單晶爐的加熱裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及一種單晶爐的加熱裝置，包括石墨坩堝和鍋托體，所述石墨坩堝表面上設(shè)有若干個(gè)凹槽，石墨坩堝底面上設(shè)有凸臺(tái)，所述鍋托體設(shè)置于石墨坩堝下面，鍋托體由鍋托臺(tái)和支架構(gòu)成，鍋托臺(tái)為一個(gè)直徑逐漸增大的圓柱形腔體，鍋托臺(tái)與石墨坩堝相接觸的表面上設(shè)有與凸臺(tái)相適應(yīng)的卡槽，支架設(shè)置于鍋托臺(tái)的下表面。本使用新型具有導(dǎo)熱快，加熱均勻，裝置牢固，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】單晶爐的加熱裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及單晶硅制造設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種單晶爐的加熱裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]單晶硅是具有完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體，是一種良好的半導(dǎo)體材料，目前被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件以及太陽(yáng)能電池的制造。單晶硅使用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成的，在市場(chǎng)上有很廣闊的前景。目前單晶硅的拉制裝置為單晶爐，單晶爐內(nèi)的加熱裝置只要是石墨坩堝和支撐它的鍋托體，隨著硅單晶直徑的加大，單晶爐熱場(chǎng)的尺寸變得越來(lái)越大，相應(yīng)的，石墨坩堝的重量也大大增大。目前，使用的坩堝由于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，存在著導(dǎo)熱不均勻，加熱緩慢的缺點(diǎn)，而鍋托體的承受重量不夠而導(dǎo)致?lián)p壞。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的是提供一種導(dǎo)熱快，傳熱均勻，工作效率高且使用壽命長(zhǎng)的單晶爐加熱裝置。
[0004]實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下:
[0005]一種單晶爐的加熱裝置，包括石墨坩堝和鍋托體，所述石墨坩堝表面上設(shè)有若干個(gè)凹槽，石墨坩堝底面上設(shè)有凸臺(tái)，所述鍋托體設(shè)置于石墨坩堝下面，鍋托體由鍋托臺(tái)和支架構(gòu)成，鍋托臺(tái)為一個(gè)直徑逐漸增大的圓柱形腔體，鍋托臺(tái)與石墨坩堝相接觸的表面上設(shè)有與凸臺(tái)相適應(yīng)的卡槽，支架設(shè)置于鍋托臺(tái)的下表面。
[0006]所述凹槽為正方形，深度為邊長(zhǎng)為優(yōu)點(diǎn)是導(dǎo)熱塊且均勻，而且美觀。
[0007]所述凹槽均布于石墨坩堝表面。
[0008]所述石墨坩堝為一個(gè)直徑逐漸減小的筒狀結(jié)構(gòu)。
[0009]本實(shí)用新型的有益效果是:石墨坩堝表面均布的凹槽能夠在加熱過(guò)程中實(shí)現(xiàn)導(dǎo)熱快，溫度均勻的效果，鍋底的凸臺(tái)與鍋托臺(tái)上的卡槽相連接，能起到更好的固定效果，鍋托臺(tái)大直徑底部能夠承受更大的壓力，不易損壞，使用壽命變長(zhǎng)。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]附圖中，I為石墨坩堝,2為凹槽,3為卡槽,4為鍋托臺(tái)，5為支架，6為凸臺(tái)?！揪唧w實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明；
[0013]參見(jiàn)圖1所示，一種單晶爐的加熱裝置，包括石墨坩堝I和鍋托體，所述石墨坩堝I表面上設(shè)有若干個(gè)凹槽2，石墨坩堝I底面上設(shè)有凸臺(tái)6，所述鍋托體設(shè)置于石墨坩堝I下面，鍋托體由鍋托臺(tái)4和支架5構(gòu)成，鍋托臺(tái)4為一個(gè)直徑逐漸增大的圓柱形腔體，鍋托臺(tái)4與石墨坩堝I相接觸的表面上設(shè)有與凸臺(tái)相適應(yīng)的卡槽3，支架5設(shè)置于鍋托臺(tái)4的下表面。
[0014]所述凹槽2為正方形，深度可以是2mm, 3mm或4mm,邊長(zhǎng)可以是5mm、8mm或IOmm,
凹槽2均布于石墨坩堝I表面，石墨坩堝I為一個(gè)直徑逐漸減小的筒狀結(jié)構(gòu)。
[0015]本實(shí)用新型并不局限于所述的實(shí)施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型的精神即公開(kāi)范圍內(nèi)，仍可作一些修正或改變，故本實(shí)用新型的權(quán)利保護(hù)范圍以權(quán)利要求書(shū)限定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.單晶爐的加熱裝置，包括石墨坩堝和鍋托體，其特征在于:所述石墨坩堝表面上設(shè)有若干個(gè)凹槽，石墨坩堝底面上設(shè)有凸臺(tái)，所述鍋托體設(shè)置于石墨坩堝下面，鍋托體由鍋托臺(tái)和支架構(gòu)成，鍋托臺(tái)為一個(gè)直徑逐漸增大的圓柱形腔體，鍋托臺(tái)與石墨坩堝相接觸的表面上設(shè)有與凸臺(tái)相適應(yīng)的卡槽，支架設(shè)置于鍋托臺(tái)的下表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐的加熱裝置，其特征在于:所述凹槽為正方形，深度為
邊長(zhǎng)為 5mm-10mnin
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐的加熱裝置，其特征在于:所述凹槽均布于石墨坩堝表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐的加熱裝置，其特征在于:所述石墨坩堝為一個(gè)直徑逐漸減小的筒狀結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】C30B15/14GK203728960SQ201320824382
【公開(kāi)日】2014年7月23日 申請(qǐng)日期:2013年12月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月12日
【發(fā)明者】潘燕萍 申請(qǐng)人:常州市天龍光電設(shè)備有限公司