接盤；以及第一層疊部，其由形成于上述芯絕緣層的上述第一面上和上述第一導(dǎo)體層上的至少一組層間絕緣層和導(dǎo)體層以及形成于該層間絕緣層的通路導(dǎo)體構(gòu)成，其中，上述通孔導(dǎo)體以及在上述第一連接盤上堆疊的上述第一層疊部的最下層的通路導(dǎo)體構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)的至少一部分，在上述堆疊結(jié)構(gòu)中，與上述第一連接盤相連接的上述通孔導(dǎo)體的第一端面的寬度大于上述第一層疊部的最下層的通路導(dǎo)體的底面的寬度且小于該第一層疊部的最下層的通路導(dǎo)體的上端面的寬度。
[0010]本發(fā)明所涉及的電路板的制造方法包括以下步驟:準(zhǔn)備具有第一面和其相反側(cè)的第二面的芯絕緣層；形成要在上述芯絕緣層中形成的通孔導(dǎo)體；在上述芯絕緣層的上述第一面上形成包括上述通孔導(dǎo)體的第一連接盤的第一導(dǎo)體層；在上述芯絕緣層的上述第一面上和上述第一導(dǎo)體層上形成至少由一組層間絕緣層和導(dǎo)體層構(gòu)成的第一層疊部；以及形成至少一部分由上述通孔導(dǎo)體以及在上述第一連接盤上堆疊的上述第一層疊部的最下層的通路導(dǎo)體構(gòu)成的堆疊結(jié)構(gòu)，其中，在上述堆疊結(jié)構(gòu)的形成中，將與上述第一連接盤相連接的上述通孔導(dǎo)體的第一端面的寬度設(shè)為大于上述第一層疊部的最下層的通路導(dǎo)體的底面的寬度且小于該第一層疊部的最下層的通路導(dǎo)體的上端面的寬度。
[0011]發(fā)明的效果[0012]根據(jù)本發(fā)明，能夠提高電路板中的堆疊結(jié)構(gòu)的連接可靠性。另外，根據(jù)本發(fā)明，除了該效果或者代替該效果，有時還起到能夠提高電路板外層的強度并且在電路板的內(nèi)層中容易形成高密度布線的效果。另外，根據(jù)本發(fā)明，除了上述效果或者代替上述效果，有時還起到能夠容易地制造具有連接可靠性高的堆疊結(jié)構(gòu)的電路板的效果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1表示本發(fā)明的實施方式所涉及的電路板的截面圖。
[0014]圖2是放大表示圖1示出的電路板的堆疊結(jié)構(gòu)的圖。
[0015]圖3是用于說明構(gòu)成圖2示出的堆疊結(jié)構(gòu)的通孔導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0016]圖4是用于說明構(gòu)成圖2示出的堆疊結(jié)構(gòu)的通孔導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0017]圖5是用于說明構(gòu)成圖2示出的堆疊結(jié)構(gòu)的各通路導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0018]圖6是用于說明構(gòu)成圖2示出的堆疊結(jié)構(gòu)的各通路導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0019]圖7是用于說明構(gòu)成圖2示出的堆疊結(jié)構(gòu)的通孔導(dǎo)體及在其兩面堆疊的通路導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0020]圖8是用于說明構(gòu)成圖2示出的堆疊結(jié)構(gòu)的通孔導(dǎo)體與在其兩面堆疊的通路導(dǎo)體之間的位置關(guān)系的圖。
[0021]圖9是用于說明在本發(fā)明的實施方式所涉及的堆疊結(jié)構(gòu)的最外連接盤所構(gòu)成的焊盤上形成焊錫的例子的圖。
[0022]圖1OA是表示對施加到六層、八層以及十層的電路板的應(yīng)力進行模擬的結(jié)果的曲線圖。
[0023]圖1OB是使用數(shù)值表示圖1OA示出的模擬結(jié)果的圖。
[0024]圖11是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的電路板的制造方法的流程圖。
[0025]圖12A是用于說明在圖11示出的電路板的制造方法中準(zhǔn)備芯基板(芯絕緣層)的工序的圖。
[0026]圖12B是用于說明在通過圖12A的工序準(zhǔn)備的芯基板中形成通路導(dǎo)體并在芯基板上形成導(dǎo)體層的第一工序的圖。
[0027]圖12C是用于說明圖12B的工序后續(xù)的第二工序的圖。
[0028]圖12D是用于說明圖12C的工序后續(xù)的第三工序的圖。
[0029]圖13A是用于說明在圖11示出的電路板的制造方法中形成層疊部的第一級的第
一工序的圖。
[0030]圖13B是用于說明圖13A的工序后續(xù)的第二工序(激光照射工序)的圖。
[0031]圖14是表示圖13B的第二工序中的激光的反射方式的圖。
[0032]圖15是用于說明圖13B的工序后續(xù)的第三工序的圖。
[0033]圖16是用于說明圖15的工序后續(xù)的第四工序的圖。
[0034]圖17是用于說明在圖11示出的電路板的制造方法中形成層疊部的第二級的工序的圖。
[0035]圖18是用于說明在圖11示出的電路板的制造方法中形成層疊部的第三級的工序的圖。
[0036]圖19是用于說明在圖11示出的電路板的制造方法中形成層疊部的第四級和通孔的第一工序的圖。
[0037]圖20是用于說明圖19的工序后續(xù)的第二工序的圖。
[0038]圖21是用于說明圖20的工序后續(xù)的第三工序的圖。
[0039]圖22是用于說明圖21的工序后續(xù)的第四工序的圖。
[0040]圖23是表示在本發(fā)明的其它實施方式所涉及的堆疊結(jié)構(gòu)中以在通孔導(dǎo)體兩面堆疊的兩個通路導(dǎo)體的底面投影到電路板的主面(X-Y平面)的情況下相互錯開的方式進行配置的例子的圖。
[0041]圖24是表示在本發(fā)明的其它實施方式所涉及的堆疊結(jié)構(gòu)中在形成于芯絕緣層的通孔導(dǎo)體的連接盤的表面沒有形成凹部的例子的圖。
[0042]圖25是表示在本發(fā)明的其它實施方式中構(gòu)成電路板的各導(dǎo)體層不包含金屬箔而僅由鍍層構(gòu)成的例子的圖。
[0043]圖26是表不在本發(fā)明的其它實施方式中構(gòu)成電路板的某一個導(dǎo)體層包含金屬箔而構(gòu)成電路板的其它導(dǎo)體層不包含金屬箔的例子的圖。
[0044]圖27是表示在本發(fā)明的其它實施方式所涉及的堆疊結(jié)構(gòu)中在芯絕緣層中形成了圓柱狀的通孔導(dǎo)體的例子的圖。
[0045]圖28是表示在本發(fā)明的其它實施方式中具有多個全棧的堆疊結(jié)構(gòu)的電路板的圖。
[0046]圖29是表示在本發(fā)明的其它實施方式中具有并非全棧的堆疊結(jié)構(gòu)的電路板的圖。
[0047]圖30是表示在本發(fā)明的其它實施方式所涉及的堆疊結(jié)構(gòu)中在通孔導(dǎo)體一側(cè)堆疊的通路導(dǎo)體的數(shù)量與在通孔導(dǎo)體的另一側(cè)堆疊的通路導(dǎo)體的數(shù)量相互不同的例子的圖。
[0048]附圖標(biāo)記說明
[0049]IOa:芯絕緣層；12:通孔導(dǎo)體；12a:通孔；12b:收縮部;20a、40a、60a、80a:絕緣層;21、41、61、81:導(dǎo)體層;22、42、62、82:通路導(dǎo)體；22a、42a、62a、82a:通路孔；30a、50a、70a、90a:絕緣層;31、51、71、91:導(dǎo)體層；31a:金屬箔；31b:無電解鍍膜；31c:電解鍍層；32、52、72、92:通路導(dǎo)體；32a、52a、72a、92a:通路孔；33a:無電解鍍膜；33b:電解鍍層；83,93:阻焊層；83a、93a:開口部；94:焊錫；94a、94b:耐腐蝕層；100:電路板；102:通孔導(dǎo)體；102a:通孔；111、112:導(dǎo)體層;llla、112a:金屬箔;lllb、112b:無電解鍍膜；lllc、112c:電解鍍層；113a:無電解鍍膜；113b:電解鍍層；121:通孔導(dǎo)體；121a:通孔；121b:收縮部；121c、121f:端面;121d、121g:連接盤；121e、121h:凹部；221、421、621、821:通路導(dǎo)體;221a、421a、621a、821a:通路孔;221b、421b、621b、821b:底面;221c、421c、621c、821c:上端面；221d、421d、621d、821d:連接盤;221e、421e、621e、821e:凹部;321、521、721、921:通路導(dǎo)體;321a、521a、721a、921a:通路孔;321b、521b、721b、921b:底面；321c、521c、721c、921c:上端面;321d、521d、721d、921d:連接盤;321e、521e、721e、921e:凹部；1000:雙面覆銅層疊板;1001、1002、1011、1012:金屬箔;1003a、1003b、1003c:孔;1004、1013、1014:鍍層;1011、1012、1031、1032:金屬箔；1033:鍍層;B1、B2:層疊部；F1、F2:面；P1:凹部；P2:底面；P3:上端面；P4:連接盤；P5:布線;P101、P102:焊盤;S11、S12、S21、S22:堆疊結(jié)構(gòu)。
【具體實施方式】[0050]下面，參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實施方式。此外，在圖中，箭頭Zl、Z2分別指與電路板的主面(表面和背面)的法線方向相當(dāng)?shù)碾娐钒宓膶盈B方向(或者電路板的厚度方向)。另一方面，箭頭X1、X2和Y1、Y2分別指與層疊方向正交的方向(或者各層的側(cè)方)。電路板的主面成為X-Y平面。另外，電路板的側(cè)面成為X-Z平面或者Y-Z平面。在層疊方向上，將接近電路板的芯一側(cè)稱為下層(或者內(nèi)層)，將遠(yuǎn)離芯一側(cè)稱為上層(或者外層)。最內(nèi)通路導(dǎo)體是最接近芯的通路導(dǎo)體，最外通路導(dǎo)體是離芯最遠(yuǎn)的通路導(dǎo)體。
[0051]導(dǎo)體層是由一至多個導(dǎo)體圖案構(gòu)成的層。導(dǎo)體層也有時包括構(gòu)成電路的導(dǎo)體圖案、例如布線(還包括接地)、焊盤或者連接盤等，也有時包括不構(gòu)成電路的面狀的導(dǎo)體圖案等。
[0052]開口部除了包括孔、槽以外，還包括切口、裂縫等?？撞⒉幌薅ㄓ谪炌祝瑢⒎秦炌ǖ目滓舶ㄔ趦?nèi)均稱為孔?？装ㄍ房缀屯住?br> [0053]通路孔是指例如在絕緣層的一側(cè)存在導(dǎo)體層(主要是下層側(cè)的導(dǎo)體層)的狀態(tài)下開孔來形成而從絕緣層的另一側(cè)到達該導(dǎo)體層的孔。形成于通路孔內(nèi)的導(dǎo)體(以下稱為通路導(dǎo)體)在絕緣層的一側(cè)存在導(dǎo)體層的狀態(tài)下形成，因此通路導(dǎo)體與絕緣層的至少一側(cè)的導(dǎo)體層非連接，在兩者之間形成界面。另一方面，通孔是指在絕緣層的一側(cè)或者兩側(cè)存在導(dǎo)體層的情況下將該導(dǎo)體層也包括在內(nèi)以貫通絕緣層的方式形成的孔。形成于通孔內(nèi)的導(dǎo)體(以下稱為通孔導(dǎo)體)通常通過鍍處理等與絕緣層兩側(cè)的導(dǎo)體層一起形成，因此通孔導(dǎo)體與絕緣層兩側(cè)的導(dǎo)體層至少在一部分連續(xù)。
[0054]連接盤是形成于孔(例如通路孔)上或者孔的邊緣部的導(dǎo)體，至少一部分與孔內(nèi)的導(dǎo)體(例如通路導(dǎo)體)一體地形成。
[0055]通路導(dǎo)體的底面位于與連接盤相反的一側(cè)。將連接盤(或者底面)處于同一側(cè)的通路導(dǎo)體稱為朝向相同的通路導(dǎo)體。例如在圖1中，形成于層疊部BI的通路導(dǎo)體(通路導(dǎo)體32、52、72、92)均在Zl側(cè)具有連接盤，因此這些通路導(dǎo)體相當(dāng)于朝向相同的通路導(dǎo)體。另夕卜，形成于層疊部Β2的通路導(dǎo)體(通路導(dǎo)體22、42、62、82)均在Ζ2側(cè)具有連接盤，因此這些通路導(dǎo)體相當(dāng)于朝向相同的通路導(dǎo)體。另外，在層疊部BI的通路導(dǎo)體和層疊部Β2的通路導(dǎo)體之間連接盤的位置不同(Zl側(cè)或者Ζ2側(cè))，因此層疊部BI的通路導(dǎo)體與層疊部Β2的通路導(dǎo)體相當(dāng)于方向相互相反的通路導(dǎo)體。
[0056]堆疊是指通路導(dǎo)體形成于在其下層形成的通孔導(dǎo)體或者通路導(dǎo)體的連接盤上。即，如果通路導(dǎo)體的底面沒有從其下層的通孔導(dǎo)體或者通路導(dǎo)體的連接盤超出，則為堆疊。
[0057]連接除了存在有接縫的情況以外，還包括沒有接縫的情況。有接縫的情況是指例如分別形成的兩個物體通過粘接劑等進行接合的情況。沒有接縫的情況是指例如兩個部分連續(xù)地(一體地)形成而在它們之間不存在任何物質(zhì)的情況。
[0058]鍍處理除了電解鍍等濕式鍍以外，還包括PVD(Physical Vapor Deposition:物理氣相沉積)、CVD(Chemical Vapor Deposition:化學(xué)氣相沉積)等干式鍍。
[0059]光并不意味著限定于可見光，光除了可見光以外還包括紫外線或者X線等短波長的電磁波和紅外線等長波長的電磁波。
[0060]孔或者柱體(突起)的“寬度”如果沒有特別指定，則在其截面為圓的情況下意味著直徑，在圓以外的情況下意味著2。凹部的深度是指最大值(在最深部分進行測量得到的值)。但是，在明確地記載指其它尺寸的情況下，并不限定于此。
[0061]如圖1所示，本實施方式的電路板100具有芯絕緣層10a、絕緣層20a、30a、40a、50a、60a、70a、80a、90a、導(dǎo)體層 111、112、21、31、41、51、61、71、81、91、通孔導(dǎo)體 12 以及通路導(dǎo)體22、32、42、52、62、72、82、92。電路板100為多層印刷電路板。以下，將芯絕緣層IOa的表面和背面(兩個主面)的一個稱為面F1，將另一個稱為面F2。
[0062]在本實施方式中，芯絕緣層IOa具有面Fl (第一面)和其相反側(cè)的面F2(第二面)。在芯絕緣層IOa的面Fl上形成導(dǎo)體層111 (第一導(dǎo)體層)，在芯絕緣層IOa的面Fl上和導(dǎo)體層111上形成層疊部BI (第一層疊部)。另外，在芯絕緣層IOa的面F2上形成導(dǎo)體層112 (第二導(dǎo)體層)，在芯絕緣層IOa的面F2上和導(dǎo)體層112上形成層疊部B2 (第二層疊部)。
[0063]層疊部BI和B2分別由四組層間絕緣層和導(dǎo)體層構(gòu)成。S卩，在芯絕緣層IOa的面Fl上和導(dǎo)體層111上交替地層疊四層絕緣層30a、50a、70a、90a(各層間絕緣層)和四層導(dǎo)體層31、51、71、91。另外，在芯絕緣層IOa的面F2上和導(dǎo)體層112上交替地層疊四層絕緣層20a、40a、60a、80a(各層間絕緣層)和四層導(dǎo)體層21、41、61、81。
[0064]導(dǎo)體層111、112、21、31、41、51、61、71、81、91分別具有例如構(gòu)成電路的布線、連接盤或者用于提高電路板100的強度的面狀的導(dǎo)體圖案等。
[0065]在導(dǎo)體層81、91 (各最外導(dǎo)體層)上分別形成阻焊層83、93。其中，在阻焊層83、93中分別形成開口部83a、93a。因此，導(dǎo)體層81的規(guī)定部位(位于開口部83a的部位)不被阻焊層83覆蓋而露出，成為焊盤P102。另外，導(dǎo)體層91的規(guī)定部位(位于開口部93a的部位)成為焊盤P101。焊盤PlOl成為例如用于與其它電路板進行電連接的外部連接端子，焊盤P102成為例如用于安裝電子部件的外部連接端子。但是并不限定于此，焊盤P101、P102的用途是任意的。
[0066]在本實施方式中，芯絕緣層IOa相當(dāng)于電路板100的芯基板。在電路板100中，位于不同層的導(dǎo)體層之間經(jīng)由形成于位于各層間的絕緣層(層間絕緣層)的通路導(dǎo)體而相互電連接。形成于芯絕緣層IOa兩面的導(dǎo)體層(導(dǎo)體層111、112)經(jīng)由形成于芯絕緣層IOa的通孔導(dǎo)體12而相互電連接。
[0067]在芯絕緣層IOa中形成貫通芯絕緣層IOa的通孔12a，在通孔12a中填充導(dǎo)體(例如銅的鍍層)。通孔12a內(nèi)的導(dǎo)體構(gòu)成通孔導(dǎo)體12。
[0068]在本實施方式中，通孔導(dǎo)體12的形狀呈沙漏的形狀(鼓狀)。如圖2所示，通孔導(dǎo)體12具有端面121c (第一端面)和其相反側(cè)的端面121f (第二端面)，越遠(yuǎn)離各端面121c和121f則越細(xì)，通孔導(dǎo)體12的寬度在收縮部121b為最小。端面121c、121f和收縮部121b的俯視形狀(X-Y平面)例如呈圓形。
[0069]在絕緣層20a、30a、40a、50a、60a、70a、80a、90a 中分別形成通路孔 22a、32a、42a、52a、62a、72a、82a、92a，在各通路孔中填充導(dǎo)體(例如銅的鍍層)。通路孔22a、32a、42a、52a、62a、72a、82a、92a 內(nèi)的導(dǎo)體分別構(gòu)成通路導(dǎo)體 22、32、42、52、62、72、82、92。
[0070]通路導(dǎo)體22、32、42、52、62、72、82、92的形狀分別呈例如以朝向芯絕緣層IOa縮徑的方式形成錐形的錐圓柱(圓錐臺)。但是，并不限定于此，各通路導(dǎo)體的形狀是任意的。
[0071]在電路板100中形成貫通所有層的通孔102a，在通孔102a的壁面形成例如由銅的鍍層構(gòu)成的通孔導(dǎo)體102 (例如保形導(dǎo)體)。通孔102a在Z方向(層疊方向)上貫通電路板100。通孔102a的開口形狀例如呈橢圓形。通孔102a例如配置于電路板100的周緣部。通孔導(dǎo)體102可以與電路板100的接地線等電連接，也可以與其它所有導(dǎo)體絕緣而電孤立。此外，通孔102a的數(shù)量、開口形狀或者配置等是任意的。如果不需要，則也可以省略通孔102a。
[0072]本實施方式的電路板100具有堆疊結(jié)構(gòu)S11。堆疊結(jié)構(gòu)Sll由通孔導(dǎo)體和通路導(dǎo)體以及它們的連接盤構(gòu)成。詳細(xì)地說，堆疊結(jié)構(gòu)Sll構(gòu)成所有層的通孔導(dǎo)體和通路導(dǎo)體進行堆疊的結(jié)構(gòu)、即所謂的全棧。在堆疊結(jié)構(gòu)Sll中，在鄰接的通孔導(dǎo)體與通路導(dǎo)體或者鄰接的通路導(dǎo)體之間相互緊密接合(接觸)而導(dǎo)通。因此，容易確保布線空間，布線圖案的設(shè)計自由度提高。另外，能夠省略X方向或者Y方向的布線，因此能夠?qū)崿F(xiàn)層間連接的布線長度的縮短。
[0073]在本實施方式中，構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通孔導(dǎo)體和所有通路導(dǎo)體的Z方向的軸相互大致一致。此外，通孔導(dǎo)體和通路導(dǎo)體的Z方向的軸相當(dāng)于經(jīng)過通孔導(dǎo)體和通路導(dǎo)體的各X-Y截面的重心(在圓的情況下為中心)的Z方向的線。
[0074]堆疊結(jié)構(gòu)Sll沿著Z方向延伸設(shè)置，將電路板100的導(dǎo)體層81 ( 一側(cè)的最外導(dǎo)體層)與導(dǎo)體層91 (另一側(cè)的最外導(dǎo)體層)相互電連接。此外，在圖1中示出了一個堆疊結(jié)構(gòu)S11，但是堆疊結(jié)構(gòu)的配置和數(shù)量是任意的。堆疊結(jié)構(gòu)Sll可以形成于電路板100的邊緣部，也可以形成于電路板100的中央部。
[0075]在圖2中放大示出堆疊結(jié)構(gòu)S11。構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通路導(dǎo)體形成于芯絕緣層IOa和層疊部B1、B2。以下，將通孔導(dǎo)體12中的、構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通孔導(dǎo)體稱為通孔導(dǎo)體121。另外，將通路導(dǎo)體22、32、42、52、62、72、82、92中的、構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通路導(dǎo)體分別稱為通路導(dǎo)體 221、321、421、521、621、721、821、921。
[0076]如圖2所示，通孔導(dǎo)體121由通孔121a內(nèi)的導(dǎo)體(例如銅的鍍層)構(gòu)成。另外，通路導(dǎo)體 221、321、421、521、621、721、821、921 分別由通路孔 221a、321a、421a、521a、621a、721a、821a、921a內(nèi)的導(dǎo)體(例如銅的鍍層)構(gòu)成。
[0077]構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通孔導(dǎo)體121通過其一側(cè)的端面121c與導(dǎo)體層111 (第一導(dǎo)體層)所包含的連接盤121d(第一連接盤)相連接，通過其另一側(cè)的端面121f與導(dǎo)體層112(第二導(dǎo)體層)所包含的連接盤121g(第二連接盤)相連接。各通路導(dǎo)體的上端面221c、321c、421c、521c、621c、721c、821c、921c 分別與連接盤 221d、321d、421d、521d、621d、721d、821d、921d 相連接。另外，各通路導(dǎo)體的底面 221b、321b、421b、521b、621b、721b、821b、921b分別與連接盤 121g、121d、221d、321d、421d、521d、621d、721d 的上表面相連接。
[0078]在本實施方式中，構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的所有通路導(dǎo)體分別通過其上端面與連接盤相連接。另外，構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的各通路導(dǎo)體的連接盤221d、321d、421d、521d、621d、721d、821d、921d 分別包括在導(dǎo)體層 21、31、41、51、61、71、81、91 中。
[0079]在本實施方式中，在連接盤121d、121g、221d、321d、421d、521d、621d、721d、821d、921d 的表面分別形成有凹部 121e、121h、221e、321e、421e、521e、621e、721e、821e、921e。在本實施方式中，在堆疊結(jié)構(gòu)Sll中，越是形成于接近最外(連接盤821d、921d)的連接盤的凹部則具有越大的深度和寬度。凹部的形狀可以是圓頂型(局部球型)，也可以是圓錐臺(錐圓柱)，還可以是長方體(或者立方體)。
[0080]如圖2所示，堆疊結(jié)構(gòu)Sll由以下各部構(gòu)成:形成于芯絕緣層IOa的通孔導(dǎo)體121 ；第一堆疊部，其是在通孔導(dǎo)體121的連接盤121d (第一連接盤)上堆疊層疊部BI (第一層疊部)的通路導(dǎo)體321、521、721、921而成；以及第二堆疊部，其是在通孔導(dǎo)體121的連接盤121g(第二連接盤)上堆疊層疊部B2(第二層疊部)的通路導(dǎo)體221、421、621、821而成。第一堆疊部由形成于層疊部BI的朝向相同的四個通路導(dǎo)體(通路導(dǎo)體321、521、721、921)構(gòu)成，第二堆疊部由形成于層疊部B2的朝向相同(與第一堆疊部的通路導(dǎo)體朝向相反)的四個通路導(dǎo)體(通路導(dǎo)體221、421、621、821)構(gòu)成。
[0081]在通孔導(dǎo)體121中，其收縮部121b、端面121c、連接盤121d以及凹部121e大致具有圖3示出那樣的關(guān)系(尺寸和位置等)。
[0082]如圖3所示，關(guān)于一個通孔導(dǎo)體121，凹部121e的寬度D13、收縮部121b的寬度D18、端面121c的寬度Dll以及連接盤121d的寬度D15按從小到大的順序為寬度D13、D18、Dll、D15。關(guān)于一個通孔導(dǎo)體121，凹部121e、收縮部121b、端面121c以及連接盤121d例如形成為它們的俯視形狀(X-Y平面)為同心圓。另外，在導(dǎo)體層111中包含例如與連接盤121d形成一體的布線。這種布線例如與電源或者接地連接。但是并不限定于此，如果不需要，則也可以省略這種布線。
[0083]此外，在圖3中示出與通孔導(dǎo)體121的收縮部121b相比更靠連接盤121d側(cè)的結(jié)構(gòu)，但是與通孔導(dǎo)體121的收縮部121b相比更靠連接盤121g側(cè)的結(jié)構(gòu)也例如成為圖3示出的結(jié)構(gòu)。在本實施方式中，例如圖4所示，將收縮部121b(X-Y平面)設(shè)為對稱面，通孔導(dǎo)體121中的連接盤121d側(cè)的結(jié)構(gòu)與連接盤121g側(cè)的結(jié)構(gòu)相互大致對稱。相對于收縮部121b的端面121f、連接盤121g以及凹部121h的位置(XY坐標(biāo))例如分別與端面121c、連接盤121d以及凹部121e大致相同。另外，端面121f、連接盤121g以及凹部121h的尺寸和形狀也例如分別與端面121c、連接盤121d以及凹部121e大致相同。S卩，端面121f的寬度D12、凹部121h的寬度D14、連接盤121g的寬度D16例如分別與端面121c的寬度D11、凹部121e的寬度D13、連接盤121d的寬度D15大致相同。
[0084]接著，參照圖4說明構(gòu)成本實施方式所涉及的堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通孔導(dǎo)體121的結(jié)構(gòu)。
[0085]在本實施方式中，如圖4所示，導(dǎo)體層111 (包括連接盤121d)由金屬箔11 Ia (例如銅箔)、例如銅的無電解鍍膜111b、例如銅的電解鍍層Illc構(gòu)成。構(gòu)成導(dǎo)體層111的金屬箔111a、無電解鍍膜Illb以及電解鍍層Illc在芯絕緣層IOa的面Fl上按該順序?qū)盈B。
[0086]導(dǎo)體層112 (包括連接盤121g)由金屬箔112a (例如銅箔)、例如銅的無電解鍍膜112b、例如銅的電解鍍層112c構(gòu)成。構(gòu)成導(dǎo)體層112的金屬箔112a、無電解鍍膜112b以及電解鍍層112c在芯絕緣層IOa的面F2上按該順序?qū)盈B。
[0087]另外，通孔導(dǎo)體121由例如銅的無電解鍍膜113a、例如銅的電解鍍層113b構(gòu)成。構(gòu)成通孔導(dǎo)體121的無電解鍍膜113a和電解鍍層113b在通孔121a的壁面上按該順序?qū)盈B。電解鍍層113b被填充到通孔121a中的無電解鍍膜113a的內(nèi)側(cè)。
[0088]在通孔導(dǎo)體121和其連接盤121d、121g中，無電解鍍膜111b、112b、113a相互連續(xù)地(一體地)形成，電解鍍層111c、112c、113b相互連續(xù)地(一體地)形成。S卩，通孔導(dǎo)體121與芯絕緣層IOa兩側(cè)的導(dǎo)體層111、112(詳細(xì)地說是連接盤121d、121g)連續(xù)。
[0089]在構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的任一個通路導(dǎo)體中，其上端面和底面以及連接盤和其凹部均大致具有圖5示出的關(guān)系(尺寸和位置等)。在圖5中，Pl表示形成于連接盤的凹部(以下稱為凹部PD，P2表示通路孔的底面(以下稱為底面P2)，P3表示通路導(dǎo)體的上端面(以下稱為上端面P3)，P4表示連接盤(以下稱為連接盤P4)，P5表示與連接盤相連接(詳細(xì)地說是與連接盤一體地形成)的布線(以下稱為布線P5)。
[0090]如圖5所示，關(guān)于一個通路導(dǎo)體，凹部Pl的寬度D201、底面P2的寬度D202、上端面P3的寬度D203、連接盤P4的寬度D204從小到大的順序為寬度D201、D202、D203、D204。關(guān)于一個通路導(dǎo)體，凹部P1、底面P2、上端面P3以及連接盤P4形成為例如它們的俯視形狀(X-Y平面)為同心圓。布線P5例如與電源或者接地連接。但是并不限定于此，如果不需要則也可以省略布線P5。
[0091]圖6是用于說明構(gòu)成本實施方式所涉及的堆疊結(jié)構(gòu)Sll的各通路導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)的圖。在圖6中，作為代表示出通路導(dǎo)體321，但是構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的所有通路導(dǎo)體大致具有相同的結(jié)構(gòu)。
[0092]在本實施方式中，構(gòu)成電路板100的層疊部BI和B2的各導(dǎo)體層由金屬箔(下層)、無電解鍍膜(中間層)、電解鍍層(上層)構(gòu)成。具體地說，例如圖6所示，導(dǎo)體層31由金屬箔31a(例如銅箔)、例如銅的無電解鍍膜31b、例如銅的電解鍍層31c構(gòu)成。構(gòu)成導(dǎo)體層31的金屬箔31a、無電解鍍膜31b以及電解鍍層31c在絕緣層30a上按該順序?qū)盈B。
[0093]另外，通路導(dǎo)體321由例如銅的無電解鍍膜33a、例如銅的電解鍍層33b構(gòu)成。構(gòu)成通路導(dǎo)體321的無電解鍍膜33a和電解鍍層33b在通路孔321a的底面上和壁面上按該順序?qū)盈B。電解鍍層33b被填充到通路孔321a中的無電解鍍膜33a的內(nèi)側(cè)。
[0094]在通路導(dǎo)體321和其連接盤321d中，無電解鍍膜31b、33a相互連續(xù)地(一體地)形成，電解鍍層31c、33b相互連續(xù)地(一體地)形成。通路導(dǎo)體321與連接盤321d(導(dǎo)體層31)連續(xù)，與連接盤121d(導(dǎo)體層111)非連續(xù)。即，在通路導(dǎo)體321的底面321b與連接盤121d的上表面之間形成界面。
[0095]在本實施方式中，如圖7所示，通孔導(dǎo)體121的端面121c的寬度DlI大于通路導(dǎo)體321 (層疊部BI或者第一堆疊部的最下層的通路導(dǎo)體)的底面321b的寬度D31 (D1DD31)且小于通路導(dǎo)體321的上端面321c的寬度D32(D11〈D32)。通孔導(dǎo)體121的端面121f的寬度D12大于通路導(dǎo)體221 (層疊部B2或者第二堆疊部的最下層的通路導(dǎo)體)的底面221b的寬度D21 (D12>D21)且小于通路導(dǎo)體221的上端面221c的寬度D22 (D12〈D22)。
[0096]通孔導(dǎo)體121的最細(xì)部分(收縮部121b)的寬度D18小于通路導(dǎo)體221的底面221b的寬度D21 (D18〈D21)且小于通路導(dǎo)體321的底面321b的寬度D31 (D18〈D31)。
[0097]凹部121e的寬度D13和凹部121h的寬度D14分別小于例如收縮部121b的寬度D18 (D13〈D18、D14〈D18)。但是并不限定于此，凹部121e的寬度D13和凹部121h的寬度D14可以分別與收縮部121b的寬度D18相同，也可以大于寬度D18。
[0098]在本實施方式中，關(guān)于通路導(dǎo)體321，底面321b的寬度D31、上端面321c的寬度D32以及凹部321e的寬度D33從小到大的順序為寬度D33、D31、D32。另外，通路導(dǎo)體321的底面321b的寬度D31大于通孔導(dǎo)體121的凹部121e的寬度D13。另外，通路導(dǎo)體521的底面521b的寬度D51大于通路導(dǎo)體321的凹部321e的寬度D33。
[0099]另一方面，關(guān)于通路導(dǎo)體221，底面221b的寬度D21、上端面221c的寬度D22以及凹部221e的寬度D23從小到大的順序為寬度D23、D21、D22。通路導(dǎo)體221的底面221b的寬度D21大于通孔導(dǎo)體121的凹部121h的寬度D14。另外，通路導(dǎo)體421的底面421b的寬度D41大于通路導(dǎo)體221的凹部221e的寬度D23。
[0100]在本實施方式中，如圖2所示，構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的第一堆疊部的通路導(dǎo)體321、521、721、921與構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的第二堆疊部的通路導(dǎo)體221、421、621、821相對于通孔導(dǎo)體121具有對稱的結(jié)構(gòu)(形狀、尺寸以及位置)。位于同一層的通路導(dǎo)體具有相互相同的結(jié)構(gòu)(形狀、尺寸以及位置)。以下，關(guān)于第一堆疊部和第二堆疊部各自，將各通路導(dǎo)體的位置從下層起依次稱為第一層(通路導(dǎo)體321、221)、第二層(通路導(dǎo)體521、421)、第三層(通路導(dǎo)體721,621)、第四層(通路導(dǎo)體921,821)。
[0101]如圖2所示，在堆疊結(jié)構(gòu)Sll中，通孔導(dǎo)體121的收縮部121b的寬度以及第一堆疊部的各通路導(dǎo)體的底面的寬度從小到大的順序為收縮部121b、底面321b、521b、721b、921b。另外，通孔導(dǎo)體121的端面121c的寬度以及第一堆疊部的各通路導(dǎo)體的上端面的寬度從小到大的順序為端面121c、上端面321c、521c、721c、921c。形成于各連接盤121d、321d、521d、721d、921d的凹部的寬度從小到大的順序為凹部121e、321e、521e、721e、921e。
[0102]另一方面，在堆疊結(jié)構(gòu)Sll中，通孔導(dǎo)體121的收縮部121b的寬度以及第二堆疊部的各通路導(dǎo)體的底面的寬度從小到大的順序為收縮部121b、底面221b、421b、621b、821b。通孔導(dǎo)體121的端面121f的寬度以及第二堆疊部的各通路導(dǎo)體的上端面的寬度從小到大的順序為端面121f、上端面221c、421c、621c、821c。形成于各連接盤121g、221d、421d、621d、821d的凹部的寬度從小到大的順序為凹部121h、221e、421e、621e、821e。
[0103]與通孔導(dǎo)體121和各通路導(dǎo)體相連接的連接盤121d、121g、221d、321d、421d、521d、621d、721d、821d、921d例如具有相互相同的寬度。在本實施方式中，構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的所有連接盤具有相互相同的寬度。但是并不限定于此，堆疊結(jié)構(gòu)Sll也可以由具有相互不同的寬度的多個連接盤構(gòu)成。
[0104]在本實施方式中，例如圖8所不，以將層疊方向(Z方向)上的一對端面121c和121f分別投影到X-Y平面時這些端面相互正好重疊(大致一致)的方式形成通孔導(dǎo)體121。另外，連接盤121d和121g也以例如投影到X-Y平面時這些連接盤相互正好重疊(大致一致)的方式形成。另外，凹部121e和121h也以例如投影到X-Y平面時這些凹部相互正好重疊(大致一致)的方式形成。
[0105]在通孔導(dǎo)體121的連接盤121d上堆疊通路導(dǎo)體321，在通孔導(dǎo)體121的連接盤121g上堆疊通路導(dǎo)體221。通路導(dǎo)體321的底面321b和通路導(dǎo)體221的底面221b配置成例如投影到X-Y平面時這些底面相互正好重疊(大致一致)。另外，在堆疊結(jié)構(gòu)Sll的第一堆疊部和第二堆疊部中位于同一層的通路導(dǎo)體的底面也配置成例如投影到X-Y平面時這些底面相互正好重疊(大致一致)。
[0106]在本實施方式的電路板100中，位于堆疊結(jié)構(gòu)Sll的最外分層的通路導(dǎo)體921的連接盤921d(圖2)構(gòu)成焊盤PlOl(圖1)。例如圖9所示，在焊盤PlOl的表面上形成由Ni等構(gòu)成的耐腐蝕層94a(下層)和由Au等構(gòu)成的耐腐蝕層94b (上層)。耐腐蝕層94a和94b能夠分別通過電解鍍或者濺射等形成。另外，在耐腐蝕層94b上通過涂布或者印刷等來形成例如焊錫94。在本實施方式的電路板100中，位于最外的通路導(dǎo)體(通路導(dǎo)體921)的寬度大，因此容易使外部連接部(通路導(dǎo)體921附近)的電阻降低。另外，深度深的凹部921e形成于連接盤921d，由此能夠通過連接盤921d的凹部921e將焊錫94放入到連接盤921d的內(nèi)部。其結(jié)果，能夠提高連接盤921d與焊錫94的連接強度，進而提高連接可靠性。另外，容易使連接盤921d與焊錫94的邊界的電阻降低。
[0107]此外，也可以通過進行OSP處理，代替耐腐蝕層94a和94b而形成由有機保護膜構(gòu)成的耐腐蝕層。另外，耐腐蝕層并非是必須的結(jié)構(gòu)，如果不需要也可以省略。
[0108]圖1OA和圖1OB是表示對具有全棧的堆疊結(jié)構(gòu)的六層、八層以及十層的電路板(以下分別稱為六層品、八層品、十層品)進行施加到各堆疊結(jié)構(gòu)的應(yīng)力(特別是熱循環(huán)引起的熱應(yīng)力)的模擬的結(jié)果的圖。在圖1OA中，線LI為與六層品有關(guān)的數(shù)據(jù)，線L2為與八層品有關(guān)的數(shù)據(jù)，線L3為與十層品有關(guān)的數(shù)據(jù)。
[0109]如圖1OA和圖1OB所示，在六層品、八層品以及十層品的任一個中均是施加到芯(通孔導(dǎo)體)的應(yīng)力最大，越遠(yuǎn)離芯則應(yīng)力越小。另外，當(dāng)對施加到六層品、八層品以及十層品各自的應(yīng)力進行比較時，十層品中的應(yīng)力最大，接著八層品中的應(yīng)力大，六層品中的應(yīng)力最小。由此，推測為層數(shù)(導(dǎo)體層的數(shù)量)越多，則電路板中的應(yīng)力越大。
[0110]如上所述，在具有堆疊結(jié)構(gòu)的電路板中，熱應(yīng)力容易集中于堆疊結(jié)構(gòu)的芯(通孔導(dǎo)體)。推測為這是由層間絕緣層(例如樹脂)的熱膨脹率與通孔導(dǎo)體(例如金屬)的熱膨脹率之差導(dǎo)致的。對于這一點，在本實施方式所涉及的電路板100中，提高通孔導(dǎo)體121的強度以經(jīng)得起這種應(yīng)力。
[0111]在提高通孔導(dǎo)體121的強度的情況下，例如考慮將通孔導(dǎo)體121設(shè)為比堆疊在該通孔導(dǎo)體121上的通路導(dǎo)體221或者321粗。這是由于，推測為通孔導(dǎo)體121越粗則通孔導(dǎo)體121的機械強度越高。
[0112]但是，
【發(fā)明者】發(fā)現(xiàn)相反在使通孔導(dǎo)體121細(xì)的情況下通孔導(dǎo)體121 (進而芯部)的強度提高。推測為這是由于通孔121a內(nèi)的空隙的產(chǎn)生得到抑制。在本實施方式所涉及的電路板100中，通孔導(dǎo)體121的端面121c的寬度Dll小于通路導(dǎo)體321的上端面321c的寬度D32(參照圖7)。由此，通孔導(dǎo)體121 (詳細(xì)地說是連接盤121d與收縮部121b之間的部分)中的空隙的產(chǎn)生得到抑制，認(rèn)為在通孔導(dǎo)體121中容易得到高強度。另外，通孔導(dǎo)體121的端面121c的寬度Dll大于通路導(dǎo)體321的底面321b的寬度D31，由此通路導(dǎo)體321的定位變得容易，認(rèn)為容易得到更可靠的電連接，進而得到優(yōu)異的電特性。并且，在通孔導(dǎo)體121的連接盤121d形成凹部121e，通路導(dǎo)體321進入到凹部121e內(nèi)。由此，連接盤121d與通路導(dǎo)體321之間的連接變強，認(rèn)為堆疊結(jié)構(gòu)Sll容易得到更高的電連接可靠性。
[0113]另外，對于通孔導(dǎo)體121的連接盤121g側(cè)也同樣，通孔導(dǎo)體121的端面121f的寬度D12大于通路導(dǎo)體221的底面221b的寬度D21且小于通路導(dǎo)體221的上端面221c的寬度D22，由此認(rèn)為容易得到上述高強度等。另外，在通孔導(dǎo)體121的連接盤121g形成凹部121h，通路導(dǎo)體221進入到凹部121h內(nèi)，由此認(rèn)為連接盤121g與通路導(dǎo)體221之間容易得到更高的連接可靠性。
[0114]另外，與使通孔導(dǎo)體121粗的情況相比，在使通孔導(dǎo)體121細(xì)的情況下，能夠削減材料消耗量和形成時間，這在成本上是有利的。另外，如果通孔導(dǎo)體121變細(xì)，則容易在芯附近(導(dǎo)體層111、112等)形成微細(xì)布線。其結(jié)果，在電路板100的內(nèi)層容易形成高密度布線。
[0115]此外，為了得到上述效果，特別是，通孔導(dǎo)體121的形狀優(yōu)選呈越遠(yuǎn)離各端面121c和121f越細(xì)的形狀(鼓狀)。在具有這種形狀的通孔導(dǎo)體121中容易抑制空隙。
[0116]在本實施方式所涉及的電路板100中，在芯絕緣層IOa中形成通孔導(dǎo)體121而不是通路導(dǎo)體。通常，在形成通路導(dǎo)體的情況下，在通路孔的底面容易殘留樹脂殘渣。另外，認(rèn)為在通路導(dǎo)體的底面容易形成縫隙。對于這一點，在電路板100中，通孔導(dǎo)體121的一部分與芯絕緣層IOa兩側(cè)的導(dǎo)體層111、112 (詳細(xì)地說是連接盤121d、121g)連續(xù)，因此無縫。在應(yīng)力容易集中的芯中，在通路導(dǎo)體的情況下，在底面形成銅箔與鍍層的界面，此處容易成為裂紋的起點。對于這一點，如果是通孔，則貫通銅箔而該界面消失，因此認(rèn)為耐裂紋。其結(jié)果，認(rèn)為堆疊結(jié)構(gòu)Sll容易得到高連接可靠性。另外，與通路導(dǎo)體相比，通孔導(dǎo)體更不容易產(chǎn)生空隙。
[0117]在本實施方式所涉及的電路板100中，構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通路導(dǎo)體越接近最外(通路導(dǎo)體821、921)的通路導(dǎo)體寬度越大。堆疊結(jié)構(gòu)Sll大致隨著接近芯(更詳細(xì)地說是通孔導(dǎo)體121的收縮部121b)而變細(xì)，因此容易吸收來自外部的應(yīng)力。由此，認(rèn)為即使剛直的金屬柱構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)S11，堆疊結(jié)構(gòu)Sll (特別是其外層側(cè))也容易得到高連接可靠性。
[0118]認(rèn)為構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通路導(dǎo)體的寬度越大(粗)則強度越得到提高。另外，認(rèn)為通路導(dǎo)體的寬度越大則堆疊的通路導(dǎo)體之間(或者通路孔與通路導(dǎo)體)的接觸面積越大，由此連接強度提高。另外，認(rèn)為通路導(dǎo)體的寬度越小則越容易使布線細(xì)間距化。因此，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，認(rèn)為提高容易受到大力的電路板外層的強度并且在不容易受到大力的電路板的內(nèi)層容易形成高密度布線。
[0119]在本實施方式所涉及的電路板100中，通孔導(dǎo)體121的收縮部121b的寬度D18小于通路導(dǎo)體221的底面221b的寬度D21(參照圖7)。由此，認(rèn)為容易吸收從通路導(dǎo)體221傳遞到通孔導(dǎo)體121的收縮部121b的應(yīng)力。另外，通孔導(dǎo)體121的收縮部121b的寬度D18小于通路導(dǎo)體321的底面321b的寬度D31。由此，認(rèn)為容易吸收從通路導(dǎo)體321傳遞到通孔導(dǎo)體121的收縮部121b的應(yīng)力。在本實施方式所涉及的電路板100中，認(rèn)為來自通孔導(dǎo)體121兩側(cè)(通路導(dǎo)體221側(cè)和通路導(dǎo)體321側(cè))的應(yīng)力分別得到抑制，應(yīng)力不容易集中于通孔導(dǎo)體121的收縮部121b。而且，其結(jié)果，認(rèn)為容易抑制熱應(yīng)力容易集中的堆疊結(jié)構(gòu)Sll的芯(通孔導(dǎo)體121)中產(chǎn)生裂紋。
[0120]在本實施方式中，在堆疊結(jié)構(gòu)Sll中，位于同一層的通路導(dǎo)體例如具有相互大致相同的寬度。另外，關(guān)于朝向相同的通路導(dǎo)體，與通路孔的寬度相應(yīng)地，形成于連接盤的凹部深度增加。即，通路孔的寬度越寬則形成于連接盤的凹部的深度越深。在本實施方式所涉及的堆疊結(jié)構(gòu)Sll中，在連接盤上堆疊的通路導(dǎo)體進入到形成于該連接盤的凹部內(nèi)，由此認(rèn)為連接盤與通路導(dǎo)體之間的電連接可靠性容易提高。另外，在該情況下，認(rèn)為形成于連接盤的凹部寬度或者深度越大則連接盤與通路導(dǎo)體之間的電連接可靠性越高。
[0121]在本實施方式的電路板100中，在通孔導(dǎo)體121的連接盤121d、121g的表面分別形成有凹部121e、121h。由此，能夠容易地制造具有連接可靠性高的堆疊結(jié)構(gòu)的電路板。例如在連接盤(以下稱為下層連接盤)上堆疊通路導(dǎo)體(以下稱為上層通路導(dǎo)體)的情況下，通過激光照射來去除下層連接盤上的絕緣層，形成用于上層通路導(dǎo)體的通路孔。當(dāng)在這種激光照射時在下層連接盤的表面形成凹部時，認(rèn)為激光在形成于下層連接盤的表面的凹部中漫反射，上層通路導(dǎo)體的通路孔的寬度(開口徑)容易變大(詳細(xì)內(nèi)容參照后述的圖14等)。這樣，認(rèn)為通過利用激光的漫反射，容易以越接近最外(通路導(dǎo)體821、921)的通路導(dǎo)體寬度越大的方式形成構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的各通路導(dǎo)體。
[0122]另外，當(dāng)通路孔的寬度變大時，在該通路孔中不容易完全填充導(dǎo)體。因此，認(rèn)為在下層通路導(dǎo)體上堆疊上層通路導(dǎo)體的情況下，在上層通路導(dǎo)體的連接盤表面容易形成深度比下層通路導(dǎo)體的凹部深的凹部。
[0123]在本實施方式的電路板100中，堆疊結(jié)構(gòu)Sll的第一堆疊部和第二堆疊部分別由四個通路導(dǎo)體堆疊而成。即，堆疊結(jié)構(gòu)Sll的第一堆疊部和第二堆疊部分別由四個以上的通路導(dǎo)體堆疊而成。利用激光的漫反射使上層通路導(dǎo)體的寬度變大的電路板的制造方法的作用和效果在所堆疊的通路導(dǎo)體為四個以上的情況下特別顯著。但是并不限定于此，構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通路導(dǎo)體的數(shù)量是任意的。第一堆疊部和第二堆疊部分別可以由五個以上的通路導(dǎo)體構(gòu)成，也可以由小于四個的通路導(dǎo)體構(gòu)成。另外，層疊部BI和B2分別可以由五組以上的層間絕緣層和導(dǎo)體層構(gòu)成，也可以由小于四組的層間絕緣層和導(dǎo)體層構(gòu)成。
[0124]如圖1所示，在本實施方式的電路板100中，在形成有構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通路導(dǎo)體的層間絕緣層(絕緣層30a、40a、50a、60a、70a、80a、90a中的任一個)中也形成了不構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通路導(dǎo)體。不進行堆疊的通路導(dǎo)體的底面大致平坦，不產(chǎn)生上述激光的漫反射(參照后述的圖14等)，因此不進行堆疊的通路導(dǎo)體容易形成為寬度比所堆疊的通路導(dǎo)體的寬度小。另外，在不進行堆疊的通路導(dǎo)體的連接盤表面容易形成深度比形成于所堆疊的通路導(dǎo)體的連接盤表面的凹部的深度小的凹部。
[0125]以下，示出本實施方式的電路板100所涉及的材料的優(yōu)選例。
[0126]在本實施方式中，芯絕緣層IOa由包含芯材的樹脂構(gòu)成。詳細(xì)地說,芯絕緣層IOa例如由使玻璃纖維布(芯材)浸潰于環(huán)氧樹脂而得到的樹脂(以下稱為玻璃環(huán)氧樹脂)構(gòu)成。芯材為熱膨脹率小于主材料(在本實施方式中為環(huán)氧樹脂)的材料。作為芯材，認(rèn)為優(yōu)選例如玻璃纖維(例如玻璃布或者玻璃無紡布)或者芳香族聚酰胺纖維(例如芳香族聚酰胺無紡布)等無機纖維。其中，芯絕緣層IOa的材料基本上是任意的。例如芯絕緣層IOa除了芯材以外也可以含有無機填料(例如二氧化硅類填料)。另外，芯絕緣層IOa也可以由不包含芯材的樹脂構(gòu)成。另外，代替環(huán)氧樹脂，也可以使用聚酯樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂(BT樹脂)、酰亞胺樹脂(聚酰亞胺)、酚醛樹脂或者烯丙基化苯醚樹脂(A-PPE樹脂)等。芯絕緣層IOa也可以由含有異種材料的多個層構(gòu)成。
[0127]在本實施方式中，絕緣層20a、30a、40a、50a、60a、70a、80a、90a分別是將芯材浸潰到樹脂而成。具體地說，絕緣層20a、30a、40a、50a、60a、70a、80a、90a例如分別由玻璃環(huán)氧樹脂構(gòu)成。但是并不限定于此，例如各絕緣層除了芯材以外也可以含有無機填料(例如二氧化硅類填料)。另外，各絕緣層也可以分別由不包含芯材的樹脂構(gòu)成。另外，代替環(huán)氧樹月旨，也可以使用聚酯樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂(BT樹脂)、酰亞胺樹脂(聚酰亞胺)、酚醛樹脂或者烯丙基化苯醚樹脂(A-PPE樹脂)等。各絕緣層也可以由含有異種材料的多個層構(gòu)成。
[0128]在本實施方式中，形成有構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通孔導(dǎo)體以及通路導(dǎo)體的所有絕緣層(芯絕緣層IOa和絕緣層20a、30a、40a、50a、60a、70a、80a、90a)由相互相同的材料(例如玻璃環(huán)氧樹脂)構(gòu)成，分別是將芯材浸潰到樹脂而成。由此，容易使利用激光進行的加工方式均勻。另外，為了提高對應(yīng)力的耐性(強度)，優(yōu)選至少形成了構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通路導(dǎo)體的所有絕緣層分別是將芯材浸潰到樹脂而成。但是并不限定于此，這些絕緣層也可以由相互不同的材料構(gòu)成。
[0129]在本實施方式中，各通孔導(dǎo)體12和通路導(dǎo)體22、32、42、52、62、72、82、92例如由銅鍍層構(gòu)成。
[0130]各導(dǎo)體層111、112、21、31、41、51、61、71、81、91例如由銅箔和銅鍍層構(gòu)成。
[0131]其中，各導(dǎo)體層和各通路導(dǎo)體的材料如果是導(dǎo)體則是任意的，可以是金屬也可以是非金屬。各導(dǎo)體層和各通路導(dǎo)體也可以由含有異種材料的多個層構(gòu)成。
[0132]以下，示出本實施方式的電路板100所涉及的尺寸的優(yōu)選例。
[0133]在圖1中，芯絕緣層IOa的厚度DlOl例如為大約60 μ m。在圖2中，導(dǎo)體層111的厚度Dlll和導(dǎo)體層112的厚度D112例如分別為大約18 μ m。在本實施方式中，導(dǎo)體層111的厚度Dlll與導(dǎo)體層112的厚度D112相互相同。但是并不限定于此，這些厚度也可以相互不同。
[0134]在圖1中，絕緣層20a的厚度D102、絕緣層30a的厚度D103、絕緣層40a的厚度D104以及絕緣層50a的厚度D105例如分別為大約60 μ m。在本實施方式中，絕緣層20a的厚度D102、絕緣層30a的厚度D103、絕緣層40a的厚度D104以及絕緣層50a的厚度D105相互相同。但是并不限定于此，這些厚度也可以相互不同。
[0135]在圖1中，絕緣層60a的厚度D106、絕緣層70a的厚度D107、絕緣層80a的厚度D108以及絕緣層90a的厚度D109例如分別為大約50 μ m。在本實施方式中，絕緣層60a的厚度D106、絕緣層70a的厚度D107、絕緣層80a的厚度D108以及絕緣層90a的厚度D109相互相同。但是并不限定于此，這些厚度也可以相互不同。
[0136]在圖2中，導(dǎo)體層21的厚度D2、導(dǎo)體層31的厚度D3、導(dǎo)體層41的厚度D4、導(dǎo)體層51的厚度D5、導(dǎo)體層61的厚度D6以及導(dǎo)體層71的厚度D7例如分別為大約18 μ m。導(dǎo)體層21的厚度D2、導(dǎo)體層31的厚度D3、導(dǎo)體層41的厚度D4、導(dǎo)體層51的厚度D5、導(dǎo)體層61的厚度D6以及導(dǎo)體層71的厚度D7相互相同。但是并不限定于此，這些厚度也可以相互不同。
[0137]在圖2中，導(dǎo)體層81的厚度D8和導(dǎo)體層91的厚度D9例如分別為大約25 μ m。導(dǎo)體層81的厚度D8和導(dǎo)體層91的厚度D9相互相同。但是并不限定于此，這些厚度也可以相互不同。
[0138]此外，上述各導(dǎo)體層的厚度以下層絕緣層(或者芯基板)的上表面為基準(zhǔn)(零)，各絕緣層的厚度以下層導(dǎo)體層的上表面為基準(zhǔn)(零)(參照圖1和圖2)。
[0139]在本實施方式中，層疊部BI和B2的外層側(cè)的第三、四級的絕緣層的厚度小于內(nèi)層側(cè)的第一、二級的絕緣層的厚度。因此，在外層側(cè)的第三、四級的絕緣層中形成通路孔時，容易縮短激光加工所需的時間。其結(jié)果，容易抑制由于漫反射而通路孔的寬度變大。另外，當(dāng)通路孔的寬度變小時，在通路孔內(nèi)容易填充導(dǎo)體(例如電解鍍層)。其結(jié)果，在電路板100的外層能夠抑制形成于通路導(dǎo)體的連接盤的凹部的深度過大。
[0140]在本實施方式中，使外層兩層的絕緣層的厚度小于其它絕緣層(內(nèi)層兩層)的厚度，但是并不限定于此。例如也可以使外層一層的絕緣層的厚度小于其它絕緣層(內(nèi)層三層)的厚度。另外，也可以使層疊部BI和B2的絕緣層的厚度以按從大到小為第一級、第二級、第三極、第四級的順序越接近外層越小的方式逐步地變小。
[0141]另外，在需要確保平坦性的情況下等，也可以使內(nèi)層兩層的絕緣層的厚度小于其它絕緣層(外層兩層)的厚度。另外，也可以使內(nèi)層一層的絕緣層的厚度小于其它絕緣層(外層三層)的厚度。另外，也可以使層疊部BI和B2的絕緣層的厚度以按從小到大為第一級、第二級、第三極、第四級的順序越接近外層越大的方式逐步地變大。
[0142]另外，也可以構(gòu)成為形成有構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通孔導(dǎo)體121以及各通路導(dǎo)體的所有絕緣層(芯絕緣層IOa和絕緣層20a、30a、40a、50a、60a、70a、80a、90a)相互具有大致相同的厚度。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，不需要按每個層來改變絕緣層的厚度，因此制造變得容易。從容易制造方面考慮，優(yōu)選至少形成有構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通路導(dǎo)體的所有絕緣層相互具有大致相同的厚度。
[0143]關(guān)于圖4示出的通孔導(dǎo)體121所涉及的尺寸，端面121c的寬度Dll和端面121f的寬度D12例如分別為大約75 μ m，收縮部121b的寬度D18例如為大約50 μ m。另外，連接盤121d的寬度D15和連接盤121g的寬度D16例如分別為250 μ m。形成于連接盤121d的凹部121e的寬度D13和形成于連接盤121g的凹部121h的寬度D14例如分別為大約30 μ m。但是并不限定于此，寬度Dll和D12、寬度D13和D14、寬度D15和D16也可以分別相互不同。
[0144]在圖2中，關(guān)于構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的第一堆疊部的通路導(dǎo)體，上端面321c的寬度D32 (圖7)例如為大約80 μ m,上端面521c的寬度例如為大約85 μ m,上端面721c的寬度例如為大約90 μ m，上端面921c的寬度例如為大約95 μ m。關(guān)于構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的第二堆疊部的通路導(dǎo)體，上端面221c的寬度D22 (圖7)例如為大約80 μ m,上端面421c的寬度例如為大約85 μ m，上端面621c的寬度例如為大約90 μ m，上端面821c的寬度例如為大約95 μ m。各通路導(dǎo)體的上端面的寬度相當(dāng)于圖5示出的上端面P3的寬度D203。
[0145]在圖2中，關(guān)于構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的第一堆疊部的通路導(dǎo)體321、521、721、921，底面321b、521b、721b、921b的寬度例如分別為大約60 μ m、大約65 μ m、大約70 μ m、大約75μπι。關(guān)于構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的第二堆疊部的通路導(dǎo)體221、421、621、821，底面221b、421b,621b,821b的寬度例如分別為大約60 μ m、大約65 μ m、大約70 μ m、大約75 μ m。各通路導(dǎo)體的底面的寬度相當(dāng)于圖5示出的底面P2的寬度D202。
[0146]在圖2中，構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的各通路導(dǎo)體的連接盤的寬度例如為250 μ m。在本實施方式中，構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通孔導(dǎo)體121和所有通路導(dǎo)體的連接盤的寬度相互大致相同。但是并不限定于此，這些也可以相互不同。各通路導(dǎo)體的連接盤的寬度相當(dāng)于圖5示出的連接盤P4的寬度D204。
[0147]以下，說明本實施方式所涉及的電路板100的制造方法。圖11是表示本實施方式所涉及的電路板100的制造方法的概要內(nèi)容和過程的流程圖。
[0148]在圖11的步驟SlOl中，準(zhǔn)備電路板100的芯基板。具體地說，如圖12A所示，準(zhǔn)備雙面覆銅層疊板1000 (初始材料)。雙面覆銅層疊板1000具有芯絕緣層IOa (芯基板)以及金屬箔1001和1002(例如分別為銅箔)。在芯絕緣層IOa的面Fl上形成金屬箔1001，在芯絕緣層IOa的面F2上形成金屬箔1002。在本實施方式中，在該階段中，芯絕緣層IOa由完全固化狀態(tài)(C階段)的玻璃環(huán)氧樹脂構(gòu)成。
[0149]在本實施方式中，例如不通過蝕刻來調(diào)整厚度而最初就將規(guī)定厚度的金屬箔1001和1002粘貼到芯絕緣層10a。但是并不限定于此，金屬箔1001和1002的形成方法是任意的。例如也可以將較厚的金屬箔粘貼到芯絕緣層10a，之后通過對該金屬箔進行半蝕刻來得到規(guī)定厚度的金屬箔1001和1002。
[0150]接著，在圖11的步驟S102中，在芯絕緣層IOa(芯基板)中形成通孔導(dǎo)體，并且在芯絕緣層IOa (芯基板)兩面分別形成導(dǎo)體層。[0151]具體地說，如圖12B所示，例如使用CO2激光，通過從面Fl側(cè)對雙面覆銅層疊板1000照射激光來形成孔1003a，通過從面F2側(cè)對雙面覆銅層疊板1000照射激光來形成孔1003b。孔1003a和孔1003b在X-Y平面上形成于大致相同的位置，最終連接而成為貫通雙面覆銅層疊板1000的孔1003c?？?003c中的貫通芯絕緣層IOa的部分相當(dāng)于通孔12a。成為通孔12a。通孔12a的形狀例如為沙漏的形狀(鼓狀)?？?003a與孔1003b的邊界相當(dāng)于收縮部12b(圖1)。對面Fl的激光照射和對面F2的激光照射可以同時進行也可以一面一面地進行。在形成通孔12a之后，優(yōu)選對通孔12a進行去沾污處理。通過去沾污處理來抑制不需要的導(dǎo)通(short)。另外，為了提高激光的吸收效率，也可以在激光照射之前對金屬箔1001、1002的表面進行黑化處理。此外，也可以通過鉆頭或者蝕刻等激光以外的方法來形成通孔12a。但是，如果是激光加工，則容易進行微細(xì)加工。另外，如果是激光加工，則能夠容易地形成鼓狀的通孔12a。
[0152]接著，如圖12C所示，例如通過銅的版面鍍來在金屬箔1001上、通孔12a內(nèi)以及金屬箔1002上形成鍍層1004。由此，在通孔12a內(nèi)填充鍍層1004。其結(jié)果，形成通孔導(dǎo)體12 (包括圖2示出的構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通孔導(dǎo)體121)。
[0153]例如進行無電解鍍形成無電解鍍膜，接著以該無電解鍍膜為晶種層進行電解鍍，由此形成鍍層1004。在本實施方式的制造方法中，金屬箔1001、1002分別構(gòu)成圖4示出的金屬箔llla、112a，鍍層1004構(gòu)成圖4示出的無電解鍍膜111b、112b、113a和電解鍍層111c、112c、113b。
[0154]作為無電解鍍的鍍液，例如能夠使用添加了還原劑等的硫酸銅溶液等。另外，作為電解鍍的鍍液，例如能夠使用硫酸銅溶液、吡咯啉酸銅溶液、氰(cyaan)化銅溶液或者四氟硼酸銅溶液等。
[0155]接著，例如使用通過光刻技術(shù)進行圖案形成而得到的抗蝕層和蝕刻液，對形成于芯絕緣層IOa的面Fl上和面F2上的各導(dǎo)體層進行圖案形成。具體地說，用具有與導(dǎo)體層
111、112(參照圖12D)對應(yīng)的圖案的抗蝕層覆蓋各導(dǎo)體層，通過蝕刻來去除各導(dǎo)體層的沒有被抗蝕層覆蓋的部分(在抗蝕層的開口部露出的部位)。蝕刻并不限定于濕式蝕刻，也可以是干式蝕刻。由此，如圖12D所示，在芯絕緣層IOa的面Fl上形成導(dǎo)體層111，在芯絕緣層IOa的面F2上形成導(dǎo)體層112。
[0156]導(dǎo)體層111包括連接盤12Id (參照圖4)，導(dǎo)體層112包括連接盤12Ig (參照圖4)。在通孔導(dǎo)體121的連接盤121d表面形成凹部121e(參照圖4)，在通孔導(dǎo)體121的連接盤121g表面形成凹部121h(參照圖4)。連接盤121d與連接盤121g通過通孔導(dǎo)體121相互無縫地電連接。
[0157]此外，也可以不通過蝕刻而通過使用了抗鍍層的圖案鍍來進行導(dǎo)體層111、112的圖案形成。
[0158]另外，在形成導(dǎo)體層111和112之后，根據(jù)需要，例如也可以通過化學(xué)蝕刻分別使導(dǎo)體層111和112的上表面粗糙化。此外，并不限定于化學(xué)蝕刻，粗糙化處理的方法是任意的。
[0159]接著，在圖11的步驟S103?S105中，在芯絕緣層IOa(芯基板)的面Fl上和F2上分別形成一組層間絕緣層和導(dǎo)體層(層疊部BI和B2的第一級)。在層間絕緣層中形成通路導(dǎo)體，層間絕緣層上的導(dǎo)體層與芯基板上的導(dǎo)體層通過該通路導(dǎo)體相互電連接。[0160]具體地說，在圖11的步驟S103中，例如圖13A所示，在芯絕緣層IOa的面Fl上和導(dǎo)體層111上依次配置絕緣層30a(層間絕緣層)和金屬箔1011 (例如銅箔)，在芯絕緣層IOa的面F2上和導(dǎo)體層112上依次配置絕緣層20a(層間絕緣層)和金屬箔1012(例如銅箔)。以下，將在芯絕緣層IOa上層疊絕緣層20a、30a和金屬箔1011、1012而得到的層疊體(參照圖13A)稱為第一層疊板。
[0161]能夠?qū)⒔^緣層20a、30a和金屬箔1011、1012準(zhǔn)備為例如帶樹脂的銅箔。在該階段中，絕緣層20a和30a例如分別由具有熱固性的玻璃環(huán)氧樹脂的預(yù)浸料(B階段的粘接片)構(gòu)成。但是，也能夠代替預(yù)浸料而使用ABF(Ajinomoto Build-up Film:味之素精細(xì)化工株式會社制)等。ABF是用兩片保護片夾持絕緣材料而得到的膜。
[0162]接著，在Z方向上對第一層疊板進行加熱加壓。加壓和加熱處理例如同時進行。通過加壓和加熱，預(yù)浸料(絕緣層20a、30a)固化，部件之間附著。其結(jié)果，第一層疊板一體化。此外，加壓和加熱處理也可以分多次進行。另外，加熱處理與加壓也可以分開進行，但是同時進行效率高。也可以在加熱加壓之后另外進行用于一體化的加熱處理。
[0163]接著，如圖13B所示，在圖11的步驟S104中，例如通過激光(CO2激光等)在絕緣層20a中形成通路孔22a (包括圖2示出的構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通路孔221a)，在絕緣層30a中形成通路孔32a (包括圖2示出的構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通路孔321a)。例如圖14所示，在通路孔321a的形成中，通過激光照射來去除通孔導(dǎo)體121的連接盤121d上的絕緣層30a。此時，在通孔導(dǎo)體121的連接盤121d的表面形成有凹部121e，由此激光在凹部121e中漫反射，容易接觸通路孔321a的側(cè)面。因此，通路孔321a的開口寬度(=通路導(dǎo)體321的上端面321c的寬度D32)容易大于通孔導(dǎo)體121的端面121c的寬度D11。在本實施方式中，形成開口寬度大于通孔導(dǎo)體121的端面121c的寬度Dll的通路孔321a。另外，通路孔221a例如也與通路孔321a同樣地形成于通孔導(dǎo)體121的連接盤121g(參照圖4)上。在本實施方式中,通路孔22la、32Ia的Z方向的軸相互大致一致。通路孔221a的形成與通路孔321a的形成可以同時進行也可以一面一面地進行。
[0164]此外，根據(jù)需要，優(yōu)選在進行開孔(激光照射)之前實施黑化處理。另外，在開孔之后，根據(jù)需要進行去沾污、軟蝕刻。
[0165]在本實施方式中，例如不使用遮光掩模而在非照射部分停止激光照射，僅對要照射的部位照射激光。但是并不限定于此，例如也可以在設(shè)置遮光掩模的狀態(tài)下對被照射體的整面照射激光。優(yōu)選通過脈沖控制來調(diào)整激光強度(光量)。具體地說，例如在變更激光強度的情況下，每發(fā)射一次(一次照射)的激光強度不變化而變更發(fā)射數(shù)(照射次數(shù))。即，在發(fā)射一次無法得到期望的激光強度的情況下，對同一照射位置再次照射激光。根據(jù)這種控制方法，能夠省略改變照射條件的時間，因此認(rèn)為吞吐量提高。但是并不限定于此，激光強度的調(diào)整方法是任意的。例如也可以按每個照射位置來決定照射條件而使照射次數(shù)固定(例如對每一個照射位置發(fā)射一次)。
[0166]接著，如圖15所示，在圖11的步驟S105中，例如通過銅的版面鍍，在金屬箔1011上和通路孔32a內(nèi)形成鍍層1013，在金屬箔1012上和通路孔22a內(nèi)形成鍍層1014。例如與圖12C的工序同樣地，進行無電解鍍形成無電解鍍膜，接著以該無電解鍍膜為晶種層進行電解鍍，由此分別形成鍍層1013、1014。由此，在通路孔32a、22a中分別填充鍍層1013、1014。其結(jié)果，形成通路導(dǎo)體22 (包括圖2示出的構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通路導(dǎo)體221)和通路導(dǎo)體32 (包括圖2示出的構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通路導(dǎo)體321)。
[0167]在通路導(dǎo)體221的連接盤221d的表面形成比通孔導(dǎo)體121的凹部121h深的凹部221e，在通路導(dǎo)體321的連接盤321d的表面形成比通孔導(dǎo)體121的凹部121e深的凹部321e(參照圖2)。
[0168]接著，如圖16所示，例如通過光刻技術(shù)(抗蝕層等)，分別對絕緣層20a上的導(dǎo)體層和絕緣層30a上的導(dǎo)體層進行圖案形成。由此，在絕緣層20a上形成導(dǎo)體層21，在絕緣層30a上形成導(dǎo)體層31。之后，根據(jù)需要，對導(dǎo)體層21、31進行粗糙化處理。
[0169]此外，也可以不通過蝕刻而通過使用了抗鍍層的圖案鍍來進行導(dǎo)體層21、31的圖案形成。
[0170]接著，在圖11的步驟S106中，形成層疊部BI和B2的第二、三級。
[0171]具體地說，例如圖17所示，形成構(gòu)成層疊部BI和B2的第二級的一組層間絕緣層和導(dǎo)體層。例如能夠與層疊部BI和B2的第一級同樣地、即通過進行絕緣層和金屬箔(例如帶樹脂的銅箔)的層疊、加壓、樹脂的固化、通路孔的形成(激光照射)、通路導(dǎo)體的形成以及導(dǎo)體層的形成(包括粗糙化處理)，來形成層疊部BI和B2的第二級。
[0172]由此，在絕緣層20a上和導(dǎo)體層21上形成一組絕緣層40a和導(dǎo)體層41，在絕緣層30a上和導(dǎo)體層31上形成一組絕緣層50a和導(dǎo)體層51。在絕緣層40a中形成通路導(dǎo)體42 (包括圖2示出的構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通路導(dǎo)體421)，在絕緣層50a中形成通路導(dǎo)體52 (包括圖2示出的構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通路導(dǎo)體521)。
[0173]在通路孔521a、421a的形成中，例如激光在凹部321e或者221e中漫反射(參照圖14)，由此形成寬度大于通路孔321a的寬度的通路孔521a以及寬度大于通路孔221a的寬度的通路孔421a(參照圖2)。在本實施方式中，通路孔221a、321a、421a、521a的Z方向的軸相互大致一致。
[0174]在通路導(dǎo)體521、421的形成中，在通路導(dǎo)體521的連接盤521d的表面形成比凹部321e深的凹部521e，在通路導(dǎo)體421的連接盤421d的表面形成比凹部221e深的凹部421e(參照圖2)。
[0175]此外，也可以不通過蝕刻而通過使用了抗鍍層的圖案鍍來進行導(dǎo)體層41、51的圖案形成。
[0176]接著，例如圖18所示，形成構(gòu)成層疊部BI和B2的第三級的一組層間絕緣層和導(dǎo)體層。例如能夠與層疊部BI和B2的第一級同樣地、即通過進行絕緣層和金屬箔(例如帶樹脂的銅箔)的層疊、加壓、樹脂的固化、通路孔的形成(激光照射)、通路導(dǎo)體的形成以及導(dǎo)體層的形成(包括粗糙化處理)，來形成層疊部BI和B2的第三級。
[0177]由此，在絕緣層40a上和導(dǎo)體層41上形成一組絕緣層60a和導(dǎo)體層61，在絕緣層50a上和導(dǎo)體層51上形成一組絕緣層70a和導(dǎo)體層71。在絕緣層60a中形成通路導(dǎo)體62 (包括圖2示出的構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通路導(dǎo)體621)，在絕緣層70a中形成通路導(dǎo)體72 (包括圖2示出的構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通路導(dǎo)體721)。
[0178]在通路孔721a、621a的形成中，例如激光在凹部521e或者421e中漫反射(參照圖14)，由此形成寬度大于通路孔521a的寬度的通路孔721a以及寬度大于通路孔421a的寬度的通路孔621a(參照圖2)。在本實施方式中，通路孔421a、521a、621a、721a的Z方向的軸相互大致一致。[0179]在通路導(dǎo)體721、621的形成中，在通路導(dǎo)體721的連接盤721d的表面形成比凹部521e深的凹部721e，在通路導(dǎo)體621的連接盤621d的表面形成比凹部421e深的凹部621e。
[0180]此外，也可以不通過蝕刻而通過使用了抗鍍層的圖案鍍來進行導(dǎo)體層61、71的圖案形成。
[0181]接著，在圖11的步驟S107?S109中，形成層疊部BI和B2的第四級，并且形成貫通芯基板和層疊部B1、B2的所有層的通孔。
[0182]具體地說，例如圖19所示，在圖11的步驟S107中，在絕緣層70a上和導(dǎo)體層71上依次配置絕緣層90a (最外絕緣層)和金屬箔1031 (例如銅箔)，在絕緣層60a上和導(dǎo)體層61上依次配置絕緣層80a (最外絕緣層)和金屬箔1032(例如銅箔)。以下，將絕緣層80a、90a和金屬箔1031、1032層疊而成的層疊體(參照圖19)稱為第二層疊板。
[0183]例如能夠?qū)⒔^緣層90a、80a和金屬箔1031、1032準(zhǔn)備為帶樹脂的銅箔。在該階段中，絕緣層90a和80a例如分別由具有熱固性的玻璃環(huán)氧樹脂的預(yù)浸料構(gòu)成。但是，也能夠代替預(yù)浸料而使用ABF等。
[0184]接著，在Z方向上對第二層疊板進行加熱加壓。加壓和加熱處理例如同時進行。通過加壓和加熱，預(yù)浸料(絕緣層90a、80a)固化而部件之間附著。其結(jié)果，第二層疊板一體化。此外，加壓和加熱處理也可以分多次進行。另外，加熱處理與加壓也可以分開進行，但是同時進行效率高。也可以在加熱加壓之后另外進行用于一體化的加熱處理。
[0185]接著，如圖20所示，在圖11的步驟S108中，例如通過激光(CO2激光等)，來形成貫通絕緣層80a的通路孔82a(包括圖2示出的構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通路孔821a)、貫通絕緣層90a的通路孔92a(包括圖2示出的構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的通路孔921a)以及貫通第二層疊板的所有層的通孔102a。此外，根據(jù)需要，優(yōu)選在開孔(激光照射)之前實施黑化處理。另外，在開孔之后，根據(jù)需要，進行去沾污、軟蝕刻。
[0186]在激光的掃描過程中，設(shè)為照射到用于形成通孔102a的部位的激光的強度(光量)比照射到用于形成通路孔82a和92a的部位的激光的強度(光量)強，由此能夠通過一次掃描來形成通路孔82a和92a以及通孔102a。通過僅從第二層疊板的一側(cè)照射激光或者從第二層疊板兩側(cè)同時照射激光均能夠形成通孔102a。并且，也可以通過在從第二層疊板的一側(cè)照射激光而形成有底孔(非貫通孔)之后從另一側(cè)照射激光使其底部貫通來形成通孔102a。另外，通孔102a的形成方法是任意的，例如也可以與通路孔82a和92a的形成分開地通過鉆頭等來形成通孔102a。
[0187]在通路孔921a、821a的形成中，激光在凹部721e或者621e中漫反射(參照圖14)，由此形成寬度大于通路孔721a的寬度的通路孔921a以及寬度大于通路孔621a的寬度的通路孔821a(參照圖2)。在本實施方式中，通路孔62la、72la、82la、92Ia的Z方向的軸相
互大致一致。
[0188]接著，如圖21所示，在圖11的步驟S109中，例如通過銅的版面鍍，在金屬箔1031上、通路孔82a內(nèi)、金屬箔1032上、通路孔92a內(nèi)以及通孔102a內(nèi)形成鍍層1033。例如與圖12C的工序同樣地，進行無電解鍍形成無電解鍍膜，接著以該無電解鍍膜為晶種層進行電解鍍，由此形成鍍層1033。由此，在通路孔82a、92a中分別填充鍍層1033，在通孔102a的壁面形成鍍層1033。其結(jié)果，形成通路導(dǎo)體82、92以及通孔導(dǎo)體102。
[0189]在通路導(dǎo)體92、82的形成中，形成寬度大于通路導(dǎo)體721的寬度的通路導(dǎo)體921以及寬度大于通路導(dǎo)體621的寬度的通路導(dǎo)體821。另外，在通路導(dǎo)體921的連接盤921d的表面形成比凹部72Ie深的凹部92Ie，在通路導(dǎo)體821的連接盤82Id的表面形成比凹部621e深的凹部821e。在本實施方式中，通孔導(dǎo)體121和通路導(dǎo)體221、321、421、521、621、721、821、921的Z方向的軸相互大致一致。
[0190]接著，如圖22所示，例如通過光刻技術(shù)(抗蝕層等)，分別對絕緣層80a上的導(dǎo)體層和絕緣層90a上的導(dǎo)體層進行圖案形成。由此，在絕緣層80a上形成導(dǎo)體層81，在絕緣層90a上形成導(dǎo)體層91。之后，根據(jù)需要，對導(dǎo)體層81、91進行粗糙化處理。
[0191]此外，也可以不通過蝕刻而通過使用了抗鍍層的圖案鍍來進行導(dǎo)體層81、91的圖案形成。
[0192]接著，在圖11的步驟SllO中，在絕緣層90a上和導(dǎo)體層91上形成具有開口部93a的阻焊層93，在絕緣層80a上和導(dǎo)體層81上形成具有開口部83a的阻焊層83 (參照圖1)。各最外的導(dǎo)體層81、91除了位于開口部83a、93a的規(guī)定部位(焊盤P101、P102等)以外被阻焊層83、93覆蓋。例如能夠通過絲網(wǎng)印刷、噴涂、輥涂或者層壓等來分別形成阻焊層83和93。
[0193]接著，通過電解鍍或者濺射等，在導(dǎo)體層81、91上、詳細(xì)地說是在沒有被阻焊層83、93覆蓋的焊盤P101、P102(參照圖1)的表面例如分別形成由Ni/Au膜構(gòu)成的耐腐蝕層(參照圖9)。另外，也可以通過進行OSP處理來形成由有機保護膜構(gòu)成的耐腐蝕層。
[0194]通過上述工序完成本實施方式的電路板100 (圖1)。本實施方式的電路板100例如能夠作為便攜式電話機等便攜式設(shè)備的電路基板來使用。電路板100的焊盤PlOl例如通過焊錫能夠與其它電路板(例如母板)電連接。另外，在電路板100的焊盤P102上，例如通過焊錫能夠安裝FC (倒裝芯片)的IC芯片(裸芯片)。
[0195]根據(jù)本實施方式所涉及的電路板的制造方法，認(rèn)為通過利用激光的漫反射容易以越接近最外(通路導(dǎo)體821、921)的通路導(dǎo)體寬度越大的方式形成構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的各通路導(dǎo)體。其結(jié)果，能夠容易地制造具有連接可靠性高的堆疊結(jié)構(gòu)的電路板。
[0196]本發(fā)明并不限定于上述實施方式。例如還能夠以下那樣變形來實施。
[0197]也可以在通孔導(dǎo)體121上堆疊的通路導(dǎo)體221的底面221b與通路導(dǎo)體321的底面321b投影到X-Y平面的情況下相互錯開。但是，如圖23所示，優(yōu)選在通路導(dǎo)體221的底面221b與通路導(dǎo)體321的底面321b的各區(qū)域內(nèi)包括通孔導(dǎo)體121的收縮部121b。另外，優(yōu)選在通孔導(dǎo)體121的端面121c和121f的各區(qū)域內(nèi)包括通路導(dǎo)體221的底面221b和通路導(dǎo)體321的底面321b兩者。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，認(rèn)為在通路導(dǎo)體221與通路導(dǎo)體321之間電或者熱等容易相互傳遞。另外，認(rèn)為容易抑制施加到通孔導(dǎo)體121的應(yīng)力。
[0198]也可以在各通孔導(dǎo)體和各通路導(dǎo)體(特別是構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)的通孔導(dǎo)體和通路導(dǎo)體)的連接盤上不形成凹部。例如圖24所示，也可以在通孔導(dǎo)體121的連接盤121d的表面和連接盤121g的表面均不形成凹部。通過設(shè)為這種結(jié)構(gòu)，有時容易將通孔導(dǎo)體121和通路導(dǎo)體221、321調(diào)整為上述尺寸(D32>D11>D31、D22>D12>D21)。另外，也可以構(gòu)成為在構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)的通孔導(dǎo)體和通路導(dǎo)體的所有連接盤上不形成凹部。
[0199]也可以使構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)的通孔導(dǎo)體和各通路導(dǎo)體的連接盤的表面(包括凹部內(nèi))粗糙化。
[0200]如圖25 (與圖7對應(yīng)的圖)所示，也可以構(gòu)成電路板的各導(dǎo)體層不包含金屬箔而僅由鍍層(例如無電解鍍膜和電解鍍層)構(gòu)成。另外，例如圖26(與圖7對應(yīng)的圖)所示，也可以構(gòu)成電路板的某一個導(dǎo)體層(例如芯絕緣層IOa上的導(dǎo)體層111、112)不包含金屬箔而構(gòu)成電路板的其它導(dǎo)體層包含金屬箔。此外，構(gòu)成電路板的各導(dǎo)體層的層結(jié)構(gòu)(層數(shù)、各層的厚度和材料等)基本上是任意的。
[0201]構(gòu)成電路板的各導(dǎo)體層的形成方法是任意的。作為各導(dǎo)體層的形成方法，例如版面鍍法、圖案鍍法、全添加法、半添加(SAP)法、減去法、轉(zhuǎn)印法以及壓凹法中的任一個或者任意地組合這些方法中的兩個以上而得到的方法等是有效的。
[0202]各通孔導(dǎo)體和各通路導(dǎo)體的俯視形狀(X-Y平面)并不限定于圓形(正圓形或者橢圓形等)而是任意的。各通孔導(dǎo)體和各通路導(dǎo)體的俯視形狀可以是大致正方形，也可以是大致正六角形、大致正八角形等大致正方形以外的大致正多角形。此外，多角形的角的形狀是任意的，例如可以是大致直角、銳角、鈍角、帶有圓角。其中，在防止熱應(yīng)力集中方面，優(yōu)選角帶有圓角。
[0203]另外，各通孔導(dǎo)體和各通路導(dǎo)體的俯視形狀(X-Y平面)可以是大致長方形或者大致三角形等，也可以是大致十字形或者大致正多角星形等從中心起放射狀地引出直線的形狀(將多個葉片放射狀配置的形狀)。
[0204]各通孔導(dǎo)體和各通路導(dǎo)體的寬度可以根據(jù)深度而發(fā)生變化也可以不發(fā)生變化。例如圖27 (與圖7對應(yīng)的圖)所示，構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)的通孔導(dǎo)體121的形狀也可以是寬度固定的圓柱。在該情況下也認(rèn)為通過將通孔導(dǎo)體121和通路導(dǎo)體221、321設(shè)為上述尺寸(滿足D32>D11>D31和D22>D12>D21中的至少一方的尺寸)容易得到高強度等。另外，各通路導(dǎo)體(特別是構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)的通路導(dǎo)體)也可以具有相互相同的寬度。
[0205]也可以是具有多個全棧的堆疊結(jié)構(gòu)的電路板。例如圖28所示，也可以是具有兩個全棧的堆疊結(jié)構(gòu)Sll和S12的電路板。堆疊結(jié)構(gòu)S12例如具有與堆疊結(jié)構(gòu)Sll (參照圖2)相同的結(jié)構(gòu)。
[0206]在上述實施方式中，堆疊結(jié)構(gòu)Sll為全棧，在構(gòu)成層疊部BI的所有層間絕緣層中形成構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的第一堆疊部(第一堆疊結(jié)構(gòu))的通路導(dǎo)體，在構(gòu)成層疊部B2的所有層間絕緣層中形成構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)Sll的第二堆疊部(第二堆疊結(jié)構(gòu))的通路導(dǎo)體。但是并不限定于此，例如圖29所示，也可以是具有并非全棧的堆疊結(jié)構(gòu)S21的電路板。另外，例如圖30所示，也可以是具有在通孔導(dǎo)體121的一側(cè)(例如層疊部BI側(cè))堆疊的通路導(dǎo)體的數(shù)量和在通孔導(dǎo)體121的另一側(cè)(例如層疊部B2側(cè))堆疊的通路導(dǎo)體的數(shù)量相互不同的堆疊結(jié)構(gòu)S22(非對稱的堆疊結(jié)構(gòu))的電路板。
[0207]電路板可以內(nèi)置有電子部件。在該情況下，內(nèi)置于電路板的電子部件的數(shù)量是任意的。這種電子器件能夠使用于便攜式設(shè)備(便攜式電話機等)的電路基板等。另外，也可以在電路板的一面(例如圖1示出的焊盤PlOl和P102中的任一個)或者兩面(例如圖1示出的焊盤PlOl和P102兩者)安裝電子部件。在該情況下，安裝于電路板表面的電子部件的數(shù)量是任意的。這種電子器件能夠使用于便攜式設(shè)備(便攜式電話機等)的電路基板
坐寸ο
[0208]電路板的結(jié)構(gòu)、特別是其結(jié)構(gòu)要素的種類、性能、尺寸、材質(zhì)、形狀、層數(shù)或者配置等能夠在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)任意地變更。
[0209]電路板的制造方法并不限定于圖11示出的順序和內(nèi)容，在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)能夠任意地變更順序、內(nèi)容。另外，根據(jù)用途等，也可以省略不需要的工序。
[0210]能夠任意地組合上述實施方式和變形例。優(yōu)選根據(jù)用途等來選擇適當(dāng)?shù)慕M合。例如也可以將圖23?圖27中的任一個示出的結(jié)構(gòu)應(yīng)用于圖28?圖30中的任一個示出的堆
疊結(jié)構(gòu)。
[0211]以上，說明了本發(fā)明的實施方式，但是應(yīng)該理解為設(shè)計上的方便、其它原因所需要的各種修改、組合包括在與“權(quán)利要求”所記載的發(fā)明、“【具體實施方式】”所記載的具體例對應(yīng)的發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0212]產(chǎn)業(yè)h的可利用件
[0213]本發(fā)明所涉及的電路板適用于便攜式設(shè)備的電路基板。本發(fā)明所涉及的電路板的制造方法適用于制造這種電路板。
【權(quán)利要求】
1.一種電路板，具有: 芯絕緣層，其具有第一面和其相反側(cè)的第二面； 通孔導(dǎo)體，其形成于上述芯絕緣層； 第一導(dǎo)體層，其形成于上述芯絕緣層的上述第一面上，包括上述通孔導(dǎo)體的第一連接盤；以及 第一層疊部，其由形成于上述芯絕緣層的上述第一面上和上述第一導(dǎo)體層上的至少一組層間絕緣層和導(dǎo)體層以及形成于該層間絕緣層的通路導(dǎo)體構(gòu)成， 其中，上述通孔導(dǎo)體以及在上述第一連接盤上堆疊的上述第一層疊部的最下層的通路導(dǎo)體構(gòu)成堆疊結(jié)構(gòu)的至少一部分， 在上述堆疊結(jié)構(gòu)中，與上述第一連接盤相連接的上述通孔導(dǎo)體的第一端面的寬度大于上述第一層疊部的最下層的通路導(dǎo)體的底面的寬度且小于該第一層疊部的最下層的通路導(dǎo)體的上端面的寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板，其特征在于， 還具有形成于上述芯絕緣層的上述第二面上的第二導(dǎo)體層， 上述通孔導(dǎo)體具有收縮部，上述通孔導(dǎo)體從上述第一端面和其相反側(cè)的第二端面的各端面起越接近收縮部越細(xì)，上述第二端面與上述第二導(dǎo)體層所包含的第二連接盤相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路板，其特征在于， 還具有第二層疊部，該第二層疊部由形成于上述芯絕緣層的上述第二面上和上述第二導(dǎo)體層上的至少一組層間絕緣 層和導(dǎo)體層以及形成于該層間絕緣層的通路導(dǎo)體構(gòu)成， 上述堆疊結(jié)構(gòu)由上述通孔導(dǎo)體、第一堆疊部以及第二堆疊部構(gòu)成，該第一堆疊部是在上述第一連接盤上堆疊上述第一層疊部的通路導(dǎo)體而成，該第二堆疊部是在上述第二連接盤上堆疊上述第二層疊部的通路導(dǎo)體而成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路板，其特征在于， 上述堆疊結(jié)構(gòu)的上述第一堆疊部和上述第二堆疊部分別是四個以上的通路導(dǎo)體堆疊--? 。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路板，其特征在于， 上述通孔導(dǎo)體的上述第二端面的寬度大于上述第二堆疊部的最下層的通路導(dǎo)體的底面的寬度且小于該第二堆疊部的最下層的通路導(dǎo)體的上端面的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路板，其特征在于， 上述通孔導(dǎo)體的最細(xì)部分的寬度小于上述第二堆疊部的最下層的通路導(dǎo)體的底面的覽度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板，其特征在于， 上述通孔導(dǎo)體的最細(xì)部分的寬度小于上述第一層疊部的最下層的通路導(dǎo)體的底面的覽度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板，其特征在于， 形成有構(gòu)成上述堆疊結(jié)構(gòu)的通路導(dǎo)體的所有絕緣層相互具有大致相同的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板，其特征在于， 形成有構(gòu)成上述堆疊結(jié)構(gòu)的通路導(dǎo)體的所有絕緣層是將芯材浸潰到樹脂而成的。
10.一種電路板的制造方法，包括以下步驟:準(zhǔn)備具有第一面和其相反側(cè)的第二面的芯絕緣層； 形成要在上述芯絕緣層中形成的通孔導(dǎo)體； 在上述芯絕緣層的上述第一面上形成包括上述通孔導(dǎo)體的第一連接盤的第一導(dǎo)體層； 在上述芯絕緣層的上述第一面上和上述第一導(dǎo)體層上形成至少由一組層間絕緣層和導(dǎo)體層構(gòu)成的第一層疊部；以及 形成至少一部分由上述通孔導(dǎo)體以及在上述第一連接盤上堆疊的上述第一層疊部的最下層的通路導(dǎo)體構(gòu)成的堆疊結(jié)構(gòu)， 其中，在上述堆疊結(jié)構(gòu)的形成中，將與上述第一連接盤相連接的上述通孔導(dǎo)體的第一端面的寬度設(shè)為大于上述第一層疊部的最下層的通路導(dǎo)體的底面的寬度且小于該第一層疊部的最下層的通路導(dǎo)體的上端面的寬度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路板的制造方法，其特征在于， 在上述堆疊結(jié)構(gòu)的形成中，通過激光在層間絕緣層中形成通路孔，對該通路孔內(nèi)進行鍍處理，由此形成構(gòu)成上述堆疊結(jié)構(gòu)的各通路導(dǎo)體。
【文檔編號】H05K1/11GK103582295SQ201310322371
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年7月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月10日
【發(fā)明者】久田晃禎, 中根祟 申請人:揖斐電株式會社