一種大尺寸碳化硅晶體生長的感應(yīng)線圈的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種大尺寸碳化硅晶體生長的感應(yīng)線圈，包括線圈（1）和水路接頭（2）；所述線圈（1）為橫截面是矩形的多層螺旋盤管狀；所述水路接頭（2）有兩個分別焊接在所述線圈（1）兩端的伸出部分。本實(shí)用新型提供一種可以生長高品質(zhì)大尺寸的碳化硅晶體。
【專利說明】一種大尺寸碳化硅晶體生長的感應(yīng)線圈
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種感應(yīng)圈，具體涉及一種大尺寸碳化硅晶體生長的感應(yīng)線圈?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]碳化硅生長過程中需要2200度以上的高溫，并且要求溫度要滿足一定的梯度，目前PVT法多用感應(yīng)加熱實(shí)現(xiàn)，線圈采用單股矩形銅管彎制而成，可以實(shí)現(xiàn)快速加熱。一般的大尺寸感應(yīng)加熱線圈溫場不夠細(xì)分，水路焊點(diǎn)較多，線圈間隙并不均勻，難以生長高品質(zhì)大尺寸的碳化硅晶體。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]為解決上述問題，本實(shí)用新型提供一種大尺寸碳化硅晶體生長的感應(yīng)線圈。
[0004]本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種大尺寸碳化硅晶體生長的感應(yīng)線圈，包括線圈I和水路接頭2 ;所述線圈I為橫截面是矩形的多層螺旋盤管狀；所述水路接頭2有兩個分別焊接在所述線圈I兩端的伸出部分。
[0005]進(jìn)一步，所述線圈I橫截面矩形的長寬比例1:2，所述線圈I橫截面矩形的寬邊與坩堝的外表面平行；所述線圈I層與層之間的間距為5mm ;所述水路接頭2為S形狀。
[0006]本實(shí)用新型的有益效果是:提供一種可以生長高品質(zhì)大尺寸的碳化硅晶體。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1為本實(shí)用新型整體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0008]圖2為傳統(tǒng)線圈結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]附圖中，各標(biāo)號所代表的部件列表如下:
[0010]1、線圈，2、水路接頭，3、焊點(diǎn)。
【具體實(shí)施方式】
[0011]以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本實(shí)用新型，并非用于限定本實(shí)用新型的范圍。
[0012]如圖1所示，一種大尺寸碳化硅晶體生長的感應(yīng)線圈，包括線圈I和水路接頭2 ；大尺寸碳化硅晶體尺寸在4寸到6寸之間；所述線圈I為橫截面是矩形的多層螺旋盤管狀；所述水路接頭2有兩個分別焊接在所述線圈I兩端的伸出部分，所述水路接頭2引入溫度控制在28攝氏度到32攝氏度范圍內(nèi)的溫水進(jìn)入線圈I內(nèi)；所述線圈I橫截面矩形的長寬比例1:2，線圈I層與層之間的間距為5mm ;如圖2所示，傳統(tǒng)感應(yīng)線圈橫截面矩形的長正對坩堝外表面，本實(shí)用新型所述大尺寸碳化硅晶體生長的感應(yīng)線圈I橫截面矩形的寬邊與坩堝的外表面平行，這樣可以達(dá)到當(dāng)總高度H不變時線圈I的匝數(shù)增加了，使內(nèi)部溫場更加均勻；所述水路接頭2為S形狀，與傳統(tǒng)感應(yīng)線圈的水路接頭相比比減少了焊點(diǎn)3和水阻，使得加熱時溫場分布均勻，坩堝移動時內(nèi)部溫場變化連續(xù)并且均勻平滑。[0013]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種大尺寸碳化硅晶體生長的感應(yīng)線圈，其特征在于:包括線圈(I)和水路接頭(2);所述線圈(I)為橫截面是矩形的多層螺旋盤管狀；所述水路接頭(2)有兩個分別焊接在所述線圈(I)兩端的伸出部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大尺寸碳化硅晶體生長的感應(yīng)線圈，其特征在于:所述線圈(I)橫截面矩形的長寬比例為1:2，所述線圈(I)橫截面矩形的寬邊與坩堝的外表面平行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種大尺寸碳化硅晶體生長的感應(yīng)線圈，其特征在于:所述線圈(I)層與層之間的間距為5mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種大尺寸碳化硅晶體生長的感應(yīng)線圈，其特征在于:所述水路接頭(2)為S形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種大尺寸碳化硅晶體生長的感應(yīng)線圈，其特征在于:所述水路接頭(2)為S形狀。
【文檔編號】C30B35/00GK203546207SQ201320740351
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年11月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月20日
【發(fā)明者】段聰, 趙梅玉, 高宇, 鄧樹軍, 陶瑩 申請人:河北同光晶體有限公司