發(fā)光器件的制造方法及發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種發(fā)光器件的制造方法及發(fā)光器件。在使用掩模在與基板上的各像素相對(duì)應(yīng)的各區(qū)域形成發(fā)光層的發(fā)光器件的制造方法中，試圖進(jìn)一步提高制造工序的效率。在借助于掩模的第一開口及至少一個(gè)第二開口用發(fā)出第一光譜的光的第一發(fā)光材料在基板上形成圖案后，使掩模沿第一開口的長(zhǎng)邊方向移動(dòng)比第一開口的長(zhǎng)邊方向上的第一開口的寬度短且為第一開口的長(zhǎng)邊方向上的至少一個(gè)第二開口的寬度以上的距離的量，并借助于掩模的第一開口及至少一個(gè)第二開口，用發(fā)出第二光譜的光的第二發(fā)光材料在基板上形成圖案。
【專利說(shuō)明】發(fā)光器件的制造方法及發(fā)光器件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及發(fā)光器件的制造方法及發(fā)光器件。

【背景技術(shù)】
[0002] 以前，已知一種使用掩模對(duì)與基板上的各像素相對(duì)應(yīng)的各區(qū)域蒸鍍發(fā)光層的方法 (例如，專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2)。
[0003] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開第2011-165581號(hào)公報(bào)
[0004] 專利文獻(xiàn)2 :日本特開第2010-40529號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 在使用掩模對(duì)與基板上的各像素相對(duì)應(yīng)的各區(qū)域形成發(fā)光層的發(fā)光器件的制造 方法中，要求進(jìn)一步提1?制造工序的效率。
[0006] 本發(fā)明的一方式所涉及的發(fā)光器件的制造方法包括：掩模配置工序，在基板上配 置具有第一開口以及沿第一開口的長(zhǎng)邊方向配置的至少一個(gè)第二開口的掩模；第一圖案形 成工序，在掩模配置工序之后，借助于掩模的第一開口及至少一個(gè)第二開口，用發(fā)出第一光 譜的光的第一發(fā)光材料在基板上形成圖案；第一掩模移動(dòng)工序，在第一圖案形成工序之后， 使掩模沿第一開口的長(zhǎng)邊方向移動(dòng)比第一開口的長(zhǎng)邊方向上的第一開口的寬度短且為第 一開口的長(zhǎng)邊方向上的至少一個(gè)第二開口的寬度以上的距離的量，使掩模沿第一開口的長(zhǎng) 方向移動(dòng)；以及第二圖案形成工序，在第一掩模移動(dòng)工序之后，借助于掩模的第一開口及至 少一個(gè)第二開口，用發(fā)出與第一光譜不同的第二光譜的光的第二發(fā)光材料在基板上形成圖 案。
[0007] 在上述發(fā)光器件的制造方法中，也可以：在第一掩模移動(dòng)工序中，使掩模沿第一開 口的長(zhǎng)邊方向移動(dòng)等間隔配置了的至少一個(gè)第二開口中的相鄰兩個(gè)第二開口之間的中心 間距離的約1/2的距離的量。
[0008] 上述發(fā)光器件的制造方法可以進(jìn)一步包括：第二掩模移動(dòng)工序，在第二圖案形成 工序之后，使掩模沿第一開口的長(zhǎng)邊方向移動(dòng)比第一開口的長(zhǎng)邊方向上的第一開口的寬度 短且為第一開口的長(zhǎng)邊方向上的至少一個(gè)第二開口的寬度以上的距離的量；以及第三圖案 形成工序，在第二掩模移動(dòng)工序之后，借助于掩模的第一開口及至少一個(gè)第二開口，用發(fā)出 與第一光譜及第二光譜均不同的第三光譜的光的第三發(fā)光材料進(jìn)行圖案形成。
[0009] 在上述發(fā)光器件的制造方法中，也可以：在第一掩模移動(dòng)工序中，使掩模沿第一開 口的長(zhǎng)邊方向移動(dòng)至少一個(gè)第二開口中的相鄰兩個(gè)第二開口之間的中心間距離的約1/3 的距離的量，并且在第二掩模移動(dòng)工序中，使掩模沿第一開口的長(zhǎng)邊方向移動(dòng)中心間距離 的約1/3的距離的量。
[0010] 上述發(fā)光器件的制造方法可以進(jìn)一步包括：第四掩模移動(dòng)工序，使掩模沿第一開 口的短邊方向移動(dòng)比第一開口的短邊方向上的第一開口的寬度與至少一個(gè)第二開口的寬 度之和長(zhǎng)的距離的量；以及第四圖案形成工序，在第四掩模移動(dòng)工序之后，借助于掩模的第 一開口及至少一個(gè)第二開口，用第一發(fā)光材料在基板上形成圖案。
[0011] 上述發(fā)光器件的制造方法可以進(jìn)一步包括：第五掩模移動(dòng)工序，在第四圖案形成 工序之后，使掩模沿第一開口的長(zhǎng)邊方向移動(dòng)比第一開口的長(zhǎng)邊方向上的第一開口的寬度 短且為第一開口的長(zhǎng)邊方向上的至少一個(gè)第二開口的寬度以上的距離的量；以及第五圖案 形成工序，在第五掩模移動(dòng)工序之后，借助于掩模的第一開口以及至少一個(gè)第二開口，用第 二發(fā)光材料在基板上形成圖案。
[0012] 本發(fā)明的一方式所涉及的發(fā)光器件具備：第一電極層和第二電極層；以及發(fā)光材 料層，配置在第一電極層與第二電極層之間。發(fā)光材料層具有：第一發(fā)光層，由發(fā)出第一光 譜的光的第一發(fā)光材料形成；以及第二發(fā)光層，具有與第一發(fā)光層大致相同的形狀，相對(duì)于 第一發(fā)光層沿面方向錯(cuò)開預(yù)定距離并層疊在從第一發(fā)光層上開始到與第一發(fā)光層同一面 內(nèi)為止的范圍，并且由發(fā)出與第一光譜不同的第二光譜的光的第二發(fā)光材料形成。
[0013] 在上述發(fā)光器件中，發(fā)光材料層可以進(jìn)一步具有：第三發(fā)光層，在與第一發(fā)光層同 一面內(nèi)的第一區(qū)域由第一發(fā)光材料形成；以及第四發(fā)光層，在與第一發(fā)光層同一面內(nèi)的第 二區(qū)域由第二發(fā)光材料形成。第三發(fā)光層與第四發(fā)光層之間的中心間距離是預(yù)定距離。
[0014] 在上述發(fā)光器件中，第三發(fā)光層及第四發(fā)光層可以沿第一發(fā)光層及第二發(fā)光層的 長(zhǎng)邊方向配置。
[0015] 在上述發(fā)光器件中，第三發(fā)光層及第四發(fā)光層可以相鄰于第一發(fā)光層與第二發(fā)光 層相重疊的區(qū)域來(lái)進(jìn)行配置。
[0016] 在上述發(fā)光器件中，發(fā)光材料層可以進(jìn)一步具有第五發(fā)光層，該第五發(fā)光層具有 與第一發(fā)光層及第二發(fā)光層大致相同的形狀，相對(duì)于第二發(fā)光層沿面方向錯(cuò)開預(yù)定距離并 層疊在從第二發(fā)光層上開始到與第一發(fā)光層同一面內(nèi)為止的范圍，并且由發(fā)出與第一光譜 及第二光譜均不同的第三光譜的光的第三發(fā)光材料形成。
[0017] 在上述發(fā)光器件中，發(fā)光材料層可以進(jìn)一步具有第六發(fā)光層，該第六發(fā)光層在與 第一發(fā)光層同一面內(nèi)的第三區(qū)域由第三發(fā)光材料形成。
[0018] 在上述發(fā)光器件中，第六發(fā)光層可以沿第一發(fā)光層、第二發(fā)光層及第五發(fā)光層的 長(zhǎng)邊方向與第三發(fā)光層及第四發(fā)光層并列配置。
[0019] 在上述發(fā)光器件中，第六發(fā)光層可以相鄰于第一發(fā)光層和第二發(fā)光層和第五發(fā)光 層相重疊的區(qū)域來(lái)進(jìn)行配置。
[0020] 另外，上述
【發(fā)明內(nèi)容】
并未列舉出本發(fā)明的全部必要特征，這些特征組的子組合也 能構(gòu)成發(fā)明。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021] 圖1為本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光器件的俯視圖。
[0022] 圖2A為掩模的俯視圖。
[0023] 圖2B為掩模的俯視圖。
[0024] 圖3A是表示本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光器件的制造方法的各工序的說(shuō)明圖。
[0025] 圖3B是表示本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光器件的制造方法的各工序的說(shuō)明圖。
[0026] 圖3C是表示本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光器件的制造方法的各工序的說(shuō)明圖。
[0027] 圖3D是表示本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光器件的制造方法的各工序的說(shuō)明圖。
[0028] 圖3E是表示本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光器件的制造方法的各工序的說(shuō)明圖。
[0029] 圖3F是表示本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光器件的制造方法的各工序的說(shuō)明圖。
[0030] 圖3G是表示本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光器件的制造方法的各工序的說(shuō)明圖。
[0031] 圖3H是表示本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光器件的制造方法的各工序的說(shuō)明圖。
[0032] 圖4A為圖3H所示的A-A截面圖。
[0033] 圖4B為圖3H所示的B-B截面圖。
[0034] 圖5為其他例所涉及的發(fā)光器件的俯視圖。
[0035] 圖6為其他例所涉及的掩模的俯視圖。
[0036] 圖7為其他例所涉及的掩模的俯視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0037] 以下，通過(guò)發(fā)明實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明，但以下實(shí)施方式并不對(duì)權(quán)利要求書 所涉及的發(fā)明進(jìn)行限定。并且，在實(shí)施方式中說(shuō)明的特征組合也并非全部為本發(fā)明的必要 特征。
[0038] 圖1是表示本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光器件的俯視圖。發(fā)光器件具有基板10?；?10具有相互分離配置的第一發(fā)光層區(qū)域101、第二發(fā)光層區(qū)域102、第三發(fā)光層區(qū)域103及 第四發(fā)光層區(qū)域104。在第一發(fā)光層區(qū)域101形成有發(fā)射紅色R光的紅色發(fā)光層，該紅色R 光為第一光譜的光的一個(gè)例子。在第二發(fā)光層區(qū)域102形成有發(fā)射綠色G光的綠色發(fā)光層， 該綠色G光為與第一光譜不同的第二光譜的光的一個(gè)例子。在第三發(fā)光層區(qū)域103形成有 發(fā)射藍(lán)色B光的藍(lán)色發(fā)光層，該藍(lán)色B光為與第一光譜及第二光譜不同的第三光譜的光的 一個(gè)例子。在第四發(fā)光層區(qū)域104形成有發(fā)射白色W光的白色發(fā)光層，該白色W光為第一 光譜的光、第二光譜的光以及第三光譜的光混合后的光的一個(gè)例子。第一發(fā)光層區(qū)域101、 第二發(fā)光層區(qū)域102、第三發(fā)光層區(qū)域103及第四發(fā)光層區(qū)域104分別構(gòu)成一子像素，由第 一發(fā)光層區(qū)域101、第二發(fā)光層區(qū)域102、第三發(fā)光層區(qū)域103及第四發(fā)光層區(qū)域104構(gòu)成 一像素。
[0039] 發(fā)光器件例如使第一發(fā)光層區(qū)域101、第二發(fā)光層區(qū)域102、第三發(fā)光層區(qū)域103 及第四發(fā)光層區(qū)域104的各個(gè)發(fā)光層同時(shí)發(fā)光。由此，發(fā)光器件使接收到從各個(gè)發(fā)光層照 射出的光的人識(shí)別成正照射具有預(yù)定色溫的白光。
[0040] 圖2A是表示在本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光器件的基板10的上方的第一發(fā)光層區(qū)域 101、第二發(fā)光層區(qū)域102、第三發(fā)光層區(qū)域103及第四發(fā)光層區(qū)域104的每一個(gè)上沉積發(fā)光 材料時(shí)所使用的掩模200的俯視圖。
[0041] 掩模200具有第一開口 201以及沿第一開口 201的長(zhǎng)邊方向X形成的多個(gè)第二開 口。多個(gè)第二開口 202的各個(gè)中心間距離與多個(gè)第一發(fā)光層區(qū)域101、多個(gè)第二發(fā)光層區(qū)域 102或多個(gè)第三發(fā)光層區(qū)域103彼此之間的中心間距離相同。換言之，多個(gè)第二開口 202的 各個(gè)中心間距離是一第一發(fā)光層區(qū)域101與相鄰于一第一發(fā)光層區(qū)域101的一第二發(fā)光層 區(qū)域102之間的中心間距離的3倍。
[0042] 通過(guò)反復(fù)進(jìn)行使用掩模200沉積發(fā)光材料以及沿長(zhǎng)邊方向X或短邊方向Y移動(dòng)掩 模200,從而在基板10的上方的各個(gè)發(fā)光層區(qū)域形成紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層、藍(lán)色發(fā)光層 及白色發(fā)光層。此外，掩模200所具有的第一開口 201及多個(gè)第二開口 202也可以如圖2B 所示那樣形成一個(gè)開口。另外，掩模200只要具有至少一個(gè)第二開口 202即可。
[0043] 圖3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖3E、圖3F、圖3G及圖3H是表示本實(shí)施方式所涉及的 發(fā)光器件的制造方法的各工序的說(shuō)明圖。
[0044] 將掩模200配置于基板10上的預(yù)定位置，例如，在圖3A中，將掩模200配置于最左 側(cè)的第二開口 202與基板10所具有的多個(gè)第一發(fā)光層區(qū)域101中的最左上方的第一發(fā)光 層區(qū)域102相對(duì)應(yīng)的位置（圖3A)。在掩模配置工序之后，借助于掩模200的第一開口 201 及多個(gè)第二開口 202,例如掩模蒸鍍發(fā)出與紅色R相對(duì)應(yīng)的第一光譜的光的第一發(fā)光材料， 從而用第一發(fā)光材料在基板10上形成圖案。由此，在基板10上形成多個(gè)紅色發(fā)光層32a 及紅色發(fā)光層32b。其中，紅色發(fā)光層32a為"第三發(fā)光層"的一個(gè)例子。紅色發(fā)光層32b 為"第一發(fā)光層"的一個(gè)例子。
[0045] 接下來(lái)，使掩模200沿第一開口的短邊方向300移動(dòng)比第一開口 201短邊方向300 上的第一開口的寬度w2與多個(gè)第二開口 202的寬度wl之和長(zhǎng)的距離w3的量。在使掩模 200沿短邊方向300移動(dòng)之后，借助于掩模200的第一開口 201及多個(gè)第二開口 202,再次 用第一發(fā)光材料在基板10上形成圖案（圖3C)。通過(guò)反復(fù)執(zhí)行掩模200的沿短邊方向300 的移動(dòng)以及第一發(fā)光材料的掩模蒸鍍，在基板10上形成多個(gè)紅色發(fā)光層32a及多個(gè)紅色發(fā) 光層32b (圖3D)。
[0046] 然后，使掩模200沿第一開口 201的長(zhǎng)邊方向302移動(dòng)比第一開口 201的長(zhǎng)邊方 向302上的第一開口 201的寬度D短且為第一開口 201的長(zhǎng)邊方向302上的多個(gè)第二開口 202的寬度以上的距離的量（圖3E)。更具體地，使掩模200沿第一開口 201的長(zhǎng)邊方向 302移動(dòng)多個(gè)第二開口 202中相鄰兩個(gè)第二開口之間的中心間距離d的約1/3即距離d/3 的量。在使掩模200沿長(zhǎng)邊方向302移動(dòng)之后，借助于掩模200的第一開口 201及多個(gè)第 二開口 202,掩模蒸鍍發(fā)出與綠色相對(duì)應(yīng)的與第一光譜不同的第二光譜的光的第二發(fā)光材 料，從而用第二發(fā)光材料在基板10上形成圖案（圖3F)。由此，在基板10上形成多個(gè)綠色 發(fā)光層33a及綠色發(fā)光層33b。其中，綠色發(fā)光層33a為"第四發(fā)光層"的一個(gè)例子。綠色 發(fā)光層33b為"第二發(fā)光層"的一個(gè)例子。
[0047] 反復(fù)執(zhí)行如下工序，來(lái)在基板10上形成多個(gè)綠色發(fā)光層33a及多個(gè)綠色發(fā)光層 33b (圖3G):使掩模200沿第一開口的短邊方向300移動(dòng)比第一開口 201的短邊方向300 上的第一開口的寬度《2與多個(gè)第二開口 202的寬度wl之和長(zhǎng)的距離《3的量，并借助于掩 模200的第一開口 201及多個(gè)第二開口 202而用第二發(fā)光材料在基板10上形成圖案的工 序。
[0048] 接下來(lái)，在多個(gè)綠色發(fā)光層33a及多個(gè)綠色發(fā)光層33b的形成結(jié)束之后，使掩模 200沿第一開口 201的長(zhǎng)邊方向移動(dòng)比第一開口 201的長(zhǎng)邊方向上的第一開口 201的寬度 短且為第一開口 201的長(zhǎng)邊方向上的多個(gè)第二開口 202的寬度以上的距離d/3的量。進(jìn) 而，借助于掩模200的第一開口 201及多個(gè)第二開口 202,掩模蒸鍍發(fā)出與藍(lán)色相對(duì)應(yīng)的與 第一光譜及第二光譜均不同的第三光譜的光的第三發(fā)光材料，從而用第三發(fā)光材料形成圖 案。接下來(lái)，使掩模200沿第一開口的短邊方向300移動(dòng)比第一開口 201的短邊方向300 上的第一開口的寬度《2與多個(gè)第二開口 202的寬度wl之和長(zhǎng)的距離《3的量，并借助于掩 模200的第一開口 201及多個(gè)第二開口 202,用第三發(fā)光材料形成圖案。反復(fù)執(zhí)行掩模200 的沿短邊方向的移動(dòng)及使用了掩模200的第三發(fā)光材料的圖案形成，在基板上形成多個(gè)藍(lán) 色發(fā)光層34a及多個(gè)藍(lán)色發(fā)光層34b (圖3H)。其中，藍(lán)色發(fā)光層34a為"第六發(fā)光層"的一 個(gè)例子。藍(lán)色發(fā)光層34b為"第五發(fā)光層"的一個(gè)例子。
[0049] 根據(jù)以上各工序能夠在基板10的上方形成發(fā)光層。根據(jù)本實(shí)施方式所涉及的發(fā) 光器件的制造方法，能夠使用同一掩模在基板10的上方的各個(gè)不同區(qū)域同時(shí)形成發(fā)射單 色光的單層發(fā)光層以及發(fā)射多種顏色光的多層發(fā)光層。因此，能夠提高發(fā)光器件制造工序 的效率，能夠抑制發(fā)光器件的制造成本。
[0050] 圖4A是表示本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光器件的圖3H所示的A-A截面圖。圖4B是 表示本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光器件的圖3H所示的B-B截面圖。
[0051] 本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光器件具備基板10、第一電極層20、發(fā)光材料層30以及第 二電極層40。發(fā)光材料層30配置于第一電極層20與第二電極層40之間。發(fā)光器件為所 謂的底部發(fā)光型的有機(jī)EL發(fā)光器件。此外，發(fā)光器件也可以為所謂的頂部發(fā)光型的有機(jī)EL 發(fā)光器件，或者兩面光排出型的有機(jī)EL發(fā)光器件。
[0052] 基板10能夠使用玻璃或高分子膜等具有透光性的板材。第一電極層20為陽(yáng)極， 也可以為透明導(dǎo)電膜。第一電極層20也可以由透光性導(dǎo)電性材料構(gòu)成。此處，"透光性"的 意思為具有使光透過(guò)的性質(zhì)。透光性導(dǎo)電性材料是指具有可見(jiàn)光區(qū)域（350nm?780nm)中 的光透過(guò)率大致超過(guò)50%的性質(zhì)且表面電阻值為10 7Ω以下的材料。具體而言，作為透光 性導(dǎo)電性材料可以使用銦摻雜的氧化錫（ΙΤ0)、銦摻雜的氧化鋅（ΙΖ0)、氧化錫、氧化鋅等。 從表面電阻低的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用銦摻雜的氧化錫構(gòu)成第一電極層20。例如通過(guò)采用濺 射法、蒸鍍法、脈沖激光沉積法等在基板10上形成ΙΤ0薄膜來(lái)形成第一電極層20。第一電 極層20具有沿第一方向（掩模200的長(zhǎng)邊方向）帶狀地配置的多個(gè)第一電極22。此外，第 一電極層20也可以具有作為公用電極的一第一電極22。
[0053] 第二電極層40為陰極，配置在發(fā)光材料層30的上方。第二電極層40例如使用Α1 或Ag等導(dǎo)電性材料，通過(guò)蒸鍍法、濺射法等方法形成在發(fā)光材料層30上。在從基板10側(cè) 排出光的底部發(fā)光型的有機(jī)EL發(fā)光器件的情況下，第二電極層40不需要具有透光性。另 一方面，在頂部發(fā)光型或兩面排出型的有機(jī)EL發(fā)光器件的情況下，第二電極層40由透光性 導(dǎo)電材料構(gòu)成。在該情況下，第二電極層40可以由與第一電極層20所使用的材料相同的 材料構(gòu)成。其中，在本實(shí)施方式中，第二電極層40配置在發(fā)光材料層30上。然而，在發(fā)光 器件的制造工序中，從抑制因吸濕而導(dǎo)致構(gòu)成發(fā)光材料層30的各層劣化的觀點(diǎn)來(lái)看，也可 以在發(fā)光材料層30的最表面（與第二電極層40的交界面）與第二電極層40分別地形成 導(dǎo)電性的其他層來(lái)作為緩沖層。第二電極層40具有沿與第一方向垂直的第二方向（掩模 200的短邊方向）帶狀地配置的多個(gè)第二電極42。
[0054] 通過(guò)對(duì)多個(gè)第一電極22及多個(gè)第二電極42的各個(gè)單獨(dú)或同時(shí)地施加驅(qū)動(dòng)電壓， 多個(gè)第一電極22及多個(gè)第二電極42中施加有驅(qū)動(dòng)電壓的各個(gè)第一電極及第二電極相交叉 的各個(gè)區(qū)域中的發(fā)光材料層30發(fā)光。
[0055] 發(fā)光材料層30表示在普通的有機(jī)EL元件中夾持在陽(yáng)極與陰極之間的部分，具有 電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴注入層及空穴傳輸層。發(fā)光材料層30除有機(jī)化合物 以外，也可以使用薄膜堿金屬或無(wú)機(jī)材料來(lái)構(gòu)成。
[0056] 發(fā)光材料層30包括空穴注入層和空穴傳輸層31以及電子注入層和電子傳輸層 35。發(fā)光材料層30在空穴注入層和空穴傳輸層31與電子注入層和電子傳輸層35之間具 有紅色發(fā)光層32a、綠色發(fā)光層33a、藍(lán)色發(fā)光層34a或白色發(fā)光層36。白色發(fā)光層36包 括：紅色發(fā)光層32b、綠色發(fā)光層33b及藍(lán)色發(fā)光層34b。
[0057] 紅色發(fā)光層32b由發(fā)出與紅色相對(duì)應(yīng)的第一光譜的光的第一發(fā)光材料形成。對(duì)于 綠色發(fā)光層33b而言，從陰極側(cè)來(lái)看具有與紅色發(fā)光層32b大致相同的形狀，相對(duì)于紅色發(fā) 光層32b沿面方向錯(cuò)開預(yù)定距離d/3并層疊在從紅色發(fā)光層32b上開始到與紅色發(fā)光層 32b同一面內(nèi)為止的范圍，由發(fā)出第二光譜的光的第二發(fā)光材料形成。
[0058] 對(duì)于藍(lán)色發(fā)光層34b而言，從陰極側(cè)來(lái)看具有與紅色發(fā)光層32b及綠色發(fā)光層33b 大致相同的形狀，相對(duì)于綠色發(fā)光層33b沿面方向錯(cuò)開預(yù)定距離d/3并層疊在從綠色發(fā)光 層33b上開始到與紅色發(fā)光層32b同一面內(nèi)為止的范圍，由發(fā)出第三光譜的光的第三發(fā)光 材料形成。
[0059] 紅色發(fā)光層32a在與紅色發(fā)光層32b同一面內(nèi)的第一發(fā)光層區(qū)域101上由第一發(fā) 光材料形成。綠色發(fā)光層33a在與紅色發(fā)光層32a同一面內(nèi)的第二發(fā)光層區(qū)域102上由第 二發(fā)光材料形成。藍(lán)色發(fā)光層34a在與紅色發(fā)光層32b同一面內(nèi)的第三發(fā)光層區(qū)域103上 由第三發(fā)光材料形成。紅色發(fā)光層32a與綠色發(fā)光層33a之間的中心間距離以及綠色發(fā)光 層33a與藍(lán)色發(fā)光層34a之間的中心間距離為預(yù)定距離d/3。另外，紅色發(fā)光層32a及綠色 發(fā)光層33a沿紅色發(fā)光層32b及綠色發(fā)光層33b的長(zhǎng)邊方向配置。紅色發(fā)光層32a及綠色 發(fā)光層33a相鄰于紅色發(fā)光層32b與綠色發(fā)光層33b相重疊的區(qū)域來(lái)進(jìn)行配置。藍(lán)色發(fā)光 層34a沿紅色發(fā)光層32b、綠色發(fā)光層33b及藍(lán)色發(fā)光層34b的長(zhǎng)邊方向與紅色發(fā)光層32a 及綠色發(fā)光層33a并列配置。紅色發(fā)光層32a、綠色發(fā)光層33a及藍(lán)色發(fā)光層34a相鄰于紅 色發(fā)光層32b、綠色發(fā)光層33b及藍(lán)色發(fā)光層34b相重疊的區(qū)域來(lái)進(jìn)行配置。
[0060] 根據(jù)以上那樣構(gòu)成的發(fā)光器件，例如通過(guò)使紅色發(fā)光層32a和32b、綠色發(fā)光層 33a和33b、以及藍(lán)色發(fā)光層34a和34b同時(shí)發(fā)光，能夠使接收到從各個(gè)發(fā)光層照射出的光 的人識(shí)別成正照射具有預(yù)定色溫的白光。
[0061] 此外，如圖5所示，發(fā)光器件也可以具有由第一發(fā)光層區(qū)域101、第三發(fā)光層區(qū)域 103及第四發(fā)光層區(qū)域104構(gòu)成的多個(gè)像素。該情況下，如圖6所示，掩模200所具有的多 個(gè)第二開口 202的中心間距離與多個(gè)第一發(fā)光層區(qū)域101或多個(gè)第三發(fā)光層區(qū)域103彼此 之間的中心間距離相同。換言之，多個(gè)第二開口 202的各個(gè)中心間距離為一第一發(fā)光層區(qū) 域101與相鄰于一第一發(fā)光層區(qū)域101的一第三發(fā)光層區(qū)域103之間的中心間距離d/2的 2倍的距離d。在使用圖6所示的掩模200來(lái)制造發(fā)光器件的情況下，當(dāng)沿第一開口 201的 長(zhǎng)邊方向移動(dòng)掩模200時(shí)，使掩模200沿第一開口 201的長(zhǎng)邊方向移動(dòng)等間隔配置的多個(gè) 第二開口 202中相鄰兩個(gè)第二開口之間的中心間距離的約1/2的距離d/2的量即可。由此， 能夠使用同一掩模同時(shí)形成單相發(fā)光層及多層發(fā)光層。
[0062] 另外，對(duì)上述實(shí)施方式所涉及的掩模僅具有配置在基板10上的與一列像素組相 對(duì)應(yīng)的一個(gè)第一開口 201和多個(gè)第二開口 202的例子進(jìn)行了說(shuō)明。然而，如圖7所示，掩模 200也可以具有配置在基板10上的與多列像素組相對(duì)應(yīng)的多個(gè)第一開口 201以及與多個(gè) 第一開口 201的各個(gè)相對(duì)應(yīng)的多個(gè)第二開口 202。根據(jù)這種掩模200,能夠減少沿第一開口 201的短邊方向的移動(dòng)。從而能夠進(jìn)一步提1?制造工序的效率。
[0063] 另外，發(fā)射白色W光的大面積的第四發(fā)光層區(qū)域104以外的發(fā)射紅色R或綠色G或 藍(lán)色B等光的第一發(fā)光層區(qū)域101、第二發(fā)光層區(qū)域102及第三發(fā)光層區(qū)域101等的面積， 從光視效率或發(fā)光效率的關(guān)系考慮，未必一定為相同面積，另外，即使在以相同面積形成各 個(gè)發(fā)光層的情況下，通過(guò)調(diào)整與各個(gè)發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的陽(yáng)極或陰極即第一電極層20或第 二電極層40的面積也能夠調(diào)整作為發(fā)光層區(qū)域的面積。
[0064] 以上，使用實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明的技術(shù)范圍并不局限于上述 實(shí)施方式所記載的范圍。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)清楚能夠?qū)ι鲜鰧?shí)施方式實(shí)施各種變更或改 進(jìn)。從權(quán)利要求書的記載可明確地知道這種實(shí)施了各種變更或改進(jìn)的方式也包含在本發(fā)明 的技術(shù)范圍內(nèi)。
[0065] 應(yīng)當(dāng)注意的是，在權(quán)利要求書、說(shuō)明書及附圖中所示的裝置、系統(tǒng)、程序以及方法 中的動(dòng)作、順序、步驟及階段等各處理的執(zhí)行順序，只要沒(méi)有特別明示"更早"、"早于"等，或 者只要在后面的處理中并不使用前面處理的輸出，則可以以任意順序?qū)崿F(xiàn)。關(guān)于權(quán)利要求 書、說(shuō)明書及附圖中的動(dòng)作流程，即使為方便起見(jiàn)而使用"首先"、"然后"等進(jìn)行了說(shuō)明，但 并不意味著必須按照這樣的順序?qū)嵤?br> [0066] 附圖標(biāo)記說(shuō)明：10…基板；20…第一電極層；30···發(fā)光材料層；32a、32b…紅色發(fā) 光層；33a、33b…綠色發(fā)光層；34a、34b…藍(lán)色發(fā)光層；36···白色發(fā)光層；40…第二電極層； 101…發(fā)光層區(qū)域；102…發(fā)光層區(qū)域；103…發(fā)光層區(qū)域；104…發(fā)光層區(qū)域；200…掩模； 201…第一開口；202…第二開口。
【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)光器件的制造方法，其中， 包括： 掩模配置工序，在基板上配置具有第一開口以及沿所述第一開口的長(zhǎng)邊方向配置的至 少一個(gè)第二開口的掩模； 第一圖案形成工序，在所述掩模配置工序之后，借助于所述掩模的所述第一開口及所 述至少一個(gè)第二開口，用發(fā)出第一光譜的光的第一發(fā)光材料在所述基板上形成圖案； 第一掩模移動(dòng)工序，在所述第一圖案形成工序之后，使所述掩模沿所述第一開口的長(zhǎng) 邊方向移動(dòng)比所述第一開口的長(zhǎng)邊方向上的所述第一開口的寬度短且為所述第一開口的 長(zhǎng)邊方向上的所述至少一個(gè)第二開口的寬度以上的距離的量；以及 第二圖案形成工序，在所述第一掩模移動(dòng)工序之后，借助于所述掩模的所述第一開口 及所述至少一個(gè)第二開口，用發(fā)出與所述第一光譜不同的第二光譜的光的第二發(fā)光材料在 所述基板上形成圖案。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件的制造方法，其中， 在所述第一掩模移動(dòng)工序中，使所述掩模沿所述第一開口的長(zhǎng)邊方向移動(dòng)等間隔配置 的所述至少一個(gè)第二開口中的相鄰兩個(gè)第二開口之間的中心間距離的約1/2的距離的量。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件的制造方法，其中， 進(jìn)一步包括： 第二掩模移動(dòng)工序，在所述第二圖案形成工序之后，使所述掩模沿所述第一開口的長(zhǎng) 邊方向移動(dòng)比所述第一開口的長(zhǎng)邊方向上的所述第一開口的寬度短且為所述第一開口的 長(zhǎng)邊方向上的所述至少一個(gè)第二開口的寬度以上的距離的量；以及 第三圖案形成工序，在所述第二掩模移動(dòng)工序之后，借助于所述掩模的所述第一開口 及所述至少一個(gè)第二開口，用發(fā)出與所述第一光譜及所述第二光譜不同的第三光譜的光的 第三發(fā)光材料進(jìn)行圖案形成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件的制造方法，其中， 在所述第一掩模移動(dòng)工序中，使所述掩模沿所述第一開口的長(zhǎng)邊方向移動(dòng)所述至少一 個(gè)第二開口中的相鄰兩個(gè)第二開口之間的中心間距離的約1/3的距離的量， 在所述第二掩模移動(dòng)工序中，使所述掩模沿所述第一開口的長(zhǎng)邊方向移動(dòng)所述中心間 距離的約1/3的距離的量。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1?4中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光器件的制造方法，其中， 進(jìn)一步包括： 第四掩模移動(dòng)工序，使所述掩模沿所述第一開口的短邊方向移動(dòng)比所述第一開口的短 邊方向上的所述第一開口的寬度與所述至少一個(gè)第二開口的寬度之和長(zhǎng)的距離的量；以及 第四圖案形成工序，在所述第四掩模移動(dòng)工序之后，借助于所述掩模的所述第一開口 及所述至少一個(gè)第二開口，用所述第一發(fā)光材料在所述基板上形成圖案。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件的制造方法，其中， 進(jìn)一步包括： 第五掩模移動(dòng)工序，在所述第四圖案形成工序之后，使所述掩模沿所述第一開口的長(zhǎng) 邊方向移動(dòng)比所述第一開口的長(zhǎng)邊方向上的所述第一開口的寬度短且為所述第一開口的 長(zhǎng)邊方向上的所述至少一個(gè)第二開口的寬度以上的距離的量；以及 第五圖案形成工序，在所述第五掩模移動(dòng)工序之后，借助于所述掩模的所述第一開口 以及所述至少一個(gè)第二開口，用所述第二發(fā)光材料在所述基板上形成圖案。
7. -種發(fā)光器件，其中， 具備： 第一電極層和第二電極層；以及 發(fā)光材料層，配置在所述第一電極層與所述第二電極層之間； 所述發(fā)光材料層具有： 第一發(fā)光層，由發(fā)出第一光譜的光的第一發(fā)光材料形成；以及 第二發(fā)光層，具有與所述第一發(fā)光層大致相同的形狀，相對(duì)于所述第一發(fā)光層沿面方 向錯(cuò)開預(yù)定距離并層疊在從所述第一發(fā)光層上開始到與所述第一發(fā)光層同一面內(nèi)為止的 范圍，并且由發(fā)出與所述第一光譜不同的第二光譜的光的第二發(fā)光材料形成。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中， 所述發(fā)光材料層進(jìn)一步具有： 第三發(fā)光層，在與所述第一發(fā)光層同一面內(nèi)的第一區(qū)域由所述第一發(fā)光材料形成；以 及 第四發(fā)光層，在與所述第一發(fā)光層同一面內(nèi)的第二區(qū)域由所述第二發(fā)光材料形成， 所述第三發(fā)光層與所述第四發(fā)光層之間的中心間距離是所述預(yù)定距離。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中， 所述第三發(fā)光層及所述第四發(fā)光層沿所述第一發(fā)光層及所述第二發(fā)光層的長(zhǎng)邊方向 配置。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中，所述第三發(fā)光層及所述第四發(fā)光層相鄰于 所述第一發(fā)光層與所述第二發(fā)光層相重疊的區(qū)域來(lái)進(jìn)行配置。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8?10中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中， 所述發(fā)光材料層進(jìn)一步具有第五發(fā)光層，對(duì)于該第五發(fā)光層而言，具有與所述第一發(fā) 光層及所述第二發(fā)光層大致相同的形狀，相對(duì)于所述第二發(fā)光層沿所述面方向錯(cuò)開所述預(yù) 定距離并層疊在從所述第二發(fā)光層上開始到與所述第一發(fā)光層同一面內(nèi)為止的范圍，并且 由發(fā)出與所述第一光譜及所述第二光譜不同的第三光譜的光的第三發(fā)光材料形成。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中， 所述發(fā)光材料層進(jìn)一步具有第六發(fā)光層，該第六發(fā)光層在與所述第一發(fā)光層同一面內(nèi) 的第三區(qū)域由所述第三發(fā)光材料形成。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其中， 所述第六發(fā)光層沿所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層及所述第五發(fā)光層的長(zhǎng)邊方向與 所述第三發(fā)光層及所述第四發(fā)光層并列配置。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，其中， 所述第六發(fā)光層相鄰于所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層和所述第五發(fā)光層相重疊 的區(qū)域來(lái)進(jìn)行配置。
【文檔編號(hào)】H05B33/12GK104160783SQ201380012598
【公開日】2014年11月19日 申請(qǐng)日期:2013年1月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月7日
【發(fā)明者】山岸英雄, 林明峰 申請(qǐng)人:株式會(huì)社鐘化