專利名稱：一種激光加熱式磁場退火爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及退火爐領(lǐng)域，尤其涉及到一種激光加熱式磁場退火爐。
背景技術(shù)：
退火是一種將樣品置于高溫一段時間后，再慢慢冷卻的熱處理過程。退火可以改善樣品的組織形貌，尤其是在磁場下退火，即磁場退火，可促進(jìn)樣品晶化，在晶體長大過程中施加磁場還可以使晶粒擇優(yōu)取向。磁場退火的強磁場由永磁體或者螺線管提供時，爐體的孔徑越小，產(chǎn)生的磁場就越強。如何在有限的空間內(nèi)實現(xiàn)高磁場下的退火是人們普遍關(guān)注的問題。

實用新型內(nèi)容本實用新型提供一種激光加熱式磁場退火爐，能夠在有限的空間里，集中加熱，不影響永磁體的溫度，方便得到更大的磁場。本實用新型所采取的技術(shù)方案為，一種激光加熱式磁場退火爐，包括爐罩、樣品臺、永磁體、激光源，其中，樣品臺安裝于爐罩內(nèi)，永磁體安裝于樣品臺上，激光源位于爐罩上方。本實用新型的激光源發(fā)射的激光照射到樣品臺上，實現(xiàn)有限的空間里，集中加熱，不會影響到周圍永磁體的溫度，方便得到更大的磁場。

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中:1爐罩、2樣品臺、3永磁體、4激光源、5激光。
具體實施方式

以下結(jié)合附圖實施例對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖，爐罩1、樣品臺2、永磁體3、激光源4，激光5，其中，樣品臺2安裝于爐罩I內(nèi)，永磁體3安裝于樣品臺2上，激光源4位于爐罩I上方。本實用新型的激光源4發(fā)射的激光5照射到樣品臺2上，實現(xiàn)有限的空間里，集中加熱，不會影響到周圍永磁體3的溫度，方便得到更大的磁場。
權(quán)利要求1.一種激光加熱式磁場退火爐,包括爐罩、樣品臺、永磁體、激光源,其特征在于:所述的樣品臺安裝于爐罩內(nèi)，永·磁體安裝于樣品臺上，激光源位于爐罩上方。
專利摘要如何在有限的空間內(nèi)實現(xiàn)高磁場下的退火是人們普遍關(guān)注的問題。本實用新型提供一種激光加熱式磁場退火爐，包括爐罩、樣品臺、永磁體、激光源，其中，樣品臺安裝于爐罩內(nèi)，永磁體安裝于樣品臺上，激光源位于爐罩上方。本實用新型的激光源發(fā)射的激光照射到樣品臺上，實現(xiàn)有限的空間里，集中加熱，不會影響到周圍永磁體的溫度，方便得到更大的磁場。
文檔編號C30B30/04GK203144560SQ20132008288
公開日2013年8月21日 申請日期2013年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月22日
發(fā)明者胡雨航 申請人:胡雨航