一種人工晶體門型擋片的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及人工晶體培育工藝，具體的說(shuō)是一種人工晶體包裹體控制所用的門型擋片，包括一對(duì)Y向邊框和一條X向邊框，所述Y向邊框與X向邊框組成“門”型結(jié)構(gòu)，所述Y向邊框長(zhǎng)度與人工晶體Y向長(zhǎng)度一致，所述X向邊框長(zhǎng)度等于人工晶體X向生長(zhǎng)量加上籽晶X向?qū)挾?，所述門型擋片厚度為20mm~50mm。本實(shí)用新型可以遮擋、干擾液流中雜質(zhì)進(jìn)入晶體，限制人工晶體無(wú)用部分的生長(zhǎng)，有效提高原晶的利用率，提高工人晶體的內(nèi)在品質(zhì)。
【專利說(shuō)明】—種人工晶體門型擋片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及人工晶體培育工藝，具體的說(shuō)是一種人工晶體包裹體控制所用的門型擋片。
【背景技術(shù)】
[0002]人工晶體的培育是用水熱法在SiO2的過(guò)飽和溶液中生長(zhǎng)的。在常溫常壓下，石英晶體不溶于水，也沒(méi)有有效的助溶劑。但是在高溫高壓下有利于石英晶體的溶解，加入適當(dāng)?shù)闹軇┖蠹纯墒故⒕w達(dá)到所需要的溶解度。人工晶體的培育主要靠高溫高壓下過(guò)飽和SiO2在籽晶上的再結(jié)晶，再結(jié)晶的過(guò)程中由于原料的雜質(zhì)和高壓釜內(nèi)壁脫落等容易形成包裹體。另外由于人工晶體的固有特性，生長(zhǎng)過(guò)多的正X區(qū)，在產(chǎn)品加工中是沒(méi)有必要的。
[0003]包裹體的控制能力，是人工晶體培育工藝水平最重要的體現(xiàn)。人工晶體領(lǐng)域?qū)τ诎w的控制目標(biāo)是:無(wú)限趨近于零包裹體。隨著電子器件加工工藝的發(fā)展，器件日益小型化，對(duì)人工晶體中包裹體的密度、粒度都提出了更高的要求。因此需要有新的工藝技術(shù)來(lái)滿足要求日益嚴(yán)格的行業(yè)需求。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型的目的在于提供一種人工晶體包裹體控制過(guò)程中所用的門型擋片，提高工人晶體的內(nèi)在品質(zhì)，以滿足日益嚴(yán)格的行業(yè)需求。本實(shí)用新型是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0005]一種人工晶體門型擋片，包括一對(duì)Y向邊框和一條X向邊框，所述Y向邊框與X向邊框組成“門”型結(jié)構(gòu)。
[0006]進(jìn)一步的，所述Y向邊框長(zhǎng)度與人工晶體Y向長(zhǎng)度一致，所述X向邊框長(zhǎng)度等于人工晶體X向生長(zhǎng)量加上籽晶X向?qū)挾取?br> [0007]進(jìn)一步的,所述門型擋片厚度為20mnT50mm。
[0008]本實(shí)用新型相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)具有實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和進(jìn)步性，具體的說(shuō)，通過(guò)在籽晶上加裝門型擋片，可以遮擋、干擾液流中雜質(zhì)進(jìn)入晶體，限制人工晶體無(wú)用部分的生長(zhǎng)，有效提聞原晶的利用率，提聞工人晶體的內(nèi)在品質(zhì)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1為本發(fā)明籽晶加裝門型擋片示意圖；
[0010]圖2為加裝門型擋片的人工晶體固定在籽晶架上的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面結(jié)合說(shuō)明書附圖，對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0012]如圖1所示，首先根據(jù)不同人工晶體的尺寸，我們?cè)O(shè)計(jì)相應(yīng)規(guī)格的門型擋片，采用的材料為厚度小于1.5mm的冷軋板，冷軋板的鐵含量在80%以上。所述門型擋片設(shè)計(jì)針對(duì)人工晶體的X、Y、Z三個(gè)方向:Y向長(zhǎng)度與人工晶體長(zhǎng)度相同；Ζ向即厚度尺寸在20mm?5Omm之間；X向等于人工晶體X向生長(zhǎng)量加上籽晶X向?qū)挾取?br> [0013]設(shè)計(jì)完成后對(duì)門型擋片進(jìn)行表面處理、清理、清洗；確認(rèn)門型擋片加裝的位置、數(shù)量。籽晶架的設(shè)計(jì)、組裝必須滿足門型擋片相應(yīng)的技術(shù)要求，我們針對(duì)多種裝掛方式進(jìn)行了對(duì)比試驗(yàn)，最終采用了一種最理想的方式(如圖2所示):門型擋片Y向長(zhǎng)度方向要和人工晶體Y向平行；門型擋片固定后人工晶體居于門型擋片的中間位置，并且人工晶體垂直于擋片的Y向和X向。
[0014]通過(guò)不同規(guī)格門型擋片、門型擋片的位置、數(shù)量的綜合使用，可以遮擋、干擾液流中雜質(zhì)進(jìn)入晶體，達(dá)到對(duì)于高壓釜內(nèi)液流大小、流向、流速、包裹體分布位置的適度調(diào)整，可以改善人工晶體包裹體的品質(zhì)，同時(shí)兼顧提高原晶的利用率。
[0015]最后應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是:以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:依然可以對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行修改或者對(duì)部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明請(qǐng)求保護(hù)的技術(shù)方案范圍當(dāng)中。
【權(quán)利要求】
1.一種人工晶體門型擋片，其特征在于:包括一對(duì)Y向邊框和一條X向邊框，所述Y向邊框與X向邊框組成“門”型結(jié)構(gòu)；所述Y向邊框長(zhǎng)度與人工晶體Y向長(zhǎng)度一致，所述X向邊框長(zhǎng)度等于人工晶體X向生長(zhǎng)量加上籽晶X向?qū)挾取?br> 2.如權(quán)利要求1所述一種人工晶體門型擋片，其特征在于:所述門型擋片厚度為20mm ?50mmo
【文檔編號(hào)】C30B7/10GK203715782SQ201320637401
【公開日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2013年10月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月16日
【發(fā)明者】郭衛(wèi)民, 郭玉娥 申請(qǐng)人:北京石晶光電科技股份有限公司