一種避免oled顯示設(shè)備中金屬線路短路的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種避免OLED顯示設(shè)備中金屬線路短路的方法，其包括以下步驟：在一基板上形成一無機(jī)層；在所述無機(jī)層上形成一圖案化金屬層，所述圖案化金屬層包括兩條以上金屬線路；在所述圖案化金屬層上形成一圖案化有機(jī)層，所述圖案有機(jī)層在其邊緣于每相鄰的兩條金屬線路之間具有高度較低的島區(qū)；在所述圖案化有機(jī)層上形成一ITO層。本發(fā)明通過在有機(jī)層邊緣制作高度較低的島區(qū)，使得沉積在有機(jī)層邊緣處的ITO部分沉積在島區(qū)上，島區(qū)上的ITO在之后的光刻過程中能夠被完全蝕刻去除，使得有機(jī)層邊緣殘留的ITO在相鄰的兩條金屬線路之間不再連續(xù)，從而避免了相鄰的兩條金屬線路因殘留ITO而出現(xiàn)短路的情況。
【專利說明】—種避免OLED顯示設(shè)備中金屬線路短路的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體顯示面板制作工藝，特別是關(guān)于一種避免OLED顯示設(shè)備中金屬線路短路的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]氧化銦錫(Indium tin Oxide，ITO)薄膜因具有優(yōu)良的導(dǎo)電率和透光率，對基板良好的附著性和穩(wěn)定性，以及較好的蝕刻特性，被廣泛用于半導(dǎo)體顯示面板等高科技產(chǎn)品中制作透明電極。例如,在OLED顯示設(shè)備(Organic Light-Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極管)中制作成陽極。OLED顯示設(shè)備的制作工序大致分為在一基板上制造若干個薄膜晶體管作為開關(guān)元件，以及制造有機(jī)發(fā)光二極管作為發(fā)光元件兩個部分。如圖1A所示，首先在基板(圖中未示出)上形成一閘極層(圖中未示出)和一半導(dǎo)體層(圖中未示出)，接著形成一無機(jī)層(圖中未示出)，然后在無機(jī)層上形成一金屬層10，該金屬層10包括兩條以上的金屬線路Ml和M2，分別用于傳送不同的信號，接著在金屬層10上形成一有機(jī)層20，然后在有機(jī)層20上形成一 ITO層(圖中未示出)，作為有機(jī)發(fā)光二極管的陽極，接著在ITO層上依次形成一發(fā)光層(圖中未不出)和一對應(yīng)的陰極(圖中未不出)。
[0003]如圖1B所示，在上述制造過程中，有機(jī)層20的邊緣呈現(xiàn)陡坡狀，在有機(jī)層20上涂布氧化銦錫時，陡坡坡底處會沉積氧化銦錫30，由于有機(jī)層20高度較高，因此之后在對氧化銦錫進(jìn)行光刻的過程中，曝光光線照射不到陡坡坡底處的光阻，導(dǎo)致光阻顯影不良，進(jìn)而致使陡坡坡底處沉積的氧化銦錫30不能被蝕刻去除，在制程結(jié)束后有機(jī)層邊緣的坡底處會殘留有條狀的氧化銦錫30。當(dāng)條狀氧化銦錫30同時接觸相鄰的兩條金屬線路Ml和M2時，就會造成這兩條金屬線路Ml和M2之間發(fā)生短路，從而導(dǎo)致信號異常。
[0004]為解決上述問題，現(xiàn)有技術(shù)中常用的方法是采用具有如圖2A所示圖案開孔的光罩40對有機(jī)層20上的光阻進(jìn)行曝光，使有機(jī)層20邊緣的陡坡斜率呈現(xiàn)一種逐步減小的狀態(tài)(如圖2B所示)，以便后期去除有機(jī)層邊緣所有殘留的氧化銦錫。但是在實(shí)際制作過程中，由于工藝條件的限制，該方法并不能完全達(dá)到預(yù)期的效果，而且耗工耗時。因此，本發(fā)明的研究人員提出一種更加簡便的避免OLED顯示設(shè)備中金屬線路短路的方法，無須去除機(jī)層邊緣所有殘留的氧化銦錫，也能夠避免相鄰的兩條金屬線路因殘留氧化銦錫而出現(xiàn)短路的情況。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對上述問題，本發(fā)明提出了一種更加簡便的避免OLED顯示設(shè)備中金屬線路短路的方法，該方法包括以下步驟:
[0006]在一基板上形成一無機(jī)層；
[0007]在所述無機(jī)層上形成一圖案化金屬層，所述圖案化金屬層包括兩條以上金屬線路；
[0008]在所述圖案化金屬層上形成一圖案化有機(jī)層，所述圖案有機(jī)層在其邊緣于每相鄰的兩條所述金屬線路之間，具有高度低于周邊所述圖案化有機(jī)層其他區(qū)域的島區(qū)；
[0009]在所述圖案化有機(jī)層上形成一氧化銦錫層。
[0010]進(jìn)一步地，上述金屬層上形成一圖案化有機(jī)層的步驟包括:
[0011]在基板上依次涂布有機(jī)層和光阻層；
[0012]以一光罩對所述光阻層進(jìn)行曝光，所述光罩對應(yīng)于所述島區(qū)位置的圖案開孔大于所述光罩對應(yīng)于無需蝕刻位置的圖案開孔，小于所述光罩對應(yīng)于完全蝕刻位置的圖案開孔；
[0013]對所述光阻層進(jìn)行顯影；
[0014]蝕刻以移除所述有機(jī)層的一部分。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，上述光罩對應(yīng)于所述島區(qū)位置的圖案開孔尺寸為2微米，所述光罩對應(yīng)于無需蝕刻位置的圖案開孔尺寸為O?2微米，所述光罩對應(yīng)于完全蝕刻位置的圖案開孔大于2.5微米。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在兩條所述金屬線路之間，所述圖案有機(jī)層可以具有兩個所述島區(qū)。
[0017]進(jìn)一步地，上述有機(jī)層至少覆蓋所述兩條金屬線路的一部分。
[0018]此外，上述兩條金屬線分別用于傳輸不同的信號。
[0019]進(jìn)一步地，上述兩條金屬線分別用于傳輸不同的源極信號。
[0020]進(jìn)一步地，上述兩條金屬線分別用于傳輸不同的漏極信號。
[0021]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過在有機(jī)層邊緣制作高度較低的島區(qū)，使得沉積在有機(jī)層邊緣處的ITO部分沉積在島區(qū)上，島區(qū)上的ITO在之后的光刻過程中能夠被完全蝕刻去除，使得有機(jī)層邊緣殘留的ITO在相鄰的兩條金屬線路之間不再連續(xù)，從而能夠避免相鄰的兩條金屬線路出現(xiàn)短路情況。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實(shí)施例共同用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0023]圖1A是現(xiàn)有技術(shù)OLED顯示裝置部分元件布局的俯視圖；
[0024]圖1B是圖1A沿線段A-A'的剖視圖；
[0025]圖2A是現(xiàn)有技術(shù)中能去除有機(jī)層邊緣殘留ITO的有機(jī)層光罩的局部示意圖；
[0026]圖2B是圖2A所示有機(jī)層光刻后沿線段B-Bi的剖視圖；
[0027]圖3是本發(fā)明的方法流程圖；
[0028]圖4A是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)層島區(qū)設(shè)置俯視圖；
[0029]圖4B是圖4A所示有機(jī)層光刻后沿線段C-Ci的剖視圖；
[0030]圖5A是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)層島區(qū)設(shè)置俯視圖；
[0031]圖5B是圖5A所示有機(jī)層光刻后沿線段D-D'的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]如圖3所示，是本發(fā)明提出的避免OLED顯示設(shè)備中金屬線路短路的方法流程圖。為了進(jìn)一步說明本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和達(dá)到的技術(shù)效果，下面結(jié)合非限定性的實(shí)施例，以及圖4A和4B，圖5A和5B作詳細(xì)地介紹。其中所提到的方向用語，例如上、下、前、后、左、右、內(nèi)、外、側(cè)面等，僅是參考附加圖式的方向。因此，所使用的方向用語僅是用以說明和理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。
[0033]步驟S100，提供一基板。
[0034]步驟S102，在所述基板上形成一閘極層和一半導(dǎo)體層。
[0035]步驟S103，在所述基板上形成一無機(jī)層。
[0036]其中，需要說明的是，所述無機(jī)層在所述基板上形成的區(qū)域與所述閘極層和所述半導(dǎo)體層在所述基板上形成的區(qū)域不同。此外，由于閘極層和半導(dǎo)體層，以及無機(jī)層的形成方式與現(xiàn)有技術(shù)相同，且并非本發(fā)明的重點(diǎn)，因此未顯示于圖中，也不做詳述。
[0037]步驟S104,在所述無機(jī)層上形成一圖案化金屬層10,所述圖案化金屬層10包括兩條以上的金屬線路。本實(shí)施例中，僅以兩條金屬線路M1、M2為例進(jìn)行說明，當(dāng)然實(shí)際中金屬線路的個數(shù)遠(yuǎn)不限于此。金屬線路Ml、M2分別用于傳輸不同的信號，例如傳輸不同的源極信號或者漏極信號。
[0038]步驟S105，在所述圖案化金屬層10上形成一圖案化有機(jī)層20，所述圖案化有機(jī)層20在其邊緣于每相鄰的兩條金屬線路之間，具有高度低于周邊所述圖案化有機(jī)層20的島區(qū)21。
[0039]如圖4A所示，是本發(fā)明一個實(shí)施例的有機(jī)層島區(qū)設(shè)置俯視圖。有機(jī)層20至少覆蓋兩條金屬線路Ml、M2的一部分，在兩條金屬線路Ml、M2之間，有機(jī)層20在其邊緣向外延伸一島區(qū)21，所述島區(qū)21處的有機(jī)層20的高度低于周邊其他區(qū)域的有機(jī)層20的高度，從而使得有機(jī)層20在其邊緣處于兩條金屬線路Ml、M2之間形成一個具有如圖4B所示截面的梯狀結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，也可以在相鄰的兩條金屬線路之間設(shè)置多個這樣的島區(qū)，本發(fā)明對此不作限制。
[0040]又或者，如圖5A所示，是本發(fā)明另一個實(shí)施例的有機(jī)層島區(qū)設(shè)置俯視圖。有機(jī)層20至少覆蓋兩條金屬線路Ml、M2的一部分，在兩條金屬線路Ml、M2之間，有機(jī)層20在其邊緣并沒有向外延伸，而是具有一凹陷的區(qū)域21，該區(qū)域21處的有機(jī)層20的高度低于周邊其他區(qū)域的有機(jī)層20的高度，也稱之為島區(qū)21，其截面如圖5B所示。當(dāng)然，也可以在相鄰的兩條金屬線路之間設(shè)置多個這樣的島區(qū)，本發(fā)明對此不作限制。
[0041]制作具有上述島區(qū)21的有機(jī)層20的步驟包括:
[0042]步驟S105.1，在所述基板上涂布有機(jī)層；
[0043]步驟S105.2，在所述基板上涂布光阻層；
[0044]步驟S105.3，以一光罩對所述光阻層進(jìn)行曝光，所述光罩對應(yīng)于島區(qū)位置的圖案開孔大于光罩對應(yīng)于無需蝕刻位置的圖案開孔，小于光罩對應(yīng)于完全蝕刻位置的圖案開孔；
[0045]步驟S105.4，對所述光阻層進(jìn)行顯影；
[0046]步驟S105.5，蝕刻以移除有機(jī)層的一部分，。
[0047]在上述步驟S105.3中，由于所述光罩對應(yīng)于島區(qū)位置的圖案開孔大于光罩對應(yīng)于無需蝕刻位置的圖案開孔，因此在曝光過程中，島區(qū)21處的光阻不能完全曝光，使得經(jīng)過顯影刻蝕后在島區(qū)21處的有機(jī)層20的高度低于周邊其他區(qū)域的有機(jī)層20的高度。
[0048]以佳能公司的曝光機(jī)為例，其分辨率為2.5微米(micrometer ； μ m),因此所述光罩對應(yīng)于島區(qū)位置的圖案開孔尺寸可以優(yōu)選為2微米，相應(yīng)地，光罩對應(yīng)于無需蝕刻位置的圖案開孔尺寸小于2微米，光罩對應(yīng)于完全蝕刻位置的圖案開孔要大于2.5微米。
[0049]步驟S106，在所述圖案化有機(jī)層上形成一圖案化氧化銦錫層。
[0050]由于該步驟采用的工藝方法是常規(guī)技術(shù)，因此此處不再細(xì)述。
[0051]上述步驟S106中，在涂布氧化銦錫層時，沉積在有機(jī)層20邊緣處的氧化銦錫30會部分沉積在島區(qū)21上；在曝光階段，島區(qū)上的氧化銦錫光阻能夠被完全曝光；在經(jīng)歷顯影和蝕刻之后，島區(qū)上的ITO能夠被完全去除而不會殘留，使得有機(jī)層邊緣殘留的ITO在相鄰的兩條金屬線路之間不再連續(xù)，從而也就避免相鄰的兩條金屬線路因殘留在有機(jī)層邊緣的ITO而出現(xiàn)短路的情況。
[0052]綜上所述，本發(fā)明中有機(jī)層20島區(qū)21的尺寸、位置和個數(shù)沒有嚴(yán)格限定，只要使得有機(jī)層邊緣殘留的ITO在相鄰的兩條金屬線路之間不再連續(xù)即可。
[0053]雖然已經(jīng)參考優(yōu)選實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述，但在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以對其進(jìn)行各種改進(jìn)并且可以用等效物替換其中的部件。本發(fā)明并不局限于文中公開的特定實(shí)施例，而是包括落入權(quán)利要求的范圍內(nèi)的所有技術(shù)方案。
【權(quán)利要求】
1.一種避免OLED顯示設(shè)備中金屬線路短路的方法，其包括以下步驟: 在一基板上形成一無機(jī)層； 在所述無機(jī)層上形成一圖案化金屬層，所述圖案化金屬層包括兩條以上金屬線路； 在所述圖案化金屬層上形成一圖案化有機(jī)層，所述圖案有機(jī)層在其邊緣于每相鄰的兩條所述金屬線路之間，具有高度低于周邊所述圖案化有機(jī)層的島區(qū)； 在所述圖案化有機(jī)層上形成一氧化銦錫層。
2.如權(quán)利要求1所述的避免OLED顯示設(shè)備中金屬線路短路的方法，其特征在于，在所述圖案化金屬層上形成一圖案化有機(jī)層的步驟包括: 在基板上依次涂布有機(jī)層和光阻層； 以一光罩對所述光阻層進(jìn)行曝光，所述光罩對應(yīng)于所述島區(qū)位置的圖案開孔大于所述光罩對應(yīng)于無需蝕刻位置的圖案開孔，小于所述光罩對應(yīng)于完全蝕刻位置的圖案開孔； 對所述光阻層進(jìn)行顯影和蝕刻，以移除所述有機(jī)層的一部分。
3.如權(quán)利要求2所述的避免OLED顯示設(shè)備中金屬線路短路的方法，其特征在于: 所述光罩對應(yīng)于所述島區(qū)位置的圖案開孔尺寸為2微米，所述光罩對應(yīng)于無需蝕刻位置的圖案開孔尺寸小于2微米，所述光罩對應(yīng)于完全蝕刻位置的圖案開孔大于2.5微米。
4.如權(quán)利要求1或2所述的避免OLED顯示設(shè)備中金屬線路短路的方法，其特征在于: 在兩條所述金屬線路之間，所述圖案有機(jī)層的邊緣具有兩個所述島區(qū)。
5.如權(quán)利要求1或2所述的避免OLED顯示設(shè)備中金屬線路短路的方法，其特征在于: 所述圖案有機(jī)層至少覆蓋所述兩條金屬線路的一部分。
6.如權(quán)利要求1或2所述的避免OLED顯示設(shè)備中金屬線路短路的方法，其特征在于: 所述兩條金屬線分別用于傳輸不同的信號。
7.如權(quán)利要求6所述的避免OLED顯示設(shè)備中金屬線路短路的方法，其特征在于: 所述兩條金屬線分別用于傳輸不同的源極信號。
8.如權(quán)利要求6所述的避免OLED顯示設(shè)備中金屬線路短路的方法，其特征在于: 所述兩條金屬線分別用于傳輸不同的漏極信號。
【文檔編號】H05B33/10GK103715140SQ201310476928
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年10月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月12日
【發(fā)明者】柯凱元 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司