一種用于激光密封焊接的可伐金屬結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種用于激光密封焊接的可伐金屬結(jié)構(gòu)，包括相互配合的腔體和蓋板，其特征在于：所述腔體邊壁厚度為1mm,所述腔體邊壁內(nèi)表面頂部為臺階形狀，所述臺階寬度為0.5mm，所述臺階高度為0.5mm；所述蓋板厚度為0.5mm。本實(shí)用新型可最大利用腔體內(nèi)的有效面積，為腔體內(nèi)混合微電路的設(shè)計(jì)提供最大空間，為電路的設(shè)計(jì)提供了靈活性。
【專利說明】一種用于激光密封焊接的可伐金屬結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種用于激光密封焊接的可伐金屬結(jié)構(gòu)，屬于微電子組封裝中密封工藝【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子行業(yè)的飛速發(fā)展，小型化、高密度、高速度、高可靠性成為電子產(chǎn)品發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)，在此基礎(chǔ)上混合集成電路技術(shù)得到了飛速發(fā)展?；旌霞呻娐繁仨毭芊?，以防止?jié)駳?、氧氣和其他環(huán)境污染進(jìn)入封裝電路內(nèi)部，以確保產(chǎn)品的長期可靠性。
[0003]可伐金屬密封焊接的最常見的形式是通過手套箱及真空烘箱配合平行縫焊設(shè)備進(jìn)行。但是，平行縫焊技術(shù)的特點(diǎn)是被焊腔體結(jié)構(gòu)的蓋板外形必須為規(guī)則的平面圖形(矩形和圓)，一旦出現(xiàn)非規(guī)則的蓋板結(jié)構(gòu)時，平行縫焊也無能為力了。
[0004]本實(shí)用新型主要針對采用激光焊接的可伐金屬進(jìn)行結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，一方面盡可能地利用腔體內(nèi)的有效面積，為腔體內(nèi)混合微電路的設(shè)計(jì)提供最大空間，為電路的設(shè)計(jì)提供了靈活性；另一方面，結(jié)合激光焊接設(shè)備，為規(guī)則與非規(guī)則的可伐金屬腔體平面結(jié)構(gòu)的氣密性封焊提供了解決方案。
[0005]激光密封焊接方式能夠有效解決非規(guī)則可伐材料密封焊接，該工藝技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn):低的熱輸入，結(jié)果造成小的受熱影響區(qū)；基本涵蓋各類金屬材料；不會對熱敏元件造成熱損傷；不需與工件直接接觸；能夠熔接相似與不相似的金屬；不規(guī)則圖形的密封焊接能力。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的是提供一種用于激光密封焊接的可伐金屬結(jié)構(gòu)。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)手段來實(shí)現(xiàn)的:
[0008]一種用于激光密封焊接的可伐金屬結(jié)構(gòu)，包括相互配合的腔體和蓋板，其特征在于:所述腔體邊壁厚度為1mm，所述腔體邊壁內(nèi)表面頂部為臺階形狀，所述臺階寬度為
0.5mm,所述臺階高度為0.5mm ;所述蓋板厚度為0.5mm。
[0009]優(yōu)選的，所述腔體與所述蓋板的配合形狀為多邊形；
[0010]優(yōu)選的，在所述腔體拐角與所述蓋板拐角設(shè)有倒圓，倒圓半徑> 0.50mm ；
[0011]優(yōu)選的，所述腔體與蓋板結(jié)合處的間隙< 0.06mm ；
[0012]優(yōu)選的，所述蓋板尺寸采用上公差，公差為0.05_。
[0013]本實(shí)用新型的有益效果是:針對采用激光焊接的可伐金屬進(jìn)行結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，一方面盡可能地利用腔體內(nèi)的有效面積，為腔體內(nèi)混合微電路的設(shè)計(jì)提供最大空間，為電路的設(shè)計(jì)提供了靈活性；另一方面，結(jié)合激光焊接設(shè)備，為規(guī)則與非規(guī)則的可伐金屬腔體平面結(jié)構(gòu)的氣密性封焊提供了解決方案?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0014]圖1為可伐金屬腔體邊壁的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2為可伐金屬配套蓋板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖3為可伐金屬腔體邊壁和蓋板配合示意圖；
[0017]圖4為圖3俯視圖；
[0018]圖5可伐金屬腔體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖6為圖5A—A首I]視圖；
[0020]圖7為圖5B — B剖視圖；
[0021]圖8實(shí)施例的可伐金屬蓋板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖9為圖8俯視圖；
[0023]圖10為實(shí)施例的非規(guī)則可伐金屬腔體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖11為圖1OC — C剖視圖；
[0025]圖12為圖1OD — D剖視圖；
[0026]圖13為實(shí)施例的非規(guī)則可伐金屬蓋板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖14為圖13俯視圖；
[0028]圖15為圖13左視圖。
[0029]I腔體邊壁，2臺階，3蓋板，4間隙，5腔體拐角，6蓋板拐角。
【具體實(shí)施方式】
[0030]下面將結(jié)合說明書附圖，對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。
[0031]實(shí)施例1
[0032]結(jié)合圖1一5，一種用于激光密封焊接的可伐金屬結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例為一規(guī)則的幾何結(jié)構(gòu)圖形，該腔體結(jié)構(gòu)為長20.0OmmX寬10.0OmmX高5.0Omm的材質(zhì)為4J33的可伐金屬結(jié)構(gòu)，蓋板3結(jié)構(gòu)為長19mmX寬9mmX高0.50mm的材質(zhì)為4J33的可伐金屬結(jié)構(gòu)。所述腔體邊壁I厚度為1mm，，以有效地降低腔體壁I所占用的空間；所述腔體邊壁I內(nèi)表面頂部為臺階2形狀，較低的臺階面為擺放蓋板提供承載支撐；所述臺階2寬度為0.5mm,以適用激光焊接光斑的大小以及支撐面受力盡可能的平衡；所述臺階2高度為0.5_;所述蓋板3厚度為0.5mm。
[0033]優(yōu)選的，所述腔體與所述蓋板3的配合形狀為多邊形，以適用不同的混合集成電路密封結(jié)構(gòu)的要求；
[0034]優(yōu)選的，在所述腔體拐角5與所述蓋板拐角6設(shè)有倒圓，倒圓半徑> 0.50mm,降低加工難度，使激光在直角拐點(diǎn)處焊接時從一邊平滑過渡至另一邊，滿足氣密性的要求；
[0035]優(yōu)選的，所述腔體與蓋板3結(jié)合處的間隙< 0.06mm,使腔體與蓋板3結(jié)合應(yīng)盡可能的嚴(yán)絲合縫，接頭處不出現(xiàn)裂紋；
[0036]優(yōu)選的，所述蓋板尺寸采用上公差，公差為0.05mm,以保證所述腔體與蓋板3結(jié)合處的間隙< 0.06mm。
[0037]實(shí)施例2
[0038]結(jié)合附圖6、7，結(jié)合模塊電路的設(shè)計(jì)要求，完成腔體及蓋板3的設(shè)計(jì)，本實(shí)施例為一非規(guī)則的幾何結(jié)構(gòu)圖形，此類結(jié)構(gòu)若要進(jìn)行氣密性封焊，肯定不能應(yīng)用平行縫焊進(jìn)行操作，激光焊接為此類可伐金屬結(jié)構(gòu)提供了良好的解決方案。
[0039]為了同時確保降低加工難度以及滿足后期激光焊接要求，該結(jié)構(gòu)采用了半徑為
1.0Omm的倒圓處理。
[0040]為了確保腔體與蓋板的接頭處的間隙4不大于0.06mm且盡可能小，蓋板在設(shè)計(jì)時均采用正公差。
[0041]以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理、主要特征及優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【權(quán)利要求】
1.一種用于激光密封焊接的可伐金屬結(jié)構(gòu)，包括相互配合的腔體和蓋板，其特征在于:所述腔體邊壁厚度為1mm，所述腔體邊壁內(nèi)表面頂部為臺階形狀，所述臺階寬度為0.5mm,所述臺階高度為0.5mm ;所述蓋板厚度為0.5mm。
2.如權(quán)利要求1所述的一種用于激光密封焊接的可伐金屬結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述腔體與所述蓋板的配合形狀為多邊形，蓋板尺寸公差為0.05mm。
3.如權(quán)利要求1或2所述的一種用于激光密封焊接的可伐金屬結(jié)構(gòu)，其特征在于:在所述腔體拐角與所述蓋板拐角設(shè)有倒圓，倒圓半徑> 0.50mm。
4.如權(quán)利要求3所述的一種用于激光密封焊接的可伐金屬結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述腔體與蓋板結(jié)合處的間隙< 0.06mm。
【文檔編號】H05K5/06GK203536404SQ201320608094
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月30日
【發(fā)明者】吳華夏, 劉勁松, 洪火鋒, 王 華, 周宗明, 白衛(wèi)星, 陶超 申請人:安徽華東光電技術(shù)研究所