加熱硅料的坩堝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種加熱硅料的坩堝，包括坩堝體和護(hù)套，該護(hù)套設(shè)在該坩堝體的上邊緣處。在傳統(tǒng)坩堝上邊緣增加了一個保護(hù)套，片狀硅料的投入量會相比之前加大，融化之后，也會達(dá)到坩堝的允許最大刻度線。投料量增加-投料量相對加大25%；硅錠質(zhì)量提高-可提高3%以上；降低能耗-相對單公斤硅料耗電量下降25%；少子壽命-紅邊區(qū)減少，整體少子壽命提高。
【專利說明】加熱硅料的坩堝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及硅片加工【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是一種加熱硅料的坩堝。
【背景技術(shù)】
[0002]在硅片加工過程中，需要將固體硅片原料堆入坩堝進(jìn)行加熱處理，片狀的物料在坩堝中互相疊層，會用縫隙，所以每次投入相對的滿料之后，經(jīng)過加熱融化之后，搭聯(lián)的縫隙會被液體充滿，液面會低于坩堝的最大刻度線，這就導(dǎo)致現(xiàn)有坩堝投料量為520kg，周期時間為83小時左右，單公斤硅料用電量11度，平均成品率為65%左右，導(dǎo)致成品子錠減少，輔料增加。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種加熱硅料的坩堝，投料量大，周期短。
[0004]為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案:一種加熱硅料的坩堝，包括坩堝體和護(hù)套，該護(hù)套設(shè)在該坩堝體的上邊緣處。
[0005]進(jìn)一步地，該護(hù)套為圓筒狀，架設(shè)在該坩堝體的上邊緣上。
[0006]進(jìn)一步地，該護(hù)套的內(nèi)徑小于該坩堝體的開口內(nèi)徑。
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:在傳統(tǒng)坩堝上邊緣增加了一個保護(hù)套，片狀硅料的投入量會相比之前加大，融化之后，也會達(dá)到坩堝的允許最大刻度線。投料量增加-投料量相對加大25% ;硅錠質(zhì)量提高-可提高3%以上；降低能耗-相對單公斤硅料耗電量下降25% ;少子壽命-紅邊區(qū)減少，整體少子壽命提高。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為圖1的局部放大圖。
【具體實施方式】
[0009]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，本部分的描述僅是示范性和解釋性，不應(yīng)對本發(fā)明的保護(hù)范圍有任何的限制作用。
[0010]如圖1和2所示的一種加熱硅料的坩堝，包括坩堝體I和護(hù)套2，該護(hù)套2設(shè)在該坩堝體I的上邊緣處。該護(hù)套2為圓筒狀，架設(shè)在該坩堝體I的上邊緣上。該護(hù)套2的內(nèi)徑小于該坩堝體I的開口內(nèi)徑。
[0011]增加陶瓷坩堝護(hù)套，使投料量增至650kg，單爐工藝周期時間為85小時左右；單公斤用電量在9度，因投料量增加至成品率高達(dá)69%以上，成品子錠有效長度增加，輔料減少，使整體生產(chǎn)成本降低。投料量增加-投料量相對加大25%;硅錠質(zhì)量提高-可提高3%以上；降低能耗-相對單公斤硅料耗電量下降25% ;少子壽命-紅邊區(qū)減少，整體少子壽命提高。
【權(quán)利要求】
1.一種加熱硅料的坩堝，其特征在于:包括坩堝體和護(hù)套，該護(hù)套設(shè)在該坩堝體的上邊緣處。
2.如權(quán)利要求1所述加熱硅料的坩堝，其特征在于:該護(hù)套為圓筒狀，架設(shè)在該坩堝體的上邊緣上。
3.如權(quán)利要求2所述加熱硅料的坩堝，其特征在于:該護(hù)套的內(nèi)徑小于該坩堝體的開口內(nèi)徑。
【文檔編號】C30B35/00GK103556232SQ201310543197
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年11月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月6日
【發(fā)明者】劉耀峰, 潘振東 申請人:無錫榮能半導(dǎo)體材料有限公司