一種激活多晶硅制絨藥液的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種激活多晶硅制絨藥液的方法，向新配置的制絨藥液或停機(jī)再生產(chǎn)的藥液中加入晶體硅粉或者碎硅片（破損的硅片），使得制絨藥液快速的產(chǎn)生大量的活性物質(zhì)，增加藥液的活性，使得藥液前期的硅片絨面形貌正常，減少不良品的產(chǎn)生。
【專利說明】一種激活多晶硅制絨藥液的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種激活多晶硅制絨藥液的方法，屬于多晶硅太陽能電池領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】 [0002]目前，制絨是制備具有減少反射功能的硅表面的方法，將晶體硅硅片表面織構(gòu)化，利用表面的陷光作用促進(jìn)太陽光的吸收，提高多晶太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。多晶硅太陽能電池的制作過程中一般都采用酸腐蝕(HF+HN03)的方式制絨，然而HF和HN03的腐蝕體系在新配置時(shí)或放置一段時(shí)間的藥液(產(chǎn)線交換班別中間需要停止生產(chǎn))，由于藥液中缺少中間產(chǎn)物(活性物質(zhì)亞硝酸、氟硅酸等)，腐蝕硅片的速率很慢，使得前期生產(chǎn)的硅片絨面形貌異常(腐蝕坑洞偏小)，導(dǎo)致產(chǎn)生不良品(PECVD鍍膜后顯現(xiàn)外觀不良)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的提供一種激活多晶硅制絨藥液的方法，向新配置的制絨藥液或停機(jī)再生產(chǎn)的藥液中加入晶體硅粉或者碎硅片(破損的硅片)，使得制絨藥液快速的產(chǎn)生大量的活性物質(zhì)，增加藥液的活性，使得藥液前期的硅片絨面形貌正常，減少不良品的產(chǎn)生。
[0004]一種激活多晶硅制絨藥液的方法，向放置0_4h的制絨藥液中加入晶體硅粉或者碎硅片，混合均勻，即得。
[0005]其中制絨藥液的制備方法為:向槽體中先加入150-170L純水、再加入50-60L的49%HF、再加入 240-260L 的 70%HN03。
[0006]其中晶體硅粉的純度≥99.99%，每480L制絨藥液的加入量為50_100g，和制絨藥液混合5-10min。
[0007]其中碎硅片為晶體硅太陽能電池中生產(chǎn)過程中前三道(制絨工序、擴(kuò)散工序、刻蝕工序)產(chǎn)生的破損硅片，每480L制絨藥液的加入量為50-100g，和制絨藥液混合10-20min。
[0008]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明通過快速激活新配置的制絨藥液及放置一段時(shí)間的制絨藥液，使得藥液前期生產(chǎn)的硅片絨面形貌正常，減少不良品的產(chǎn)生。
【具體實(shí)施方式】
[0009]實(shí)施例1:
一種激活多晶硅制絨藥液的方法，向放置Oh的制絨藥液中加入晶體硅粉，混合均勻，即得。
[0010]其中制絨藥液的制備方法為:向槽體中先加入150L純水、再加入50L的49%HF、再加入 240L 的 70%HN03。
[0011]其中晶體硅粉的純度≥99.99%，每480L制絨藥液的加入量為50g，和制絨藥液混合 5min。
[0012]實(shí)施例2:
一種激活多晶硅制絨藥液的方法，向放置lh的制絨藥液中加入晶體硅粉，混合均勻，即得。
[0013]其中制絨藥液的制備方法為:向槽體中先加入155L純水、再加入52L的49%HF、再加入 245L 的 70%HN03。
[0014]其中晶體硅粉的純度≥99.99%，每480L制絨藥液的加入量為60g，和制絨藥液混合 6min。
[0015]實(shí)施例3:
一種激活多晶硅制絨藥液的方法，向放置2h的制絨藥液中加入晶體硅粉或者碎硅片，混合均勻，即得。
[0016]其中制絨藥液的制備方法為:向槽體中先加入160L純水、再加入54L的49%HF、再加入 250L 的 70%HN03。
[0017]其中晶體硅粉的純度≥99.99%，每480L制絨藥液的加入量為70g，和制絨藥液混合 7min。
[0018]實(shí)施例4:
一種激活多晶硅制絨藥液的方法，向放置3h的制絨藥液中加入晶體硅粉或者碎硅片，混合均勻，即得。
[0019]其中制絨藥液的制備方法為:向槽體中先加入165L純水、再加入57L的49%HF、再加入 255L 的 70%HN03。
[0020]其中晶體硅粉的純度≥99.99%，每480L制絨藥液的加入量為80g，和制絨藥液混合 8min。
[0021]實(shí)施例5:
一種激活多晶硅制絨藥液的方法，向放置4h的制絨藥液中加入晶體硅粉或者碎硅片，混合均勻，即得。
[0022]其中制絨藥液的制備方法為:向槽體中先加入170L純水、再加入60L的49%HF、再加入 260L 的 70%HN03。
[0023]其中晶體硅粉的純度≥99.99%，每480L制絨藥液的加入量為100g，和制絨藥液混合 IOmin0
[0024]實(shí)施例6:
一種激活多晶硅制絨藥液的方法，向放置Oh的制絨藥液中加入碎硅片，混合均勻，即得。
[0025]其中制絨藥液的制備方法為:向槽體中先加入150L純水、再加入50L的49%HF、再加入 240L 的 70%HN03。
[0026]其中碎硅片為晶體硅太陽能電池中生產(chǎn)過程中前三道(制絨工序、擴(kuò)散工序、刻蝕工序)產(chǎn)生的破損硅片，每480L制絨藥液的加入量為50g，和制絨藥液混合lOmin。
[0027]實(shí)施例7:
一種激活多晶硅制絨藥液的方法，向放置Ih的制絨藥液中加入碎硅片，混合均勻，即得。
[0028]其中制絨藥液的制備方法為:向槽體中先加入158L純水、再加入53L的49%HF、再加入 246L 的 70%HN03。
[0029]其中碎硅片為晶體硅太陽能電池中生產(chǎn)過程中前三道(制絨工序、擴(kuò)散工序、刻蝕工序)產(chǎn)生的破損硅片，每480L制絨藥液的加入量為58g，和制絨藥液混合12min。
[0030]實(shí)施例8:
一種激活多晶硅制絨藥液的方法，向放置2h的制絨藥液中加入碎硅片，混合均勻，即得。
[0031]其中制絨藥液的制備方法為:向槽體中先加入162L純水、再加入55L的49%HF、再加入 252L 的 70%HN03。
[0032]其中碎硅片為晶體硅太陽能電池中生產(chǎn)過程中前三道(制絨工序、擴(kuò)散工序、刻蝕工序)產(chǎn)生的破損硅片，每480L制絨藥液的加入量為65g，和制絨藥液混合15min。
[0033]實(shí)施例9:
一種激活多晶硅制絨藥液的方法，向放置3h的制絨藥液中加入碎硅片，混合均勻，即得。
[0034]其中制絨藥液的制備方法為:向槽體中先加入166L純水、再加入57L的49%HF、再加入 258L 的 70%HN03。
[0035]其中碎硅片為晶體硅太陽能電池中生產(chǎn)過程中前三道(制絨工序、擴(kuò)散工序、刻蝕工序)產(chǎn)生的破損硅片，每480L制絨藥液的加入量為75g，和制絨藥液混合18min。
[0036]實(shí)施例10:
一種激活多晶硅制絨藥液的方法，向放置4h的制絨藥液中加入碎硅片，混合均勻，即得。
[0037]其中制絨藥液的制備方法為:向槽體中先加入170L純水、再加入60L的49%HF、再加入 260L 的 70%HN03。
[0038]其中碎硅片為晶體硅太陽能電池中生產(chǎn)過程中前三道(制絨工序、擴(kuò)散工序、刻蝕工序)產(chǎn)生的破損硅片，每480L制絨藥液的加入量為100g，和制絨藥液混合20min。
[0039]實(shí)施例11:
一種激活多晶硅制絨藥液的方法，向放置2h的制絨藥液中加入晶體硅粉，混合均勻，即得。
[0040]其中制絨藥液的制備方法為:向槽體中先加入160L純水、再加入56L的49%HF、再加入 248L 的 70%HN03。
[0041]其中晶體硅粉的純度≥99.99%，每480L制絨藥液的加入量為40g，和制絨藥液混合 12min。
[0042]實(shí)施例12:
一種激活多晶硅制絨藥液的方法，向放置3h的制絨藥液中加入碎硅片，混合均勻，即得。
[0043]其中制絨藥液的制備方法為:向槽體中先加入163L純水、再加入58L的49%HF、再加入 258L 的 70%HN03。
[0044]其中碎硅片為晶體硅太陽能電池中生產(chǎn)過程中前三道(制絨工序、擴(kuò)散工序、刻蝕工序)產(chǎn)生的破損硅片，每480L制絨藥液的加入量為110g，和制絨藥液混合23min。
[0045]各個(gè)實(shí)施例制備的硅片生產(chǎn)過程中不良品比例如下表所示:
【權(quán)利要求】
1.一種激活多晶硅制絨藥液的方法，其特征為:向放置0-4h的制絨藥液中加入晶體硅粉或者碎硅片，混合均勻，即得。
2.如權(quán)利要求1所述的一種激活多晶硅制絨藥液的方法，其特征為:制絨藥液的制備方法為:向槽體中先加入150-170L純水、再加入50-60L的49%HF、再加入240-260L的70%HN03o
3.如權(quán)利要求1所述的一種激活多晶硅制絨藥液的方法，其特征為:晶體硅粉的純度≥99.99%，每480L制絨藥液的加入量為50_100g，和制絨藥液混合5_10min。
4.如權(quán)利要求1所述的一種激活多晶硅制絨藥液的方法，其特征為:碎硅片在每480L制絨藥液的加入量為50-100g，和制絨藥液混合10-20min。
【文檔編號】C30B33/10GK103643304SQ201310694057
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2013年12月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月18日
【發(fā)明者】柳杉, 黃治國, 王鵬, 梅超, 殷建安, 包兵兵 申請人:上饒光電高科技有限公司