電子元件內(nèi)置基板的制作方法
電子元件內(nèi)置基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電子元件內(nèi)置基板，其即使在電子元件上形成的絕緣材產(chǎn)生熱膨脹或熱收縮的情況下，也能夠防止電子元件出現(xiàn)故障。電子元件內(nèi)置基板具有元件收裝層、積層。上述元件收裝層具有：電子元件，其包括端子表面和主體；絕緣性的包覆部，其包括與上述端子表面在相同平面上形成的第1表面，用于包覆上述電子元件的主體，且具有第1線膨脹系數(shù)。上述積層具有：絕緣層，其與上述端子表面和上述第1表面相接觸，在上述元件收裝層上形成，具有大于上述第1線膨脹系數(shù)的第2線膨脹系數(shù)；導(dǎo)電孔部，其設(shè)置在上述絕緣層上，與上述端子表面相連接。
【專利說(shuō)明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種內(nèi)置有電子元件的多層結(jié)構(gòu)的電子元件內(nèi)置基板(封裝基板)。 電子元件內(nèi)置基板
【背景技術(shù)】
[0002] 電子元件內(nèi)置基板一般具有在電子元件的表面上所形成的絕緣材上設(shè)置與電子 元件的端子相連接的導(dǎo)電孔部的結(jié)構(gòu)，使用含有絕緣性填料的合成樹(shù)脂作為絕緣材。另外， 導(dǎo)電孔部例如通過(guò)從絕緣材的上方照射激光等方法形成。
[0003] 例如在專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)有如下一種元件內(nèi)置基板，即，該元件內(nèi)置基板具有元 件內(nèi)置樹(shù)脂層，該元件內(nèi)置樹(shù)脂層具有：側(cè)表面層，其由元件內(nèi)置樹(shù)脂層的低于芯片元件的 上表面的部分構(gòu)成；上表面層，其由元件內(nèi)置樹(shù)脂層的高于芯片元件的上表面的部分構(gòu)成， 其中形成有導(dǎo)電體。采用該元件內(nèi)置基板，使上表面層所含有的絕緣性填料等無(wú)機(jī)材料的 含有量小于側(cè)表面層含有的絕緣性填料等無(wú)機(jī)材料的含有量，從而實(shí)現(xiàn)如下目的等：容易 通過(guò)激光照射方法形成導(dǎo)電體的孔。
[0004] 【專利文獻(xiàn)1】日本專利發(fā)明公開(kāi)公報(bào)特開(kāi)2011-029623號(hào)
[0005] 但是，在專利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的結(jié)構(gòu)中，端子電極和比端子電極脆弱的元件主體的 上表面與上述上表面層相接觸。另外，該上表面層的無(wú)機(jī)材料的含有量小于側(cè)表面層的無(wú) 機(jī)材料的含有量，而且，該上表面相對(duì)于側(cè)表面層，會(huì)產(chǎn)生顯著的熱膨脹或熱收縮。因此，伴 隨著上表面層所產(chǎn)生的熱膨脹或熱收縮而產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)被直接傳遞給脆弱的元件主體，使 其產(chǎn)生龜裂等損壞，該損壞可能會(huì)對(duì)元件的功能產(chǎn)生影響。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006] 鑒于上述情況，本發(fā)明的目的在于，提供一種電子元件內(nèi)置基板，其能夠防止電子 元件出現(xiàn)故障。
[0007] 為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的一個(gè)技術(shù)方案所涉及的電子元件內(nèi)置基板具有元件 收裝層、積層。
[0008] 上述元件收裝層具有：電子元件，其包括端子表面和主體；絕緣性的包覆部，其包 括與上述端子表面形成在同一平面上的第1表面，該包覆部用于包覆上述電子元件的主 體，且具有第1線膨脹系數(shù)。
[0009] 上述積層具有：絕緣層，其形成在上述元件收裝層的表面上，分別與上述端子表面 和上述第1表面相接觸，該絕緣層具有大于上述第1線膨脹系數(shù)的第2線膨脹系數(shù)；導(dǎo)電孔 部，其設(shè)置在上述絕緣層上，與上述端子表面相連接。
[0010] 本發(fā)明的一個(gè)技術(shù)方案所涉及的電子元件內(nèi)置基板具有元件收裝層、積層。
[0011] 上述元件收裝層具有：電子元件，其包括端子表面和主體；絕緣性的包覆部，其包 括與上述端子表面在相同平面上形成的第1表面，該包覆部用于包覆上述電子元件的主 體，且由以第1含有率含有絕緣性填料的第1樹(shù)脂材料形成。
[0012] 上述積層具有：絕緣層，其與上述端子表面和上述第1表面相接觸，形成在上述元 件收裝層的表面上，且由以小于第1含有率的第2含有率含有絕緣性填料的第2樹(shù)脂材料 形成；導(dǎo)電孔部，其形成于上述絕緣層，與上述端子表面相連接。
[0013] 另外，本發(fā)明所涉及的電子元件內(nèi)置基板具有：基層，其至少具有1個(gè)空腔部；電 子元件，其收裝在上述空腔部?jī)?nèi)；絕緣部，其用于填充上述空腔部和上述電子元件的間隙； 絕緣層，其設(shè)置在上述基層的厚度方向上的一表面上；導(dǎo)電孔部，其設(shè)置于上述絕緣層，與 上述電子元件的端子的被連接面相連接。上述絕緣部的線膨脹系數(shù)和上述絕緣層的線膨脹 系數(shù)的關(guān)系為：上述絕緣部的線膨脹系數(shù)<上述絕緣層的線膨脹系數(shù)。上述絕緣部和上述 絕緣層的接觸面以及上述端子的被連接面與上述基層的厚度方向上的一表面處于同一平 面上，上述電子元件的除上述端子的被連接面以外的部位與上述絕緣層不相接觸。
[0014] 根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種具有防止電子元件出現(xiàn)故障功能的電子元件內(nèi)置基 板。
[0015] 本發(fā)明的上述目的及其他目的、對(duì)應(yīng)于各目的的特征和效果均由下面的說(shuō)明和附 圖明確表現(xiàn)出來(lái)。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0016] 圖1是適用于本發(fā)明的電子元件內(nèi)置基板(第1實(shí)施方式）的局部縱剖視圖。
[0017] 圖2是表示圖1所示的電子元件內(nèi)置基板所涉及的元件配置工序和導(dǎo)電孔部制作 工序。
[0018] 圖3是適用于本發(fā)明的電子元件內(nèi)置基板(第2實(shí)施方式）的局部縱剖視圖。
[0019] 【附圖標(biāo)記說(shuō)明】
[0020] 11 :元件收裝層；11a :空腔部；lib :包覆部；111b :第1表面；11c :基層材；111c : 第2表面；P1、P2 :電子元件；T1、T2 :端子；Tla、T2a :端子表面；PKKP20 :主體；Pla、P2a :凹 部；12 :積層；13a :第1絕緣層；13b :第2絕緣層；14 :信號(hào)線；14a :信號(hào)線的導(dǎo)電孔部；15 : 接地線；15a :接地線的導(dǎo)電孔部；16 :導(dǎo)電體；16a :導(dǎo)電體的導(dǎo)電孔部。
【具體實(shí)施方式】
[0021] 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的電子元件內(nèi)置基板具有元件收裝層、積層。
[0022] 上述元件收裝層具有：電子元件，其包括端子表面和主體；絕緣性的包覆部，其包 括與上述端子表面在相同平面上形成的第1表面，包覆部用于包覆上述電子元件的主體， 且具有第1線膨脹系數(shù)。
[0023] 上述積層具有：絕緣層，其與上述端子表面和上述第1表面相接觸，形成在上述元 件收裝層的表面上，具有大于上述第1線膨脹系數(shù)的第2線膨脹系數(shù)；導(dǎo)電孔部，其設(shè)置在 上述絕緣層上，與上述端子表面相連接。
[0024] 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，包覆部的第1表面和電子元件的端子表面處于相同平面上，該電 子元件的端子表面以外的部位不與絕緣層相接觸。因此，即使在絕緣層產(chǎn)生熱膨脹或熱收 縮的情況下，也能夠抑制因伴隨著該熱膨脹或熱收縮而產(chǎn)生的應(yīng)力被傳遞給電子元件的主 體。從而能夠防止對(duì)脆弱的電子元件的主體造成損傷，防止電子元件出現(xiàn)故障。
[0025] 上述元件收裝層還可以具有基層材，該基層材包括與上述端子表面和上述第1表 面處于相同平面上的第2表面，該基層材中形成有收裝上述電子元件和上述包覆部的空腔 部。
[0026] 由上述基層材能夠提高整體電子元件內(nèi)置基板的剛性。還有，由導(dǎo)電體形成該基 層材能夠抑制收裝在空腔部?jī)?nèi)的電子元件上出現(xiàn)電磁干擾。
[0027] 上述電子元件可以包括收裝在上述空腔部?jī)?nèi)的多個(gè)電子元件。
[0028] 從而，能夠減小封裝在電子元件內(nèi)置基板上的元件的數(shù)量，實(shí)現(xiàn)整個(gè)基板的小型 化。
[0029] 上述電子元件的主體可以具有凹部，該凹部相對(duì)于上述端子表面下凹，被上述包 覆部包覆。
[0030] 從而，能夠防止電子元件的主體和絕緣層的接觸，另外，使包覆部和絕緣層的接觸 面積擴(kuò)大能夠防止在這兩者的接觸面出現(xiàn)剝離等。
[0031] 另外，上述包覆部可以由以第1含有率含有絕緣性填料的第1樹(shù)脂材料形成，
[0032] 上述絕緣層可以由以小于第1含有率的第2含有率含有絕緣性填料的第2樹(shù)脂材 料形成。
[0033] 從而能夠根據(jù)絕緣性填料的含有率來(lái)確定包覆部和絕緣層的各自的線膨脹系數(shù)， 并容易地對(duì)這些線膨脹系數(shù)進(jìn)行調(diào)整。
[0034] 在這種情況下，上述第1樹(shù)脂材料和上述第2樹(shù)脂材料的絕緣性填料均可以為球 狀的絕緣性填料。
[0035] 從而能夠提高形成包覆部和絕緣層時(shí)的絕緣性填料的流動(dòng)性和分散性，形成均勻 的包覆部和絕緣層。
[0036] 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的電子元件內(nèi)置基板具有元件收裝層、積層。
[0037] 上述元件收裝層具有：電子元件，其包括端子表面和主體；絕緣性的包覆部，其包 括與上述端子表面在相同平面上形成的第1平面，包覆部用于包覆上述電子元件的主體， 且由以第1含有率含有絕緣性填料的第1樹(shù)脂材料形成。
[0038] 上述積層具有：絕緣層，其與上述端子表面和上述第1平面相接觸，在上述元件收 裝層上形成，由以小于上述第1含有率的第2含有率含有絕緣性填料的第2樹(shù)脂材料形成； 導(dǎo)電孔部，其形成于上述絕緣層，與上述端子表面相連接。
[0039] 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，包覆部的第1表面和電子元件的端子表面處于同一面上，該電子 元件的端子表面以外的部位不與絕緣層相接觸。另外，包覆部的線膨脹系數(shù)可以小于絕緣 層的線膨脹系數(shù)。因此，即使在絕緣層產(chǎn)生熱膨脹或熱收縮的情況下，也能夠抑制因伴隨著 該熱膨脹或熱收縮而產(chǎn)生的應(yīng)力被傳遞給電子元件的主體。從而能夠防止對(duì)脆弱的電子元 件的主體造成損壞，防止電子元件出現(xiàn)故障。
[0040] 下面，參照【專利附圖】
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【附圖說(shuō)明】本發(fā)明的實(shí)施方式。
[0041] 【第1實(shí)施方式（圖1和圖2)】
[0042] 圖1是本實(shí)施方式所涉及的電子元件內(nèi)置基板的縱剖視圖。另外，圖1?圖3中 的X軸方向、Y軸方向及Z軸方向表示各自垂直的3個(gè)(坐標(biāo)）軸方向，X軸方向和Y軸方向 表不水平方向，z軸方向表不厚度方向（上下方向）。
[0043] 首先，說(shuō)明圖1所示的電子元件內(nèi)置基板的基本結(jié)構(gòu)。該電子元件內(nèi)置基板具有： 元件收裝層11 ;積層(加厚層)12,在與元件收裝層11的Z軸方向（厚度方向)垂直的一表面 (上表面）和與Z軸方向（厚度方向）垂直的另一表面(下表面）上分別設(shè)置有該積層12。
[0044] 元件收裝層11中具有2個(gè)電子元件P1和P2、絕緣性的包覆部lib ;基層材11c。 元件收裝層11整體具有如下結(jié)構(gòu)：在基層材lib上形成的空腔部11a內(nèi)收裝有電子元件P1 和P2以及包覆部lib。
[0045] 基層材11c具有面向積層12的后述的第1絕緣層13a的第2表面111c，且在該基 層材11c中形成有在Z軸方向（厚度方向）上貫穿該基層材lib的2個(gè)空腔部11a。第2表 面111c為基層材11c的與Z軸方向垂直的上表面(厚度方向上的一表面)，其與后述的端子 表面Tla和T2a、包覆部lib的第1表面111b處于同一平面上?；鶎硬?1c由具有與兀件 收裝層11大致相同厚度的金屬等導(dǎo)電體形成，優(yōu)選由銅、銅合金等形成。在本實(shí)施方式中， 在各空腔部11a內(nèi)分別收裝有1電子元件P1和1個(gè)電子元件P2。
[0046] 由基層材lib能夠提高整體電子元件內(nèi)置基板的剛性。還有，由導(dǎo)電體形成該基 層材lib能夠抑制收裝在空腔11a內(nèi)的電子元件P1和P2上出現(xiàn)電磁干擾。
[0047] 包覆部lib具有與端子表面Tla和端子表面T2a處于相同平面上的第1表面111b， 該包覆部lib分別包覆電子元件P1的主體P10和電子元件P2的主體P20。包覆部lib以 在各空腔部11a內(nèi)填補(bǔ)各電子元件P1、P2和基層材11c之間的間隙的方式而形成。包覆部 lib由含有絕緣性填料的第1樹(shù)脂材料形成。作為第1樹(shù)脂材料，優(yōu)選使用環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰 亞胺樹(shù)脂、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂等（既可以使用熱硬化樹(shù)脂也可以使用熱可塑性樹(shù)脂）合 成樹(shù)脂，作為絕緣性填料，優(yōu)選使用二氧化硅、氧化鋁等。絕緣性填料的形狀可以為球狀、片 狀、纖維狀，但是，考慮到制作包覆部lib時(shí)的絕緣性填料的流動(dòng)性和分散性，則優(yōu)選球狀。
[0048] 電子元件P1、P2從公知的電子元件，例如電容器、電感器、電阻器、濾波器芯片、1C 芯片等中選擇。另外，電子元件P1的厚度Hpl小于電子元件P2的厚度Hp2。
[0049] 如圖1所示，電子元件P1包括大致呈長(zhǎng)方體形狀的主體P10和2個(gè)端子表面Tla。 電子元件P1在主體P10的在X軸方向上相對(duì)的兩端部分別具有端帽狀的端子T1，各端子 T1的與后述第1絕緣層13a相面對(duì)的表面(上表面)構(gòu)成為端子表面Tla。端子表面Tla發(fā) 揮用于連接后述導(dǎo)電孔部15a和16a的被連接面(連接面）的作用。
[0050] 另外，主體P10具有凹部Pla，該凹部Pla沿Z軸方向從端子表面Tla向下方凹。 凹部Pla位于電子元件P1的與后述第1絕緣層13a相面對(duì)的一側(cè)，其深度對(duì)應(yīng)于端子T1 的突出高度。即，凹部Pla位于相對(duì)的兩個(gè)端子T1之間，被包覆部lib包覆。
[0051] 另外，與電子元件P1相同，電子元件P2包括大致呈長(zhǎng)方體形狀的主體P20和2個(gè) 端子表面T2a。即，電子元件P2在主體P20的與Z軸方向垂直的一表面(上表面）上具有2 個(gè)或3個(gè)以上的平板狀的端子T2,各端子T2的與后述第1絕緣層13a相面對(duì)的表面(上表 面）構(gòu)成為端子表面T2a。端子表面T2a發(fā)揮用于連接后述導(dǎo)電孔部14a和16a的被連接 面的作用。
[0052] 另外，主體P20具有凹部P2a，該凹部P2a沿Z軸方向從端子表面T2a向下方凹。 凹部P2a位于電子元件P2的與后述第1絕緣層13a相面對(duì)的一側(cè)，其深度對(duì)應(yīng)于端子T2 的突出高度。即，凹部P2a位于相對(duì)的兩個(gè)端子T2之間以及端子T2的周?chē)?，被包覆部lib 包覆。
[0053] 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，包覆部lib的第1表面111b、基層材11c的第2表面111c、各端子 表面Tla和T2a形成在面向積層12的同一平面上。重要的是，各電子元件P1、P2能夠構(gòu)成 為：各端子表面Tla和T2a以外的部位不與積層12相接觸。
[0054] 各積層12具有第1絕緣層(絕緣層）13a ;第2絕緣層13b ;信號(hào)線14 ;接地線15 ; 導(dǎo)電體16 ;接線端17 ;導(dǎo)電孔部14a、15a、16a、17a。
[0055] 第1絕緣層13a分別與端子表面Tla、T2a和第1表面lib相接觸，形成在元件收 裝層11的表面上。第2絕緣層13b形成在第1絕緣層13a的表面上。第1絕緣層13a和 第2絕緣層13b由含有絕緣性填料的第2樹(shù)脂材料形成。這里的第2樹(shù)脂材料優(yōu)選使用環(huán) 氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂等（既可以使用熱硬化樹(shù)脂或可以使用熱可 塑性樹(shù)脂）合成樹(shù)脂，絕緣性填料優(yōu)選使用二氧化硅、氧化鋁等。另外，絕緣性填料的形狀 與第1樹(shù)脂材料相同，并沒(méi)有特別限定，但是，考慮到制作時(shí)的絕緣性填料的流動(dòng)性和分散 性，則優(yōu)選球狀。
[0056] 信號(hào)線14、接地線15及導(dǎo)電體16在第1絕緣層13a和第2絕緣層13b之間形成 平面的圖案，接線端17在第2絕緣層13b的表面上形成平面圖案。另外，信號(hào)線14、接地線 15、導(dǎo)電體16及接線端17分別一體具有大致呈圓錐臺(tái)狀的導(dǎo)電孔部14a、15a、16a及17a。 信號(hào)線14、接地線15、導(dǎo)電體16及接線端17由金屬形成，這里的金屬優(yōu)選使用銅、銅合金 等。
[0057] 該導(dǎo)電孔部14a、15a、16a形成在第1絕緣層13a上，分別與相對(duì)應(yīng)的端子表面Tla 和T2a相連接。另外，導(dǎo)電孔部17a形成在第2絕緣層13b上，連接接線端17和導(dǎo)電體16， 以實(shí)現(xiàn)這兩個(gè)層之間的連接。在圖1所示的例子中，設(shè)置在元件收裝層11的與Z軸方向垂 直的一表面(上表面）上的積層12中的信號(hào)線14的導(dǎo)電孔部14a與電子兀件P2的端子表 面T2a相連接，另一方(右側(cè)）的導(dǎo)電體16的導(dǎo)電孔部16a與電子兀件P2的端子表面T2a 相連接。另外，接地線15的一方(右側(cè)）的導(dǎo)電孔部15a與電子元件P1的端子表面Tla相 連接，另一方(左側(cè)）的導(dǎo)電體16的導(dǎo)電孔部16a與電子元件P1的另一個(gè)端子表面Tla相 連接。接地線15的另一方(左側(cè)）的導(dǎo)電孔部15a與與基層材11c的第2表面111c相連 接，3個(gè)接線端17的導(dǎo)電孔部17a分別與信號(hào)線14和2個(gè)導(dǎo)電體16相連接。另外，設(shè)置在 元件收裝層11的與Z軸方向垂直的另一表面(下表面）上的積層12中的接地線15的導(dǎo)電 孔部15a和導(dǎo)電體16的導(dǎo)電孔部16a與基層材11c的與Z軸方向垂直的另一表面(位于第 2表面111c相反一側(cè)的下表面）相連接。另外，3個(gè)接線端17的導(dǎo)電孔部17a分別與信號(hào) 線14、接地線15及導(dǎo)電體16相連接。
[0058] 另外，第1絕緣層13a和第2絕緣層13b由含有絕緣性填料的第2樹(shù)脂材料形成， 這里的第2樹(shù)脂材料優(yōu)選使用環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂等（既可以 使用熱硬化樹(shù)脂或可以使用熱可塑性樹(shù)脂）合成樹(shù)脂，絕緣性填料優(yōu)選使用二氧化硅、氧化 鋁等。絕緣性填料的形狀可以為球狀、片狀、纖維狀，但是考慮到制作第1絕緣層13a和第 2絕緣層13b時(shí)的絕緣性填料的流動(dòng)性和分散性，則優(yōu)選球狀。
[0059] 另外，關(guān)于基層材11c、第1絕緣層13a、第2絕緣層13b、信號(hào)線14、接地線15、導(dǎo) 電體16的凸緣部分及接線端17的厚度，例如為：當(dāng)基層材11c的厚度在100?400μπι的 范圍內(nèi)時(shí)，第1絕緣層13a和第2絕緣層13b的厚度在10?30 μ m的范圍內(nèi)，信號(hào)線14、接 地線15、導(dǎo)電體16的凸緣部分及接線端17的厚度在5?25 μ m的范圍內(nèi)。各電子元件P1 和P2的各凹部Pla和P2a的深度在5?15 μ m的范圍內(nèi)。
[0060] 下面說(shuō)明包覆部lib、第1絕緣層13a及第2絕緣層13b的線膨脹系數(shù)。
[0061] 包覆部lib具有第1線膨脹系數(shù)，第1絕緣層13a和第2絕緣層13b具有大于第1 線膨脹系數(shù)的第2線膨脹系數(shù)。即，存在"包覆部lib的線膨脹系數(shù)(第1線膨脹系數(shù))<第 1絕緣層13a和第2絕緣層13b的線膨脹系數(shù)(第2線膨脹系數(shù))"的關(guān)系。具體來(lái)講，第1 線膨脹系數(shù)優(yōu)選在15?25ppm/°C的范圍內(nèi)，第2線膨脹系數(shù)優(yōu)選在35?500ppm/°C的范 圍內(nèi)。第1線膨脹系數(shù)和第2線膨脹系數(shù)從各范圍內(nèi)選出，以滿足上述關(guān)系。
[0062] 另外，第1線膨脹系數(shù)和第2線膨脹系數(shù)由第1樹(shù)脂材料和第2樹(shù)脂材料各自的 絕緣性填料含有率來(lái)決定。具體來(lái)講，包覆部lib的第1樹(shù)脂材料以第1含有率含有絕緣 性填料，第2絕緣層13a和第2絕緣層13b的第2樹(shù)脂材料以小于第1含有率的第2含有 率含有絕緣性填料。即，存在"包覆部lib的絕緣性填料含有率(第1含有率）>第1絕緣 層13a和第2絕緣層13b的絕緣性填料含有率(第2含有率)"的關(guān)系。更具體來(lái)講，上述第 1含有率優(yōu)選在65?75wt%的范圍內(nèi)，上述第2含有率優(yōu)選在30?45wt%的范圍內(nèi)，第1 含有率和第2含有率從各范圍內(nèi)選出，以滿足上述關(guān)系。
[0063] 采用處于上述范圍內(nèi)的上述線膨脹系數(shù)和處于上述范圍內(nèi)的上述絕緣性填料含 有率，能夠確保包覆部lib、第1絕緣層13b及第2絕緣層13b具有所期望的耐熱性和彎曲 強(qiáng)度。還有，能夠使包覆部lib的熱膨脹或熱收縮的程度接近各電子元件PI、P2和基層材 11c的熱膨脹或熱收縮的程度。
[0064] 另外，當(dāng)絕緣性填料的形狀為球狀時(shí)，該絕緣性填料的平均顆粒直徑優(yōu)選在 0. 5?1. Ομπι的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0. 5μπι以下。采用平均顆粒直徑處于上述范圍內(nèi)的絕 緣性填料時(shí)，即使第1絕緣層13a和第2絕緣層13b的厚度（10?30μπι)、各電子元件Ρ1 和Ρ2的各凹部Pla和P2a的深度（5?15 μ m)在上面例示的范圍內(nèi)，也能夠使第1絕緣層 13a和第2絕緣層13b中的絕緣性填料具有良好的流動(dòng)性和分散性，另外，還能夠使被填充 到各凹部Pla和P2a內(nèi)的包覆部lib中的絕緣性填料具有良好的流動(dòng)性和分散性。
[0065] 下面，參照?qǐng)D2中（A)?圖2中（C)說(shuō)明圖1所示電子元件內(nèi)置基板的元件收裝層 的形成工序(元件配置工序）和導(dǎo)電孔部的形成工序。
[0066] 如圖2中（A)所示，分別將各電子元件P1和P2配置在基層材11c的各空腔部11a 內(nèi)，形成元件收裝層11。即，首先，將壓敏粘合片AS粘貼在基層材1 lc的第2表面111c上。 接著，從基層材11c的第2表面111c的相反一側(cè)(下方）使各端子表面Tla和T2a朝向上 方，將各電子元件P1和P2插入各空腔11a內(nèi)，并將壓敏粘合片AS粘貼在各端子表面Tla 和T2a上。然后，從基層材11c的第2表面111c的相反一側(cè)(下方)將用于形成包覆部lib 的未硬化材料填充到個(gè)空腔11a內(nèi)，并使其硬化，在硬化后，剝離壓敏粘合片AS。在填充用 于形成包覆部lib的未硬化材料時(shí)，將該未硬化材料的一部分無(wú)間隙填充到電子元件P1的 凹部Pla和電子元件P2的凹部P2a內(nèi)。從而能夠?qū)崿F(xiàn)使各電子元件P1和P2的各端子表 面Tla和T2a與基層材11c的第2表面111c配置在相同平面上。另外，實(shí)際上，該工序是 在使元件收裝層11上下翻轉(zhuǎn)的狀態(tài)下進(jìn)行。
[0067] 之后，形成各導(dǎo)電孔部14a、15a及16a。S卩，首先如圖2中（B)所示，在基層材11c 的第2表面111c上設(shè)置用于形成第1絕緣層13a的未硬化材料的層，使其硬化，從而形成 第1絕緣層13a。因此，包覆部lib和第1絕緣層13a的接觸面與基層材11c的第2表面 111c位于相同平面上。然后，對(duì)第1絕緣層13a的導(dǎo)電孔部形成位置照射激光，從而形成到 達(dá)各電子元件P1和P2的各端子表面Tla和T2a的大致呈圓錐臺(tái)狀的孔TH。
[0068] 接下來(lái)，使用掩膜（圖示省略）在第1絕緣層13a的表面上形成圖案，之后，如圖2 中（C)所示，通過(guò)電鍍形成信號(hào)線14、接地線15及導(dǎo)電體16 (包括以填充孔的方式而形成 的導(dǎo)電孔部14a、15a及16a)。從而，形成各導(dǎo)電孔部14a、15a及16a與各電子兀件P1和 P2的各端子表面Tla和T2a相連接的信號(hào)線14、接地線15及導(dǎo)電體16。
[0069] 下面，說(shuō)明采用圖1所示的電子元件內(nèi)置基板所得到的效果。
[0070] (E11)在圖1所示的電子元件內(nèi)置基板中，積層12的第1絕緣層13a的第2線膨 脹系數(shù)大于包覆部lib的第1線膨脹系數(shù)。即，第1絕緣層13a的絕緣性填料含有率(第2 含有率）小于包覆部lib的絕緣性填料含有率(第1含有率)。因此，在第1絕緣層13a上 形成導(dǎo)電孔部的孔TH時(shí)，不需要提高激光的強(qiáng)度，能夠減小使露出在孔TH底部的端子表面 Tla和T2a受到損傷的可能性。還有，能夠減少堆積在經(jīng)激光加工而形成的孔TH的底部的 絕緣性填料，抑制端子表面Tla和T2a上出現(xiàn)連接不良的情況的發(fā)生。
[0071] 另外，在現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)?shù)?絕緣層13a產(chǎn)生熱膨脹或熱收縮時(shí)，伴隨著該熱膨脹 或熱收縮而產(chǎn)生的應(yīng)力被傳遞給比端子T1和端子T2還要脆弱的主體P10和P20,使電子元 件P1和P2有可能會(huì)出現(xiàn)故障。
[0072] 然而，在本實(shí)施方式中，包覆部lib的第1表面lib、各端子表面Tla和T2a、基層 材11c的第2表面111c處于相同平面上，而且這些表面與第1絕緣層13a相接觸。從而能 夠形成如下結(jié)構(gòu)：各電子元件P1和P2的各端子表面Tla和T2a以外的部位與第1絕緣層 13a不相接觸。因此，即使第1絕緣層13產(chǎn)生熱膨脹或熱收縮，也能夠抑制伴隨著該熱膨 脹或熱收縮而產(chǎn)生的應(yīng)力被傳遞給各電子元件P1和P2的各端子表面Tla和T2a以外的部 位。另外，能夠避免主體P10和P20上產(chǎn)生龜裂等損壞，抑制電子元件P1和P2出現(xiàn)故障。 另外，由于能夠使包覆部lib產(chǎn)生的熱膨脹或熱收縮的程度接近各電子元件PI、P2和基層 材11c的熱膨脹或熱收縮的程度，因而能夠抑制包覆部lib本身產(chǎn)生龜裂而導(dǎo)致封裝能力 下降情況的發(fā)生。
[0073] (E12)在圖1所示的電子元件內(nèi)置基板中，電子元件P1具有從端子表面Tla下凹 的凹部Pla，電子元件P2具有從端子表面T2a下凹的凹部P2a。將包覆部lib的一部分填 充到這些凹部Pla和P2a內(nèi)。
[0074] S卩，由于在凹部Pla、P2a和第1絕緣層13a之間存在包覆部11b，因而能夠可靠地 防止主體PKKP20和第1絕緣層13a相接觸。因此，能夠確保上述E11的效果。而且，由于 能夠增加該包覆部lib和第1絕緣層13a的接觸面積，因而能夠抑制各空腔11a內(nèi)的包覆 部lib和第1絕緣層13a之間出現(xiàn)層與層間的剝離。
[0075] (E13)在圖1所示的電子元件內(nèi)置基板中，第1絕緣層13a的絕緣性填料含有率 (第2含有率)小于包覆部lib的絕緣性填料含有率(第1含有率)。因而能夠使第1絕緣層 13a的第2線膨脹系數(shù)大于包覆部lib的第1線膨脹系數(shù)。
[0076] S卩，無(wú)論在作為構(gòu)成包覆部lib和第1絕緣層13a的主要材料的合成樹(shù)脂的種類 相同還是不同的情況下，都能夠容易地通過(guò)各絕緣性填料含有率來(lái)保證包覆部lib和第1 絕緣層13a的各線膨脹系數(shù)的關(guān)系。
[0077] (E14)在圖2所示的電子元件內(nèi)置基板的元件收裝層的形成工序中，首先將壓敏 粘合片AS粘貼在基層材11c的第2表面111c上，接著，分別將電子元件P1和P2的各端子 表面Tla和T2a粘貼在該壓敏粘合片AS上，然后，在該壓敏粘合片AS上填充未硬化材料， 從而形成包覆部lib。因此，即使在電子元件P1的厚度Hpl和電子元件P2的厚度Hp2不同 的情況下，也能容易地使包覆部lib的第1表面111b、基層材11c的第2表面111c、端子表 面Tla及端子表面T2a形成在相同平面上。
[0078] (E15)在圖1所示的電子元件內(nèi)置基板中，在各電子元件P1和P2的各端子表面 Tla和T2a上不存在絕緣性填料含有率較高的包覆部lib。因此，在圖2中（B)所示的導(dǎo)電 孔部形成工序中，當(dāng)從第1絕緣層13a的上方對(duì)導(dǎo)電孔部形成位置照射激光而形成各孔TH 時(shí)，能夠抑制該第1絕緣層13a所包含的絕緣性填料堆積在各孔TH的底部，即堆積在各端 子表面Tla和T2a上。因此，即使在之后的工序中通過(guò)電鍍形成信號(hào)線14、接地線15及導(dǎo) 電體16 (包括以填充孔TH的方式形成的導(dǎo)電孔部14a、15a及16a)，也能夠使各導(dǎo)電孔部 14a、15a及16a與各端子表面Tla和T2a實(shí)現(xiàn)良好的連接。另外，由于不需要提高激光的強(qiáng) 度便能形成各孔TH，因而能夠抑制對(duì)露出在各孔TH的底部的端子表面Tla和T2a造成損 傷。
[0079] 【第2實(shí)施方式（圖3)】
[0080] 圖3所示的電子元件內(nèi)置基板和圖1所示的電子元件內(nèi)置基板在結(jié)構(gòu)上的不同點(diǎn) 為：元件收裝層中包括收裝在1個(gè)空腔部11a內(nèi)的多個(gè)電子元件。另外，與第1實(shí)施方式相 同，包覆部lib和各電子元件P1、P2收裝在空腔部11a內(nèi)，該包覆部lib以被填充到這2個(gè) 電子元件PI、P2和空腔部11a之間的間隙內(nèi)的方式而設(shè)置。另外，在該電子元件內(nèi)置基板 的元件收裝層的形成工序(元件配置工序）中，除將2個(gè)電子元件P1、P2插入到1個(gè)空腔部 11a內(nèi)后填充成為包覆部lib的未硬化材料這一點(diǎn)不同外，其他工序均與上面所述內(nèi)容相 同。
[0081] 采用圖3所示的電子元件內(nèi)置基板也能夠得到與采用圖1所示的電子元件內(nèi)置基 板時(shí)的相同的如下效果。
[0082] (E21)在圖3所示的電子元件內(nèi)置基板中，基層12的第1絕緣層13a的第2線膨 脹系數(shù)大于包覆部lib的第1線膨脹系數(shù)。即，第1絕緣層13a的絕緣性填料含有率(第2 含有率)小于包覆部lib的絕緣性填料含有率(第1含有率)。另外，包覆部lib的第1表面 11 lb、各端子表面Tla和T2a、基層材11c的第2表面111c處于相同平面上，而且這些表面 與第1絕緣層13a相接觸。
[0083] 即，在本實(shí)施方式中，可以形成如下結(jié)構(gòu)：各電子元件P1和P2的各端子表面Tla 和T2a以外的部位不與第1絕緣層13a相接觸。因此，即使第1絕緣層13產(chǎn)生熱膨脹或熱 收縮，也能夠抑制伴隨著該熱膨脹或熱收縮而產(chǎn)生的應(yīng)力被傳遞給各電子元件P1和P2的 各端子表面Tla和T2a以外的部位。從而能夠避免主體P10和P20上產(chǎn)生龜裂等損傷，抑 制電子元件P1和P2出現(xiàn)故障。另外，由于能夠使包覆部lib產(chǎn)生的熱膨脹或熱收縮的程 度接近各電子元件P1、P2和基層材11c的熱膨脹或熱收縮的程度，因而能夠抑制包覆部lib 本身產(chǎn)生龜裂而導(dǎo)致封裝能力下降情況的發(fā)生。
[0084] (E22)在圖3所示的電子元件內(nèi)置基板中，電子元件P1具有從端子表面Tla下凹 的凹部Pla，電子元件P2具有從端子表面T2a下凹的凹部P2a。將包覆部lib的一部分填 充到這些凹部Pla和P2a內(nèi)。
[0085] S卩，由于包覆部lib配置在凹部Pla、P2a和第1絕緣層13a之間，因而能夠可靠地 防止主體P10、P20和第1絕緣層13a相接觸。因此能夠確保上述E21的效果。另外，通過(guò) 將包覆部lib的一部分填充到各凹部Pla和P2a內(nèi)，能夠增加該包覆部lib和第1絕緣層 13a的接觸面積，從而能夠抑制空腔部11a內(nèi)的包覆部lib和第1絕緣層13a之間產(chǎn)生層與 層間的剝離。
[0086] (E23)在圖3所示的電子元件內(nèi)置基板中，第1絕緣層13a的絕緣性填料含有率 (第2含有率)小于包覆部lib的絕緣性填料含有率(第1含有率)。因而能夠確定第1絕緣 層13a的第2線膨脹系數(shù)大于包覆部lib的第1線膨脹系數(shù)。
[0087] 即，無(wú)論在構(gòu)成包覆部lib和第1絕緣層13a的主要材料及合成樹(shù)脂的種類相同 還是不同的情況下，都能夠容易地通過(guò)各絕緣性填料含有率來(lái)保證包覆部lib和第1絕緣 層13a的各線膨脹系數(shù)的關(guān)系。
[0088] (E24)在圖3所示的電子元件內(nèi)置基板中，參照?qǐng)D2,首先將壓敏粘合片AS粘貼在 基層材1 lc的第2表面111c上，接著，分別將電子元件P1和P2的各端子表面Tla和T2a粘 貼在壓敏粘合片AS上，之后，在該壓敏粘合片AS上填充未硬化材料，從而形成包覆部lib。 因此，即使在電子元件P1的厚度Hpl和電子元件的厚度Hp2不同的情況下，也能容易地使 包覆部lib的第1表面111b、基層材11c的第2表面111c、端子表面Tla及端子表面T2a 在相同平面上形成。
[0089] (E25)在圖3所示的電子元件內(nèi)置基板中，在各電子元件P1和P2的各端子表面 Tla和T2a上不存在絕緣性填料含有率較高的包覆部lib。因此，在導(dǎo)電孔部形成工序中， 當(dāng)從第1絕緣層13a的上方對(duì)導(dǎo)電孔部形成位置照射激光而形成各孔TH時(shí)，能夠抑制該第 1絕緣層13a所包含的絕緣性填料堆積在各孔TH的底部，即堆積在各端子表面Tla和T2a 上。因此，即使在之后的工序中通過(guò)電鍍形成信號(hào)線14、接地線15及導(dǎo)電體16 (包括以填 充孔TH的方式形成的導(dǎo)電孔部14a、15a及16a)，也能夠使各導(dǎo)電孔部14a、15a及16a與 各端子表面Tla和T2a實(shí)現(xiàn)良好的連接。另外，由于不需要提高激光的強(qiáng)度便能形成各孔 TH，因而能夠抑制對(duì)露出各孔TH的底部的端子表面Tla和T2a造成損壞。
[0090] 【其他實(shí)施方式(未圖示）】
[0091] (1)在圖1和圖3中表示了金屬制的基層材11c，但是該基層材11c也可以為上述 金屬以外的導(dǎo)電體。另外，即使在由陶瓷或合成樹(shù)脂等非金屬材料形成該基層材lie的情 況下，也能夠發(fā)揮上述相同的效果。另外，可以形成不具有基層材lie的結(jié)構(gòu)，在這種情況 下也能夠發(fā)揮上述相同的效果。
[0092] (2)在圖1和圖3中表示了具有端帽狀的端子T1的電子元件P1和具有平板狀的 端子T2的電子元件P2,但是，端子T1和T2的形狀并沒(méi)有特別限定，即使將具有其他形狀的 端子的電子元件配置在空腔部11a內(nèi)的情況下，也能夠發(fā)揮上述相同的效果。
[0093] (3)在圖1和圖3中表示了厚度不同的電子元件P1和P2,但是，即使電子元件P1 和P2的厚度相同，也能夠發(fā)揮上述相同的效果。
[0094] (4)在圖3中表示了將2個(gè)電子元件P1和P2-起配置在1個(gè)空腔部11a內(nèi)的電 子元件內(nèi)置基板，但是，即使將3個(gè)以上的電子元件配置在1個(gè)空腔部11a內(nèi)，也能夠發(fā)揮 上述相同的效果。
[0095] (5)在圖1和圖3中表不了在兀件收裝層11的上表面和下表面上分別設(shè)置有積層 12的電子元件內(nèi)置基板，但是，即使僅在元件收裝層11的上表面上設(shè)置積層12,也能夠發(fā) 揮上述相同的效果。另外，即使在設(shè)置在元件收裝層11的上表面上的積層12的配線方式 與圖1和圖3所示配線方式不同的情況下，只要有相當(dāng)于第1絕緣層13a的絕緣層，就能夠 發(fā)揮上述相同的效果。
[0096] (6)雖然說(shuō)明了圖1和圖3所示的包覆部lib、第1絕緣層13a及第2絕緣層13b 分別由含有絕緣性填料的樹(shù)脂材料形成，但是并不局限于此，只要是能夠使第1絕緣層13a 和第2絕緣層13b的線膨脹系數(shù)大于包覆部lib的線膨脹系數(shù)的絕緣性材料即可。
【權(quán)利要求】
1. 一種電子元件內(nèi)置基板，具有元件收裝層、積層， 所述元件收裝層具有：電子元件，其包括端子表面和主體；絕緣性的包覆部，其包括與 所述端子表面形成在同一平面上的第1表面，該包覆部用于包覆所述電子元件的主體，且 具有第1線膨脹系數(shù)， 所述積層具有：絕緣層，其形成在所述元件收裝層的表面上，分別與所述端子表面和所 述第1表面相接觸，該絕緣層具有大于所述第1線膨脹系數(shù)的第2線膨脹系數(shù)；導(dǎo)電孔部， 其設(shè)置于所述絕緣層，與所述端子表面相連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件內(nèi)置基板，其特征在于， 所述元件收裝層還具有基層材， 所述基層材包括與所述端子表面和所述第1表面處于同一平面上的第2表面，該積層 材中形成有收裝所述電子元件和所述包覆部的空腔部。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子元件內(nèi)置基板，其特征在于， 所述電子元件包括收裝在所述空腔部?jī)?nèi)的多個(gè)電子元件。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1?3中任意一項(xiàng)所述的電子元件內(nèi)置基板，其特征在于， 所述電子元件的主體具有凹部， 所述凹部相對(duì)于所述端子表面下凹，被所述包覆部包覆。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1?5中任意一項(xiàng)所述的電子元件內(nèi)置基板，其特征在于， 所述包覆部由以第1含有率含有絕緣性填料的第1樹(shù)脂材料形成， 所述絕緣層由以小于第1含有率的第2含有率含有絕緣性填料的第2樹(shù)脂材料形成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子元件內(nèi)置基板，其特征在于， 所述第1樹(shù)脂材料和所述第2樹(shù)脂材料的絕緣性填料的形狀均為球狀。
7. -種電子元件內(nèi)置基板，具有元件收裝層、積層， 所述元件收裝層具有：電子元件，其包括端子表面和主體；絕緣性的包覆部，其包括與 所述端子表面處于同一平面上的第1表面，該包覆部用于包覆所述電子元件的主體，且由 以第1含有率含有絕緣性填料的第1樹(shù)脂材料形成， 所述積層具有：絕緣層，其形成在所述元件收裝層的表面上，與所述端子表面和所述第 1表面相接觸，且由以小于所述第1含有率的第2含有率含有絕緣性填料的第2樹(shù)脂材料形 成；導(dǎo)電孔部，其形成于所述絕緣層，與所述端子表面相連接。
【文檔編號(hào)】H05K1/02GK104105332SQ201310752570
【公開(kāi)日】2014年10月15日 申請(qǐng)日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月12日
【發(fā)明者】杉山裕一, 猿渡達(dá)郎, 井上佑介, 宮崎政志 申請(qǐng)人:太陽(yáng)誘電株式會(huì)社
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電子元件內(nèi)置基板，其即使在電子元件上形成的絕緣材產(chǎn)生熱膨脹或熱收縮的情況下，也能夠防止電子元件出現(xiàn)故障。電子元件內(nèi)置基板具有元件收裝層、積層。上述元件收裝層具有：電子元件，其包括端子表面和主體；絕緣性的包覆部，其包括與上述端子表面在相同平面上形成的第1表面，用于包覆上述電子元件的主體，且具有第1線膨脹系數(shù)。上述積層具有：絕緣層，其與上述端子表面和上述第1表面相接觸，在上述元件收裝層上形成，具有大于上述第1線膨脹系數(shù)的第2線膨脹系數(shù)；導(dǎo)電孔部，其設(shè)置在上述絕緣層上，與上述端子表面相連接。
【專利說(shuō)明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種內(nèi)置有電子元件的多層結(jié)構(gòu)的電子元件內(nèi)置基板(封裝基板)。 電子元件內(nèi)置基板
【背景技術(shù)】
[0002] 電子元件內(nèi)置基板一般具有在電子元件的表面上所形成的絕緣材上設(shè)置與電子 元件的端子相連接的導(dǎo)電孔部的結(jié)構(gòu)，使用含有絕緣性填料的合成樹(shù)脂作為絕緣材。另外， 導(dǎo)電孔部例如通過(guò)從絕緣材的上方照射激光等方法形成。
[0003] 例如在專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)有如下一種元件內(nèi)置基板，即，該元件內(nèi)置基板具有元 件內(nèi)置樹(shù)脂層，該元件內(nèi)置樹(shù)脂層具有：側(cè)表面層，其由元件內(nèi)置樹(shù)脂層的低于芯片元件的 上表面的部分構(gòu)成；上表面層，其由元件內(nèi)置樹(shù)脂層的高于芯片元件的上表面的部分構(gòu)成， 其中形成有導(dǎo)電體。采用該元件內(nèi)置基板，使上表面層所含有的絕緣性填料等無(wú)機(jī)材料的 含有量小于側(cè)表面層含有的絕緣性填料等無(wú)機(jī)材料的含有量，從而實(shí)現(xiàn)如下目的等：容易 通過(guò)激光照射方法形成導(dǎo)電體的孔。
[0004] 【專利文獻(xiàn)1】日本專利發(fā)明公開(kāi)公報(bào)特開(kāi)2011-029623號(hào)
[0005] 但是，在專利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的結(jié)構(gòu)中，端子電極和比端子電極脆弱的元件主體的 上表面與上述上表面層相接觸。另外，該上表面層的無(wú)機(jī)材料的含有量小于側(cè)表面層的無(wú) 機(jī)材料的含有量，而且，該上表面相對(duì)于側(cè)表面層，會(huì)產(chǎn)生顯著的熱膨脹或熱收縮。因此，伴 隨著上表面層所產(chǎn)生的熱膨脹或熱收縮而產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)被直接傳遞給脆弱的元件主體，使 其產(chǎn)生龜裂等損壞，該損壞可能會(huì)對(duì)元件的功能產(chǎn)生影響。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006] 鑒于上述情況，本發(fā)明的目的在于，提供一種電子元件內(nèi)置基板，其能夠防止電子 元件出現(xiàn)故障。
[0007] 為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的一個(gè)技術(shù)方案所涉及的電子元件內(nèi)置基板具有元件 收裝層、積層。
[0008] 上述元件收裝層具有：電子元件，其包括端子表面和主體；絕緣性的包覆部，其包 括與上述端子表面形成在同一平面上的第1表面，該包覆部用于包覆上述電子元件的主 體，且具有第1線膨脹系數(shù)。
[0009] 上述積層具有：絕緣層，其形成在上述元件收裝層的表面上，分別與上述端子表面 和上述第1表面相接觸，該絕緣層具有大于上述第1線膨脹系數(shù)的第2線膨脹系數(shù)；導(dǎo)電孔 部，其設(shè)置在上述絕緣層上，與上述端子表面相連接。
[0010] 本發(fā)明的一個(gè)技術(shù)方案所涉及的電子元件內(nèi)置基板具有元件收裝層、積層。
[0011] 上述元件收裝層具有：電子元件，其包括端子表面和主體；絕緣性的包覆部，其包 括與上述端子表面在相同平面上形成的第1表面，該包覆部用于包覆上述電子元件的主 體，且由以第1含有率含有絕緣性填料的第1樹(shù)脂材料形成。
[0012] 上述積層具有：絕緣層，其與上述端子表面和上述第1表面相接觸，形成在上述元 件收裝層的表面上，且由以小于第1含有率的第2含有率含有絕緣性填料的第2樹(shù)脂材料 形成；導(dǎo)電孔部，其形成于上述絕緣層，與上述端子表面相連接。
[0013] 另外，本發(fā)明所涉及的電子元件內(nèi)置基板具有：基層，其至少具有1個(gè)空腔部；電 子元件，其收裝在上述空腔部?jī)?nèi)；絕緣部，其用于填充上述空腔部和上述電子元件的間隙； 絕緣層，其設(shè)置在上述基層的厚度方向上的一表面上；導(dǎo)電孔部，其設(shè)置于上述絕緣層，與 上述電子元件的端子的被連接面相連接。上述絕緣部的線膨脹系數(shù)和上述絕緣層的線膨脹 系數(shù)的關(guān)系為：上述絕緣部的線膨脹系數(shù)<上述絕緣層的線膨脹系數(shù)。上述絕緣部和上述 絕緣層的接觸面以及上述端子的被連接面與上述基層的厚度方向上的一表面處于同一平 面上，上述電子元件的除上述端子的被連接面以外的部位與上述絕緣層不相接觸。
[0014] 根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種具有防止電子元件出現(xiàn)故障功能的電子元件內(nèi)置基 板。
[0015] 本發(fā)明的上述目的及其他目的、對(duì)應(yīng)于各目的的特征和效果均由下面的說(shuō)明和附 圖明確表現(xiàn)出來(lái)。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0016] 圖1是適用于本發(fā)明的電子元件內(nèi)置基板(第1實(shí)施方式）的局部縱剖視圖。
[0017] 圖2是表示圖1所示的電子元件內(nèi)置基板所涉及的元件配置工序和導(dǎo)電孔部制作 工序。
[0018] 圖3是適用于本發(fā)明的電子元件內(nèi)置基板(第2實(shí)施方式）的局部縱剖視圖。
[0019] 【附圖標(biāo)記說(shuō)明】
[0020] 11 :元件收裝層；11a :空腔部；lib :包覆部；111b :第1表面；11c :基層材；111c : 第2表面；P1、P2 :電子元件；T1、T2 :端子；Tla、T2a :端子表面；PKKP20 :主體；Pla、P2a :凹 部；12 :積層；13a :第1絕緣層；13b :第2絕緣層；14 :信號(hào)線；14a :信號(hào)線的導(dǎo)電孔部；15 : 接地線；15a :接地線的導(dǎo)電孔部；16 :導(dǎo)電體；16a :導(dǎo)電體的導(dǎo)電孔部。
【具體實(shí)施方式】
[0021] 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的電子元件內(nèi)置基板具有元件收裝層、積層。
[0022] 上述元件收裝層具有：電子元件，其包括端子表面和主體；絕緣性的包覆部，其包 括與上述端子表面在相同平面上形成的第1表面，包覆部用于包覆上述電子元件的主體， 且具有第1線膨脹系數(shù)。
[0023] 上述積層具有：絕緣層，其與上述端子表面和上述第1表面相接觸，形成在上述元 件收裝層的表面上，具有大于上述第1線膨脹系數(shù)的第2線膨脹系數(shù)；導(dǎo)電孔部，其設(shè)置在 上述絕緣層上，與上述端子表面相連接。
[0024] 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，包覆部的第1表面和電子元件的端子表面處于相同平面上，該電 子元件的端子表面以外的部位不與絕緣層相接觸。因此，即使在絕緣層產(chǎn)生熱膨脹或熱收 縮的情況下，也能夠抑制因伴隨著該熱膨脹或熱收縮而產(chǎn)生的應(yīng)力被傳遞給電子元件的主 體。從而能夠防止對(duì)脆弱的電子元件的主體造成損傷，防止電子元件出現(xiàn)故障。
[0025] 上述元件收裝層還可以具有基層材，該基層材包括與上述端子表面和上述第1表 面處于相同平面上的第2表面，該基層材中形成有收裝上述電子元件和上述包覆部的空腔 部。
[0026] 由上述基層材能夠提高整體電子元件內(nèi)置基板的剛性。還有，由導(dǎo)電體形成該基 層材能夠抑制收裝在空腔部?jī)?nèi)的電子元件上出現(xiàn)電磁干擾。
[0027] 上述電子元件可以包括收裝在上述空腔部?jī)?nèi)的多個(gè)電子元件。
[0028] 從而，能夠減小封裝在電子元件內(nèi)置基板上的元件的數(shù)量，實(shí)現(xiàn)整個(gè)基板的小型 化。
[0029] 上述電子元件的主體可以具有凹部，該凹部相對(duì)于上述端子表面下凹，被上述包 覆部包覆。
[0030] 從而，能夠防止電子元件的主體和絕緣層的接觸，另外，使包覆部和絕緣層的接觸 面積擴(kuò)大能夠防止在這兩者的接觸面出現(xiàn)剝離等。
[0031] 另外，上述包覆部可以由以第1含有率含有絕緣性填料的第1樹(shù)脂材料形成，
[0032] 上述絕緣層可以由以小于第1含有率的第2含有率含有絕緣性填料的第2樹(shù)脂材 料形成。
[0033] 從而能夠根據(jù)絕緣性填料的含有率來(lái)確定包覆部和絕緣層的各自的線膨脹系數(shù)， 并容易地對(duì)這些線膨脹系數(shù)進(jìn)行調(diào)整。
[0034] 在這種情況下，上述第1樹(shù)脂材料和上述第2樹(shù)脂材料的絕緣性填料均可以為球 狀的絕緣性填料。
[0035] 從而能夠提高形成包覆部和絕緣層時(shí)的絕緣性填料的流動(dòng)性和分散性，形成均勻 的包覆部和絕緣層。
[0036] 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的電子元件內(nèi)置基板具有元件收裝層、積層。
[0037] 上述元件收裝層具有：電子元件，其包括端子表面和主體；絕緣性的包覆部，其包 括與上述端子表面在相同平面上形成的第1平面，包覆部用于包覆上述電子元件的主體， 且由以第1含有率含有絕緣性填料的第1樹(shù)脂材料形成。
[0038] 上述積層具有：絕緣層，其與上述端子表面和上述第1平面相接觸，在上述元件收 裝層上形成，由以小于上述第1含有率的第2含有率含有絕緣性填料的第2樹(shù)脂材料形成； 導(dǎo)電孔部，其形成于上述絕緣層，與上述端子表面相連接。
[0039] 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，包覆部的第1表面和電子元件的端子表面處于同一面上，該電子 元件的端子表面以外的部位不與絕緣層相接觸。另外，包覆部的線膨脹系數(shù)可以小于絕緣 層的線膨脹系數(shù)。因此，即使在絕緣層產(chǎn)生熱膨脹或熱收縮的情況下，也能夠抑制因伴隨著 該熱膨脹或熱收縮而產(chǎn)生的應(yīng)力被傳遞給電子元件的主體。從而能夠防止對(duì)脆弱的電子元 件的主體造成損壞，防止電子元件出現(xiàn)故障。
[0040] 下面，參照【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】本發(fā)明的實(shí)施方式。
[0041] 【第1實(shí)施方式（圖1和圖2)】
[0042] 圖1是本實(shí)施方式所涉及的電子元件內(nèi)置基板的縱剖視圖。另外，圖1?圖3中 的X軸方向、Y軸方向及Z軸方向表示各自垂直的3個(gè)(坐標(biāo)）軸方向，X軸方向和Y軸方向 表不水平方向，z軸方向表不厚度方向（上下方向）。
[0043] 首先，說(shuō)明圖1所示的電子元件內(nèi)置基板的基本結(jié)構(gòu)。該電子元件內(nèi)置基板具有： 元件收裝層11 ;積層(加厚層)12,在與元件收裝層11的Z軸方向（厚度方向)垂直的一表面 (上表面）和與Z軸方向（厚度方向）垂直的另一表面(下表面）上分別設(shè)置有該積層12。
[0044] 元件收裝層11中具有2個(gè)電子元件P1和P2、絕緣性的包覆部lib ;基層材11c。 元件收裝層11整體具有如下結(jié)構(gòu)：在基層材lib上形成的空腔部11a內(nèi)收裝有電子元件P1 和P2以及包覆部lib。
[0045] 基層材11c具有面向積層12的后述的第1絕緣層13a的第2表面111c，且在該基 層材11c中形成有在Z軸方向（厚度方向）上貫穿該基層材lib的2個(gè)空腔部11a。第2表 面111c為基層材11c的與Z軸方向垂直的上表面(厚度方向上的一表面)，其與后述的端子 表面Tla和T2a、包覆部lib的第1表面111b處于同一平面上?；鶎硬?1c由具有與兀件 收裝層11大致相同厚度的金屬等導(dǎo)電體形成，優(yōu)選由銅、銅合金等形成。在本實(shí)施方式中， 在各空腔部11a內(nèi)分別收裝有1電子元件P1和1個(gè)電子元件P2。
[0046] 由基層材lib能夠提高整體電子元件內(nèi)置基板的剛性。還有，由導(dǎo)電體形成該基 層材lib能夠抑制收裝在空腔11a內(nèi)的電子元件P1和P2上出現(xiàn)電磁干擾。
[0047] 包覆部lib具有與端子表面Tla和端子表面T2a處于相同平面上的第1表面111b， 該包覆部lib分別包覆電子元件P1的主體P10和電子元件P2的主體P20。包覆部lib以 在各空腔部11a內(nèi)填補(bǔ)各電子元件P1、P2和基層材11c之間的間隙的方式而形成。包覆部 lib由含有絕緣性填料的第1樹(shù)脂材料形成。作為第1樹(shù)脂材料，優(yōu)選使用環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰 亞胺樹(shù)脂、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂等（既可以使用熱硬化樹(shù)脂也可以使用熱可塑性樹(shù)脂）合 成樹(shù)脂，作為絕緣性填料，優(yōu)選使用二氧化硅、氧化鋁等。絕緣性填料的形狀可以為球狀、片 狀、纖維狀，但是，考慮到制作包覆部lib時(shí)的絕緣性填料的流動(dòng)性和分散性，則優(yōu)選球狀。
[0048] 電子元件P1、P2從公知的電子元件，例如電容器、電感器、電阻器、濾波器芯片、1C 芯片等中選擇。另外，電子元件P1的厚度Hpl小于電子元件P2的厚度Hp2。
[0049] 如圖1所示，電子元件P1包括大致呈長(zhǎng)方體形狀的主體P10和2個(gè)端子表面Tla。 電子元件P1在主體P10的在X軸方向上相對(duì)的兩端部分別具有端帽狀的端子T1，各端子 T1的與后述第1絕緣層13a相面對(duì)的表面(上表面)構(gòu)成為端子表面Tla。端子表面Tla發(fā) 揮用于連接后述導(dǎo)電孔部15a和16a的被連接面(連接面）的作用。
[0050] 另外，主體P10具有凹部Pla，該凹部Pla沿Z軸方向從端子表面Tla向下方凹。 凹部Pla位于電子元件P1的與后述第1絕緣層13a相面對(duì)的一側(cè)，其深度對(duì)應(yīng)于端子T1 的突出高度。即，凹部Pla位于相對(duì)的兩個(gè)端子T1之間，被包覆部lib包覆。
[0051] 另外，與電子元件P1相同，電子元件P2包括大致呈長(zhǎng)方體形狀的主體P20和2個(gè) 端子表面T2a。即，電子元件P2在主體P20的與Z軸方向垂直的一表面(上表面）上具有2 個(gè)或3個(gè)以上的平板狀的端子T2,各端子T2的與后述第1絕緣層13a相面對(duì)的表面(上表 面）構(gòu)成為端子表面T2a。端子表面T2a發(fā)揮用于連接后述導(dǎo)電孔部14a和16a的被連接 面的作用。
[0052] 另外，主體P20具有凹部P2a，該凹部P2a沿Z軸方向從端子表面T2a向下方凹。 凹部P2a位于電子元件P2的與后述第1絕緣層13a相面對(duì)的一側(cè)，其深度對(duì)應(yīng)于端子T2 的突出高度。即，凹部P2a位于相對(duì)的兩個(gè)端子T2之間以及端子T2的周?chē)?，被包覆部lib 包覆。
[0053] 根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，包覆部lib的第1表面111b、基層材11c的第2表面111c、各端子 表面Tla和T2a形成在面向積層12的同一平面上。重要的是，各電子元件P1、P2能夠構(gòu)成 為：各端子表面Tla和T2a以外的部位不與積層12相接觸。
[0054] 各積層12具有第1絕緣層(絕緣層）13a ;第2絕緣層13b ;信號(hào)線14 ;接地線15 ; 導(dǎo)電體16 ;接線端17 ;導(dǎo)電孔部14a、15a、16a、17a。
[0055] 第1絕緣層13a分別與端子表面Tla、T2a和第1表面lib相接觸，形成在元件收 裝層11的表面上。第2絕緣層13b形成在第1絕緣層13a的表面上。第1絕緣層13a和 第2絕緣層13b由含有絕緣性填料的第2樹(shù)脂材料形成。這里的第2樹(shù)脂材料優(yōu)選使用環(huán) 氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂等（既可以使用熱硬化樹(shù)脂或可以使用熱可 塑性樹(shù)脂）合成樹(shù)脂，絕緣性填料優(yōu)選使用二氧化硅、氧化鋁等。另外，絕緣性填料的形狀 與第1樹(shù)脂材料相同，并沒(méi)有特別限定，但是，考慮到制作時(shí)的絕緣性填料的流動(dòng)性和分散 性，則優(yōu)選球狀。
[0056] 信號(hào)線14、接地線15及導(dǎo)電體16在第1絕緣層13a和第2絕緣層13b之間形成 平面的圖案，接線端17在第2絕緣層13b的表面上形成平面圖案。另外，信號(hào)線14、接地線 15、導(dǎo)電體16及接線端17分別一體具有大致呈圓錐臺(tái)狀的導(dǎo)電孔部14a、15a、16a及17a。 信號(hào)線14、接地線15、導(dǎo)電體16及接線端17由金屬形成，這里的金屬優(yōu)選使用銅、銅合金 等。
[0057] 該導(dǎo)電孔部14a、15a、16a形成在第1絕緣層13a上，分別與相對(duì)應(yīng)的端子表面Tla 和T2a相連接。另外，導(dǎo)電孔部17a形成在第2絕緣層13b上，連接接線端17和導(dǎo)電體16， 以實(shí)現(xiàn)這兩個(gè)層之間的連接。在圖1所示的例子中，設(shè)置在元件收裝層11的與Z軸方向垂 直的一表面(上表面）上的積層12中的信號(hào)線14的導(dǎo)電孔部14a與電子兀件P2的端子表 面T2a相連接，另一方(右側(cè)）的導(dǎo)電體16的導(dǎo)電孔部16a與電子兀件P2的端子表面T2a 相連接。另外，接地線15的一方(右側(cè)）的導(dǎo)電孔部15a與電子元件P1的端子表面Tla相 連接，另一方(左側(cè)）的導(dǎo)電體16的導(dǎo)電孔部16a與電子元件P1的另一個(gè)端子表面Tla相 連接。接地線15的另一方(左側(cè)）的導(dǎo)電孔部15a與與基層材11c的第2表面111c相連 接，3個(gè)接線端17的導(dǎo)電孔部17a分別與信號(hào)線14和2個(gè)導(dǎo)電體16相連接。另外，設(shè)置在 元件收裝層11的與Z軸方向垂直的另一表面(下表面）上的積層12中的接地線15的導(dǎo)電 孔部15a和導(dǎo)電體16的導(dǎo)電孔部16a與基層材11c的與Z軸方向垂直的另一表面(位于第 2表面111c相反一側(cè)的下表面）相連接。另外，3個(gè)接線端17的導(dǎo)電孔部17a分別與信號(hào) 線14、接地線15及導(dǎo)電體16相連接。
[0058] 另外，第1絕緣層13a和第2絕緣層13b由含有絕緣性填料的第2樹(shù)脂材料形成， 這里的第2樹(shù)脂材料優(yōu)選使用環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂等（既可以 使用熱硬化樹(shù)脂或可以使用熱可塑性樹(shù)脂）合成樹(shù)脂，絕緣性填料優(yōu)選使用二氧化硅、氧化 鋁等。絕緣性填料的形狀可以為球狀、片狀、纖維狀，但是考慮到制作第1絕緣層13a和第 2絕緣層13b時(shí)的絕緣性填料的流動(dòng)性和分散性，則優(yōu)選球狀。
[0059] 另外，關(guān)于基層材11c、第1絕緣層13a、第2絕緣層13b、信號(hào)線14、接地線15、導(dǎo) 電體16的凸緣部分及接線端17的厚度，例如為：當(dāng)基層材11c的厚度在100?400μπι的 范圍內(nèi)時(shí)，第1絕緣層13a和第2絕緣層13b的厚度在10?30 μ m的范圍內(nèi)，信號(hào)線14、接 地線15、導(dǎo)電體16的凸緣部分及接線端17的厚度在5?25 μ m的范圍內(nèi)。各電子元件P1 和P2的各凹部Pla和P2a的深度在5?15 μ m的范圍內(nèi)。
[0060] 下面說(shuō)明包覆部lib、第1絕緣層13a及第2絕緣層13b的線膨脹系數(shù)。
[0061] 包覆部lib具有第1線膨脹系數(shù)，第1絕緣層13a和第2絕緣層13b具有大于第1 線膨脹系數(shù)的第2線膨脹系數(shù)。即，存在"包覆部lib的線膨脹系數(shù)(第1線膨脹系數(shù))<第 1絕緣層13a和第2絕緣層13b的線膨脹系數(shù)(第2線膨脹系數(shù))"的關(guān)系。具體來(lái)講，第1 線膨脹系數(shù)優(yōu)選在15?25ppm/°C的范圍內(nèi)，第2線膨脹系數(shù)優(yōu)選在35?500ppm/°C的范 圍內(nèi)。第1線膨脹系數(shù)和第2線膨脹系數(shù)從各范圍內(nèi)選出，以滿足上述關(guān)系。
[0062] 另外，第1線膨脹系數(shù)和第2線膨脹系數(shù)由第1樹(shù)脂材料和第2樹(shù)脂材料各自的 絕緣性填料含有率來(lái)決定。具體來(lái)講，包覆部lib的第1樹(shù)脂材料以第1含有率含有絕緣 性填料，第2絕緣層13a和第2絕緣層13b的第2樹(shù)脂材料以小于第1含有率的第2含有 率含有絕緣性填料。即，存在"包覆部lib的絕緣性填料含有率(第1含有率）>第1絕緣 層13a和第2絕緣層13b的絕緣性填料含有率(第2含有率)"的關(guān)系。更具體來(lái)講，上述第 1含有率優(yōu)選在65?75wt%的范圍內(nèi)，上述第2含有率優(yōu)選在30?45wt%的范圍內(nèi)，第1 含有率和第2含有率從各范圍內(nèi)選出，以滿足上述關(guān)系。
[0063] 采用處于上述范圍內(nèi)的上述線膨脹系數(shù)和處于上述范圍內(nèi)的上述絕緣性填料含 有率，能夠確保包覆部lib、第1絕緣層13b及第2絕緣層13b具有所期望的耐熱性和彎曲 強(qiáng)度。還有，能夠使包覆部lib的熱膨脹或熱收縮的程度接近各電子元件PI、P2和基層材 11c的熱膨脹或熱收縮的程度。
[0064] 另外，當(dāng)絕緣性填料的形狀為球狀時(shí)，該絕緣性填料的平均顆粒直徑優(yōu)選在 0. 5?1. Ομπι的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0. 5μπι以下。采用平均顆粒直徑處于上述范圍內(nèi)的絕 緣性填料時(shí)，即使第1絕緣層13a和第2絕緣層13b的厚度（10?30μπι)、各電子元件Ρ1 和Ρ2的各凹部Pla和P2a的深度（5?15 μ m)在上面例示的范圍內(nèi)，也能夠使第1絕緣層 13a和第2絕緣層13b中的絕緣性填料具有良好的流動(dòng)性和分散性，另外，還能夠使被填充 到各凹部Pla和P2a內(nèi)的包覆部lib中的絕緣性填料具有良好的流動(dòng)性和分散性。
[0065] 下面，參照?qǐng)D2中（A)?圖2中（C)說(shuō)明圖1所示電子元件內(nèi)置基板的元件收裝層 的形成工序(元件配置工序）和導(dǎo)電孔部的形成工序。
[0066] 如圖2中（A)所示，分別將各電子元件P1和P2配置在基層材11c的各空腔部11a 內(nèi)，形成元件收裝層11。即，首先，將壓敏粘合片AS粘貼在基層材1 lc的第2表面111c上。 接著，從基層材11c的第2表面111c的相反一側(cè)(下方）使各端子表面Tla和T2a朝向上 方，將各電子元件P1和P2插入各空腔11a內(nèi)，并將壓敏粘合片AS粘貼在各端子表面Tla 和T2a上。然后，從基層材11c的第2表面111c的相反一側(cè)(下方)將用于形成包覆部lib 的未硬化材料填充到個(gè)空腔11a內(nèi)，并使其硬化，在硬化后，剝離壓敏粘合片AS。在填充用 于形成包覆部lib的未硬化材料時(shí)，將該未硬化材料的一部分無(wú)間隙填充到電子元件P1的 凹部Pla和電子元件P2的凹部P2a內(nèi)。從而能夠?qū)崿F(xiàn)使各電子元件P1和P2的各端子表 面Tla和T2a與基層材11c的第2表面111c配置在相同平面上。另外，實(shí)際上，該工序是 在使元件收裝層11上下翻轉(zhuǎn)的狀態(tài)下進(jìn)行。
[0067] 之后，形成各導(dǎo)電孔部14a、15a及16a。S卩，首先如圖2中（B)所示，在基層材11c 的第2表面111c上設(shè)置用于形成第1絕緣層13a的未硬化材料的層，使其硬化，從而形成 第1絕緣層13a。因此，包覆部lib和第1絕緣層13a的接觸面與基層材11c的第2表面 111c位于相同平面上。然后，對(duì)第1絕緣層13a的導(dǎo)電孔部形成位置照射激光，從而形成到 達(dá)各電子元件P1和P2的各端子表面Tla和T2a的大致呈圓錐臺(tái)狀的孔TH。
[0068] 接下來(lái)，使用掩膜（圖示省略）在第1絕緣層13a的表面上形成圖案，之后，如圖2 中（C)所示，通過(guò)電鍍形成信號(hào)線14、接地線15及導(dǎo)電體16 (包括以填充孔的方式而形成 的導(dǎo)電孔部14a、15a及16a)。從而，形成各導(dǎo)電孔部14a、15a及16a與各電子兀件P1和 P2的各端子表面Tla和T2a相連接的信號(hào)線14、接地線15及導(dǎo)電體16。
[0069] 下面，說(shuō)明采用圖1所示的電子元件內(nèi)置基板所得到的效果。
[0070] (E11)在圖1所示的電子元件內(nèi)置基板中，積層12的第1絕緣層13a的第2線膨 脹系數(shù)大于包覆部lib的第1線膨脹系數(shù)。即，第1絕緣層13a的絕緣性填料含有率(第2 含有率）小于包覆部lib的絕緣性填料含有率(第1含有率)。因此，在第1絕緣層13a上 形成導(dǎo)電孔部的孔TH時(shí)，不需要提高激光的強(qiáng)度，能夠減小使露出在孔TH底部的端子表面 Tla和T2a受到損傷的可能性。還有，能夠減少堆積在經(jīng)激光加工而形成的孔TH的底部的 絕緣性填料，抑制端子表面Tla和T2a上出現(xiàn)連接不良的情況的發(fā)生。
[0071] 另外，在現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)?shù)?絕緣層13a產(chǎn)生熱膨脹或熱收縮時(shí)，伴隨著該熱膨脹 或熱收縮而產(chǎn)生的應(yīng)力被傳遞給比端子T1和端子T2還要脆弱的主體P10和P20,使電子元 件P1和P2有可能會(huì)出現(xiàn)故障。
[0072] 然而，在本實(shí)施方式中，包覆部lib的第1表面lib、各端子表面Tla和T2a、基層 材11c的第2表面111c處于相同平面上，而且這些表面與第1絕緣層13a相接觸。從而能 夠形成如下結(jié)構(gòu)：各電子元件P1和P2的各端子表面Tla和T2a以外的部位與第1絕緣層 13a不相接觸。因此，即使第1絕緣層13產(chǎn)生熱膨脹或熱收縮，也能夠抑制伴隨著該熱膨 脹或熱收縮而產(chǎn)生的應(yīng)力被傳遞給各電子元件P1和P2的各端子表面Tla和T2a以外的部 位。另外，能夠避免主體P10和P20上產(chǎn)生龜裂等損壞，抑制電子元件P1和P2出現(xiàn)故障。 另外，由于能夠使包覆部lib產(chǎn)生的熱膨脹或熱收縮的程度接近各電子元件PI、P2和基層 材11c的熱膨脹或熱收縮的程度，因而能夠抑制包覆部lib本身產(chǎn)生龜裂而導(dǎo)致封裝能力 下降情況的發(fā)生。
[0073] (E12)在圖1所示的電子元件內(nèi)置基板中，電子元件P1具有從端子表面Tla下凹 的凹部Pla，電子元件P2具有從端子表面T2a下凹的凹部P2a。將包覆部lib的一部分填 充到這些凹部Pla和P2a內(nèi)。
[0074] S卩，由于在凹部Pla、P2a和第1絕緣層13a之間存在包覆部11b，因而能夠可靠地 防止主體PKKP20和第1絕緣層13a相接觸。因此，能夠確保上述E11的效果。而且，由于 能夠增加該包覆部lib和第1絕緣層13a的接觸面積，因而能夠抑制各空腔11a內(nèi)的包覆 部lib和第1絕緣層13a之間出現(xiàn)層與層間的剝離。
[0075] (E13)在圖1所示的電子元件內(nèi)置基板中，第1絕緣層13a的絕緣性填料含有率 (第2含有率)小于包覆部lib的絕緣性填料含有率(第1含有率)。因而能夠使第1絕緣層 13a的第2線膨脹系數(shù)大于包覆部lib的第1線膨脹系數(shù)。
[0076] S卩，無(wú)論在作為構(gòu)成包覆部lib和第1絕緣層13a的主要材料的合成樹(shù)脂的種類 相同還是不同的情況下，都能夠容易地通過(guò)各絕緣性填料含有率來(lái)保證包覆部lib和第1 絕緣層13a的各線膨脹系數(shù)的關(guān)系。
[0077] (E14)在圖2所示的電子元件內(nèi)置基板的元件收裝層的形成工序中，首先將壓敏 粘合片AS粘貼在基層材11c的第2表面111c上，接著，分別將電子元件P1和P2的各端子 表面Tla和T2a粘貼在該壓敏粘合片AS上，然后，在該壓敏粘合片AS上填充未硬化材料， 從而形成包覆部lib。因此，即使在電子元件P1的厚度Hpl和電子元件P2的厚度Hp2不同 的情況下，也能容易地使包覆部lib的第1表面111b、基層材11c的第2表面111c、端子表 面Tla及端子表面T2a形成在相同平面上。
[0078] (E15)在圖1所示的電子元件內(nèi)置基板中，在各電子元件P1和P2的各端子表面 Tla和T2a上不存在絕緣性填料含有率較高的包覆部lib。因此，在圖2中（B)所示的導(dǎo)電 孔部形成工序中，當(dāng)從第1絕緣層13a的上方對(duì)導(dǎo)電孔部形成位置照射激光而形成各孔TH 時(shí)，能夠抑制該第1絕緣層13a所包含的絕緣性填料堆積在各孔TH的底部，即堆積在各端 子表面Tla和T2a上。因此，即使在之后的工序中通過(guò)電鍍形成信號(hào)線14、接地線15及導(dǎo) 電體16 (包括以填充孔TH的方式形成的導(dǎo)電孔部14a、15a及16a)，也能夠使各導(dǎo)電孔部 14a、15a及16a與各端子表面Tla和T2a實(shí)現(xiàn)良好的連接。另外，由于不需要提高激光的強(qiáng) 度便能形成各孔TH，因而能夠抑制對(duì)露出在各孔TH的底部的端子表面Tla和T2a造成損 傷。
[0079] 【第2實(shí)施方式（圖3)】
[0080] 圖3所示的電子元件內(nèi)置基板和圖1所示的電子元件內(nèi)置基板在結(jié)構(gòu)上的不同點(diǎn) 為：元件收裝層中包括收裝在1個(gè)空腔部11a內(nèi)的多個(gè)電子元件。另外，與第1實(shí)施方式相 同，包覆部lib和各電子元件P1、P2收裝在空腔部11a內(nèi)，該包覆部lib以被填充到這2個(gè) 電子元件PI、P2和空腔部11a之間的間隙內(nèi)的方式而設(shè)置。另外，在該電子元件內(nèi)置基板 的元件收裝層的形成工序(元件配置工序）中，除將2個(gè)電子元件P1、P2插入到1個(gè)空腔部 11a內(nèi)后填充成為包覆部lib的未硬化材料這一點(diǎn)不同外，其他工序均與上面所述內(nèi)容相 同。
[0081] 采用圖3所示的電子元件內(nèi)置基板也能夠得到與采用圖1所示的電子元件內(nèi)置基 板時(shí)的相同的如下效果。
[0082] (E21)在圖3所示的電子元件內(nèi)置基板中，基層12的第1絕緣層13a的第2線膨 脹系數(shù)大于包覆部lib的第1線膨脹系數(shù)。即，第1絕緣層13a的絕緣性填料含有率(第2 含有率)小于包覆部lib的絕緣性填料含有率(第1含有率)。另外，包覆部lib的第1表面 11 lb、各端子表面Tla和T2a、基層材11c的第2表面111c處于相同平面上，而且這些表面 與第1絕緣層13a相接觸。
[0083] 即，在本實(shí)施方式中，可以形成如下結(jié)構(gòu)：各電子元件P1和P2的各端子表面Tla 和T2a以外的部位不與第1絕緣層13a相接觸。因此，即使第1絕緣層13產(chǎn)生熱膨脹或熱 收縮，也能夠抑制伴隨著該熱膨脹或熱收縮而產(chǎn)生的應(yīng)力被傳遞給各電子元件P1和P2的 各端子表面Tla和T2a以外的部位。從而能夠避免主體P10和P20上產(chǎn)生龜裂等損傷，抑 制電子元件P1和P2出現(xiàn)故障。另外，由于能夠使包覆部lib產(chǎn)生的熱膨脹或熱收縮的程 度接近各電子元件P1、P2和基層材11c的熱膨脹或熱收縮的程度，因而能夠抑制包覆部lib 本身產(chǎn)生龜裂而導(dǎo)致封裝能力下降情況的發(fā)生。
[0084] (E22)在圖3所示的電子元件內(nèi)置基板中，電子元件P1具有從端子表面Tla下凹 的凹部Pla，電子元件P2具有從端子表面T2a下凹的凹部P2a。將包覆部lib的一部分填 充到這些凹部Pla和P2a內(nèi)。
[0085] S卩，由于包覆部lib配置在凹部Pla、P2a和第1絕緣層13a之間，因而能夠可靠地 防止主體P10、P20和第1絕緣層13a相接觸。因此能夠確保上述E21的效果。另外，通過(guò) 將包覆部lib的一部分填充到各凹部Pla和P2a內(nèi)，能夠增加該包覆部lib和第1絕緣層 13a的接觸面積，從而能夠抑制空腔部11a內(nèi)的包覆部lib和第1絕緣層13a之間產(chǎn)生層與 層間的剝離。
[0086] (E23)在圖3所示的電子元件內(nèi)置基板中，第1絕緣層13a的絕緣性填料含有率 (第2含有率)小于包覆部lib的絕緣性填料含有率(第1含有率)。因而能夠確定第1絕緣 層13a的第2線膨脹系數(shù)大于包覆部lib的第1線膨脹系數(shù)。
[0087] 即，無(wú)論在構(gòu)成包覆部lib和第1絕緣層13a的主要材料及合成樹(shù)脂的種類相同 還是不同的情況下，都能夠容易地通過(guò)各絕緣性填料含有率來(lái)保證包覆部lib和第1絕緣 層13a的各線膨脹系數(shù)的關(guān)系。
[0088] (E24)在圖3所示的電子元件內(nèi)置基板中，參照?qǐng)D2,首先將壓敏粘合片AS粘貼在 基層材1 lc的第2表面111c上，接著，分別將電子元件P1和P2的各端子表面Tla和T2a粘 貼在壓敏粘合片AS上，之后，在該壓敏粘合片AS上填充未硬化材料，從而形成包覆部lib。 因此，即使在電子元件P1的厚度Hpl和電子元件的厚度Hp2不同的情況下，也能容易地使 包覆部lib的第1表面111b、基層材11c的第2表面111c、端子表面Tla及端子表面T2a 在相同平面上形成。
[0089] (E25)在圖3所示的電子元件內(nèi)置基板中，在各電子元件P1和P2的各端子表面 Tla和T2a上不存在絕緣性填料含有率較高的包覆部lib。因此，在導(dǎo)電孔部形成工序中， 當(dāng)從第1絕緣層13a的上方對(duì)導(dǎo)電孔部形成位置照射激光而形成各孔TH時(shí)，能夠抑制該第 1絕緣層13a所包含的絕緣性填料堆積在各孔TH的底部，即堆積在各端子表面Tla和T2a 上。因此，即使在之后的工序中通過(guò)電鍍形成信號(hào)線14、接地線15及導(dǎo)電體16 (包括以填 充孔TH的方式形成的導(dǎo)電孔部14a、15a及16a)，也能夠使各導(dǎo)電孔部14a、15a及16a與 各端子表面Tla和T2a實(shí)現(xiàn)良好的連接。另外，由于不需要提高激光的強(qiáng)度便能形成各孔 TH，因而能夠抑制對(duì)露出各孔TH的底部的端子表面Tla和T2a造成損壞。
[0090] 【其他實(shí)施方式(未圖示）】
[0091] (1)在圖1和圖3中表示了金屬制的基層材11c，但是該基層材11c也可以為上述 金屬以外的導(dǎo)電體。另外，即使在由陶瓷或合成樹(shù)脂等非金屬材料形成該基層材lie的情 況下，也能夠發(fā)揮上述相同的效果。另外，可以形成不具有基層材lie的結(jié)構(gòu)，在這種情況 下也能夠發(fā)揮上述相同的效果。
[0092] (2)在圖1和圖3中表示了具有端帽狀的端子T1的電子元件P1和具有平板狀的 端子T2的電子元件P2,但是，端子T1和T2的形狀并沒(méi)有特別限定，即使將具有其他形狀的 端子的電子元件配置在空腔部11a內(nèi)的情況下，也能夠發(fā)揮上述相同的效果。
[0093] (3)在圖1和圖3中表示了厚度不同的電子元件P1和P2,但是，即使電子元件P1 和P2的厚度相同，也能夠發(fā)揮上述相同的效果。
[0094] (4)在圖3中表示了將2個(gè)電子元件P1和P2-起配置在1個(gè)空腔部11a內(nèi)的電 子元件內(nèi)置基板，但是，即使將3個(gè)以上的電子元件配置在1個(gè)空腔部11a內(nèi)，也能夠發(fā)揮 上述相同的效果。
[0095] (5)在圖1和圖3中表不了在兀件收裝層11的上表面和下表面上分別設(shè)置有積層 12的電子元件內(nèi)置基板，但是，即使僅在元件收裝層11的上表面上設(shè)置積層12,也能夠發(fā) 揮上述相同的效果。另外，即使在設(shè)置在元件收裝層11的上表面上的積層12的配線方式 與圖1和圖3所示配線方式不同的情況下，只要有相當(dāng)于第1絕緣層13a的絕緣層，就能夠 發(fā)揮上述相同的效果。
[0096] (6)雖然說(shuō)明了圖1和圖3所示的包覆部lib、第1絕緣層13a及第2絕緣層13b 分別由含有絕緣性填料的樹(shù)脂材料形成，但是并不局限于此，只要是能夠使第1絕緣層13a 和第2絕緣層13b的線膨脹系數(shù)大于包覆部lib的線膨脹系數(shù)的絕緣性材料即可。
【權(quán)利要求】
1. 一種電子元件內(nèi)置基板，具有元件收裝層、積層， 所述元件收裝層具有：電子元件，其包括端子表面和主體；絕緣性的包覆部，其包括與 所述端子表面形成在同一平面上的第1表面，該包覆部用于包覆所述電子元件的主體，且 具有第1線膨脹系數(shù)， 所述積層具有：絕緣層，其形成在所述元件收裝層的表面上，分別與所述端子表面和所 述第1表面相接觸，該絕緣層具有大于所述第1線膨脹系數(shù)的第2線膨脹系數(shù)；導(dǎo)電孔部， 其設(shè)置于所述絕緣層，與所述端子表面相連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件內(nèi)置基板，其特征在于， 所述元件收裝層還具有基層材， 所述基層材包括與所述端子表面和所述第1表面處于同一平面上的第2表面，該積層 材中形成有收裝所述電子元件和所述包覆部的空腔部。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子元件內(nèi)置基板，其特征在于， 所述電子元件包括收裝在所述空腔部?jī)?nèi)的多個(gè)電子元件。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1?3中任意一項(xiàng)所述的電子元件內(nèi)置基板，其特征在于， 所述電子元件的主體具有凹部， 所述凹部相對(duì)于所述端子表面下凹，被所述包覆部包覆。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1?5中任意一項(xiàng)所述的電子元件內(nèi)置基板，其特征在于， 所述包覆部由以第1含有率含有絕緣性填料的第1樹(shù)脂材料形成， 所述絕緣層由以小于第1含有率的第2含有率含有絕緣性填料的第2樹(shù)脂材料形成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子元件內(nèi)置基板，其特征在于， 所述第1樹(shù)脂材料和所述第2樹(shù)脂材料的絕緣性填料的形狀均為球狀。
7. -種電子元件內(nèi)置基板，具有元件收裝層、積層， 所述元件收裝層具有：電子元件，其包括端子表面和主體；絕緣性的包覆部，其包括與 所述端子表面處于同一平面上的第1表面，該包覆部用于包覆所述電子元件的主體，且由 以第1含有率含有絕緣性填料的第1樹(shù)脂材料形成， 所述積層具有：絕緣層，其形成在所述元件收裝層的表面上，與所述端子表面和所述第 1表面相接觸，且由以小于所述第1含有率的第2含有率含有絕緣性填料的第2樹(shù)脂材料形 成；導(dǎo)電孔部，其形成于所述絕緣層，與所述端子表面相連接。
【文檔編號(hào)】H05K1/02GK104105332SQ201310752570
【公開(kāi)日】2014年10月15日 申請(qǐng)日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月12日
【發(fā)明者】杉山裕一, 猿渡達(dá)郎, 井上佑介, 宮崎政志 申請(qǐng)人:太陽(yáng)誘電株式會(huì)社
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