導(dǎo)電元件及制造導(dǎo)電元件的方法、配線元件以及母盤的制作方法
【專利摘要】一種導(dǎo)電元件包括：基體，具有第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面；第一層，設(shè)置在第一波形表面上；以及第二層，形成在第二波形表面上。第一層具有通過層壓兩個(gè)以上的層獲得的層壓結(jié)構(gòu)；第二層具有包括第一層的一些層的單層結(jié)構(gòu)或者層壓結(jié)構(gòu)；第一層和第二層形成導(dǎo)電圖案部。第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面滿足關(guān)系：0≤(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≤1.8(其中，Am1是第一波形表面的振動(dòng)的平均幅度，Am2是第二波形表面的振動(dòng)的平均幅度，Am3是第三波形表面的振動(dòng)的平均幅度，λm1是第一波形表面的平均波長，λm2是第二波形表面的平均波長，并且λm3是第三波形表面的平均波長)。
【專利說明】導(dǎo)電元件及制造導(dǎo)電元件的方法、配線元件以及母盤

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本技術(shù)涉及一種導(dǎo)電元件及制造導(dǎo)電元件的方法、一種配線元件以及一種母盤。具體地，本技術(shù)涉及一種具有形成在基板表面上的導(dǎo)電圖案部的導(dǎo)電元件。

【背景技術(shù)】
[0002]至今，作為形成在由玻璃、塑料等制成的絕緣基板上的具有預(yù)定電路圖案的導(dǎo)電層的方法，廣泛使用利用照相平板技術(shù)形成電路圖案的方法。在形成電路圖案的方法中，通常使用步驟和重復(fù)方法或者相似方法。具體地，在形成方法中，通過按照此順序執(zhí)行的“金屬層涂覆”、“抗蝕劑涂布”、“曝光”、“顯影”、“移除”以及“抗蝕劑剝離”過程形成電路圖案。因此，使用照相平板技術(shù)形成電路圖案的方法具有低生產(chǎn)能力。
[0003]此處，為了實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)能力的增強(qiáng)，建議使用絲網(wǎng)印刷形成電路圖案的方法。使用絲網(wǎng)印刷形成電路圖案的方法是一種通過經(jīng)由掩模使用涂刷器將金屬膏等涂布到絕緣基板上并且烘烤產(chǎn)物來形成具有預(yù)定電路圖案的導(dǎo)電層的方法。使用絲網(wǎng)印刷形成電路圖案的方法具有極高的生產(chǎn)能力并且由此考慮將該方法應(yīng)用于各種類型的設(shè)備。例如，在專利文獻(xiàn)I中，公開了一種使用絲網(wǎng)印刷形成觸摸板的電極的方法。此外，在專利文獻(xiàn)2中，公開了一種使用絲網(wǎng)印刷形成圖像顯示裝置的電極的方法。
[0004]然而，絲網(wǎng)印刷存在的問題在于掩模比較昂貴，準(zhǔn)確定位掩模較困難，并且掩模的孔容易堵塞。因此，除了絲網(wǎng)印刷，期望能夠?qū)崿F(xiàn)極高生產(chǎn)能力的形成電路圖案的方法。
[0005]引用列表
[0006]專利文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:日本未經(jīng)審查專利申請(qǐng)公開第2009-266025號(hào)
[0008]專利文獻(xiàn)2:日本未經(jīng)審查專利申請(qǐng)公開第2005-149807號(hào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]技術(shù)問題
[0010]因此，本技術(shù)的目標(biāo)是提供一種導(dǎo)電元件及制造導(dǎo)電元件的方法、一種配線元件以及一種能夠?qū)崿F(xiàn)極高生產(chǎn)能力的母盤。
[0011]技術(shù)方案
[0012]為了解決上述所述問題，第一技術(shù)是導(dǎo)電元件，包括:
[0013]基板；
[0014]形狀層，設(shè)置在基板的表面上并且具有第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面；
[0015]第一層，設(shè)置在第一波形表面上；以及
[0016]第二層，設(shè)置在第二波形表面上，
[0017]其中，形狀層包含能量射線固化型樹脂組合物，
[0018]第一層具有其中層壓兩個(gè)以上的層的層壓結(jié)構(gòu)，
[0019]第二層具有包括第一層的部分層的單層結(jié)構(gòu)或者層壓結(jié)構(gòu)，
[0020]第一層和第二層形成導(dǎo)電圖案部，并且
[0021]第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面滿足下列關(guān)系:
[0022]O ( (Aml/ λ ml) < (Am2/ λ m2) < (Am3/ λ m3)彡 1.8
[0023](其中，Aml是第一波形表面的振動(dòng)的平均幅度，Am2是第二波形表面的振動(dòng)的平均幅度，Am3是第三波形表面的振動(dòng)的平均幅度，Aml是第一波形表面的平均波長，λ m2是第二波形表面的平均波長，并且λ m3是第三波形表面的平均波長。)
[0024]第二技術(shù)是配線元件，包括:
[0025]基板；
[0026]形狀層，設(shè)置在基板的表面上并且具有第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面；
[0027]第一層，第一層設(shè)置在第一波形表面上；以及
[0028]第二層，第二層設(shè)置在第二波形表面上，
[0029]其中，形狀層包含能量射線固化型樹脂組合物，
[0030]第一層具有其中層壓兩個(gè)以上的層的層壓結(jié)構(gòu)，
[0031]第二層具有包括第一層的部分層的單層結(jié)構(gòu)或者層壓結(jié)構(gòu)；
[0032]第一層和第二層形成導(dǎo)電圖案部，并且
[0033]第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面滿足下列關(guān)系:
[0034]O ^ (Aml/ λ ml) < (Am2/ λ m2) < (Am3/ λ m3) ^1.8
[0035](其中，Aml是第一波形表面的振動(dòng)的平均幅度，Am2是第二波形表面的振動(dòng)的平均幅度，Am3是第三波形表面的振動(dòng)的平均幅度，Aml是第一波形表面的平均波長，λ m2是第二波形表面的平均波長，并且λ m3是第三波形表面的平均波長。)
[0036]第三技術(shù)是制造導(dǎo)電元件的方法，包括:
[0037]將能量射線固化型樹脂組合物涂布到基板的表面上；
[0038]在使旋轉(zhuǎn)母盤的旋轉(zhuǎn)面旋轉(zhuǎn)并且與被涂布到基板的表面上的能量射線固化型樹脂組合物緊密接觸的同時(shí)，經(jīng)由旋轉(zhuǎn)面用由設(shè)置在旋轉(zhuǎn)母盤中的能量射線源發(fā)射的能量射線照射能量射線固化型樹脂組合物以將能量射線固化型樹脂組合物固化，從而在基板的表面上形成具有第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面的形狀層；
[0039]在第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面上形成層壓膜；并且
[0040]移除在第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面之中的第三波形表面上形成的層壓膜，從而允許在第一波形表面上形成的層壓膜保留為第一層，并且允許在第二波形表面上形成的層壓膜的部分層保留為第二層，從而形成導(dǎo)電圖案部，
[0041]其中，第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面滿足下列關(guān)系:
[0042]O ^ (Aml/ λ ml) < (Am2/ λ m2) < (Am3/ λ m3) ^1.8
[0043](其中，Aml是第一波形表面的振動(dòng)的平均幅度，Am2是第二波形表面的振動(dòng)的平均幅度，Am3是第三波形表面的振動(dòng)的平均幅度，Aml是第一波形表面的平均波長，λ m2是第二波形表面的平均波長，并且λ m3是第三波形表面的平均波長。)
[0044]在本技術(shù)中，能量射線固化型樹脂組合物是一種包含能量射線固化型樹脂組合物作為其主要成分的組合物。例如，作為不同于能量射線固化型樹脂組合物的混合成分，可以使用諸如熱固型樹脂、硅樹脂、有機(jī)細(xì)微顆粒、無機(jī)細(xì)微顆粒、導(dǎo)電聚合物、金屬粉末以及顏料等各種材料。然而，混合成分不局限于此，并且根據(jù)基板、導(dǎo)電元件、或者配線元件的期望的特性可以使用各種材料。
[0045]此外，能量射線的不可透過性指在這個(gè)度難以固化能量射線固化型樹脂組合物的不可透過性。
[0046]優(yōu)選為單元區(qū)域是通過將旋轉(zhuǎn)母盤的旋轉(zhuǎn)面旋轉(zhuǎn)一周而形成的轉(zhuǎn)印區(qū)域。作為旋轉(zhuǎn)母盤，優(yōu)選使用輥母盤或帶母盤。然而，旋轉(zhuǎn)母盤不局限于此，只要其具有提供有凹凸形狀的旋轉(zhuǎn)面。
[0047]結(jié)構(gòu)的布置優(yōu)選是規(guī)則布置、不規(guī)則布置及其組合。結(jié)構(gòu)的布置優(yōu)選是一維布置或者二維布置。作為基板的形狀，優(yōu)選使用具有兩個(gè)主表面的膜狀或者板狀形狀、具有三個(gè)以上主表面的多面體形狀、具有諸如球形表面或者自由形式表面等彎曲表面的彎曲表面形狀、或者具有平坦表面或者球形表面的多面體形狀。形狀層優(yōu)選形成在包括在基板中的多個(gè)主表面的至少一個(gè)上?；鍍?yōu)選具有至少一個(gè)平坦表面或者彎曲表面，并且形狀層形成在平坦表面或者彎曲表面上。
[0048]在形狀層的凹凸形狀連接而不引起單元區(qū)域之間的不一致的情況下，不發(fā)生由單元區(qū)域之間的不一致引起的基板、導(dǎo)電元件以及配線元件的特征惡化和形狀紊亂。因此，可以獲得具有卓越特征和外觀的導(dǎo)電元件或者配線元件。在凹凸形狀是子波長結(jié)構(gòu)等的圖案的情況下，甚至可以在單元區(qū)域之間獲得卓越光學(xué)特征。
[0049]在本技術(shù)中，通過使用在基板的第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面上形成的層壓膜之間的狀態(tài)差，移除在第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面之中的第三波形表面上形成的層壓膜，而在第一波形表面上形成的層壓膜保留為第一層并且在第二波形表面上形成的層壓膜的部分層保留為第二層，從而形成導(dǎo)電圖案部。
[0050]發(fā)明的效果
[0051]如上所述，根據(jù)本技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)精確并且具有高生產(chǎn)能力的導(dǎo)電元件或者配線元件。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0052]圖1A是示出了根據(jù)本技術(shù)的第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的配置實(shí)例的平面圖。圖1B是沿著圖1A中所示的線B-B截取的截面圖。圖1C是示出了第一區(qū)域、第二區(qū)域以及第三區(qū)域的布置順序的修改例的截面圖。
[0053]圖2A是示出了圖1B中所示的第一區(qū)域的一部分的放大截面圖。圖2B是示出了圖1B中所示的第二區(qū)域的一部分的放大截面圖。圖2C是示出了圖1B中所示的第三區(qū)域的一部分的放大截面圖。
[0054]圖3A是示出了其中多個(gè)結(jié)構(gòu)以二維方式布置的第二區(qū)域的放大立體圖。圖3B是示出了其中多個(gè)結(jié)構(gòu)以二維方式布置的第二區(qū)域的放大平面圖。
[0055]圖4A是示出了其中多個(gè)結(jié)構(gòu)以一維方式布置的第二區(qū)域的放大立體圖。圖4B是示出了其中多個(gè)結(jié)構(gòu)以一維方式布置的第二區(qū)域的放大平面圖。
[0056]圖5A是示出了用于生產(chǎn)基板的輥母盤的配置實(shí)例的立體圖。圖5B是示出了圖5A中所示的輥母盤的一部分的放大立體圖。
[0057]圖6A是示出了輥母盤的一部分的放大截面圖。圖6B是示出了第二區(qū)域的一部分的放大立體圖。圖6C是示出了第二區(qū)域的該部分的放大平面圖。
[0058]圖7是示出了輥母盤曝光裝置的配置實(shí)例的示意圖。
[0059]圖8A至圖8C是示出了制造根據(jù)本技術(shù)的第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的方法的實(shí)例的過程圖。
[0060]圖9A至圖9C是示出了制造根據(jù)本技術(shù)的第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的方法的實(shí)例的過程圖。
[0061]圖1OA至圖1OC是示出了制造根據(jù)本技術(shù)的第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的方法的實(shí)例的過程圖。
[0062]圖1lA是示出了根據(jù)本技術(shù)的第二實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的配置實(shí)例的平面圖。圖1lB是沿著圖1lA中所示的線B-B截取的截面圖。
[0063]圖12A是示出了圖1lB中所示的第一區(qū)域的一部分的放大截面圖。圖12B是示出了圖1lB中所示的第二區(qū)域的一部分的放大截面圖。圖12C是示出了圖1lB中所示的第三區(qū)域的一部分的放大截面圖。
[0064]圖13A是示出了用于生產(chǎn)基板的輥母盤的一部分的放大立體圖。圖13B是示出了圖13A中所示的輥母盤的一部分的放大截面圖。
[0065]圖14A是示出了根據(jù)本技術(shù)的第三實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的配置實(shí)例的平面圖。圖14B是沿著圖14A中所示的線B-B截取的截面圖。圖14C是示出了圖14B中所示的第一區(qū)域的一部分的放大截面圖。圖14D是示出了圖14B中所示的第二區(qū)域的一部分的放大截面圖。
[0066]圖15A是示出了用于生產(chǎn)基板的輥母盤的配置實(shí)例的立體圖。圖15B是示出了圖15A中所示的輥母盤的一部分的放大立體圖。
[0067]圖16A是示出了輥母盤的一部分的放大截面圖。圖16B是示出了第二區(qū)域的一部分的放大立體圖。圖16C是示出了第二區(qū)域的一部分的放大平面圖。
[0068]圖17A至圖17C是示出了制造根據(jù)本技術(shù)的第三實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的方法的實(shí)例的過程圖。
[0069]圖18A至圖18C是示出了制造根據(jù)本技術(shù)的第三實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的方法的實(shí)例的過程圖。
[0070]圖19A至圖19C是示出了制造根據(jù)本技術(shù)的第三實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的方法的實(shí)例的過程圖。
[0071]圖20A是示出了根據(jù)本技術(shù)的第四實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的配置實(shí)例的平面圖。圖20B是沿著圖20A中所示的線B-B截取的截面圖。圖20C是示出了圖20B中所示的第一區(qū)域的一部分的放大截面圖。圖20D是示出了圖20B中所示的第二區(qū)域的一部分的放大截面圖。
[0072]圖21A是示出了用于生產(chǎn)基板的輥母盤的一部分的放大立體圖。圖21B是示出了圖21A中所示的輥母盤的一部分的放大截面圖。
[0073]圖22A是示出了根據(jù)本技術(shù)的第五實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的配置實(shí)例的平面圖。圖22B是示出了根據(jù)本技術(shù)的第五實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的配置實(shí)例的截面圖。圖22C是示出了根據(jù)本技術(shù)的第五實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的第一區(qū)域的層配置的截面圖。
[0074]圖23A是示出了根據(jù)本技術(shù)的第六實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的配置實(shí)例的平面圖。圖22B是示出了根據(jù)本技術(shù)的第六實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的配置實(shí)例的截面圖。圖23C是示出了根據(jù)本技術(shù)的第六實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的第一區(qū)域的層配置的截面圖。
[0075]圖24A是示出了根據(jù)本技術(shù)的第七實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的配置實(shí)例的平面圖。圖24B是示出了圖24A中所示的導(dǎo)電元件的一部分的放大截面圖。
[0076]圖25A至圖25E分別是示出了設(shè)置在根據(jù)本技術(shù)的第七實(shí)施方式的導(dǎo)電元件中的基板的第一至第五實(shí)例的截面圖。
[0077]圖26是示出了根據(jù)本技術(shù)的第七實(shí)施方式的轉(zhuǎn)印裝置的配置的實(shí)例的示意圖。
[0078]圖27A至圖27E是示出了制造根據(jù)本技術(shù)的第七實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的方法的實(shí)例的過程圖。
[0079]圖28是示出了根據(jù)本技術(shù)的第八實(shí)施方式的轉(zhuǎn)印裝置的配置的實(shí)例的示意圖。
[0080]圖29是示出了根據(jù)本技術(shù)的第九實(shí)施方式的轉(zhuǎn)印裝置的配置的實(shí)例的示意圖。
[0081]圖30A是示出了根據(jù)本技術(shù)的第十實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的配置實(shí)例的截面圖。圖30B是示出了根據(jù)本技術(shù)的第十實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的修改例的截面圖。
[0082]圖31A和圖31B分別是示出了設(shè)置在根據(jù)本技術(shù)的第十一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件中的基板的第一實(shí)例和第二實(shí)例的截面圖。
[0083]圖32A是示出了根據(jù)本技術(shù)的第十二實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的配置實(shí)例的平面圖。圖32B是示出了根據(jù)本技術(shù)的第十二實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的修改例的截面圖。
[0084]圖33A是示出了圖32B中所示的第一區(qū)域的一部分的放大截面圖。圖33B是示出了圖32B中所示的第二區(qū)域的一部分的放大截面圖。圖33C是示出了圖32B中所示的第三區(qū)域的一部分的放大截面圖。
[0085]圖34A是示出了用于生產(chǎn)根據(jù)實(shí)例I的透明導(dǎo)電片材的輥母盤的模制表面的示意圖。圖34B是示出了根據(jù)實(shí)例I的透明導(dǎo)電片材的導(dǎo)電/非導(dǎo)電性評(píng)估點(diǎn)的示意圖。
[0086]圖35是示出了通過光學(xué)顯微鏡觀察的根據(jù)實(shí)例2-2的導(dǎo)電片材的表面的圖像。
[0087]圖36是示出了蝕刻時(shí)間與初始表面阻抗的倒數(shù)之間的關(guān)系的圖表(虛擬厚度的變化)。

【具體實(shí)施方式】
[0088]實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的最佳模式
[0089]將參考附圖按照下列順序?qū)Ρ炯夹g(shù)的實(shí)施方式進(jìn)行描述。
[0090]1.第一實(shí)施方式(通過使用平坦表面與兩種類型的波形表面之間的差而在基板表面上形成導(dǎo)電圖案部的實(shí)例)
[0091]2.第二實(shí)施方式(通過使用三種類型的波形表面之間的差而在基板表面上形成導(dǎo)電圖案部的實(shí)例)
[0092]3.第三實(shí)施方式(通過使用波形表面的存在與否而在基板表面上形成導(dǎo)電圖案部的實(shí)例)
[0093]4.第四實(shí)施方式(通過使用兩種類型的波形表面之間的差而在基板表面上形成導(dǎo)電圖案部的實(shí)例)
[0094]5.第五實(shí)施方式(通過使用波形表面的存在與否而在基板表面上形成導(dǎo)電圖案部的實(shí)例)
[0095]6.第六實(shí)施方式(通過使用兩種類型的波形表面之間的差而在基板表面上形成導(dǎo)電圖案部的實(shí)例)
[0096]7.第七實(shí)施方式(使用具有不可透過性的基板的導(dǎo)電元件的實(shí)例)
[0097]8.第八實(shí)施方式(使用臺(tái)階運(yùn)輸基板的轉(zhuǎn)印裝置的實(shí)例)
[0098]9.第九實(shí)施方式(設(shè)置有環(huán)形帶母盤的轉(zhuǎn)印裝置的實(shí)例)
[0099]10.第十實(shí)施方式(在基板的兩個(gè)表面上形成導(dǎo)電圖案部的實(shí)例)
[0100]11.第H^一實(shí)施方式(使用具有不可透過性的多個(gè)結(jié)構(gòu)的實(shí)例)
[0101]12.第十二實(shí)施方式(形成凹入結(jié)構(gòu)的實(shí)例)
[0102]〈1.第一實(shí)施方式〉
[0103]【導(dǎo)電元件的配置】
[0104]圖1A是示出了根據(jù)本技術(shù)的第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的配置實(shí)例的平面圖。圖1B是沿著圖1A中所示的線B-B截取的截面圖。圖2A是示出了圖1B中所示的第一區(qū)域的一部分的放大截面圖。圖2B是示出了圖1B中所示的第二區(qū)域的一部分的放大截面圖。圖2C是示出了圖1B中所示的第三區(qū)域的一部分的放大截面圖。在下文中，在導(dǎo)電元件I的主表面的平面上正交于彼此的兩個(gè)方向分別被稱之為X軸方向和Y軸方向，并且垂直于主表面的方向被稱之為Z軸方向。
[0105]根據(jù)第一實(shí)施方式的導(dǎo)電兀件I包括基板2,基板2包括第一區(qū)域R1、第二區(qū)域R2以及第三區(qū)域R3 ;第一層I，第一層I形成在第一區(qū)域R1中；以及第二層42，第二層42形成在第二區(qū)域R2中。第一層I連續(xù)形成在第一區(qū)域&中以形成導(dǎo)電圖案部。第二層42連續(xù)形成在第二區(qū)域R2中以形成導(dǎo)電圖案部。第一層I和第二層42可形成獨(dú)立的導(dǎo)電圖案部，或者第一層I和第二層42可形成單一的導(dǎo)電圖案部。
[0106]例如，導(dǎo)電圖案部是配線圖案部或者電極圖案部。第一層I具有其中層壓兩個(gè)以上的層的層壓結(jié)構(gòu)并且優(yōu)選包括至少具有導(dǎo)電性的層。第二層42具有包括第一層I的部分層的單層結(jié)構(gòu)或者層壓結(jié)構(gòu)并且優(yōu)選包括至少具有導(dǎo)電性的層。此處，第一層I的部分層指通過從具有層壓結(jié)構(gòu)的第一層的最上層移除一層或者多層的層或者其中從具有層壓結(jié)構(gòu)的第一層的最上層的一層或者多層非連續(xù)地形成島嶼狀等并且其余層連續(xù)形成的層。
[0107]例如，導(dǎo)電元件I是印刷電路板、圖像顯示元件、或者輸入元件。印刷電路板的實(shí)例包括剛性板、柔性板以及剛?cè)嵝园?。圖像顯示元件的實(shí)例包括液晶顯示元件、場致發(fā)光(EL)元件(例如,有機(jī)EL元件或者無機(jī)EL元件)以及電子紙。輸入元件的實(shí)例包括電容式觸摸板和電阻式觸摸板。
[0108]在圖1B中，第一區(qū)域R1、第二區(qū)域R2以及第三區(qū)域R3按此順序設(shè)置。然而，此順序僅是一種實(shí)例，并且區(qū)域的順序可以是根據(jù)電路或者元件等的設(shè)計(jì)的希望的順序。例如，如圖1C所示，第三區(qū)域R3可設(shè)置在第一區(qū)域R1與第二區(qū)域R2之間，使得第一層和第二層42用作獨(dú)立導(dǎo)電圖案部。即，在第一區(qū)域R1上形成的第一層I可用作第一導(dǎo)電圖案部，并且在第二區(qū)域R2上形成的第二層42可用作第二導(dǎo)電圖案部。
[0109](第一區(qū)域和第二區(qū)域)
[0110]例如，平坦表面Spl形成在第一區(qū)域R1的基板表面上，并且第一層I連續(xù)形成在平坦表面Spl上。例如，波形表面Sw2形成在第二區(qū)域R2的基板表面上，并且第二層42連續(xù)形成在波形表面Sw2上。另一方面，例如，波形表面Sw3形成在第三區(qū)域R3的基板表面上，并且諸如第一層I或者第二層42等的層不形成在波形表面Sw3上。因此，第三區(qū)域R3用作用于兩個(gè)第一層I之間、兩個(gè)第二層42之間、或者第一層I與第二層42之間絕緣的絕緣區(qū)域。另一方面，連續(xù)形成在第一區(qū)域R1上的第一層I在第一區(qū)域R1的延伸方向上具有導(dǎo)電性并且用作導(dǎo)電圖案部。此外，連續(xù)形成在第二區(qū)域R2上的第二層42在第二區(qū)域R2的延伸方向上也具有導(dǎo)電性并且用作導(dǎo)電圖案部。例如，具有平坦表面Spl以及波形表面Sw2和Sw3的形狀層設(shè)置在基板2的表面上。形狀層包括下面即將描述的結(jié)構(gòu)32和結(jié)構(gòu)3。例如，形狀層包含能量射線固化型樹脂組合物。
[0111]第一表面Spl以及波形表面Sw2和Sw3優(yōu)選滿足下列關(guān)系。
[0112](Aml/ λ ml) = O, 0< (Am2/ λ m2) < (Am3/ λ m3) ^1.8
[0113](其中，Aml是平坦表面Spl的振動(dòng)的平均幅度，Am2是波形表面Sw2的振動(dòng)的平均幅度，Am3是波形表面Sw3的振動(dòng)的平均幅度，Aml是平坦表面Spl的平均波長，λ m2是波形表面Sw2的平均波長，并且λ m3是波形表面Sw3的平均波長。)
[0114]此外，如上所述，因?yàn)槠教贡砻鍿pl可以被視為具有振動(dòng)的平均幅度Aml為“O”的波形表面，所以可以定義平坦表面Spl的振動(dòng)的平均幅度AmU平均波長λπι?以及比率(Aml/λ ml)。
[0115]當(dāng)比率(Am3/Am3)高于1.8時(shí)，在轉(zhuǎn)印波形表面Sw3時(shí)出現(xiàn)剝離失敗并且波形表面Sw趨于損壞。
[0116]此處，如下獲得波形表面Sw2的平均波長λ m2和振動(dòng)的平均幅度Am2。首先，導(dǎo)電元件I的截面被切割成包括波形表面Sw2的振動(dòng)的幅度為最大化的位置，并且通過透射式電子顯微鏡(TEM)對(duì)截面進(jìn)行拍照。接著，從拍攝的TEM照片獲得波形表面Sw2的振動(dòng)的波長入2和幅度八2。在從導(dǎo)電元件I隨機(jī)選擇的10個(gè)點(diǎn)上重復(fù)執(zhí)行該測量，并且簡單取測量值的平均值(算數(shù)平均值)，從而獲得波形表面Sw2的平均波長λ m2和振動(dòng)的平均幅度Am2。接著，通過使用平均波長λ m2和振動(dòng)的平均幅度Am2獲得波形表面Sw2的比率(Am2/λ m2)。
[0117]以與波形表面Sw2的平均波長λ m2和振動(dòng)的平均幅度Am2及其比率(Am2/ λ m2)相同的方式獲得波形表面Sw3的平均波長λπι3和振動(dòng)的平均幅度Am3及其比率(Am3/λ m3)。
[0118]例如，波形表面Sw2和Sw3是一維或者二維的波形表面。波形表面Sw2和Sw3均可以是一維或者二維的波形表面。然而，波形表面Sw2和Sw3不局限于此，并且波形表面Sw2和Sw3中的一個(gè)可以是一維波形表面并且其另一個(gè)可以是二維波形表面。
[0119]例如，在一個(gè)方向上被切割成包括其中波形表面Sw2和Sw3的振動(dòng)幅度為最大化的位置的波形表面Sw2和Sw3的截面的形狀是三角波形形狀、正弦波形形狀、其中重復(fù)二次曲線或者二次曲線的一部分的波形形狀、或者接近上述形狀的形狀。二次曲線可以是圓、橢圓、或者拋物線等。
[0120]波形表面Sw2的波長λ 2和波形表面Sw3的波長λ 3優(yōu)選等于或者短于100 μ m,并且更優(yōu)選地，在等于或者長于10nm并且等于或者短于100 μ m的范圍內(nèi)。當(dāng)波長λ 2和λ 3短于10nm時(shí)，有波形表面Sw2和Sw3的產(chǎn)生變得困難的趨勢(shì)。另一方面，當(dāng)波長入2和λ3長于10ym時(shí)，在壓印和膜形成過程中存在出現(xiàn)高度差和覆蓋度等問題的趨勢(shì)，并且由此產(chǎn)生缺陷。
[0121]就減少導(dǎo)電元件表面上的光反射方面而言，優(yōu)選為波長λ 2和λ 3等于或者短于旨在減少反射的光的波長帶。例如，旨在減少反射的光的波長帶是紫外光的波長帶、可見光的波長帶、或者紅外光的波長帶。此處，紫外光的波長帶指等于或者長于1nm并且等于或者短于360nm的波長帶，可見光的波長帶指等于或者長于360nm并且等于或者短于830nm的波長帶，并且紅外光的波長帶指等于或者長于830nm并且等于或者短于Imm的波長帶。具體地，波長λ 2和λ 3優(yōu)選等于或者長于10nm并且等于或者短于350nm，更優(yōu)選地。等于或者長于10nm并且等于或者短于320nm,甚至更優(yōu)選地,等于或者長于I 1nm并且等于或者短于280nm.。當(dāng)波長λ 2和λ 3短于10nm時(shí)，存在波形表面Sw2和Sw3的產(chǎn)生變得困難的趨勢(shì)。另一方面，當(dāng)波長λ2和λ 3長于350nm時(shí)，存在可見光發(fā)生衍射的趨勢(shì)。
[0122]波形表面Sw2和Sw3均可以是納米級(jí)或者微米級(jí)的波形表面。然而，波形表面Sw2和Sw3并不局限于此，并且波形表面Sw2和Sw3中的一個(gè)可以是具有納米級(jí)的波形表面并且其另一個(gè)可以是具有微米級(jí)波長的波形表面。
[0123]第一層I或者第二層42的部分層(在下文中，稱之為“第三層”)優(yōu)選作為殘留層完全不在第三區(qū)域R3中。然而，只要第三層不形成導(dǎo)電圖案部并且第三區(qū)域R3用作絕緣區(qū)域，則第三層可以作為殘留層存在。
[0124]在第三層作為殘留層存在的情況下，第一層4、第二層42以及第三層優(yōu)選滿足下列關(guān)系。
[0125]S1>S2>S3
[0126](其中，SI是第一層的單元區(qū)域，S2是第二層的單元區(qū)域，并且S3是第三層的單元區(qū)域。)
[0127]在滿足該關(guān)系的情況下，具體地，優(yōu)選第一層連續(xù)形成在第一區(qū)域R1中，第二層42連續(xù)形成在第二區(qū)域R2中，并且第三層以島嶼狀非連續(xù)地形成在第三區(qū)域R3中等。
[0128]此外，在第三層作為殘留層存在的情況下，第一層1、第二層42以及第三層優(yōu)選滿足下列關(guān)系。
[0129]dl>d2>d3
[0130](其中，dl是第一層I的平均厚度，d2是第二層42的平均厚度，并且d3是第三層的平均厚度。)
[0131]在滿足該關(guān)系的情況下，具體地，優(yōu)選第三層的平均厚度小于第一層I和第二層42的平均厚度，從而不能充分展示導(dǎo)電性，并且第三區(qū)域R3用作絕緣區(qū)域。
[0132]此外，如上所述，因?yàn)榈谌龑硬⒉挥米鲗?dǎo)電圖案部，所以圖1B、圖1C以及圖2C中省去了對(duì)第三層的說明。此外，在圖1A中，示出了其中第一區(qū)域1^、第二區(qū)域R2以及第三區(qū)域&具有直線形狀的實(shí)例。然而，第一區(qū)域R1、第二區(qū)域R2以及第三區(qū)域R3的形狀并不局限于此并且可以是根據(jù)電路或者元件等的設(shè)計(jì)的希望的形狀。
[0133](基板)
[0134]例如，基板2是具有透明性或者不透明性的基板。例如，作為基板2的材料，可以使用諸如塑料材料的有機(jī)材料或者諸如玻璃的無機(jī)材料。
[0135]例如，作為玻璃，使用鈉鈣玻璃、鉛玻璃、硬玻璃、石英玻璃、或者液晶玻璃(參照“化學(xué)手冊(cè)”基本原理，P1-537，日本化學(xué)會(huì)著)。作為塑料材料，就諸如透明度、折射指數(shù)以及色散等光學(xué)性能以及諸如耐沖擊性、耐熱性以及耐久性等其他各種性能等方面而言，優(yōu)選諸如聚甲基丙烯酸甲酯等(甲基)丙烯酸樹脂、不同于甲基丙烯酸甲基的烷基(甲基)丙烯酸酯以及諸如苯乙烯等乙烯基單體共聚物；諸如聚碳酸酯和二甘醇雙烯丙基碳酸酯(CR-39)等聚碳酸酯類樹脂；諸如(溴化)雙酚A型二(甲基)丙烯酸酯的均聚物或者共聚物以及(溴化)雙酚A單(甲基)丙烯酸酯的聚氨酯變形單體的聚合物和共聚物等的熱固型(甲基)丙烯酸樹脂；聚酯，具體地，聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯以及不飽和聚酯，丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚氯乙烯、聚亞安酯、環(huán)氧樹脂、聚芳酯、聚醚砜、聚醚酮、環(huán)烯烴聚合物(商標(biāo)名稱:ARTON、ZEONOR)、環(huán)烯烴共聚物等。此外，考慮到耐熱性，還可以使用芳綸類樹脂。
[0136]在塑料材料用作基板2的情況下，為了進(jìn)一步改善塑料表面的表面能、涂層性能、滑動(dòng)性、平坦性等，通過執(zhí)行表面處理可以設(shè)置底涂層。底涂層的實(shí)例包括有機(jī)烷氧基金屬化合物、聚酯、丙烯酸變形的聚酯樹脂以及聚亞安酯。此外，為了獲得與底涂層的相同效果，可以對(duì)基板2的表面執(zhí)行電暈放電、UV照射等。
[0137]例如，在基板2是塑料膜的情況下，通過使上述所述樹脂延伸或者使用溶劑稀釋樹脂并且形成并干燥膜形狀的產(chǎn)物等方法可以獲得基板2。例如，基板2的厚度為約25 μ m至 500 μ m。
[0138]例如，基板2的形狀可采用膜形狀、板形狀或者塊形狀，但并不具體局限于這些形狀。此處，限定膜形狀包括片形狀。
[0139](結(jié)構(gòu))
[0140]例如，波形表面Sw2是具有布置在第二區(qū)域R2中的多個(gè)結(jié)構(gòu)32的凹凸表面。例如，波形表面Sw3是在第三區(qū)域R3上具有多個(gè)結(jié)構(gòu)33的凹凸表面。例如，結(jié)構(gòu)32和33相對(duì)于基板2的表面具有凸起形狀。例如，結(jié)構(gòu)32和33獨(dú)立于基板2被模制并且與基板2被一體化模制。在結(jié)構(gòu)32和33獨(dú)立于基板2被模制的情況下(根據(jù)需要)，基礎(chǔ)層可以設(shè)置在結(jié)構(gòu)32和33與基板2之間?；A(chǔ)層是與結(jié)構(gòu)32和33 —起一體化模制在結(jié)構(gòu)32和33的底部表面?zhèn)壬系膶硬⑶彝ㄟ^固化作為結(jié)構(gòu)32和33的相同能量射線固化型樹脂組合物而形成?；A(chǔ)層的厚度不受具體限制并且可根據(jù)需要進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪x擇。
[0141]結(jié)構(gòu)32與33之間的長寬比優(yōu)選滿足下列關(guān)系。
[0142]0〈 (Hm2/Pm2) < (Hm3/Pm3)彡 1.8
[0143](其中，Hm2是結(jié)構(gòu)32的平均高度，Hm3是結(jié)構(gòu)33的平均高度，Pm2是結(jié)構(gòu)32的平均布置節(jié)距，并且Pm3是結(jié)構(gòu)33的平均布置節(jié)距。)
[0144]當(dāng)比率(Hm3/Pm3)高于1.8時(shí),在轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)33時(shí)剝離失敗并且結(jié)構(gòu)33趨于損壞。
[0145]此處，如下獲得結(jié)構(gòu)32的平均布置節(jié)距Pm2和平均高度Hm2。首先，導(dǎo)電元件I的截面被切割成包括其中結(jié)構(gòu)32的高度為最大化的位置，并且通過透射式電子顯微鏡(TEM)對(duì)截面進(jìn)行拍照。接著，從拍攝的TEM照片獲得結(jié)構(gòu)32的布置節(jié)距P2和高度H2。在從導(dǎo)電元件I隨機(jī)選擇的10個(gè)點(diǎn)上重復(fù)執(zhí)行該測量，并且簡單取測量值的平均值(算數(shù)平均值)，從而獲得結(jié)構(gòu)32的平均布置節(jié)距Pm2和平均高度Hm2。接著，通過使用平均布置節(jié)距Pm2和平均高度Hm2獲得結(jié)構(gòu)32的長寬比(Hm2/Pm2)。
[0146]此外，也以與如上所述結(jié)構(gòu)32的平均布置節(jié)距Pm2、平均高度Hm2以及長寬比(Hm2/Pm2)相同的方式獲得結(jié)構(gòu)33的平均布置節(jié)距Pm3、平均高度Hm3以及長寬比(Hm3/Pm3)。
[0147]例如，結(jié)構(gòu)32和33的布置可使用一維布置或者二維布置。結(jié)構(gòu)32和33均可使用一維布置或者二維布置。然而，結(jié)構(gòu)32和33并不局限于此，并且結(jié)構(gòu)32和33中的一個(gè)可具有一維布置并且其另一個(gè)可具有二維布置。
[0148]例如，結(jié)構(gòu)32和33的布置可使用規(guī)則或者不規(guī)則布置，并且根據(jù)生產(chǎn)母盤的方法，優(yōu)選從上述布置選擇適當(dāng)?shù)牟贾?。結(jié)構(gòu)32和33均可具有規(guī)則或者不規(guī)則布置。然而，結(jié)構(gòu)32和33并不局限于此，并且結(jié)構(gòu)32和33中的一個(gè)可具有規(guī)則布置并且其另一個(gè)可具有不規(guī)則布置。
[0149]結(jié)構(gòu)32的布置節(jié)距P2和結(jié)構(gòu)33的布置節(jié)距P3優(yōu)選等于或者小于100 μ m,更優(yōu)選地，在等于或者大于10nm并且等于或者小于100 μ m的范圍內(nèi)。當(dāng)布置節(jié)距小于10nm時(shí)，則存在結(jié)構(gòu)32和33的產(chǎn)生變得困難的趨勢(shì)。當(dāng)布置節(jié)距P2和P3大于100 μ m時(shí)，則在壓印和膜形成過程中可能存在出現(xiàn)高度差和覆蓋度等問題的趨勢(shì)，并且由此可能產(chǎn)生缺陷。
[0150]就減少導(dǎo)電元件表面上的光反射的方面而言，優(yōu)選布置節(jié)距P2和P3等于或者小于旨在減少反射的光的波長帶。例如，旨在減少反射的光的波長帶是紫外光的波長帶、可見光的波長帶、或者紅外光的波長帶。此處，紫外光的波長帶指等于或者長于1nm并且等于或者短于360nm的波長帶，可見光的波長帶指等于或者長于360nm并且等于或者短于830nm的波長帶，并且紅外光的波長帶指等于或者長于830nm并且等于或者短于Imm的波長帶。具體地，布置節(jié)距P2和P3優(yōu)選等于或者大于10nm并且等于或者小于350nm，更優(yōu)選地，等于或者大于10nm并且等于或者小于320nm,甚至更優(yōu)選地,等于或者大于IlOnm并且等于或者小于280nm。當(dāng)布置節(jié)距P2和P3小于10nm時(shí)，則存在結(jié)構(gòu)32和33的產(chǎn)生變得困難的趨勢(shì)。另一方面，當(dāng)布置節(jié)距P2和P3大于350nm時(shí)，則存在可見光發(fā)生衍射的趨勢(shì)。
[0151]結(jié)構(gòu)32和33均可以納米級(jí)或者微米級(jí)布置布置節(jié)距。然而，結(jié)構(gòu)32和33并不局限于此，并且結(jié)構(gòu)32和33中的一個(gè)可以納米級(jí)布置布置節(jié)距并且其另一個(gè)可以微米級(jí)布置布置節(jié)距。
[0152]在下文中，將參考圖3A至圖4B詳細(xì)描述其中多個(gè)結(jié)構(gòu)32以一維方式布置或者二維方式布置的第二區(qū)域R2。此外，其中多個(gè)結(jié)構(gòu)33以一維方式布置或者二維方式布置的第三區(qū)域R3與第二區(qū)域R2相同，除了結(jié)構(gòu)33的長寬比不同于結(jié)構(gòu)32的長寬比，因此，將省去對(duì)第三區(qū)域R3的詳細(xì)描述。
[0153]圖3A是示出了其中多個(gè)結(jié)構(gòu)以二維方式布置的第二區(qū)域的放大立體圖。圖3B是示出了其中多個(gè)結(jié)構(gòu)以二維方式布置的第二區(qū)域的放大平面圖。例如，多個(gè)結(jié)構(gòu)32以二維方式布置在第二區(qū)域R2中的多行軌跡T上，從而形成二維波形表面Sw2。作為軌跡T的形狀，可以使用直線形狀、弧形狀等，并且具有該形狀的軌跡T還可以蜿曲meander (蜿蜒wobble)。例如，布置在多行軌跡T上的多個(gè)結(jié)構(gòu)32可具有預(yù)定的規(guī)則布置圖案。規(guī)則布置圖案的實(shí)例包括諸如四方晶格或者六方晶格等晶格圖案，并且晶格圖案還可以扭曲。結(jié)構(gòu)32的高度可相對(duì)于基板2的表面規(guī)則或者不規(guī)則的變化。此外，結(jié)構(gòu)32可以隨機(jī)布置。
[0154]優(yōu)選結(jié)構(gòu)32具有相對(duì)于基板2的表面傾斜的傾斜表面。結(jié)構(gòu)32的具體形狀的實(shí)例包括圓錐形狀、柱狀形狀、針形狀、半球形狀、半橢圓形狀以及多邊形形狀。然而，具體形狀并不局限于此并且可采用其他形狀。圓錐形狀的實(shí)例包括具有尖銳頂點(diǎn)部分的圓錐形狀、具有平坦頂點(diǎn)部分的圓錐形狀以及其中頂點(diǎn)部分具有凸起或者凹入彎曲表面的圓錐形狀。然而，圓錐形狀并不局限于這些形狀。此外，圓錐形狀的圓錐表面可以凹入或者凸起地彎曲。在使用下面即將描述的輥母盤曝光裝置生產(chǎn)輥母盤的情況下(見圖7)，作為結(jié)構(gòu)32的形狀，優(yōu)選其中頂點(diǎn)部分具有凸起彎曲表面的橢圓錐面形狀或者具有采用平坦頂點(diǎn)部分并且其形成底部表面的橢圓形狀的主軸方向與軌跡T的延伸方向?qū)R的切去頂端的橢圓錐面形狀。
[0155]圖4A是示出了其中多個(gè)結(jié)構(gòu)以一維方式布置的第二區(qū)域的放大立體圖。圖4B是示出了其中多個(gè)結(jié)構(gòu)以一維方式布置的第二區(qū)域的放大平面圖。例如，多個(gè)結(jié)構(gòu)32以一維方式布置在第二區(qū)域R2中的多行軌跡T上以遵循軌跡T，從而形成一維波形表面Sw2。作為軌跡T的形狀，可以使用直線形狀、弧形狀等，并且具有該形狀的軌跡T還可以婉曲(蜿蜒)。
[0156]例如，結(jié)構(gòu)32是在一個(gè)方向上延伸的柱狀體，并且例如，其截面形狀可采用三角形形狀，其中頂點(diǎn)部分具有曲率R的三角形形狀、多邊形形狀、半圓形形狀、半橢圓形狀、或者拋物線形狀，但并不局限于這些形狀。結(jié)構(gòu)32的具體形狀的實(shí)例包括透鏡形狀和棱鏡形狀。然而，具體形狀并不局限于這些形狀。結(jié)構(gòu)32的高度可以變化為指向軌跡方向的方向。此夕卜，結(jié)構(gòu)32可以在軌跡方向上間斷。
[0157](第一層和第二層)
[0158]例如，如圖2A所示，第一層I包括形成在第一區(qū)域R1上的導(dǎo)電層4a、形成在導(dǎo)電層4a上的第一功能層4b以及形成在第一功能層4b上的第二功能層4c。粘附層可以設(shè)置在第一層I中包括的層之間(根據(jù)需要)。
[0159]例如，如圖2B所示，第二層42包括導(dǎo)電層4a。在第二層42包括兩個(gè)以上的層的情況下，粘附層可設(shè)置在第二層42中包括的各層之間(根據(jù)需要)。
[0160]優(yōu)選第二層42形成在第二區(qū)域R2中以遵循波形表面Sw2的表面形狀，從而并不阻礙波形表面Sw2的抗反射效果，因此，波形表面Sw2和第二層42的表面形狀彼此相似。這是因?yàn)橥ㄟ^抑制由第二層42的形成引起的折射指數(shù)分布的變化可以保持卓越的抗反射特征和/或透射特征。在第三層作為殘留層存在于第三區(qū)域R3中的情況下，優(yōu)選第三層形成在第三區(qū)域R3中以遵循波形表面Sw3的表面形狀，從而并不阻礙波形表面Sw3的抗反射效果，因此，波形表面Sw3和第三層的表面形狀彼此相似。
[0161]例如，作為導(dǎo)電層4a，可以使用金屬層、透明導(dǎo)電層、金屬氧化物層、或者過渡金屬化合物層。然而，導(dǎo)電層4a并不局限于這些層。作為第一功能層4b的材料，優(yōu)選至少不同于導(dǎo)電層4a和第二功能層4c的材料，并且更優(yōu)選在移除過程中具有不同于導(dǎo)電層4a和第二功能層4c的溶解速率的材料。作為第二功能層4c的材料，優(yōu)選至少不同于導(dǎo)電層4a和第一功能層4b的材料，并且更優(yōu)選在移除過程中具有不同于導(dǎo)電層4a和第一功能層4b的溶解速率的材料。
[0162]例如，作為透明導(dǎo)電層，可以使用無機(jī)透明導(dǎo)電層。無機(jī)透明導(dǎo)電層優(yōu)選包含作為其主要成分的透明氧化物半導(dǎo)體。例如，作為透明氧化物半導(dǎo)體，可以使用諸如Sn02、ln02、ZnO、或者CdO等二元化合物、包含為二元化合物的組成元素的Sn、In、Zn以及Cd中的至少一種元素的三元化合物、或者多元素(復(fù)合)氧化物。透明氧化物半導(dǎo)體的具體實(shí)例的實(shí)例包括氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、摻鋁氧化鋅(AZO(Al2O3-ZnO))、SZ0、摻氟氧化錫(FTO)、二氧化錫(SnO2)、摻鎵氧化鋅(GZO)以及氧化銦鋅(IZO(In2O3-ZnO))15具體地,就增強(qiáng)可靠性、減少電阻率等方面而言，優(yōu)選氧化銦錫(ITO)。就增強(qiáng)導(dǎo)電性方面而言，無機(jī)透明導(dǎo)電層中包括的材料優(yōu)選具有不定形和多晶結(jié)構(gòu)的混合態(tài)。例如，作為金屬層的材料，可以使用選自于由Ag、Al、Au、Pt、Pd、N1、Cr、Nb、W、Mo、T1、Cu以及Nd組成的組中的至少一種類型。
[0163]第一功能層4b優(yōu)選具有至少不同于導(dǎo)電層4a的溶液溶解度。作為第一功能層4b的材料，優(yōu)選使用不同于導(dǎo)電層4a的材料。具體地，金屬優(yōu)選用作第一功能層4b的材料，并且例如作為金屬，可以使用選自于由Ag、Al、Au、Pt、Pd、N1、Cr、Nb、W、Mo、T1、Cu以及Nd組成的組中的至少一種類型。
[0164]例如，作為第一功能層4b的材料，可以使用介電材料或者透明導(dǎo)電材料。具體地，優(yōu)選使用選自于由氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物以及過渡金屬化合物組成的組中的至少一種類型，例如，可以使用選自于由氧化物和過渡金屬化合物組成的組中的至少一種類型。氧化物的實(shí)例包括包含選自于由In、Zn、Sn、Al、S1、Ge、T1、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi以及Mg組成的組中的一種或者多種類型的元素的氧化物。氮化物的實(shí)例包括包含選自于由In、Sn、Ge、Cr、S1、Al，Nb、Mo、T1、W、Ta以及Zn組成的組中的一種或者多種類型的元素的氮化物。硫化物的實(shí)例包括硫化鋅。碳化物的實(shí)例包括包含選自于由In、Sn、Ge、Cr、S1、Al、T1、Zr、Ta以及W組成的組中的一種或者多種類型的元素的碳化物。氟化物的實(shí)例包括包含選自于由S1、Al、Mg、Ca以及La組成的組中的一種或者多種類型的元素的氟化物。例如，作為過渡金屬化合物，可以使用包含選自于由Al、Al T 1、Al Cu、Cu、Ag、AgPdCu、Mo、Sn、T1、W、Au、Pt、Pd、N1、Nb以及Cr組成的組中的一種或者多種類似的化合物。包含兩種以上類型的上述所述材料的化合物的實(shí)例包括ZnS-Si02、S12-Cr2O3-ZrO2、In2O3-CeO2,In2O3-Ga2O3、Sn2O3-Ta2O5 以及 T12-S12。
[0165]第一功能層4b優(yōu)選包括具有不定形和多晶結(jié)構(gòu)的混合態(tài)的層和具有多晶態(tài)的層中的至少一種類型。
[0166]第二功能層4c是用于保護(hù)導(dǎo)電層4a和第一功能層4b的一層。第二功能層4c優(yōu)選具有至少不同于導(dǎo)電層4a和第一功能層4b的溶液的溶解度。作為第二功能層4c的材料，優(yōu)選使用不同于導(dǎo)電層4a和第一功能層4b的材料或者不同于第一功能層4b的材料。具體地，金屬材料優(yōu)選用作第二功能層4c的材料，例如，作為金屬材料，可以使用選自于由Ag、Al、Au、Pt、Pd、N1、Cr、Nb、W、Mo、T1、Cu以及Nd組成的組中的至少一種類型。
[0167]例如，作為第二功能層4c的材料，可以使用介電材料或者透明導(dǎo)電材料。具體地，優(yōu)選使用選自于由氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物以及過渡金屬化合物組成的組中的至少一種類型，例如，可以使用選自于由氧化物和過渡金屬化合物組成的組中的至少一種類型。氧化物的實(shí)例包括包含選自于由In、Zn、Sn、Al、S1、Ge、T1、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi以及Mg組成的組中的一種或者多種類型的元素的氧化物。氮化物的實(shí)例包括包含選自于由In、Sn、Ge、Cr、S1、Al、Nb、Mo、T1、W、Ta以及Zn組成的組中的一種或者多種類型的元素的氮化物。硫化物的實(shí)例包括硫化鋅。碳化物的實(shí)例包括包含選自于由In、Sn、Ge、Cr、S1、Al、T1、Zr、Ta以及W組成的組中的一種或者多種類型的元素的碳化物。氟化物的實(shí)例包括包含選自于由S1、Al、Mg、Ca以及La組成的組中的一種或者多種類型的元素的氟化物。例如，作為過渡金屬化合物，可以使用包含選自于由A1、AIT 1、AI Cu、Cu、Ag、AgPdCu、Mo、Sn、T1、W、Au、Pt、Pd、Ni, Nb以及Cr組成的組中的一種或者多種類型的化合物。包含兩種以上類型的上述所述材料的化合物的實(shí)例包括ZnS-Si02、S12-Cr2O3-ZrO2、In2O3-CeO2,In2O3-Ga2O3、Sn2O3-Ta2O5 以及 T12-S12。
[0168]第二功能層4c優(yōu)選包括具有不定形和多晶結(jié)構(gòu)的混合態(tài)的層和具有多晶態(tài)的層中的至少一種類型，但并不局限于此。
[0169]粘附層是用于增強(qiáng)各層之間粘附力的層。例如，作為粘附層，可以使用金屬層、氧化物層、過渡金屬化合物層等。然而，粘附層并不局限于此。
[0170]優(yōu)選第一區(qū)域R1中的層壓膜4的表面阻抗等于或者小于5000 Ω / 口。當(dāng)表面阻抗高于5000 Ω / □時(shí)，阻抗過度增加，因此，層壓膜4趨于不用作電極。
[0171]【輥母盤的配置】
[0172]圖5A是示出了用于生產(chǎn)基板的輥母盤的配置實(shí)例的立體圖。圖5B是示出了圖5A中所示的輥母盤的一部分的放大立體圖。輥母盤11是用于生產(chǎn)導(dǎo)電元件或者配線元件的母盤。更具體地，輥母盤11是用于在上述所述基板表面上模制平坦表面Spl以及波形表面Sw2和Sw3的母盤。例如，輥母盤11具有柱狀形狀或者圓柱形狀，并且第一區(qū)域R1、第二區(qū)域民以及第三區(qū)域R3設(shè)置在柱狀表面或者圓柱表面上。例如，輥母盤11的材料可使用玻璃，但并不特別局限于才材料。圖5A和圖5B中所示的第一區(qū)域R1、第二區(qū)域R2以及第三區(qū)域R3的形狀和布置順序是實(shí)例并且并不局限于此。根據(jù)導(dǎo)電圖案部的希望形狀，可以適當(dāng)選擇形狀和布置順序。
[0173]圖6A是示出了輥母盤的一部分的放大截面圖。圖6B是示出了第二區(qū)域的一部分的放大立體圖。圖6C是示出了第二區(qū)域的一部分的放大平面圖。此外，第三區(qū)域R3與第二區(qū)域R2相同，除了第三區(qū)域&的波形表面Sw3的比率(Am/λπι) (Am是波形表面的振動(dòng)的平均幅度，并且λ m是波形表面的平均波長)高于第二區(qū)域的波形表面Sw2的比率(Am/ λ m)，因此，將省去其有關(guān)說明。
[0174]輥母盤11的第一區(qū)域R1、第二區(qū)域R2以及第三區(qū)域R3分別對(duì)應(yīng)于基板2的第一區(qū)域R1、第二區(qū)域R2以及第三區(qū)域R3。即，形成在輥母盤11的第一區(qū)域R1上的平坦表面Spl用于在基板2的第一區(qū)域R1上形成平坦表面Spl。形成在輥母盤11的第二區(qū)域R2上的波形表面Sw2用于在基板2的第二區(qū)域R2上形成波形表面Sw2。形成在輥母盤11的第三區(qū)域R3上的波形表面Sw3用于在基板2的第三區(qū)域R3上形成波形表面Sw3。具體地，輥母盤11的波形表面Sw2和Sw3分別具有如上所述基板2的波形表面Sw2和Sw3的凹凸形狀的倒置形狀。即，輥母盤11的結(jié)構(gòu)1?和結(jié)構(gòu)123分別具有如上所述基板2的表面的結(jié)構(gòu)32和結(jié)構(gòu)33的凹凸形狀的倒置形狀。
[0175]【曝光裝置的配置】
[0176]圖7是示出了輥母盤光裝置的配置實(shí)例的示意圖。在下文中，將參考圖7描述輥母盤曝光裝置的配置。例如，輥母盤曝光裝置可以被配置為基本具有光盤記錄裝置。
[0177]例如，激光源21是用于使在作為記錄介質(zhì)的輥母盤11的表面上形成膜的抗蝕劑曝光并且使具有λ = 266nm的波長的記錄激光14振蕩的光源。從激光源21發(fā)射的激光14作為平行射束直線傳播并且進(jìn)入電光調(diào)制器(EOM) 22。通過電光調(diào)制器22發(fā)射的激光14被鏡23反射并且導(dǎo)向至調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25。
[0178]鏡23由偏振分束器配置并且具有反射一種偏振光成分并且傳輸其他偏振光成分的功能。由光電二極管24感測通過鏡23傳輸?shù)钠窆獬煞植⑶一诟袦y的光信號(hào)來控制電光調(diào)制器22，從而執(zhí)行激光14的相位調(diào)制。
[0179]在調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25中，通過聚光透鏡26將激光14聚在由玻璃(S12)等制成的聲光調(diào)制器(AOM) 27上。通過聲光調(diào)制器27使激光14經(jīng)過強(qiáng)度調(diào)制以使其分叉并且通過透鏡28大致轉(zhuǎn)化成平行射束。從調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25發(fā)射的激光14被鏡31反射并且導(dǎo)向至水平且平行移動(dòng)的光學(xué)平臺(tái)32。
[0180]移動(dòng)的光學(xué)平臺(tái)32包括射束擴(kuò)展器33和物鏡34。被導(dǎo)向移動(dòng)光學(xué)平臺(tái)32的激光14通過射束擴(kuò)展器33成形為所希望的射束形狀并且隨后被致使為經(jīng)由物鏡34照射輥母盤11上的抗蝕劑層。輥母盤11放置在連接至軸電機(jī)35的轉(zhuǎn)臺(tái)36上。然后，在輥母盤11旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，使激光14在輥母盤11的高度方向上移動(dòng)并且致使激光14間歇性地照射抗蝕劑層，從而對(duì)抗蝕劑層執(zhí)行曝光處理。形成的潛像具有大致的橢圓形狀(在圓周方向上具有主軸)。通過移動(dòng)光學(xué)平臺(tái)32在箭頭R方向上的移動(dòng)執(zhí)行激光14的移動(dòng)。
[0181]例如，曝光裝置包括控制機(jī)構(gòu)37，控制機(jī)構(gòu)37用于形成對(duì)應(yīng)于抗蝕劑層上的預(yù)定一維圖案或者二維圖案的潛像?？刂茩C(jī)構(gòu)37包括格式器29和驅(qū)動(dòng)器30。格式器29包括極性反向部，并且極性反向部控制激光14對(duì)抗蝕劑層的照射時(shí)間。驅(qū)動(dòng)器30從極性反向部接收輸出并且控制聲光調(diào)制器27。
[0182]在輥母盤曝光裝置中，極性反向格式器信號(hào)和記錄設(shè)備的旋轉(zhuǎn)控制器被同步化以產(chǎn)生信號(hào)并且通過聲光調(diào)制器27對(duì)各個(gè)軌跡執(zhí)行強(qiáng)度調(diào)制，使得二維圖案空間連接。通過以恒定的角速度(CAV)、適當(dāng)?shù)恼{(diào)制頻率以及適當(dāng)?shù)膫鲃?dòng)節(jié)距執(zhí)行適當(dāng)轉(zhuǎn)數(shù)的圖案化可以記錄諸如四角形晶格圖案或者六角形晶格圖案等預(yù)定的二維圖案。
[0183]【制造導(dǎo)電元件的方法】
[0184]在下文中，將參考圖8A至圖1OC描述制造根據(jù)本技術(shù)的第一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件I的方法的實(shí)例。此外，考慮到生產(chǎn)率，優(yōu)選在轉(zhuǎn)印處理之后通過卷對(duì)卷處理執(zhí)行該制造方法中的部分或者全部處理。
[0185](抗蝕劑形成處理)
[0186]首先，如圖8A所示，制備具有柱狀形狀或者圓柱形狀的輥母盤11。例如，輥母盤11是玻璃母盤。隨后，如圖8B所示，抗蝕劑層13形成在輥母盤11的表面上。例如，作為抗蝕劑層13的材料，可以使用有機(jī)抗蝕劑和無機(jī)抗蝕劑中的任一種。例如，作為有機(jī)抗蝕劑，可以使用酹醒樹脂抗蝕劑(novolac resist)或者化學(xué)放大抗蝕劑。此外，例如，作為無機(jī)抗蝕劑，可以使用金屬化合物。
[0187](曝光處理)
[0188]接著，如圖SC所示，通過使用如上所述的輥母盤曝光裝置，在輥母盤11旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，使用激光(曝光射束)14照射抗蝕劑層13。此時(shí)，在激光14在輥母盤11的高度方向(平行于具有柱狀形狀或者圓柱形狀的輥母盤11的中心軸的方向)上移動(dòng)時(shí)照射激光14。此處，潛像形成在第二區(qū)域R2和第三區(qū)域R3中用作曝光部分，同時(shí)潛像并不形成在第一區(qū)域凡中用作非曝光部分。例如，在等于或者小于可見光波長的節(jié)距形成根據(jù)激光14的路徑的潛像15。
[0189]例如，潛像15被布置成在輥母盤表面上形成多行軌跡并且形成預(yù)定的一維圖案或者二維圖案。例如，潛像15具有在軌跡的延伸方向上延伸的拉長矩形形狀或者主軸方向位于軌跡的延伸方向上的橢圓形狀。
[0190](顯影處理)
[0191]接著，例如，如圖9A所示，在輥母盤11旋轉(zhuǎn)的同時(shí)將顯影液滴在抗蝕劑層13上，使得抗蝕劑層13經(jīng)過顯影處理。如示，在抗蝕劑層13由正型抗蝕劑形成的情況下，與非曝光部分相比較，通過激光14進(jìn)行曝光的曝光部分相對(duì)于顯影液具有提高的溶解速率。因此，對(duì)應(yīng)于潛像(曝光部分)15的圖案形成在抗蝕劑層13上。因此，多個(gè)開口形成在第二區(qū)域R2和第三區(qū)域R3的抗蝕劑層13上，同時(shí)開口并不形成在第一區(qū)域R1的抗蝕劑層13上，并且第一區(qū)域R1的整體保持處于覆蓋有抗蝕劑層13的狀態(tài)。S卩，僅在第二區(qū)域R2和第三區(qū)域R3中具有開口圖案的掩模形成在輥母盤表面上。作為開口圖案，可以使用任意一維圖案和二維圖案，并且還可使用其組合。
[0192](蝕刻處理)
[0193]接著，輥母盤11的表面經(jīng)過使用抗蝕劑層13形成在輥母盤11上的圖案(抗蝕劑圖案)作為掩模的輥蝕刻處理。因此，如圖9B所示，經(jīng)由開口對(duì)輥母盤表面上的第二區(qū)域R2和第三區(qū)域R3進(jìn)行蝕刻，從而形成凹入結(jié)構(gòu)122和123。例如，結(jié)構(gòu)122和123具有在軌跡的延伸方向上延伸的柱狀形狀或者橢圓錐面形狀或者其中主軸方向位于軌跡延伸方向上的切去頂端的橢圓錐面形狀。另一方面，因?yàn)檎麄€(gè)第一區(qū)域R1覆蓋有抗蝕劑層13，所以不對(duì)輥母盤表面上的第一區(qū)域R1進(jìn)行蝕刻并且保留平坦板狀的輥母盤表面。例如，作為蝕刻方法，可以執(zhí)行干蝕刻。按照這種方式，獲得輥母盤11。
[0194](轉(zhuǎn)印處理)
[0195]接著，例如，如圖9C所示，輥母盤11和對(duì)其涂布轉(zhuǎn)印材料16的諸如膜的基板2彼此緊密接觸，使用諸如紫外線等能量射線照射轉(zhuǎn)印材料16以進(jìn)行固化，之后，剝離與固化轉(zhuǎn)印材料16—體的基板2。因此，如圖1OA所示，獲得具有平坦表面Spl形成在其中的第一區(qū)域R1的基板2、具有波形表面Sw2形成在其中的第二區(qū)域R2以及波形表面Sw3形成在其中的第三區(qū)域R3。
[0196]例如，作為轉(zhuǎn)印材料16，可以使用能量射線固化型樹脂組合物。能量射線固化型樹脂組合物是通過利用能量射線進(jìn)行照射而被固化的樹脂組合物。能量射線指諸如電子射線、紫外線、紅外線、激光束、可見射線、離子照射(X-射線、α-射線、β-射線、Υ-射線等)、微波、或者高頻波等觸發(fā)自由基聚合、陽離子聚合以及陰離子聚合的能量射線。能量射線固化型樹脂組合物可以根據(jù)需要與所使用的另一樹脂混合并且還可與諸如所使用的熱固型樹脂的另一固化樹脂混合。能量射線固化型樹脂組合物還可以是有機(jī)-無機(jī)混合材料。此外，可以混合所使用的兩種以上類型的能量射線固化型樹脂組合物。作為能量射線固化型樹脂組合物，優(yōu)選使用通過紫外線進(jìn)行固化的紫外線固化型樹脂。
[0197]例如，紫外線固化型材料由單官能單體、雙官能單體、多官能單體等制成，具體地，包括單一類型或者多種類型的下列材料的混合物。
[0198]單官能單體的實(shí)例包括羧酸(丙烯酸)、羥基基團(tuán)(2-丙烯酸羥乙酯、2-丙烯酸羥丙酯以及4-丙烯酸羥丁酯)、烷基基團(tuán)、脂環(huán)族基團(tuán)(丙烯酸酸異丁酯，叔-丙烯酸丁酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸十二酯、丙烯酸十八酯、丙烯酸異冰片酯以及丙烯酸環(huán)己酯)以及其他官能單體(2-丙烯酸甲氧基乙酯、甲氧基乙二醇丙烯酸酯、2-乙氧基乙基丙烯酸酯、四氫呋喃丙烯酸甲酯、丙烯酸芐酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、苯氧乙基丙烯酸酯、N，N-丙烯酸二甲胺基乙酯、N, N-二甲胺基丙基丙烯酰胺、N, N-二甲基丙烯酰胺、丙烯酰嗎啉、N-異丙基丙烯酰胺、N，N-二乙基丙烯酰胺、N-乙烯基吡硌烷酮、2-(全氟辛基)丙烯酸乙酯、3-全氟己基-2-丙烯酸羥丙酯、3-全氟辛基-2-丙烯酸羥丙酯、2-(全氟癸基)丙烯酸乙酯、2-(全氟-3-甲基丁基)丙烯酸乙酯、2，4，6-三溴苯酚丙烯酸酯、2，4，6-三溴苯酚甲基丙烯酸酯、2-(2, 4，6-三溴苯酚)丙烯酸乙酯以及2-丙烯酸乙基己酯)。
[0199]雙官能單體的實(shí)例包括三(丙二醇)二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷己二烯醚以及聚氨酯丙烯酸酯。
[0200]多官能單體的實(shí)例包括三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二季戊四醇五和六丙烯酸酯、雙三羥甲基丙烷四丙烯酸酯。
[0201]引發(fā)劑的實(shí)例包括2，2-二甲氧基-1，2-二苯乙烷-1-酮、1-羥基-環(huán)己基苯酮以及2-羥基-2-甲基-1-苯丙烷-1-酮。
[0202]例如，作為填充物，可以使用無機(jī)細(xì)微顆粒和有機(jī)細(xì)微顆粒中的任一種。無機(jī)細(xì)微顆粒的實(shí)例包括諸如Si02、T12, ZrO2, SnO2以及Al2O3等金屬氧化物細(xì)微顆粒。
[0203]功能添加劑的實(shí)例包括勻染劑、表面調(diào)整劑以及防起泡劑。基板2的材料的實(shí)例包括甲基丙烯酸甲酯(共)聚物、聚碳酸酯、苯乙烯共聚物、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、二乙酸纖維素、三乙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素、聚酯、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺酰亞胺、聚醚砜、聚砜、聚丙烯、聚甲基戊烯、環(huán)烯烴聚合物、環(huán)烯烴共聚物、聚乙烯、聚苯乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二酯、氟樹脂、酚醛樹脂、甲基丙烯酸樹脂、尼龍、聚縮醛、酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂、三聚氰胺甲醛樹脂、聚氯乙烯、聚乙烯縮醛、聚醚酮以及聚亞安酯。根據(jù)應(yīng)用可以適當(dāng)選擇其他材料，例如，還可以使用玻璃材料、金屬材料以及金屬化合物材料(例如，陶瓷、磁體以及半導(dǎo)體)。玻璃材料的實(shí)例包括鈉鈣玻璃、鉛玻璃、硬玻璃、石英玻璃以及液晶玻璃。
[0204]對(duì)基板2進(jìn)行模制的方法不受具體限制，并且例如，可以使用注塑模制、擠壓、或者澆注。根據(jù)需要，可以對(duì)基板表面等執(zhí)行諸如電暈處理等表面處理。
[0205](層壓膜形成處理)
[0206]接著，如圖1OB所示，通過將兩個(gè)以上的層層壓在基板表面的第一區(qū)域R1、第二區(qū)域民以及第三區(qū)域R3中形成層壓膜4。具體地，例如，按照此順序?qū)?dǎo)電層、第一功能層以及第二功能層層壓在基板的第一區(qū)域R1、第二區(qū)域R2以及第三區(qū)域R3中，從而形成層壓膜4。例如，作為形成層壓膜4的方法，可以使用諸如熱CVD、等離子體CVD、或者光學(xué)CVD等CVD方法(化學(xué)氣相沉積:使用化學(xué)反應(yīng)從氣相使薄膜沉積的技術(shù))、諸如真空沉積、等離子體輔助化學(xué)氣相沉積、濺射或者離子電鍍等PVD方法(物理氣相沉積:通過在真空中物理蒸發(fā)的材料的濃縮物而在基板上形成薄膜的技術(shù))。此外，在對(duì)基板2進(jìn)行加熱時(shí)可以形成層壓膜4。
[0207](退火處理)
[0208]接著，根據(jù)需要，對(duì)層壓膜4執(zhí)行退火處理。因此，例如，層壓膜4或者諸如層壓膜4中包括的無機(jī)透明導(dǎo)電層的層具有不定形和多晶結(jié)構(gòu)的混合態(tài)。
[0209](層壓膜移除處理)
[0210]接著，如圖1OC所示，對(duì)具有形成在其中的層壓膜4的基板表面執(zhí)行蝕刻處理。因此，在從第三區(qū)域R3移除層壓膜4時(shí)，層壓膜4作為第一層I保留在第一區(qū)域R1中，并且層壓膜4的部分層作為第二層42保留在第二區(qū)域R2中。具體地，例如，在從第三區(qū)域R3移除導(dǎo)電層以及第一功能層和第二功能層時(shí)，導(dǎo)電層以及第一功能層和第二功能層作為第一層I保留在第一區(qū)域R1中，并且導(dǎo)電層作為第二層42保留在第二區(qū)域R2中。因此，當(dāng)在第一區(qū)域R1中形成的第一層I和在第二區(qū)域R2中形成的第二層42用作導(dǎo)電圖案部時(shí)，第三區(qū)域R3用作導(dǎo)電圖案部之間絕緣區(qū)域。作為移除處理，可以使用干蝕刻或者濕蝕刻，或者還可以使用兩者的組合。作為干蝕刻，可以使用等離子體蝕刻或者反應(yīng)離子蝕刻(RIE)。例如，作為濕蝕刻，可以使用硫酸、氫氯化物、硝酸以及氯化鐵中的一種或者多種類型。此外，草酸、磷酸、醋酸以及硝酸的混合酸、或者硝酸鈰銨的水溶液可用作蝕刻劑。
[0211]此處，移除裝置(I)從第三區(qū)域R3完全移除層壓膜4，(2)在第三區(qū)域R3不能展示導(dǎo)電性的程度內(nèi)形成非連續(xù)狀態(tài)(例如，島嶼狀狀態(tài))的層壓膜4，或者(3)使層壓膜4變薄以具有第三區(qū)域R3不能展示導(dǎo)電性的厚度。
[0212]具體地，通過使用形成在平坦表面Spl以及波形表面Sw2和Sw3上的層壓膜4之間的狀態(tài)等差異，優(yōu)選充分移除形成在波形表面Sw3上的層壓膜4，而形成在平坦表面Spl和波形表面Sw2上的層壓膜4保持連續(xù)連接。因此，導(dǎo)電圖案部可以選擇性地形成在平坦表面Spl以及波形表面Sw2和Sw3之中的平坦表面Spl和波形表面Sw2上。
[0213]此外，優(yōu)選通過使用形成在平坦表面Spl以及波形表面Sw2和Sw3上的層壓膜4之間的狀態(tài)等差異，移除形成在波形表面Sw3上的層壓膜4以處于非連續(xù)的島嶼狀，而形成在平坦表面Spl和波形表面Sw2上的層壓膜4保持連續(xù)連接。因此，導(dǎo)電圖案部可以選擇性地形成在平坦表面Spl以及波形表面Sw2和Sw3之中的平坦表面Spl和波形表面Sw2上。
[0214]此外，優(yōu)選通過使用形成在平坦表面Spl以及波形表面Sw2和Sw3上的層壓膜4之間的狀態(tài)等差異，移除形成在波形表面Sw3上的層壓膜4以具有大大小于形成在平坦表面Spl和波形表面Sw2上的層壓膜4的厚度的厚度。因此，導(dǎo)電圖案部可以選擇性地形成在平坦表面Spl以及波形表面Sw2和Sw3之中的平坦表面Spl和波形表面Sw2上。
[0215](清潔處理)
[0216]接著，根據(jù)需要，對(duì)經(jīng)過移除處理的基板表面進(jìn)行清潔。
[0217]如此，獲得所需的導(dǎo)電元件I。
[0218]在第一實(shí)施方式中，通過將兩個(gè)以上的層層壓在具有平坦表面Spl以及波形表面Sw2和Sw3的基板表面上形成層壓膜4。此外，通過使用形成在平坦表面Spl以及波形表面Sw2和Sw3上的層壓膜之間的狀態(tài)等差異，移除形成在平坦表面Spl以及波形表面Sw2和Sw3的波形表面之中的波形表面Sw3上的層壓膜4，而形成在平坦表面Spl上的層壓膜4保留為第一層^，并且形成在波形表面Sw2上的層壓膜4的部分層保留為第二層42，從而形成導(dǎo)電圖案部。因此，可以實(shí)現(xiàn)精確并且具有高生產(chǎn)能力的導(dǎo)電元件。
[0219]〈2.第二實(shí)施方式〉
[0220]【導(dǎo)電元件的配置】
[0221]圖1lA是示出了根據(jù)本技術(shù)的第二實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的配置實(shí)例的平面圖。圖1lB是沿著圖1lA中所示的線B-B截取的截面圖。圖12A是示出了圖1lB中所示的第一區(qū)域的一部分的放大截面圖。圖12B是示出了圖1lB中所示的第二區(qū)域的一部分的放大截面圖。圖12C是示出了圖1lB中所示的第三區(qū)域的一部分的放大截面圖。根據(jù)第二實(shí)施方式的導(dǎo)電元件I與第一實(shí)施方式中的導(dǎo)電元件I的不同在于第一區(qū)域具有波形表面Swl。例如，具有波形表面Swl、波形表面Sw2以及波形表面Sw3的形狀層設(shè)置在基板2的表面上。形狀層包括后面即將描述的結(jié)構(gòu)S1、結(jié)構(gòu)32以及結(jié)構(gòu)3。
[0222](第一區(qū)域)
[0223]例如，波形表面Swl形成在第一區(qū)域R1的基板表面上，并且第一層I連續(xù)形成在波形表面Swl上。波形表面Swl與波形表面Sw2相同，除了波形表面Swl的比率(Am/ λ m)(λ m是波形表面的平均波長并且Am是波形表面的振動(dòng)的平均幅度)小于波形表面Sw2的比率(Am/ λ m)。具體地,波形表面Swl、Sw2以及Sw3優(yōu)選滿足下列關(guān)系。
[0224]0〈 (Aml/ λ ml) < (Am2/ λ m2) < (Am3/ λ m3) ^1.8
[0225](其中，Aml是波形表面Swl的振動(dòng)的平均幅度，Am2是波形表面Sw2的振動(dòng)的平均幅度，Am3是波形表面Sw3的振動(dòng)的平均幅度，Aml是波形表面Swl的平均波長，λ m2是波形表面Sw2的平均波長，并且λ m3是波形表面Sw3的平均波長。)
[0226]當(dāng)比率(Am3/ λ m3)高于1.8時(shí)，在轉(zhuǎn)印波形表面Sw3時(shí)發(fā)生剝離失敗并且波形表面Sw趨于損壞。
[0227]此處，以與第一實(shí)施方式中波形表面Sw2和Sw3相同的方式測量波形表面Swl的平均波長λ ml、振動(dòng)的平均幅度Aml以及比率(Aml/λ ml)。
[0228]波形表面Swl、Sw2以及Sw3的截面的形狀在一個(gè)方向上被切割成包括其中波形表面Swl、Sw2以及Sw3的振動(dòng)幅度為最大化的位置，例如，波形表面Swl、Sw2以及Sw3的截面的形狀是三角形波形形狀、正弦波形形狀、其中重復(fù)二次曲線或者二次曲線的一部分的波形形狀、或者近似上述形狀的形狀。二次曲線可以是圓曲線、橢圓曲線、或者拋物曲線等。
[0229]波形表面Swl的波長λ 1、波形表面Sw2的波長λ 2以及波形表面Sw3的波長λ 3優(yōu)選等于或者短于100 μ m，更優(yōu)選地，在等于或者長于10nm并且等于或者短于100 μ m的范圍內(nèi)。當(dāng)波長λ 1、λ 2以及λ 3短于10nm時(shí)，則存在波長λ I以及波形表面Sw2和Sw3的產(chǎn)生變得困難的趨勢(shì)。另一方面，當(dāng)波長λ?、λ 2以及λ 3長于10ym時(shí)，則存在在壓印和膜形成過程中可能出現(xiàn)高度差和覆蓋度等問題的趨勢(shì)，并且由此可能產(chǎn)生缺陷。
[0230]就減少導(dǎo)電元件表面上的光反射的方面而言，優(yōu)選波長λ 1、λ 2以及λ 3等于或者短于旨在減少反射的光的波長帶。例如，旨在減少反射的光的波長帶是紫外光的波長帶、可見光的波長帶、或者紅外光的波長帶。
[0231]可以獨(dú)立選擇波形表面Swl、Sw2以及Sw3的形狀、波長以及振動(dòng)幅度。具體地，例如，波形表面Swl、Sw2以及Sw3可獨(dú)立采用一維或者二維波形表面。而且,波形表面Swl、Sw2以及Sw3的波長和振動(dòng)幅度可獨(dú)立采用納米級(jí)或者微米級(jí)的波長和振動(dòng)幅度。
[0232](結(jié)構(gòu))
[0233]例如，波形表面Swl是具有布置在第一區(qū)域R1上的多個(gè)結(jié)構(gòu)S1的凹凸表面。結(jié)構(gòu)與結(jié)構(gòu)32相同，除了結(jié)構(gòu)S1的比率(Hm/Pm) (Hm是結(jié)構(gòu)的平均布置節(jié)距并且Pm是結(jié)構(gòu)的平均高度)小于結(jié)構(gòu)32的比率(Hm/Pm)。具體地，結(jié)構(gòu)3p32以及33優(yōu)選滿足下列關(guān)系。
[0234]0〈 (Hml/Pml) < (Hm2/Pm2) < (Hm3/Pm3)彡 1.8
[0235](其中，Hml是結(jié)構(gòu)S1的平均高度，Hm2是結(jié)構(gòu)32的平均高度、Hm3是結(jié)構(gòu)33的平均高度，Pml是結(jié)構(gòu)S1的平均布置節(jié)距、Pm2是結(jié)構(gòu)32的平均布置節(jié)距，并且Pm3是結(jié)構(gòu)33的平均布置節(jié)距。)
[0236]當(dāng)比率(Hm3/Pm3)高于1.8時(shí)，在轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)33時(shí)發(fā)生剝離失敗并且結(jié)構(gòu)33趨于損壞。
[0237]此處，以與第一實(shí)施方式中結(jié)構(gòu)32和33相同的方式測量結(jié)構(gòu)S1的平均布置節(jié)距Pml、平均高度Hml以及比率(Hml/Pml)。
[0238](第一層)
[0239]優(yōu)選第一層I形成在第一區(qū)域R1中以遵循波形表面Swl的表面形狀，從而并不阻礙結(jié)構(gòu)S1的抗反射效果，因此，波形表面Swl和第一層I的表面形狀彼此相似。這是因?yàn)橥ㄟ^抑制由第一層I的形成引起的折射指數(shù)分布變化可以保留卓越的抗反射特征和/或透射特征。
[0240]【輥母盤的配置】
[0241]圖13A是示出了用于生產(chǎn)基板2的輥母盤的一部分的放大立體圖。圖13B是示出了圖13A中所示的輥母盤的一部分的放大截面圖。根據(jù)第二實(shí)施方式的輥母盤11與第一實(shí)施方式的不同在于第一區(qū)域R1中包括波形表面Swl。
[0242]例如，通過將凹入結(jié)構(gòu)U1以等于或者小于可見光的波長的節(jié)距布置形成輥母盤11的波形表面Swl。棍母盤11的波形表面Swl具有基板2的波形表面Swl的凹凸形狀的倒置形狀。
[0243]【制造導(dǎo)電元件的方法】
[0244]根據(jù)第二實(shí)施方式制造導(dǎo)電元件的方法與第一實(shí)施方式中的方法的不同在于通過使用波形表面Swl、Sw2以及Sw3之間的差異(例如，比率(Am/λπι)的差)改變行程在第一區(qū)域R1、第二區(qū)域R2以及第三區(qū)域R3中的層壓膜4的移除速率而形成導(dǎo)電圖案部。
[0245]在第二實(shí)施方式的層壓膜移除處理中，通過對(duì)具有形成在其上的層壓膜4的基板表面執(zhí)行移除處理而從第三區(qū)域R3中移除層壓膜4，同時(shí)，層壓膜4保留在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域民中。因此，導(dǎo)電圖案部可以選擇性地形成在波形表面Swl、Sw2以及Sw3之中的波形表面Swl和Sw2上。
[0246]具體地，優(yōu)選通過使用形成在波形表面Swl、Sw2以及Sw3上的層壓膜4之間的狀態(tài)等差異，充分移除形成在波形表面Sw3上的層壓膜4，同時(shí)形成在波形表面Swl和Sw2上的層壓膜4保持連續(xù)連接。因此，導(dǎo)電圖案部可以選擇性地形成在波形表面Swl、Sw2以及Sw3之中的波形表面Swl和Sw2上。
[0247]此外，優(yōu)選通過使用形成在波形表面Swl、Sw2以及Sw3上的層壓膜4之間的狀態(tài)等差異，移除形成在波形表面Sw3上的層壓膜4以處于非連續(xù)的島嶼狀，而形成在波形表面Swl和Sw2上的層壓膜4保持連續(xù)連接。因此，導(dǎo)電圖案部可選擇性地形成在波形表面Swl、Sw2以及Sw3之中的波形表面Swl和Sw2上。
[0248]此外，優(yōu)選通過使用形成在波形表面Swl、Sw2以及Sw3上的層壓膜4之間的狀態(tài)等差異，移除形成在波形表面Sw3上的層壓膜4以具有大大小于形成在波形表面Swl和Sw2上的層壓膜4的厚度的厚度。因此，導(dǎo)電圖案部可以選擇性地形成在波形表面Swl、Sw2以及Sw3之中的波形表面Swl和Sw2上。
[0249]在第二實(shí)施方式中，因?yàn)椴ㄐ伪砻鍿wl、Sw2以及Sw3分別形成在第一區(qū)域R1、第二區(qū)域R2以及第三區(qū)域R3的全部區(qū)域上，所以可以增強(qiáng)導(dǎo)電元件I的抗反射特征。在此配置中，優(yōu)選用作導(dǎo)電圖案部的第一層I和第二層42具有分別遵循波形表面Swl和Sw2的形狀。因此，可以抑制卓越抗反射特征和/或透射特征的效果下降。
[0250]經(jīng)過調(diào)制(例如，振幅調(diào)制和/或頻率調(diào)制)的波形表面Swl、Sw2以及Sw3形成在基板表面上，并且層壓膜4形成在基板表面上，從而根據(jù)形成在基板表面上的波形表面SwU Sw2以及Sw3之間的調(diào)制差改變層壓膜4的狀態(tài)。因此，根據(jù)基板2的波形表面Swl、Sw2以及Sw3之間的調(diào)制差可以改變層壓膜4對(duì)移除溶液的溶解度。即，通過使用基板2的波形表面Swl、Sw2以及Sw3之間的調(diào)制差，所希望的導(dǎo)電圖案部可以形成在基板表面上。
[0251]在基板表面的波形表面Swl、Sw2以及Sw3分別由納米結(jié)構(gòu)3p32以及33形成的情況下，可以增強(qiáng)能見度和光學(xué)特征。在光學(xué)特征不惡化的情況下，可以實(shí)現(xiàn)期望的電阻。
[0252]<3.第三實(shí)施方式>
[0253]【導(dǎo)電元件的配置】
[0254]圖14A是示出了根據(jù)本技術(shù)的第三實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的配置實(shí)例的平面圖。圖14B是沿著圖14A中所示的線B-B截取的截面圖。圖14C是示出了圖14B中所示的第一區(qū)域的一部分的放大截面圖。圖14D是示出了圖14B中所示的第二區(qū)域的一部分的放大截面圖。在下文中，在導(dǎo)電元件I的主表面的平面上正交于彼此的兩個(gè)方向分別被稱之為X軸方向和Y軸方向，并且垂直于主表面的方向被稱之為Z軸方向。
[0255]根據(jù)第三實(shí)施方式的導(dǎo)電元件I包括基板2，基板2具有交替形成的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2 ;和層壓膜4，層壓膜4形成在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2之中的第一區(qū)域R1中。層壓膜4連續(xù)形成在第一區(qū)域R1中以形成導(dǎo)電圖案部。例如，導(dǎo)電圖案部是配線圖案部或者電極圖案部。層壓膜4是其中層壓兩個(gè)以上的層并且優(yōu)選包括至少導(dǎo)電層4a的層壓膜。
[0256]例如，導(dǎo)電元件I是印刷電路板或者圖像顯示元件。印刷電路板的實(shí)例包括剛性板、柔性板以及剛?cè)嵝园濉D像顯示元件的實(shí)例包括液晶顯示元件和場致發(fā)光(EL)元件(例如，有機(jī)EL元件或者無機(jī)EL元件)。
[0257](第一區(qū)域和第二區(qū)域)
[0258]例如，平坦表面Spl形成在第一區(qū)域R1的基板表面上，并且層壓膜4連續(xù)形成在平坦表面Spl上。另一方面，例如，波形表面Sw2形成在第二區(qū)域R2的基板表面上，并且層壓膜4不形成在波形表面Sw2上。因此，第二區(qū)域R2用作用于在相鄰第一區(qū)域R1中形成的層壓膜4之間絕緣的絕緣區(qū)域。另一方面，在第一區(qū)域R1的延伸方向上連續(xù)形成在第一區(qū)域R1上的層壓膜4具有導(dǎo)電性并且用作導(dǎo)電圖案部。例如，具有平坦表面Spl和波形表面Sw2的形狀層設(shè)置在基板2的表面上。后面將描述形狀層包括結(jié)構(gòu)3。
[0259]平坦表面Spl和波形表面Sw2優(yōu)選滿足下列關(guān)系。
[0260](Aml/ λ ml) = O, 0〈 (Am2/ λ m2) ^1.8
[0261](其中，Aml是平坦表面Spl的振動(dòng)的平均幅度，Am2是波形表面Sw2的振動(dòng)的平均幅度，λ ml是平坦表面Spl的平均波長，并且λ m2是波形表面Sw2的平均波長。)
[0262]此外，如上所述，因?yàn)槠教贡砻鍿pl可以被視為具有“O”振動(dòng)的平均幅度Aml的波形表面，所以可以定義平坦表面Spl的振動(dòng)的平均幅度AmU平均波長λπι?以及比率(Aml/λ ml) ο
[0263]當(dāng)比率(Am2/ λ m2)高于1.8時(shí)，在轉(zhuǎn)印波形表面Sw2時(shí)發(fā)生剝離失敗并且波形表面Sw2趨于損壞。
[0264]此處，如下獲得波形表面Sw2的比率(Am2/ λ m2)。首先，導(dǎo)電元件I的截面被切割成包括其中波形表面Sw2的振動(dòng)幅度為最大化的位置，并且通過透射式電子顯微鏡(TEM)對(duì)該截面進(jìn)行拍照。接著，從拍攝的TEM照片獲得波形表面Sw2的振動(dòng)的波長λ 2和幅度A2。在從導(dǎo)電元件I隨機(jī)選擇的10個(gè)點(diǎn)上重復(fù)執(zhí)行該測量，并且簡單取測量值的平均值(算數(shù)平均值)，從而獲得波形表面Sw2的平均波長λ m2和振動(dòng)的平均幅度Am2。接著，通過使用平均波長λ m2和振動(dòng)的平均幅度Am2獲得波形表面Sw2的比率(Am2/ λ m2)。
[0265]例如，波形表面Sw2是具有等于或者短于可見光波長的波長的一維或者二維波形表面，具體地，波形表面Sw2是具有以一維方式或者二維方式以等于或者短于可見光波長的布置節(jié)距布置的多個(gè)結(jié)構(gòu)3的凹凸表面。
[0266]例如，波形表面Sw2的截面的形狀在一個(gè)方向上被切割成包括其中波形表面Sw2的振動(dòng)幅度為最大化的位置，波形表面Sw2的截面的形狀是三角形波形形狀、正弦波形形狀、其中重復(fù)二次曲線或者二次曲線的一部分的波形形狀、或者近似上述形狀的形狀。二次曲線可以是圓曲線、橢圓曲線、拋物曲線等。
[0267]波形表面Sw2的平均波長λ m2優(yōu)選在等于或者長于10nm的范圍內(nèi)。當(dāng)平均波長λ m2短于10nm時(shí)，則存在波形表面Sw2的產(chǎn)生變得困難的趨勢(shì)。
[0268]此外，波形表面Sw2的平均波長λ m2優(yōu)選在等于或者短于100 μ m的范圍內(nèi)。當(dāng)平均波長λ m2長于100 μ m時(shí)，則存在在壓印和膜形成過程中可能出現(xiàn)高度差和覆蓋度等問題的趨勢(shì)，并且由此可能產(chǎn)生缺陷。
[0269]優(yōu)選層壓膜4或者其一部分作為殘留膜完全不在第二區(qū)域R2中。然而，只要第二區(qū)域R2用作絕緣區(qū)域，則層壓膜4可以作為殘留膜存在。在層壓膜4作為殘留膜存在于第二區(qū)域R2中的情況下，在第一區(qū)域R1中形成的層壓膜4和在第二區(qū)域R2中形成的殘留膜優(yōu)選滿足下列關(guān)系。
[0270]S1>S2
[0271](其中，SI是層壓膜的面積，并且S2是殘留膜的面積。)
[0272]在滿足該關(guān)系的情況下，優(yōu)選層壓膜4連續(xù)形成在第一區(qū)域R1中，而殘留膜非連續(xù)地形成在第二區(qū)域R2中呈島嶼狀等。
[0273]而且，在殘留膜存在于第二區(qū)域R2中的情況下，在第一區(qū)域R1中形成的層壓膜4和在第二區(qū)域R2中形成的殘留膜優(yōu)選滿足下列關(guān)系。
[0274]dl>d2
[0275](其中，dl是層壓膜的厚度，并且d2是殘留膜的厚度。)
[0276]在滿足該關(guān)系的情況下，優(yōu)選殘留膜的厚度小于層壓膜4的厚度，從而不能充分展示導(dǎo)電性，并且第二區(qū)域R2用作絕緣區(qū)域。
[0277]此外，如上所述，因?yàn)闅埩裟げ⒉挥米鲗?dǎo)電圖案部，所以圖14B和圖14D中省去了對(duì)殘留膜的說明。在圖14A中，示出了其中連續(xù)形成在第一區(qū)域R1中的層壓膜4的實(shí)例，即，導(dǎo)電圖案部具有直線形狀。然而，導(dǎo)電圖案部的形狀并不局限于此并且根據(jù)電路或者元件等的設(shè)計(jì)可以是期望的形狀。
[0278]在下文中，將順次描述導(dǎo)電元件I中包括的基板2、結(jié)構(gòu)3以及層壓膜4。
[0279](基板)
[0280]基板2與上述所述第一實(shí)施方式中的基板相同。
[0281](結(jié)構(gòu))
[0282]例如，波形表面Sw2是具有布置在第二區(qū)域R2上的多個(gè)結(jié)構(gòu)3的凹凸表面。例如，結(jié)構(gòu)3相對(duì)于基板2的表面具有凸起形狀。例如，結(jié)構(gòu)3獨(dú)立于基板2被模制或者與基板2 —起一體化模制。在結(jié)構(gòu)3獨(dú)立于基板2被模制的情況下(根據(jù)需要)，基礎(chǔ)層可設(shè)置在結(jié)構(gòu)3與基板2之間。結(jié)構(gòu)3的底部表面?zhèn)壬系幕A(chǔ)層是與結(jié)構(gòu)3被一體化模制的層并且通過固化與結(jié)構(gòu)3相同的能量射線固化型樹脂組合物而形成。基礎(chǔ)層的厚度不受具體限制并且可根據(jù)需要進(jìn)行適當(dāng)選擇。
[0283]結(jié)構(gòu)3的長寬比(Hm/Pm)優(yōu)選滿足下列關(guān)系。
[0284]0< (Hm/Pm) ^ 1.8
[0285](其中，Hm是結(jié)構(gòu)3的平均高度，并且Pm是結(jié)構(gòu)3的平均布置節(jié)距。)
[0286]當(dāng)比率(Hm/Pm)高于1.8時(shí)，在轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)3時(shí)發(fā)生剝離失敗并且結(jié)構(gòu)3趨于損壞。
[0287](層壓膜)
[0288]例如，層壓膜4包括形成在第一區(qū)域R1上的導(dǎo)電層4a和形成在導(dǎo)電層4a上的功能層4b。優(yōu)選層壓膜4由具有不同移除速率的材料制成，具體地，層壓膜具有不同的移除速率。例如，作為導(dǎo)電層4a，可以使用金屬層、透明導(dǎo)電層、金屬氧化物層、或者過渡金屬化合物層。然而，導(dǎo)電層4a并不局限于此。作為功能層4b的材料，優(yōu)選至少不同于導(dǎo)電層4a的材料，并且更優(yōu)選在移除處理中具有不同溶解速率的材料。
[0289]例如，作為透明導(dǎo)電層，可以使用無機(jī)透明導(dǎo)電層。無機(jī)透明導(dǎo)電層優(yōu)選包含透明氧化物半導(dǎo)體作為其主要成分。例如，作為透明氧化物半導(dǎo)體，可以使用諸如Sn02、ln02、ZnO、或者CdO等二元化合物、包含二元化合物的組成元素的Sn、In、Zn以及Cd之中至少一種元素的三元化合物、或者多元素(復(fù)合)氧化物。透明氧化物半導(dǎo)體的具體實(shí)例的實(shí)例包括氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、摻鋁氧化鋅(AZO(Al2O3-ZnO))、SZ0、摻氟氧化錫(FTO)、二氧化錫(SnO2)、摻鎵氧化鋅(GZO)以及氧化銦鋅(IZO(In2O3-ZnO))15具體地,就增強(qiáng)可靠性、減少電阻系數(shù)等方面而言，優(yōu)選氧化銦錫(ITO)。就增強(qiáng)導(dǎo)電性方面而言，無機(jī)透明導(dǎo)電層中包括的材料優(yōu)選具有不定形和多晶結(jié)構(gòu)的混合態(tài)。
[0290]例如，作為金屬層的材料，可以使用選自于由Ag、Al、Au、Pt、Pd、N1、Cr、Nb、W、Mo、Ti以及Cu組成的組中的至少一種類型。
[0291]作為功能層4b，優(yōu)選具有至少不同于導(dǎo)電層4a的溶解度或者蝕刻劑蝕刻速率的功能層，例如，也優(yōu)選其中功能層4b與諸如S12、過渡金屬化合物等金屬氧化物層形成多晶體的狀態(tài)或者具有不同結(jié)晶狀態(tài)以增強(qiáng)對(duì)抗蝕劑的抵抗力的膜。功能層4b優(yōu)選包括不定形和多晶結(jié)構(gòu)混合態(tài)的層與多晶結(jié)構(gòu)一層中的至少一種類型。此外，作為功能層4b，只要其具有不同于導(dǎo)電層4a的溶解速率，則還可以使用金屬，并且只要其不同于導(dǎo)電層4a，則可以使用包含選自于由Ag、Al、Au、Pt、Pd、N1、Cr、Nb、W、Mo、Ti以及Cu組成的組中的至少一種類型的材料。
[0292]優(yōu)選第一區(qū)域R1中的層壓膜4的表面阻抗等于或者小于5000 Ω / 口。當(dāng)表面阻抗高于5000 Ω / □時(shí)，阻抗過度增加，因此，層壓膜4通常不趨于用作電極。
[0293]【輥母盤的配置】
[0294]圖15A是示出了用于生產(chǎn)基板的輥母盤的配置實(shí)例的立體圖。圖15B是示出了圖15A中所示的輥母盤的一部分的放大立體圖。輥母盤11是用于在上述所述基板表面上模制結(jié)構(gòu)3的輥母盤。例如，輥母盤11具有柱狀形狀或者圓柱形狀，并且多個(gè)第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2交替設(shè)置在柱狀表面或者圓柱表面上。在圖15A和圖15B中，示出了其中第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2沿著圓周方向形成環(huán)狀的情況。然而，第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的形狀并不局限于此實(shí)例并且可根據(jù)導(dǎo)電圖案部的期望形狀進(jìn)行適當(dāng)?shù)剡x擇，即，第二區(qū)域中形成的層壓膜4的形狀。例如，輥母盤11的材料可使用玻璃，但并不特別局限于這種材料。
[0295]圖16A是示出了輥母盤的一部分的放大截面圖。圖16B是示出了第二區(qū)域的一部分的放大立體圖。圖16C是示出了第二區(qū)域的一部分的放大平面圖。例如，在輥母盤11的第二區(qū)域民中，以等于或者短于可見光波長的節(jié)距布置凹入部分的多個(gè)結(jié)構(gòu)12，而第一區(qū)域札不具有凹入部分的結(jié)構(gòu)12，而是形成平坦的表面形狀。
[0296]輥母盤11的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2分別對(duì)應(yīng)于基板2的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2。即，形成在輥母盤11的第一區(qū)域R1上的平坦表面Spl是用于形成在基板2的第一區(qū)域R1上的平坦表面Spl。形成在輥母盤11的第二區(qū)域R2上的波形表面Sw2是用于形成在基板2的第二區(qū)域R2上的波形表面Sw2。具體地，輥母盤11的波形表面Sw2具有如上所述基板2的表面的波形表面Sw2的凹凸形狀的倒置形狀。即，輥母盤11的結(jié)構(gòu)12具有如上所述基板2的表面的結(jié)構(gòu)3的凹凸形狀的倒置形狀。
[0297]【制造導(dǎo)電元件的方法】
[0298]在下文中，將參考圖17至圖19描述制造根據(jù)本技術(shù)的第三實(shí)施方式的導(dǎo)電元件I的方法的實(shí)例。
[0299](抗蝕劑形成處理)
[0300]首先，如圖17A所示，制備具有柱狀形狀或者圓柱形狀的輥母盤11。例如，輥母盤11是玻璃母盤。隨后，如圖17B所示，抗蝕劑層13形成在輥母盤11的表面上。例如，作為抗蝕劑層13的材料，可以使用有機(jī)抗蝕劑和無機(jī)抗蝕劑中的任一種。例如，作為有機(jī)抗蝕齊U，可以使用酚醛樹脂抗蝕劑或者化學(xué)放大抗蝕劑。而且，例如，作為無機(jī)抗蝕劑，可以使用包含一種類型或者兩種或多種類型的金屬化合物。
[0301](曝光處理)
[0302]接著，如圖17C所示，通過使用上述所述輥母盤曝光裝置，在輥母盤11旋轉(zhuǎn)的同時(shí)使用激光(曝光射束)14照射抗蝕劑層13。此時(shí)，在激光14在輥母盤11的高度方向(平行于具有柱狀形狀或者圓柱形狀的輥母盤11的中心軸的方向)上移動(dòng)時(shí)照射激光14。此處，潛像僅形成在對(duì)應(yīng)于配線圖案之間的絕緣區(qū)域的第二區(qū)域R2上以用作曝光部分，而對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電圖案部的第一區(qū)域R1不曝光以用作非曝光部分。例如，以等于或者短于可見光波長的節(jié)距形成根據(jù)激光14的路徑的潛像15。
[0303]例如，潛像15被布置成在輥母盤表面上形成多行軌跡并且形成諸如四角形潛像或者六角形潛像等二維圖案。例如，潛像15具有其中主軸方向位于軌跡延伸方向上的橢圓形狀。
[0304](顯影處理)
[0305]接著，例如，如圖18A所示，在輥母盤11旋轉(zhuǎn)的同時(shí)將顯影液滴落在抗蝕劑層13上，使得抗蝕劑層13經(jīng)過顯影處理。如示，在抗蝕劑層13由正型抗蝕劑形成的情況下，與非曝光部分的溶解速率相比較，通過激光14進(jìn)行曝光的曝光部分相對(duì)于顯影液具有增加的溶解速率。因此，對(duì)應(yīng)于潛像(曝光部分)15的圖案形成在抗蝕劑層13上。因此，具有諸如四角形潛像或者六角形潛像等預(yù)定二維圖案的開口形成在第二區(qū)域R2的抗蝕劑層13上，而開口并不形成在第一區(qū)域R1的抗蝕劑層13上，并且第一區(qū)域R1的全部保持處于覆蓋有抗蝕劑層13的狀態(tài)。S卩，僅在第二區(qū)域民中具有開口圖案的掩模形成在輥母盤表面上。
[0306](蝕刻處理)
[0307]接著，使用形成在輥母盤11上的抗蝕劑層13的圖案(抗蝕劑圖案)作為掩模，使輥母盤11的表面經(jīng)過滾壓蝕刻處理。因此，如圖18B所示，經(jīng)由開口對(duì)輥母盤表面上的第二區(qū)域R2進(jìn)行蝕刻，因此，具有其中主軸方向位于軌跡延伸方向上的橢圓錐面形狀或者切去頂端的橢圓錐面形狀的結(jié)構(gòu)(凹入部分)12形成在第二區(qū)域R2上。另一方面，因?yàn)榈谝粎^(qū)域R1的全部覆蓋有抗蝕劑層13，所以不對(duì)輥母盤表面上的第一區(qū)域R1進(jìn)行蝕刻，并且保留平坦的板狀輥母盤表面。例如，作為蝕刻方法，可以執(zhí)行干蝕刻。
[0308](轉(zhuǎn)印處理)
[0309]接著，例如，如圖18C所示，輥母盤11和諸如對(duì)其涂布轉(zhuǎn)印材料16的膜的基板2彼此緊密接觸，使用諸如紫外線等能量射線照射轉(zhuǎn)印材料16以進(jìn)行固化，之后，剝離與固化轉(zhuǎn)印材料16—體化的基板2。因此，如圖19A所示，獲得具有形成在其中的平坦表面Spl的第一區(qū)域R1和具有形成在其中的波形表面Sw2的第二區(qū)域R2的基板2。
[0310](層壓膜形成處理)
[0311]接著，如圖19B所示，通過將兩個(gè)以上的層層壓在基板表面的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2中形成層壓膜4。具體地，例如，按照此順序?qū)?dǎo)電層4a和功能層4b層壓在基板表面的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2中，從而形成層壓膜4。例如，作為形成層壓膜4的方法，可以使用諸如熱CVD、等離子體CVD、或者光學(xué)CVD等CVD方法(化學(xué)氣相沉積:使用化學(xué)反應(yīng)從氣相使薄膜沉積的技術(shù))、諸如真空沉積、等離子體輔助氣相沉積、濺射或者離子電鍍等PVD方法(物理氣相沉積:通過在真空中物理蒸發(fā)的材料的濃縮物而在基板上形成薄膜的技術(shù))。此外，在對(duì)基板2進(jìn)行加熱時(shí)可以形成層壓膜4。
[0312](退火處理)
[0313]接著，根據(jù)需要，對(duì)層壓膜4執(zhí)行退火處理。因此，例如，層壓膜4或者層壓膜4中包括的無機(jī)透明導(dǎo)電層具有不定形和多晶結(jié)構(gòu)的混合態(tài)。
[0314](層壓膜移除處理)
[0315]接著，如圖19C所示，對(duì)具有形成在其中的層壓膜4的基板表面執(zhí)行蝕刻處理。因此，當(dāng)從第二區(qū)域R2移除層壓膜4時(shí)，層壓膜4保留在第一區(qū)域R1中。具體地，例如，當(dāng)從第二區(qū)域R2移除導(dǎo)電層4a和功能層4b時(shí)，導(dǎo)電層4a和功能層4b保留在第一區(qū)域R1中。因此，當(dāng)形成在第一區(qū)域R1中的層壓膜4用作導(dǎo)電圖案部時(shí)，第二區(qū)域R2用作導(dǎo)電圖案部之間的絕緣區(qū)域。作為蝕刻處理，可以使用濕蝕刻或者干蝕刻，或者還可以使用兩者的組合。例如，作為用于濕蝕刻的抗蝕劑，可以使用硫酸、氫氯化物、硝酸以及氯化鐵中的一種或者多種類型。此外，可以使用草酸、磷酸、醋酸以及硝酸的混合酸、或者硝酸鈰銨的水溶液作為抗蝕劑。作為干蝕刻，可以使用等離子蝕刻或者反應(yīng)離子蝕刻(RIE)。
[0316]此處，移除裝置(I)從第二區(qū)域R2完全移除層壓膜4，(2)在第二區(qū)域R2不展示導(dǎo)電性的程度內(nèi)形成非連續(xù)狀態(tài)(例如，島嶼狀狀態(tài))的層壓膜4，或者(3)使層壓膜4變薄以具有第二區(qū)域R2不能展示導(dǎo)電性的厚度。
[0317]具體地，優(yōu)選通過使用形成在平坦表面Spl和波形表面Sw2上的層壓膜4之間的膜質(zhì)量、相態(tài)等的差異，充分移除形成在波形表面Sw2上的層壓膜4，而形成在平坦表面Spl上的層壓膜4保持連續(xù)連接。因此，導(dǎo)電圖案部可以選擇性地形成在平坦表面Spl與波形表面Sw2之中的平坦表面Spl上。
[0318]此外，優(yōu)選通過使用形成在平坦表面Spl和波形表面Sw2上的層壓膜4之間的膜質(zhì)量、相態(tài)等的差異，移除形成在波形表面Sw2上的層壓膜4以處于非連續(xù)的島嶼狀，而形成在平坦表面Spl上的層壓膜4保持連續(xù)連接。因此，導(dǎo)電圖案部可選擇性地形成在平坦表面Spl和波形表面Sw2之中的平坦表面Spl上。
[0319]此外，優(yōu)選通過使用形成在平坦表面Spl和波形表面Sw2上的層壓膜4之間的膜質(zhì)量、相態(tài)等的差異，使形成在波形表面Sw2上的層壓膜4變薄以具有大大小于形成在平坦表面Spl上的層壓膜4的厚度的厚度。因此，導(dǎo)電圖案部可以選擇性地形成在平坦表面Spl和波形表面Sw2之中的平坦表面Spl上。
[0320](清潔處理)
[0321]接著，根據(jù)需要，對(duì)經(jīng)過蝕刻處理的基板表面進(jìn)行清潔。
[0322]由此獲得所需的導(dǎo)電元件I。
[0323]在第三實(shí)施方式中，通過將兩個(gè)以上的層層壓在具有平坦表面Spl和波形表面Sw2的基板表面上形成層壓膜4。此外，通過使用形成在平坦表面Spl和波形表面Sw2上的層壓膜4之間的狀態(tài)等的差異，移除形成在平坦表面Spl和波形表面Sw2的波形表面之中的波形表面Sw2上的層壓膜4，而保留形成在平坦表面Spl上的層壓膜4，從而形成導(dǎo)電圖案部。因此，可以實(shí)現(xiàn)精確并且具有高生產(chǎn)能力的導(dǎo)電元件I。
[0324]〈4.第四實(shí)施方式〉
[0325]【導(dǎo)電元件的配置】
[0326]圖20A是示出了根據(jù)本技術(shù)的第四實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的配置實(shí)例的平面圖。圖20B是沿著圖20A中所示的線B-B截取的截面圖。圖20C是示出了圖20B中所示的第一區(qū)域的一部分的放大截面圖。圖20D是示出了圖20B中所示的第二區(qū)域的一部分的放大截面圖。根據(jù)第四實(shí)施方式的導(dǎo)電元件I與第三實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的不同在于通過使用在第一區(qū)域R1中形成的第一波形表面Swl與在第二區(qū)域R2中形成的第二波形表面Sw2之間的差異(例如，振動(dòng)的平均幅度差)來改變第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2中形成的層壓膜4的蝕刻速率而形成配線圖案等。
[0327](第一區(qū)域和第二區(qū)域)
[0328]第一波形表面Swl形成在第一區(qū)域R1的基板表面上，并且層壓膜4連續(xù)形成在第一波形表面Swl上。另一方面，例如，第二波形表面Sw2形成在第二區(qū)域R2的基板表面上，并且層壓膜4不形成在第二波形表面Sw2上。例如，第一波形表面Swl和第二波形表面Sw2是具有等于或者短于可見光波長的波長的波形表面。因此，第二區(qū)域R2用作用于在相鄰第一區(qū)域R1中形成的層壓膜4之間絕緣的絕緣區(qū)域。另一方面，在第一區(qū)域R1的延伸方向上連續(xù)形成在第一區(qū)域R1上的層壓膜4具有導(dǎo)電性并且用作導(dǎo)電圖案部。例如，具有第一波形表面Swl和第二波形表面Sw2的形狀層設(shè)置在基板2的表面上。如下所述，形狀層包括結(jié)構(gòu)S1和32。
[0329]波形表面Swl的平均波長λ ml和波形表面Sw2的平均波長λ m2優(yōu)選在等于或者短于100 μ m的范圍內(nèi)。當(dāng)平均波長λ ml和λ m2長于100 μ m時(shí)，則存在在壓印和膜形成過程中可能出現(xiàn)高度差和覆蓋度等問題的趨勢(shì)，并且由此可能產(chǎn)生缺陷。
[0330]優(yōu)選形成在第一區(qū)域R1中的層壓膜4以遵循第一結(jié)構(gòu)S1的表面形狀，從而并不阻礙第一結(jié)構(gòu)S1的抗反射效果，因此，第一結(jié)構(gòu)S1和層壓膜4的表面形狀彼此相似。這是因?yàn)橥ㄟ^抑制由層壓膜4的形成引起的折射指數(shù)分布的變化可以保留卓越的抗反射特征和/或透射特征。層壓膜4中包括的材料優(yōu)選具有不定形和多晶結(jié)構(gòu)的混合態(tài)。這是因?yàn)榧词乖诘谝唤Y(jié)構(gòu)S1的高度較低的情況下，也可使層壓膜4形成不阻礙第一結(jié)構(gòu)S1的抗反射效果的厚度。即，這是因?yàn)閷訅耗?可以保留遵循第一結(jié)構(gòu)S1的形狀的形狀。
[0331]優(yōu)選第二波形表面Sw2的振動(dòng)的平均幅度Am2與平均波長λ m2的比率(Am2/λ m2)高于第一波形表面Swl的振動(dòng)的平均幅度Aml與平均波長XmI的比率(Aml/λ ml)。這是因?yàn)槌鲇谏鲜鲈蚩梢詫?shí)現(xiàn)光學(xué)特征和電選擇性。具體地，比率(Aml/λπι?)和比率(Am2/ λ m2)優(yōu)選滿足下列關(guān)系。
[0332]0〈 (Aml/ λ ml) < (Am2/ λ m2)彡 1.8
[0333](其中，Aml是波形表面Swl的振動(dòng)的平均幅度，Am2是波形表面Sw2的振動(dòng)的平均幅度，λ ml是波形表面Swl的平均波長，并且λ m2是波形表面Sw2的平均波長。)
[0334]當(dāng)比率(Am2/ λ m2)高于1.8時(shí)，在轉(zhuǎn)印波形表面Sw2時(shí)發(fā)生剝離失敗并且波形表面Sw2趨于損壞。
[0335]此處，以與第三實(shí)施方式中的波形表面Sw2的相同方式測量波形表面Swl的比率(Aml/λ ml)。
[0336]可以獨(dú)立選擇波形表面Swl和Sw2的形狀、波長以及振動(dòng)幅度。具體地，例如，波形表面Swl和Sw2可獨(dú)立采用一維或者二維波形表面。而且，波形表面Swl和Sw2的波長和振動(dòng)幅度可獨(dú)立采用納米級(jí)或者微米級(jí)的波長和振動(dòng)幅度。
[0337]優(yōu)選層壓膜4的一部分作為殘留膜完全不在第二區(qū)域R2中。然而，只要第二區(qū)域R2用作絕緣區(qū)域，則層壓膜4的一部分可以作為殘留膜存在。在這種情況下，優(yōu)選形成在第一區(qū)域R1中的層壓膜4的面積大于形成在第二區(qū)域R2中的層壓膜4或者其該部分的面積。具體地，優(yōu)選層壓膜4連續(xù)形成在第一區(qū)域R1中，而層壓膜4或者其該部分非連續(xù)地形成在第二區(qū)域R2中呈島嶼狀等。而且，形成在第二區(qū)域R2中的層壓膜4或者其該部分的厚度可以小于形成在第一區(qū)域R1中的層壓膜4的厚度，從而不能充分展示導(dǎo)電性，并且第二區(qū)域R2可用作絕緣區(qū)域。
[0338](結(jié)構(gòu))
[0339]例如，第一波形表面Swl是具有以等于或者短于可見光波長的布置節(jié)距形成的多個(gè)第一結(jié)構(gòu)S1的凹凸表面。例如，第二波形表面Sw2是以等于或者短于可見光波長的布置節(jié)距形成的多個(gè)第一結(jié)構(gòu)S1的凹凸表面。優(yōu)選第一結(jié)構(gòu)S1的平均長寬比(Hml/Pml)高于第二結(jié)構(gòu)32的平均長寬比(Hm2/Pm2)。具體地，第一結(jié)構(gòu)S1和第二結(jié)構(gòu)32滿足下列關(guān)系。
[0340]0〈 (Hml/Pml) < (Hm2/Pm2)彡 1.8
[0341](其中，Hml是第一結(jié)構(gòu)S1的平均高度，Hm2是第二結(jié)構(gòu)32的平均高度，Pml是第一結(jié)構(gòu)S1的平均布置節(jié)距，并且Pm2是第二結(jié)構(gòu)32的平均布置節(jié)距。)
[0342]當(dāng)比率(Hm2/Pm2)高于1.8時(shí)，在轉(zhuǎn)印第二表面32時(shí)發(fā)生剝離失敗并且第二結(jié)構(gòu)32趨于損壞。
[0343]以與第三實(shí)施方式中的結(jié)構(gòu)3的長寬比(Hm/Pm)相同的方式測量第一結(jié)構(gòu)3:的長寬比(Hml/Pml)和第二結(jié)構(gòu)32的長寬比(Hm2/Pm2)。
[0344]第一結(jié)構(gòu)S1和第二結(jié)構(gòu)32可以與第三實(shí)施方式中的結(jié)構(gòu)3相同，但上述特征除外。此外，第一結(jié)構(gòu)S1和第二結(jié)構(gòu)32的布置圖案、形狀等不一定必須相同，并且這兩種類型的結(jié)構(gòu)可采用不同的布置圖案、形狀等。
[0345]【輥母盤的配置】
[0346]圖21A是示出了用于生產(chǎn)基板2的輥母盤的一部分的放大立體圖。圖21B是示出了圖21A中所示的輥母盤的一部分的放大截面圖。根據(jù)第四實(shí)施方式的輥母盤11與第三實(shí)施方式的不同在于在輥母盤11中，第一波形表面Swl和第二波形表面Sw2分別設(shè)置在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2中。
[0347]例如，通過將凹入的第一結(jié)構(gòu)U1以等于或者小于可見光波長的節(jié)距布置形成輥母盤11的第一波形表面Swl。例如，通過將凹入的第二結(jié)構(gòu)122以等于或者小于可見光波長的節(jié)距布置形成輥母盤11的第二波形表面Sw2。輥母盤11的第一波形表面Swl和第二波形表面Sw2分別具有基板2的第一波形表面Swl和第二波形表面Sw2的凹凸形狀的倒置形狀。
[0348]輥母盤11的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2分別對(duì)應(yīng)于基板2的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2。即，形成在輥母盤11的第一區(qū)域R1上的凹入結(jié)構(gòu)U1是用于形成在基板2的第一區(qū)域R1上形成的凸起結(jié)構(gòu)形成在輥母盤11的第二區(qū)域R2上的凹入結(jié)構(gòu)122用于形成在基板2的第二區(qū)域R2上形成的凸起結(jié)構(gòu)32。第二結(jié)構(gòu)122的長寬比優(yōu)選高于第一結(jié)構(gòu)12ι的長寬比。
[0349]【制造導(dǎo)電元件的方法】
[0350]在第四實(shí)施方式的蝕刻處理中，在具有形成在其中的層壓膜4的基板表面上執(zhí)行蝕刻處理，并且由此從第二區(qū)域R2移除層壓膜4，而層壓膜4保留在第一區(qū)域R1中。具體地，優(yōu)選通過使用形成在第一波形表面Swl和第二波形表面Sw2上的層壓膜4之間的膜質(zhì)量、相態(tài)等的差異，充分移除形成在第二波形表面Sw2上的層壓膜4，而形成在第一波形表面Swl上的層壓膜4保持連續(xù)連接。因此，導(dǎo)電圖案部可以選擇性地形成在第一波形表面Swl和第二波形表面Sw2之中的第一波形表面Swl上。
[0351]此外，優(yōu)選通過使用形成在第一波形表面Swl和第二波形表面Sw2上的層壓膜4之間的膜質(zhì)量、相態(tài)等的差異，移除形成在第二波形表面Sw2上的層壓膜4以處于非連續(xù)的島嶼狀，而形成在第一波形表面Swl上的層壓膜4保持連續(xù)連接。因此，導(dǎo)電圖案部可以選擇性地形成在第一波形表面Swl和第二波形表面Sw2之中的第一波形表面Swl上。
[0352]此外，優(yōu)選通過使用形成在第一波形表面Swl和第二波形表面Sw2上的層壓膜4之間的膜質(zhì)量、相態(tài)等的差異，使形成在第二波形表面Sw2上的層壓膜4變薄以具有大大小于形成在第一波形表面Swl上的層壓膜4的厚度的厚度。因此，導(dǎo)電圖案部可以選擇性地形成在第一波形表面Swl和第二波形表面Sw2之中的第一波形表面Swl上。
[0353]在第四實(shí)施方式中，因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)S1和32分別形成在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2上，所以可以增強(qiáng)導(dǎo)電元件I的抗反射特征。在此配置中，優(yōu)選用作導(dǎo)電圖案部的第一區(qū)域R1的層壓膜4具有遵循形成在第一區(qū)域R1中的結(jié)構(gòu)S1的形狀的形狀。因此，可以抑制卓越的抗反射特征和/或透射特征的效果下降。
[0354]經(jīng)過調(diào)制(例如，振幅調(diào)制和/或頻率調(diào)制)的波形表面形成在基板表面上，并且層壓板4形成在基板表面上，從而根據(jù)基板2的波形表面之間的調(diào)制差改變層壓膜4的狀態(tài)。因此，根據(jù)基板2的波形表面之間的調(diào)制差可以改變層壓膜4對(duì)抗蝕劑的溶解度。SP，通過使用基板2的波形表面之間的調(diào)制差，所期望的導(dǎo)電圖案部可以形成在基板表面上。
[0355]在基板表面的波形表面形成納米結(jié)構(gòu)的情況下，可以增強(qiáng)能見度和光學(xué)特征。在不使光學(xué)特征惡化的情況下，可以實(shí)現(xiàn)所期望的電阻。
[0356]在其中由導(dǎo)電層制成的配線形成在基板表面上的現(xiàn)有信息輸入設(shè)備(例如，數(shù)字電阻式觸摸面板或者電容式觸摸面板)中，導(dǎo)電層和基礎(chǔ)材料具有不同的反射率，因此，配線是可見的并且顯示質(zhì)量趨于惡化。與此相比較，在根據(jù)本技術(shù)的實(shí)施方式的信息輸入設(shè)備中，無論層壓膜4是否存在，都可以實(shí)現(xiàn)低反射率和高透射率。因此，可以抑制配線可見。
[0357]<5.第五實(shí)施方式>
[0358]【導(dǎo)電光學(xué)元件的配置】
[0359]圖22A是示出了根據(jù)本技術(shù)的第五實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的配置實(shí)例的平面圖。圖22B是示出了根據(jù)本技術(shù)的第五實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的配置實(shí)例的截面圖。圖22C是示出了根據(jù)本技術(shù)的第五實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的第一區(qū)域的層配置的截面圖。在下文中，在導(dǎo)電元件I的電路形成表面的平面上正交于彼此的兩個(gè)方向分別被稱為X軸方向和Y軸方向，并且垂直于電路形成表面的方向被稱為Z軸方向。
[0360]根據(jù)第五實(shí)施方式的導(dǎo)電元件I包括具有交替形成的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的基板2，并且連續(xù)形成的導(dǎo)電層4m在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2之中的第一區(qū)域R1中形成配線圖案部(導(dǎo)電圖案部)。例如，導(dǎo)電層4m是具有導(dǎo)電性的單層膜。此處，描述了其中配線圖案部形成在作為導(dǎo)電圖案部的實(shí)例的第一區(qū)域R1中的情況。然而，導(dǎo)電圖案部并不局限于配線圖案部并且可具有導(dǎo)電性的各種圖案，例如，可以形成為電極圖案部。
[0361]如圖22C所不,就減少表面阻抗方面而言,優(yōu)選鄰近于導(dǎo)電層4m形成的金屬層5進(jìn)一步形成在第一區(qū)域&的基板表面上。例如，導(dǎo)電元件I是印刷電路板、圖像顯示元件、或者輸入元件。印刷電路板的實(shí)例包括剛性板、柔性板以及剛?cè)嵝园濉D像顯示元件的實(shí)例包括液晶顯示元件和場致發(fā)光(EL)元件(例如,有機(jī)EL元件或者無機(jī)EL元件)。
[0362](第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2)
[0363]例如，具有等于或者短于可見光波長的波長的波形表面Sw2形成在第二區(qū)域R2的基板表面上，并且導(dǎo)電層4m不形成在波形表面Sw2上或者導(dǎo)電層4m非連續(xù)地形成在波形表面Sw2上。例如，波形表面Sw2是具有以等于或者短于可見光波長的布置節(jié)距形成的多個(gè)結(jié)構(gòu)3的凹凸表面。另一方面，例如，平坦表面Spl形成在第一區(qū)域Rl的基板表面上，并且導(dǎo)電層4m連續(xù)形成在平坦表面Spl上。因此，第二區(qū)域R2用作用于形成在相鄰第一區(qū)域札中的導(dǎo)電層4m之間絕緣的絕緣區(qū)域。另一方面，在第一區(qū)域Rl的延伸方向上連續(xù)形成在第一區(qū)域R1上的導(dǎo)電層4m具有導(dǎo)電性并且用作配線圖案部(導(dǎo)電圖案部)。
[0364]平坦表面Spl和波形表面Sw2優(yōu)選滿足下列關(guān)系。
[0365](Aml/ λ ml) = O, 0〈 (Am2/ λ m2) ^1.8
[0366](其中，Aml是平坦表面Spl的振動(dòng)的平均幅度，Am2是波形表面Sw2的振動(dòng)的平均幅度，λ ml是平坦表面Spl的平均波長，并且λ m2是波形表面Sw2的平均波長。)
[0367]此外，如上所述，因?yàn)槠教贡砻鍿pl可以被視為具有“O”振動(dòng)的平均幅度Aml的波形表面，所以可以定義平坦表面Spl的振動(dòng)的平均幅度AmU平均波長λπι?以及比率(Aml/λ ml) ο
[0368]當(dāng)比率(Am2/ λ m2)高于1.8時(shí)，在轉(zhuǎn)印波形表面Sw2時(shí)發(fā)生剝離失敗并且波形表面Sw2趨于損壞。
[0369]例如，波形表面Sw2是具有等于或者短于可見光波長的波長的一維或者二維波形表面，具體地，波形表面Sw2是具有以一維方式或者二維方式以等于或者短于可見光波長的布置節(jié)距布置的多個(gè)結(jié)構(gòu)3的凹凸表面。
[0370]波形表面Sw2的平均波長λ m2優(yōu)選在等于或者長于10nm的范圍內(nèi)。當(dāng)平均波長λ m2短于10nm時(shí)，則存在波形表面Sw2的產(chǎn)生變得困難的趨勢(shì)。
[0371]此外，波形表面Sw2的平均波長λ m2優(yōu)選在等于或者短于100 μ m的范圍內(nèi)。當(dāng)平均波長λ m2長于100 μ m時(shí)，則存在在壓印和膜形成過程中可能出現(xiàn)高度差和覆蓋度等問題的趨勢(shì)，并且由此可能產(chǎn)生缺陷。
[0372]優(yōu)選導(dǎo)電層4m完全不在第二區(qū)域R2中。然而，只要第二區(qū)域R2用作絕緣區(qū)域，則導(dǎo)電層4m可以存在。在這種情況下，優(yōu)選形成在第一區(qū)域R1中的導(dǎo)電層4m的面積大于形成在第二區(qū)域民中的導(dǎo)電層4m的面積。具體地，優(yōu)選導(dǎo)電層4m連續(xù)形成在第一區(qū)域R1中，而導(dǎo)電層4m非連續(xù)地形成在第二區(qū)域R2中呈島嶼狀等。而且，形成在第二區(qū)域R2中的導(dǎo)電層4m的厚度可小于形成在第一區(qū)域R1中的導(dǎo)電層4m的厚度，從而不能充分展示導(dǎo)電性，并且第二區(qū)域R2可用作絕緣區(qū)域。
[0373]更具體地，優(yōu)選導(dǎo)電層4m或者其一部分作為殘留膜完全不在第二區(qū)域民中。然而，只要第二區(qū)域R2用作絕緣區(qū)域，則導(dǎo)電層4m可以作為殘留膜存在。在導(dǎo)電層4m作為殘留膜存在于第二區(qū)域R2中的情況下，形成在第一區(qū)域R1中的導(dǎo)電層4m和形成在第二區(qū)域民中的殘留膜優(yōu)選滿足下列關(guān)系。
[0374]S1>S2
[0375](其中，SI是導(dǎo)電層的面積，并且S2是殘留膜的面積。)
[0376]在滿足該關(guān)系的情況下，優(yōu)選導(dǎo)電層4m連續(xù)形成在第一區(qū)域R1中，而殘留膜非連續(xù)地形成在第二區(qū)域R2中呈島嶼狀等。
[0377]而且，在殘留膜存在于第二區(qū)域R2中的情況下，形成在第一區(qū)域R1中的導(dǎo)電層4m和形成在第二區(qū)域R2中的殘留膜優(yōu)選滿足下列關(guān)系。
[0378]dl>d2
[0379](其中，dl是導(dǎo)電層的厚度，并且d2是殘留膜的厚度。)
[0380]在滿足該關(guān)系的情況下，優(yōu)選殘留膜的厚度小于導(dǎo)電層4m的厚度，從而不能充分展示導(dǎo)電性，并且第二區(qū)域R2用作絕緣區(qū)域。
[0381]在圖22A中，示出了其中導(dǎo)電層4m連續(xù)形成在第一區(qū)域R1中的實(shí)例，即，配線具有直線形狀。然而，配線形狀并不局限于此并且根據(jù)電路設(shè)計(jì)等可以是所期望的形狀。而且，在導(dǎo)電層4m非連續(xù)地形成在第二區(qū)域R2中的情況下，導(dǎo)電層4m并不用作配線。因此，省去了對(duì)導(dǎo)電層4m的說明。S卩，省去了對(duì)殘留膜的說明。
[0382]例如，波形表面Sw2的截面的形狀在一個(gè)方向上被切割成包括其中波形表面Sw2的振動(dòng)幅度為最大化的位置，波形表面Sw2的截面的形狀是三角形波形形狀、正弦波形形狀、其中重復(fù)二次曲線或者二次曲線的一部分的波形形狀、或者近似上述形狀的形狀。二次曲線可以是圓曲線、橢圓曲線、拋物曲線等。
[0383]優(yōu)選波形表面Sw2的振動(dòng)的平均幅度Am2與平均波長λ m2的比率(Am2/ λ m2)等于或者小于1.8。當(dāng)比率(Am2/Xm2)高于1.8時(shí)，在轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)時(shí)發(fā)生剝離失敗并且結(jié)構(gòu)趨于損壞。
[0384]此處，如下獲得波形表面Sw2的平均波長λ m2和振動(dòng)的平均幅度Am2。首先，導(dǎo)電元件I在一個(gè)方向上被切割成包括其中導(dǎo)電層4m的波形表面Sw2的振動(dòng)幅度為最大化的位置，并且通過透射式電子顯微鏡(TEM)對(duì)切割表面進(jìn)行拍照。接著，從所拍攝的TEM照片獲得波形表面Sw2的振動(dòng)的波長λ 2和幅度Α2。在從導(dǎo)電元件I隨機(jī)選擇的10個(gè)點(diǎn)上重復(fù)執(zhí)行該測量，并且簡單取測量值的平均值(算數(shù)平均值)，從而獲得波形表面Sw2的平均波長λ m2和振動(dòng)的平均幅度Am2。接著，通過使用平均波長λ m2和振動(dòng)的平均幅度Am2獲得波形表面Sw2的比率(Am2/ λ m2)。
[0385]在下文中，將順次描述導(dǎo)電元件I中包括的基板2、結(jié)構(gòu)3、導(dǎo)電層4m以及金屬層5。
[0386](基板)
[0387]基板2與上述所述第一實(shí)施方式中的基板相同。
[0388](結(jié)構(gòu))
[0389]例如，多個(gè)結(jié)構(gòu)3作為凸起部布置在第二區(qū)域R2中的基板2的表面上。因此，波形表面Sw2形成在第二區(qū)域R2中的基板2的表面上。例如，結(jié)構(gòu)3獨(dú)立于基板2被模制或者與基板2 —體化模制。在結(jié)構(gòu)3獨(dú)立于基板2被模制的情況下，根據(jù)需要，基礎(chǔ)層可以設(shè)置在結(jié)構(gòu)3與基板2之間?；A(chǔ)層是在結(jié)構(gòu)3的底部表面?zhèn)壬系呐c結(jié)構(gòu)3 —體化模制的層，并且通過將相同的能量射線固化型樹脂組合物固化成結(jié)構(gòu)3而形成。基礎(chǔ)層的厚度不受具體限制并且可根據(jù)需要進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪x擇。
[0390]結(jié)構(gòu)3的長寬比(Hm/Pm)優(yōu)選滿足下列關(guān)系。
[0391]0< (Hm/Pm) ^ 1.8
[0392](其中，Hm是結(jié)構(gòu)3的平均高度，并且Pm是結(jié)構(gòu)3的平均布置節(jié)距。)
[0393]當(dāng)比率(Hm/Pm)高于1.8時(shí)，在轉(zhuǎn)印結(jié)構(gòu)3時(shí)發(fā)生剝離失敗并且結(jié)構(gòu)3趨于損壞。
[0394](導(dǎo)電層)
[0395]例如，導(dǎo)電層4m是透明導(dǎo)電層。例如，透明導(dǎo)電層是無機(jī)透明導(dǎo)電膜。例如，導(dǎo)電層4m是單層膜。
[0396]無機(jī)透明導(dǎo)電膜優(yōu)選包含透明氧化物半導(dǎo)體作為其主要成分。例如，作為透明氧化物半導(dǎo)體，可以使用諸如Sn02、InO2, ZnO、或者CdO等二元化合物、包含二元化合物的組成元素的Sn、In、Zn以及Cd之中的至少一種元素的三元化合物、或者多元素(復(fù)合)氧化物。透明氧化物半導(dǎo)體的具體實(shí)例的實(shí)例包括氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、摻鋁氧化鋅(AZO(Al2O3-ZnO))、SZ0、摻氟氧化錫(FTO)、二氧化錫(SnO2)、摻鎵氧化鋅(GZO)以及氧化銦鋅(IZO(In2O3-ZnO))。具體地，就增強(qiáng)可靠性、減少電阻系數(shù)等方面而言，優(yōu)選氧化銦錫(ITO)。無就增強(qiáng)導(dǎo)電性方面而言，機(jī)透明導(dǎo)電膜中包括的材料優(yōu)選具有不定形和多晶結(jié)構(gòu)的混合態(tài)。
[0397]作為導(dǎo)電層4m中包括的材料可以包括金屬膜。例如，作為金屬膜的材料，可以使用選自于由Ag、Al、Au、Pt、Pd、N1、Cr、Nb、W、Mo、Ti以及Cu組成的組中的至少一種類型。而且，導(dǎo)電層4m可包含選自于由導(dǎo)電聚合物、金屬納米顆粒以及碳納米管組成的組中的至少一種類型作為其主要成分。
[0398]優(yōu)選第一區(qū)域R1中的導(dǎo)電層4m的表面阻抗等于或者小于5000 Ω / 口。當(dāng)表面阻抗高于5000 Ω / □時(shí)，阻抗過度增加，因此，導(dǎo)電層4m趨于不用作電極。
[0399]<6.第六實(shí)施方式>
[0400]【導(dǎo)電元件的配置】
[0401]圖23A是示出了根據(jù)本技術(shù)的第六實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的配置實(shí)例的平面圖。圖23B是示出了根據(jù)本技術(shù)的第六實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的配置實(shí)例的截面圖。圖23C是示出了根據(jù)本技術(shù)的第六實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的第一區(qū)域的層配置的截面圖。根據(jù)第六實(shí)施方式的導(dǎo)電元件I與第五實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的不同在于通過使用形成在第一區(qū)域R1中的第一波形表面Swl與形成在第二區(qū)域R2中的第二波形表面Sw2之間的差異(例如，振動(dòng)的平均幅度之間的差)來改變形成在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2中的導(dǎo)電層4m的蝕刻速率而形成配線圖案部等。
[0402](第一區(qū)域和第二區(qū)域)
[0403]例如，具有等于或者短于可見光波長的波長的第二波形表面Sw2形成在第二區(qū)域R2的基板表面上，并且導(dǎo)電層4m不形成在第二波形表面Sw2上或者導(dǎo)電層4m非連續(xù)地形成在第二波形表面Sw2上。形成在第二區(qū)域R2中的導(dǎo)電層4m的厚度可小于形成在第一區(qū)域札中的導(dǎo)電層4m的厚度，從而不能充分展示導(dǎo)電性，并且第二區(qū)域R2可用作絕緣區(qū)域。例如，具有等于或者短于可見光波長的波長的第一波形表面Swl形成在第一區(qū)域R1的基板表面上，并且導(dǎo)電層4m連續(xù)形成在第二波形表面Swl上。因此，第二區(qū)域R2用作用于形成在相鄰第一區(qū)域R1中的導(dǎo)電層4m之間絕緣的絕緣區(qū)域。另一方面，在第一區(qū)域R1的延伸方向上連續(xù)形成在第一區(qū)域R1上的導(dǎo)電層4m具有導(dǎo)電性并且用作配線圖案部(導(dǎo)電圖案部)。
[0404]例如，第一波形表面Swl是具有以等于或者短于可見光波長的布置節(jié)距形成的多個(gè)第一結(jié)構(gòu)31的凹凸表面。例如，第二波形表面Sw2是具有以等于或者短于可見光波長的布置節(jié)距形成的多個(gè)第二結(jié)構(gòu)32的凹凸表面。此外，如圖23C所示，就減少表面阻抗方面而言，優(yōu)選金屬層5進(jìn)一步形成在基板表面上。
[0405]優(yōu)選導(dǎo)電層4m形成在第一區(qū)域R1中以遵循第一結(jié)構(gòu)S1的表面形狀，從而并不阻礙第一結(jié)構(gòu)S1的抗反射效果，因此，第一結(jié)構(gòu)S1和導(dǎo)電層4m的表面形狀彼此相似。這是因?yàn)橥ㄟ^抑制由導(dǎo)電層4m引起的折射指數(shù)分布的變化可以保留卓越的抗反射特征和/或透射特征。導(dǎo)電層4m中包括的材料優(yōu)選具有不定形和多晶結(jié)構(gòu)的混合態(tài)。這是因?yàn)榧词乖诘谝唤Y(jié)構(gòu)S1的高度較低的情況下，也可以使導(dǎo)電層4m形成并不阻礙第一結(jié)構(gòu)S1的抗反射效果的厚度。即，這是因?yàn)榧词乖诘谝唤Y(jié)構(gòu)S1的高度較低的情況下，導(dǎo)電層4m也可以保留遵循第一結(jié)構(gòu)S1的形狀的形狀。
[0406]優(yōu)選第二波形表面Sw2的振動(dòng)的平均幅度Am2與平均波長λ m2的比率(Am2/λ m2)高于第一波形表面Swl的振動(dòng)的平均幅度Aml與平均波長XmI的比率(Aml/λ ml)。這是因?yàn)槌鲇谏鲜鲈蚩梢詫?shí)現(xiàn)光學(xué)特征和電選擇性。優(yōu)選第二波形表面Sw2的振動(dòng)的平均幅度Am2與平均波長λ m2的比率(Am2/ λ m2)等于或者小于1.8。當(dāng)比率(Am2/ λ m2)高于1.8時(shí)，在轉(zhuǎn)印第二結(jié)構(gòu)32時(shí)發(fā)生剝離失敗并且第二結(jié)構(gòu)32趨于損壞。優(yōu)選第二波形表面的振動(dòng)的平均幅度Am2高于第一波形表面的振動(dòng)的平均幅度Ami。
[0407]此外，第一波形表面Swl的平均波長λ ml和波形表面Sw2的平均波長λ m2優(yōu)選等于或者長于lOOnm。當(dāng)平均波長λ ml和λ m2短于10nm時(shí),則存在波形表面Sw2的產(chǎn)生變得困難的趨勢(shì)。第一波形表面Swl的平均波長λ ml和波形表面Sw2的平均波長λ m2優(yōu)選在等于或者短于100 μ m的范圍內(nèi)。當(dāng)平均波長λ ml和λ m2長于100 μ m時(shí)，則存在在壓印和膜形成過程中可能產(chǎn)生高度差和覆蓋度等問題的趨勢(shì)，并且由此可能產(chǎn)生缺陷。
[0408]第二結(jié)構(gòu)32的平均長寬比優(yōu)選高于第一結(jié)構(gòu)S1的平均長寬比。優(yōu)選第一結(jié)構(gòu)3工的平均布置節(jié)距Pml、平均高度Hml以及平均長寬比(Hml/Pml)分別與第一波形表面Swl的平均波長λ ml、振動(dòng)的平均幅度AmU比率(Aml/λ ml)相同。優(yōu)選第二結(jié)構(gòu)32的平均布置節(jié)距Pm2、平均高度Hm2以及平均長寬比(Hm2/Pm2)分別與第二波形表面Sw2的平均波長λ m2、振動(dòng)的平均幅度Am2以及比率(Am2/λ m2)相同。
[0409]具體地，優(yōu)選第二波形表面Sw2的振動(dòng)的平均幅度Am2與平均波長λ m2的比率(Am2/ λ m2)高于第一波形表面Swl的振動(dòng)的平均幅度Aml與平均波長XmI的比率(Aml/Ami)。這是因?yàn)槌鲇谏鲜鲈蚩梢詫?shí)現(xiàn)光學(xué)特征和電選擇性。具體地，比率(Ami/Ami)和比率(Am2/Am2)優(yōu)選滿足下列關(guān)系。
[0410]0〈 (Aml/ λ ml) < (Am2/ λ m2) ^1.8
[0411](其中，Aml是波形表面Swl的振動(dòng)的平均幅度，Am2是波形表面Sw2的振動(dòng)的平均幅度，λ ml是波形表面Swl的平均波長，并且λ m2是波形表面Sw2的平均波長。)
[0412]當(dāng)比率(Am2/Am2)高于1.8時(shí)，在轉(zhuǎn)印波形表面Sw2時(shí)發(fā)生剝離失敗并且波形表面Sw2趨于損壞。
[0413]此處，以與第一實(shí)施方式中的波形表面Sw2相同的方式測量波形表面Swl的比率(Aml/λ ml)。
[0414]可以獨(dú)立選擇波形表面Swl和Sw2的形狀、波長以及振動(dòng)幅度。具體地，例如，波形表面Swl和Sw2可獨(dú)立采用一維或者二維波形表面。而且，波形表面Swl和Sw2的波長和振動(dòng)幅度可獨(dú)立采用納米級(jí)或者微米級(jí)的波長和振動(dòng)幅度。
[0415]優(yōu)選導(dǎo)電層4m的一部分作為殘留膜完全不在第二區(qū)域R2中。然而，只要第二區(qū)域R2用作絕緣區(qū)域，則導(dǎo)電層4m的該部分可以作為殘留膜存在。在這種情況下，優(yōu)選形成在第一區(qū)域R1中的導(dǎo)電層4m的面積大于形成在第二區(qū)域R2中的導(dǎo)電層4m或者其該部分的面積。具體地，優(yōu)選導(dǎo)電層4m連續(xù)形成在第一區(qū)域R1中，而導(dǎo)電層4m或者其該部分非連續(xù)地形成在第二區(qū)域R2中呈島嶼狀等。而且，形成在第二區(qū)域R2中的導(dǎo)電層4m或者其該部分的厚度可小于形成在第一區(qū)域R1中的導(dǎo)電層4m的厚度，從而不能充分展示導(dǎo)電性，并且第二區(qū)域R2可用作絕緣區(qū)域。
[0416](結(jié)構(gòu))
[0417]例如，如同形成在第二區(qū)域R2中的第二結(jié)構(gòu)32，形成在第一區(qū)域R1中的第一結(jié)構(gòu)形成諸如六角形晶格圖案、準(zhǔn)六角形晶格圖案、四角形晶格圖案、或者準(zhǔn)四角形晶格圖案等規(guī)則的晶格圖案。此外，如上所述，第一結(jié)構(gòu)31可以隨機(jī)布置。此外，第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2中的第一結(jié)構(gòu)S1和第二結(jié)構(gòu)32的布置圖案不一定相同并且兩個(gè)區(qū)域中的結(jié)構(gòu)可采用不同的布置圖案。
[0418]例如，第一波形表面Swl是具有以等于或者短于可見光波長的布置節(jié)距形成的多個(gè)第一結(jié)構(gòu)S1的凹凸表面。例如，第二波形表面Sw2是具有以等于或者短于可見光波長的布置節(jié)距形成的多個(gè)第二結(jié)構(gòu)32的凹凸表面。優(yōu)選第二結(jié)構(gòu)32的平均長寬比(Hm2/Pm2)高于第一結(jié)構(gòu)S1的平均長寬比(Hml/Pml)。具體地，第一結(jié)構(gòu)S1和第二結(jié)構(gòu)32優(yōu)選滿足下列關(guān)系。
[0419]0〈 (Hml/Pml) < (Hm2/Pm2)彡 1.8
[0420](其中，Hml是第一結(jié)構(gòu)S1的平均高度，Hm2是第二結(jié)構(gòu)32的平均高度，Pml是第一結(jié)構(gòu)S1的平均布置節(jié)距，并且Pm2是第二結(jié)構(gòu)32的平均布置節(jié)距。)
[0421]當(dāng)比率(Hm2/Pm2)高于1.8時(shí)，在轉(zhuǎn)印第二結(jié)構(gòu)32時(shí)發(fā)生剝離失敗并且第二結(jié)構(gòu)32趨于損壞。
[0422]此處，以與第一實(shí)施方式中的長寬比(Hm/Pm)相同的方式測量第一結(jié)構(gòu)S1的長寬比(Hml/Pml)和第二結(jié)構(gòu)32的長寬比(Hm2/Pm2)。
[0423]第一結(jié)構(gòu)S1和第二結(jié)構(gòu)32可以與第五實(shí)施方式中的結(jié)構(gòu)3相同，但上述特征除夕卜。此外，第一結(jié)構(gòu)S1和第二結(jié)構(gòu)32的布置圖案、形狀等可能不一定相同并且這兩種類型的結(jié)構(gòu)可采用不同的布置圖案、形狀等。
[0424]<7.第七實(shí)施方式>
[0425]【導(dǎo)電元件的配置】
[0426]圖24A是示出了根據(jù)本技術(shù)的第七實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的配置實(shí)例的平面圖。圖24B是示出了圖24A中所示的導(dǎo)電元件的一部分的放大截面圖。如圖24B所示,導(dǎo)電元件10包括基板2 ;形狀層6，形狀層6具有設(shè)置在基板2的表面上的平坦表面Spl、波形表面Sw2以及波形表面Sw3 ;第一層41;第一層I設(shè)置在平坦表面Spl上；以及第二層42，第二層42設(shè)置在波形表面Sw2上。在下文中，其中形成形狀層6的第一表面被適當(dāng)?shù)胤Q為前表面，并且其對(duì)側(cè)上的第二表面被適當(dāng)?shù)胤Q為后表面。
[0427]導(dǎo)電元件10具有帶狀形狀并且卷繞成輥形狀以用作母盤。導(dǎo)電元件10優(yōu)選具有柔性。這是因?yàn)橛捎趲顚?dǎo)電元件被輥壓成輥形狀以用作母盤，所以出于此原因增強(qiáng)可運(yùn)輸性和可操縱性。帶狀導(dǎo)電元件10具有重復(fù)設(shè)置的多個(gè)導(dǎo)電元件1，并且通過對(duì)帶狀導(dǎo)電元件10的預(yù)定區(qū)段進(jìn)行沖壓，獲得多個(gè)導(dǎo)電元件I。例如，導(dǎo)電元件I是諸如印刷電路板等配線元件并且適當(dāng)?shù)赜糜诟鞣N類型的電子設(shè)備中。
[0428]例如，如圖24A所示，導(dǎo)電元件10具有一個(gè)或者多個(gè)周期的轉(zhuǎn)印區(qū)域(單元區(qū)域)Teo此處，一個(gè)周期的轉(zhuǎn)印區(qū)域Te是通過將后面所描述的輥母盤旋轉(zhuǎn)一周而轉(zhuǎn)印的一個(gè)區(qū)域。即，一個(gè)周期的轉(zhuǎn)印區(qū)域Te的長度對(duì)應(yīng)于輥母盤的圓周表面的長度。在相鄰兩個(gè)轉(zhuǎn)印區(qū)域Te之間的邊界部分中，優(yōu)選形狀層6的凹凸形狀之間不存在不一致并且兩個(gè)轉(zhuǎn)印區(qū)域Te無縫連接。這是因?yàn)槌鲇谏鲜鲈颢@得具有卓越特征和外觀的導(dǎo)電元件10。此處，不一致指諸如結(jié)構(gòu)32和結(jié)構(gòu)33的凹凸形狀等實(shí)際配置是不連續(xù)的。不一致的具體實(shí)例的實(shí)例包括轉(zhuǎn)印區(qū)域Te中包括的預(yù)定凹凸圖案的周期紊亂以及相鄰單元區(qū)域之間的重疊、間隙以及未轉(zhuǎn)印部。
[0429](基板)
[0430]基板2的材料不受具體限制并且可以進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪x擇。例如，也可以使用塑料材料、玻璃材料、金屬材料以及金屬化合物材料(例如，陶瓷、磁體以及半導(dǎo)體)。塑料材料的實(shí)例包括三乙酰纖維素、聚乙烯醇、環(huán)烯烴聚合物、環(huán)烯烴共聚物、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、甲基丙烯酸樹脂、尼龍、聚縮醛、氟樹脂、酚醛樹脂、聚亞安酯、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、密胺樹脂、聚醚醚酮、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚芳酯、聚醚酰亞胺、聚酰胺亞胺以及甲基丙烯酸甲酯(共)聚物。玻璃材料的實(shí)例包括鈉鈣玻璃、鉛玻璃、硬玻璃、石英玻璃以及液晶玻璃。金屬材料和金屬化合物材料的實(shí)例包括硅、氧化硅、藍(lán)寶石、氟化鈣、氟化鎂、氟化鋇、氟化鋰、硒化鋅以及溴化鉀。
[0431]例如，基板2的形狀可采用片形狀、板形狀、或者塊形狀，但不特別局限于這些形狀。此處，定義片形狀包括膜形狀。優(yōu)選基板2具有作為整體的帶狀形狀并且轉(zhuǎn)印區(qū)域Te作為單元區(qū)域連續(xù)形成在基板2的長度方向上。例如，作為基板2的前表面和后表面的形狀，可以使用平坦表面和彎曲表面中的任一種。前表面和后表面均可以是平坦表面或者彎曲表面，或者前表面和后表面中的一個(gè)可以是平坦表面并且另一個(gè)可以是彎曲表面。
[0432]基板2對(duì)能量射線具有不可透過性以用于固化形成形狀層6的能量射線固化型樹脂組合物。在本說明書中，能量射線指用于固化形成形狀層6的能量射線固化型樹脂組合物的能量射線。例如，通過印刷、涂覆、真空膜形成等，裝飾層或者功能層可以形成在基板2的表面上。
[0433]基板2具有單層結(jié)構(gòu)或者層壓結(jié)構(gòu)。此處，層壓結(jié)構(gòu)是其中層壓兩個(gè)以上的層的層壓結(jié)構(gòu)，并且層壓結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)層是對(duì)能量射線具有不可透過性的非透射層。形狀層壓結(jié)構(gòu)的方法的實(shí)例包括一種通過熔融、表面處理等而直接使各個(gè)層粘合的方法和一種經(jīng)由諸如粘附層或者粘層等粘合層使各個(gè)層粘合的方法。然而，該方法不受具體的限制。粘合層可包含諸如吸收能量射線的顏料等材料。此外，在基板2具有層壓結(jié)構(gòu)的情況下，可以將對(duì)能量射線具有不可透過性的非透射層和對(duì)能量射線具有可透過性的透射層進(jìn)行組合。而且，在基板2包括兩個(gè)或者多個(gè)非透射層的情況下，各層具有不同的吸收性能。
[0434]例如，作為透射層的材料，可以使用諸如丙烯酸樹脂涂覆材料等透明有機(jī)膜、透明金屬膜、無機(jī)膜、金屬化合物膜、或者其層壓體。然而，該材料不受具體限制。例如，作為非透射層的材料，可以使用諸如包含顏料的丙烯酸樹脂涂覆材料的有機(jī)膜、金屬膜、金屬化合物膜、或者其層壓體。然而，該材料不受具體限制。例如，作為顏料，可以使用諸如碳黑的具有光吸收性能的材料。
[0435]圖25A至圖25E是分別示出了基板的第一實(shí)例至第五實(shí)例的截面圖。
[0436](第一實(shí)例)
[0437]如圖25A所示，基板2具有單層結(jié)構(gòu)，并且整個(gè)基板是對(duì)能量射線具有不可透過性的非透射層。
[0438](第二實(shí)例)
[0439]如圖25B所示，基板2具有雙層結(jié)構(gòu)并且包括對(duì)能量射線具有不可透過性的非透射層2a和對(duì)能量射線具有可透過性的透射層2b。非透射層2a設(shè)置在后表面?zhèn)壬?，并且透射?b設(shè)置在前表面?zhèn)壬稀?br> [0440](第三實(shí)例)
[0441]如圖25C所示，基板2具有雙層結(jié)構(gòu)并且包括對(duì)能量射線具有不可透過性的非透射層2a和對(duì)能量射線具有可透過性的透射層2b。非透射層2a設(shè)置在前表面?zhèn)壬?，并且透射?b設(shè)置在后表面?zhèn)壬稀?br> [0442](第四實(shí)例)
[0443]如圖2?所示，基板2具有三層結(jié)構(gòu)，并且包括對(duì)能量射線具有可透過性的透射層2b和形成在透射層2b的兩個(gè)主表面上并且對(duì)能量射線具有不可透過性的非透射層2a，2a。一個(gè)非透射層2a設(shè)置在后表面?zhèn)壬?，并且另一個(gè)非透射層2a設(shè)置在前表面?zhèn)壬稀?br> [0444](第五實(shí)例)
[0445]如圖25E所示，基板2具有三層結(jié)構(gòu)，并且包括對(duì)能量射線具有不可透過性的非透射層2a和形成在非透射層2a的兩個(gè)主表面上并且對(duì)能量射線具有可透過性的透射層2b, 2b。一個(gè)透射層2b設(shè)置在后表面?zhèn)壬?，并且另一個(gè)透射層2b設(shè)置在前表面?zhèn)壬稀?br> [0446](形狀層)
[0447]形狀層6具有這樣一種表面，S卩，具有預(yù)定凹凸圖案的轉(zhuǎn)印區(qū)域Te連續(xù)形成在這種表面上。例如，形狀層6是其中多個(gè)結(jié)構(gòu)32和結(jié)構(gòu)33以二維方式布置在其中的層(根據(jù)需要)并且可包括介于結(jié)構(gòu)32和33與基板2之間的基礎(chǔ)層8?；A(chǔ)層8是在結(jié)構(gòu)32和33的底部表面?zhèn)壬吓c結(jié)構(gòu)32和33被一體化模制的層并且通過固化與結(jié)構(gòu)32和33的相同能量射線固化型樹脂組合物而形成?；A(chǔ)層8的厚度不受具體限制并且可根據(jù)需要進(jìn)行適當(dāng)選擇。例如，多個(gè)結(jié)構(gòu)32和結(jié)構(gòu)33被布置成在基板2的表面上形成多行軌跡T。例如，被布置成形成多行軌跡T的多個(gè)結(jié)構(gòu)32和結(jié)構(gòu)33可形成諸如四角形晶格圖案或者六角形晶格圖案等預(yù)定的規(guī)則布置圖案。結(jié)構(gòu)32和33的高度可在基板2的表面上規(guī)則或者不規(guī)則地變化。
[0448]優(yōu)選底涂層設(shè)置在基板2與形狀層6之間以改進(jìn)其間的粘附層。例如，作為底涂層，可以使用丙烯酸類表面處理劑或者硅烷偶聯(lián)劑。
[0449]通過固化能量射線固化型樹脂組合物形成形狀層6。優(yōu)選通過對(duì)被涂布到基板2上的能量射線固化型樹脂組合物執(zhí)行諸如聚合等固化反應(yīng)而在基板2對(duì)側(cè)的方向上形成形狀層6。這是因?yàn)槌鲇谏鲜鲈驅(qū)δ芰可渚€具有不可透過性的基板可用作基板2。優(yōu)選在不引起能量射線固化型樹脂組合物的固化度的不一致的情況下連接轉(zhuǎn)印區(qū)域TE。例如，能量射線固化型樹脂組合物的固化度的不一致是聚合度的差異。
[0450]能量射線固化型樹脂組合物是通過使用能量射線進(jìn)行照射而固化的樹脂組合物。能量射線指諸如電子射線、紫外線、紅外線、激光束、可見射線、電離輻射(X-射線、α-射線、β_射線、Y-射線等)、微波、或者高頻波等觸發(fā)自由基(radical)、陽離子以及陰離子聚合的能量射線。能量射線固化型樹脂組合物可以與根據(jù)需要所使用的另一樹脂混合并且還可以與諸如所使用的熱固型樹脂等另一固化樹脂混合。能量射線固化型樹脂組合物還可以是有機(jī)-無機(jī)混合材料。此外，可以混合所使用的兩種以上類型的能量射線固化型樹脂組合物。作為能量射線固化型樹脂組合物，優(yōu)選使用通過紫外線進(jìn)行固化的紫外射線固化型樹脂。例如，作為紫外射線固化型樹脂，可以使用丙烯酸類、甲基丙烯酸類、或者環(huán)氧類紫外射線固化型樹脂。
[0451]此外，作為形狀層6的材料，除上述所述能量射線固化型樹脂組合物之外，可以使用在進(jìn)行烘烤之后能夠獲得無機(jī)膜的材料(例如，具有耐熱性的和全氫聚硅氮烷)、硅酮類樹脂材料等。
[0452]而且，能量射線固化型樹脂組合物可根據(jù)需要包含填充物、功能添加劑、溶劑、無機(jī)材料、顏料、抗靜電劑、增感染料等。例如，作為填充物，可以使用無機(jī)細(xì)微顆粒和有機(jī)細(xì)微顆粒中的任一種。無機(jī)細(xì)微顆粒的實(shí)例包括諸如Si02、Ti02、Zr02、Sn02以及Al2O3等金屬氧化物細(xì)微顆粒。功能添加劑的實(shí)例包括勻染劑、表面調(diào)整劑、吸附劑以及防起泡劑。
[0453]【轉(zhuǎn)印裝置的配置】
[0454]圖26是示出了根據(jù)本技術(shù)的第七實(shí)施方式的轉(zhuǎn)印裝置的配置的實(shí)例的示意圖。轉(zhuǎn)印裝置包括輥母盤11、基板供應(yīng)輥111、卷繞輥112、導(dǎo)向輥113和114、軋輥115、剝離輥116、涂布設(shè)備117以及能量射線源110。
[0455]基板供應(yīng)輥111被設(shè)置成使得具有片形狀等的基板2圍繞基板供應(yīng)輥111卷繞成輥形狀并且經(jīng)由導(dǎo)向輥113連續(xù)饋給基板2。卷繞輥112被設(shè)置成使得具有通過轉(zhuǎn)印裝置將均勻形狀轉(zhuǎn)印至其上的形狀層6的基板2圍繞卷繞輥112卷繞。導(dǎo)向輥113和114設(shè)置在轉(zhuǎn)印裝置的運(yùn)輸路徑上以傳輸帶狀基板2。軋輥115被設(shè)置成使得從基板供應(yīng)輥111饋給并且將能量射線固化型樹脂組合物涂布給其的基板2夾持在軋輥115與輥母盤11之間。輥母盤11具有用于形成形狀層6的轉(zhuǎn)印表面并且其中包括單個(gè)或者多個(gè)能量射線源110。后面將描述輥母盤11的細(xì)節(jié)。剝離輥116被設(shè)置成使得通過固化能量射線固化型樹脂組合物而獲得的形狀層6被從輥母盤11的轉(zhuǎn)印表面剝離。
[0456]基板供應(yīng)輥111、卷繞輥112、導(dǎo)向輥113和114、軋輥115以及剝離輥116的材料不受具體限制，并且可根據(jù)期望的輥特征適當(dāng)?shù)剡x擇所使用的諸如不銹金屬、橡膠、硅樹脂等。例如，作為涂布設(shè)備117，可以使用具有諸如涂覆機(jī)等涂布單元的設(shè)備。例如，作為涂覆機(jī)，考慮到所涂布的能量射線固化型樹脂組合物的性能，可以適當(dāng)使用諸如凹版式涂覆機(jī)、線錠、或者模式涂覆機(jī)等涂覆機(jī)。
[0457]【輥母盤的配置】
[0458]例如，輥母盤11是具有圓柱形狀的母盤并且包括形成在前表面上的轉(zhuǎn)印表面Sp和形成在前表面對(duì)側(cè)上的內(nèi)部上的內(nèi)圓周表面的后表面Si。例如，在輥母盤11中，柱狀中空部由后表面Si形成，并且中空部中可包括單一或者多個(gè)能量射線源110。例如，多個(gè)凹入或者凸起結(jié)構(gòu)形成在轉(zhuǎn)印表面Sp上，并且通過將結(jié)構(gòu)形狀轉(zhuǎn)印至被涂布到基板2上的能量射線固化型樹脂組合物，形狀層6形成在基板2的表面上。即，具有基板2的形狀層6的凹凸形狀的倒置形狀的圖案形成在轉(zhuǎn)印表面Sp上。
[0459]輥母盤11被配置成對(duì)通過能量射線源110發(fā)射的能量射線具有可透過性，從而使得通過能量射線源I1發(fā)射并且入射到后表面Si上的能量射線穿過轉(zhuǎn)印表面Sp。通過穿過轉(zhuǎn)印表面Sp的能量射線對(duì)被涂布到基板2上的能量射線固化型樹脂組合物118進(jìn)行固化。只要該材料對(duì)能量射線具有可透過性，則輥母盤11的材料不受具體限制。作為對(duì)紫外線具有可透過性的材料，優(yōu)選使用玻璃、石英、透明樹脂、有機(jī)-無機(jī)混合材料等。透明樹脂的實(shí)例包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚碳酸酯(PC)。有機(jī)-無機(jī)混合材料的實(shí)例包括聚二甲硅氧烷(PDMS)。具有透明度的金屬膜、金屬化合物膜、或者有機(jī)膜可以形成在輥母盤11的轉(zhuǎn)印表面Sp和后表面Si的至少一個(gè)上。
[0460]單個(gè)或者多個(gè)能量射線源110被支撐在輥母盤11的中空部中，從而朝向被涂布在基板2上的能量射線固化型樹脂組合物118發(fā)射能量射線。在輥母盤11包括多個(gè)能量射線源110的情況下，能量射線源110優(yōu)選被布置成形成一行或者兩行或多行。能量射線源可以是發(fā)射諸如電子射線、紫外線、紅外線、激光束、可見光學(xué)、電離輻射(X-射線、α-射線、β -射線、Y -射線等)、微波、或者高頻波等能量射線的能量射線源并且不受具體限制。例如，作為能量射線源的形式，可以使用點(diǎn)光源或者線性光源。然而，該形式不特別局限于此，并且還可以使用點(diǎn)光源和線性光源的組合。在點(diǎn)光源用作能量射線源的情況下，多個(gè)點(diǎn)光源被優(yōu)選布置成直線形狀以形成線性光源。線性光源被優(yōu)選布置成平行于輥母盤11的旋轉(zhuǎn)軸。發(fā)射紫外線的能量射線源的實(shí)例包括低壓汞燈、高壓汞燈、短弧放電燈、紫外射線發(fā)射式二極管、半導(dǎo)體激光器、熒光燈、有機(jī)場致發(fā)光設(shè)備、無機(jī)場致發(fā)光設(shè)備、發(fā)光二極管以及光纖。然而，能量射線源不特別局限于此。而且，裂縫可進(jìn)一步設(shè)置在輥母盤11中，因此，通過能量射線源I1發(fā)射能量射線經(jīng)由裂縫照射能量射線固化型樹脂組合物118。此時(shí)，通過吸收能量射線產(chǎn)生的熱可對(duì)能量射線固化型樹脂組合物118進(jìn)行固化。
[0461]在第七實(shí)施方式中，不同于上述所述配置的配置與第一實(shí)施方式中的配置相同。
[0462]【制造導(dǎo)電元件的方法】
[0463]圖27A至圖27E是示出了制造根據(jù)本技術(shù)的第七實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的方法的實(shí)例的過程圖。
[0464]首先，以與如上所述的第一實(shí)施方式相同的方式執(zhí)行從“抗蝕劑形成處理”至“蝕刻處理”的各個(gè)處理，從而生產(chǎn)圖27A中所示的輥母盤11。
[0465](射線源布置處理)
[0466]接著，如圖27B所示，單個(gè)或者多個(gè)能量射線源110被布置在輥母盤11的容納空間內(nèi)(中空部)。優(yōu)選能量射線源I1被布置成平行于輥母盤11的寬度方向Dw或者旋轉(zhuǎn)軸I的軸向方向。
[0467](底涂層形成處理)
[0468]接著，根據(jù)需要，在將能量射線固化型樹脂組合物118涂布到其上的基板2的表面上執(zhí)行諸如電暈處理、等離子處理、火焰處理、UV處理、臭氧處理、或者噴砂處理等表面處理。接著，將表面處理劑涂布到基板2的表面上并且根據(jù)需要進(jìn)行干燥和/或固化，從而在基板2的表面上形成底涂層。例如，作為表面處理劑，可以使用通過使用乙酸丁酯、或者硅烷偶聯(lián)劑對(duì)丙烯酸類表面處理劑等進(jìn)行稀釋獲得的處理溶液。
[0469](轉(zhuǎn)印處理)
[0470]接著，如圖27C所示，能量射線固化型樹脂組合物118被涂布或者印刷在長的基板2上或者輥母盤11上。例如，應(yīng)用方法不受具體限制，可以對(duì)基板或者母盤使用制陶、旋涂法、凹版涂覆法、模涂覆法、棒涂覆法等。例如，作為印刷方法，可以使用凸版印刷法、膠版印刷法、凹版印刷法、凹雕印刷法、橡膠板印刷法、或者絲網(wǎng)印刷法。接著，根據(jù)需要，可以執(zhí)行諸如溶劑移除或者預(yù)烘烤等加熱處理。
[0471]接著，如圖27D所示，在輥母盤11旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，轉(zhuǎn)印表面Sp與能量射線固化型樹脂組合物118緊密接觸，并且允許通過輥母盤11中的能量射線源110發(fā)射的能量射線從輥母盤11的轉(zhuǎn)印表面Sp的一側(cè)照射能量射線固化型樹脂組合物118。因此，能量射線固化型樹脂組合物118被固化，從而形成形狀層6。具體地，能量射線固化型樹脂組合物118的固化反應(yīng)從輥母盤11的轉(zhuǎn)印表面Sp側(cè)朝向基板2的表面?zhèn)软槾芜M(jìn)行，并且所涂布或者印刷的能量射線固化型樹脂組合物118的全部被固化，從而形成形狀層6。例如，通過調(diào)整輥母盤11針對(duì)基板2的表面的壓力可以選擇是否存在基礎(chǔ)層8或者基礎(chǔ)層8的厚度。接著，形成在基板2上的形狀層6從輥母盤11的轉(zhuǎn)印表面Sp剝離。因此，如圖27E所示，形狀層6形成在基板2的表面上。在轉(zhuǎn)印處理中，按照上述所述方式，在帶狀基板2的長度方向用作輥母盤11的旋轉(zhuǎn)方向時(shí)轉(zhuǎn)印凹凸形狀。之后，還可以執(zhí)行諸如預(yù)固化等處理。
[0472]此處，將詳細(xì)描述使用圖26中所示的轉(zhuǎn)印裝置的轉(zhuǎn)印處理。
[0473]首先，從基板供應(yīng)輥111饋給長基板2，并且所饋給的基板2穿過涂布設(shè)備117下方。接著，通過基板2穿過涂布設(shè)備117下方的涂布設(shè)備117涂布能量射線固化型樹脂組合物118。接著，將能量射線固化型樹脂組合物118涂布給其的基板2經(jīng)由導(dǎo)向輥113被運(yùn)輸?shù)焦髂副P11。
[0474]接著，被運(yùn)輸?shù)幕?夾持在輥母盤11與軋輥115之間，從而不使氣泡透過在基板2與能量射線固化型樹脂組合物118之間。之后，基板2被沿著輥母盤11的轉(zhuǎn)印表面Sp運(yùn)輸，而能量射線固化型樹脂組合物118與輥母盤11的轉(zhuǎn)印表面Sp緊密接觸，并且使通過單個(gè)或者多個(gè)能量射線源110發(fā)射的能量射線經(jīng)由輥母盤11的轉(zhuǎn)印表面Sp照射能量射線固化型樹脂組合物118。因此，能量射線固化型樹脂組合物118被固化，從而形成形狀層6。接著，形狀層6通過剝離輥116從輥母盤11的轉(zhuǎn)印表面Sp剝離，從而獲得具有形成在其中的形狀層6的長基板2。接著，所獲得的基板2經(jīng)由導(dǎo)向輥114被運(yùn)輸給卷繞輥112，并且長基板2圍繞卷繞輥112卷繞。因此，獲得長基板2圍繞其卷繞的母盤。
[0475]接著，以與如上所述第一實(shí)施方式相同的方式執(zhí)行從“層壓膜形成處理”至“清潔處理”的各個(gè)處理，從而獲得圖24A中所示的帶狀導(dǎo)電元件10。接著，根據(jù)需要，通過將帶狀導(dǎo)電元件10沖壓成預(yù)定形狀，獲得導(dǎo)電元件I。
[0476]此處，在“轉(zhuǎn)印處理”中可不使基板2卷繞，并且還可以連續(xù)執(zhí)行按照輥到輥方式的自“層壓膜形成處理”至“清潔處理”的各種處理。
[0477]此外，根據(jù)如上所述第二至第五實(shí)施方式并且根據(jù)下面即將描述的第十和第十一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件可采用第七實(shí)施方式中的基板2的配置。當(dāng)采用該配置時(shí)，作為制造導(dǎo)電元件的方法，優(yōu)選使用第七實(shí)施方式中制造導(dǎo)電元件的方法。
[0478]<8.第八實(shí)施方式>
[0479]圖28是示出了根據(jù)本技術(shù)的第八實(shí)施方式的轉(zhuǎn)印裝置的配置的實(shí)例的示意圖。轉(zhuǎn)印裝置包括輥母盤11、涂布設(shè)備117以及運(yùn)輸臺(tái)階121。在第八實(shí)施方式中，與第七實(shí)施方式中類似的元件以類似參考標(biāo)號(hào)表示，并且將省去其相關(guān)描述。運(yùn)輸臺(tái)階121被配置為在箭頭a的方向上運(yùn)輸放置在運(yùn)輸臺(tái)階121柵的基板2。
[0480]接著，將描述具有如上配置的轉(zhuǎn)印裝置的操作的實(shí)例。
[0481]首先，通過基板2穿過涂布設(shè)備117下方的涂布設(shè)備117涂布能量射線固化型樹脂組合物118。接著，將能量射線固化型樹脂組合物118涂布給其的基板2被運(yùn)輸?shù)捷伳副P11。接著，能量射線固化型樹脂組合物118被運(yùn)輸且與輥母盤11的轉(zhuǎn)印表面Sp緊密接觸，并且使通過設(shè)置在輥母盤11中的單個(gè)或者多個(gè)能量射線源110發(fā)射的能量射線經(jīng)由輥母盤11的轉(zhuǎn)印表面Sp照射能量射線固化型樹脂組合物118。因此，能量射線固化型樹脂組合物118被固化，從而形成形狀層6。接著，通過在箭頭a的方向上運(yùn)輸運(yùn)輸臺(tái)階，形狀層6從輥母盤11的轉(zhuǎn)印表面Sp剝離。因此，獲得具有形成在其中的形狀層6并且較長的基板2。接著，根據(jù)需要，按照如上所述方式獲得所期望的基板2。
[0482]<9.第九實(shí)施方式>
[0483]圖29是示出了根據(jù)本技術(shù)的第九實(shí)施方式的轉(zhuǎn)印裝置的配置的實(shí)例的示意圖。轉(zhuǎn)印裝置包括輥131、132、134以及135、作為帶母盤的壓花帶133、平帶136、單個(gè)或者多個(gè)能量射線源110、以及涂布設(shè)備117。在第九實(shí)施方式中，與第七實(shí)施方式中類似的元件以類似參考標(biāo)號(hào)表示，并且將省去其相關(guān)描述。
[0484]例如，壓花帶133是帶母盤的實(shí)例、具有環(huán)形形狀、并且具有以一維方式布置在外圓周表面上的多個(gè)結(jié)構(gòu)。壓花帶133對(duì)能量射線具有可透過性。平帶136具有環(huán)形形狀并且其外圓周表面是平坦表面?；?的厚度周圍的間隙形成在壓花帶133與平帶136之間，因此，將能量射線固化型樹脂組合物118涂布給其的基板2可以在各個(gè)帶之間傳送。
[0485]輥131和132被設(shè)置成彼此分離，并且壓花帶133的內(nèi)圓周表面由輥131和132支撐，因此，壓花帶133保持伸長的橢圓形狀。通過使設(shè)置在壓花帶133內(nèi)部上的輥131和132旋轉(zhuǎn)，壓花帶133旋轉(zhuǎn)。
[0486]輥134和輥135被設(shè)置成分別與輥131和輥132相對(duì)。平帶136的內(nèi)圓周表面由輥134和135支撐，因此，平帶136保持伸長的橢圓形狀。通過使設(shè)置在平帶136內(nèi)部上的輥134和135旋轉(zhuǎn)，平帶136旋轉(zhuǎn)。
[0487]單個(gè)或者多個(gè)能量射線源110設(shè)置在壓花帶133的內(nèi)部上。單個(gè)或者多個(gè)能量射線源110保持朝向在壓花板133與平帶136之間傳送的基板2發(fā)射能量射線。優(yōu)選諸如線性光源等能量射線源110被設(shè)置成平行于壓花帶133的寬度方向。只要其設(shè)置在由壓花帶133的內(nèi)圓周表面形成的空間內(nèi)，則所設(shè)置的能量射線源110的位置不受具體限制。例如，能量射線源110可以設(shè)置在輥131和輥132的至少一個(gè)的內(nèi)部中。在這種情況下，優(yōu)選輥131和輥132由對(duì)能量射線具有可透過性的材料形成。
[0488]接著，將描述具有如上配置的轉(zhuǎn)印裝置的操作的實(shí)例。
[0489]首先，通過穿過涂布設(shè)備117下方的基板2上的涂布設(shè)備117涂布能量射線固化型樹脂組合物118。接著，將能量射線固化型樹脂組合物118涂布給其的基板2從輥131和134的一側(cè)被運(yùn)輸?shù)叫D(zhuǎn)的壓花帶133與平帶136之間的間隙內(nèi)。因此，壓花帶133的轉(zhuǎn)印表面開始與能量射線固化型樹脂組合物118緊密接觸。接著，在保持緊密接觸狀態(tài)的同時(shí)，使通過能量射線源110發(fā)射的能量射線經(jīng)由壓花帶133照射能量射線固化型樹脂組合物118。因此，能量射線固化型樹脂組合物118被固化，從而在基板2上形成形狀層6。接著，壓花帶133從形狀層6剝離。因此，獲得所期望的基板2。
[0490]<10.第十實(shí)施方式>
[0491]圖30A是示出了根據(jù)本技術(shù)的第十實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的配置實(shí)例的截面圖。根據(jù)第十實(shí)施方式的導(dǎo)電兀件I與第一實(shí)施方式的不同在于平坦表面Spl、波形表面Sw2以及波形表面Sw3形成在基板2的各個(gè)主表面上并且導(dǎo)電圖案部形成在基板的各個(gè)表面上。在圖30A中，基板的兩個(gè)主表面上的平坦表面Spl以及波形表面Sw2和Sw3的位置、面積、形狀以及布置順序相同。然而，基板的兩個(gè)主表面上的平坦表面Spl以及波形表面Sw2和Sw3的位置、面積、形狀以及布置順序并不局限于上述實(shí)例并且可根據(jù)電路和元件的設(shè)計(jì)被設(shè)置成所期望的位置、面積、形狀以及布置順序。
[0492]此外，如圖30B所示，通孔形成在基板2的平坦表面Spl中，并且諸如導(dǎo)電油墨等導(dǎo)電材料7被埋入通孔中，因此，諸如形成在基板2的兩個(gè)表面上的電路等導(dǎo)電圖案部電連接至彼此。通孔并不局限于平坦表面Spl并且還可設(shè)置在波形表面Sw2中。在基板2的兩個(gè)主表面上的平坦表面Spl和波形表面Sw2被設(shè)置成彼此相對(duì)的情況下，通過通孔透過平坦表面Spl和波形表面Sw2，因此，形成在基板2的兩個(gè)表面上的導(dǎo)電圖案部電連接至彼此。
[0493]例如，如下可以生產(chǎn)具有上述配置的基板2。首先，在運(yùn)輸帶狀基板2的同時(shí)，將能量射線固化型樹脂組合物涂布給其兩個(gè)表面。接著，設(shè)置在基板2的兩個(gè)表面上的旋轉(zhuǎn)母盤(例如，輥母盤或者帶母盤)的轉(zhuǎn)印表面與能量射線固化型樹脂組合物緊密接觸，并且使來自旋轉(zhuǎn)母盤中的能量射線源的能量射線照射能量射線固化型樹脂組合物。因此，能量射線固化型樹脂組合物被固化，從而在基板2的兩個(gè)表面上形成形狀層6。此外，兩個(gè)旋轉(zhuǎn)母盤可以被設(shè)置成彼此相對(duì)且基板2插入在兩個(gè)旋轉(zhuǎn)母盤之間，因此，其形狀被轉(zhuǎn)印至能量射線固化型樹脂組合物中，而基板2夾持在兩個(gè)母盤之間。
[0494]在第十實(shí)施方式中，因?yàn)閷?dǎo)電圖案部形成在基板2的兩個(gè)表面上，所以可將不同于第一實(shí)施方式的大量電路安裝在導(dǎo)電元件I中。
[0495]〈11.第^^一實(shí)施方式〉
[0496]圖31A是示出了設(shè)置在根據(jù)本技術(shù)的第i^一實(shí)施方式中的導(dǎo)電元件中的基板的第一實(shí)例的截面圖。圖31B是示出了設(shè)置在根據(jù)本技術(shù)的第十一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件中的基板的第二實(shí)例的截面圖。根據(jù)第十一實(shí)施方式的導(dǎo)電元件I與根據(jù)第一或者第十實(shí)施方式的導(dǎo)電元件I的不同在于形狀層6對(duì)能量射線具有不可透過性。例如，通過將能量射線固化型樹脂組合物添加到諸如吸收能量射線的顏料等材料中可以形成具有該不可透過性的結(jié)構(gòu)3。
[0497]第H 實(shí)施方式與第一或者第十實(shí)施方式相同，但上述特征除外。
[0498]<12.第十二實(shí)施方式>
[0499]圖32A是示出了根據(jù)本技術(shù)的第十二實(shí)施方式的導(dǎo)電元件的配置實(shí)例的平面圖。圖32B是沿著圖32A中所示的線B-B截取的截面圖。圖33A是示出了圖32B中所示的第一區(qū)域的一部分的放大截面圖。圖33B是示出了圖32B中所示的第二區(qū)域的一部分的放大截面圖。圖33C是示出了圖32B中所示的第三區(qū)域的一部分的放大截面圖。根據(jù)第十二實(shí)施方式的導(dǎo)電兀件I與第一實(shí)施方式中的導(dǎo)電兀件I的不同在于結(jié)構(gòu)S1和結(jié)構(gòu)32相對(duì)于基板2的表面凹入。此外，在結(jié)構(gòu)S1和結(jié)構(gòu)32之中，其中一個(gè)可以凹入，而其另一個(gè)凸起。在第二區(qū)域R2和第三區(qū)域R3中，可以混合具有凹入形狀和凸起形狀的結(jié)構(gòu)S1和32。
[0500]第十二實(shí)施方式與第一實(shí)施方式相同，但上述特征除外。
[0501]在第十二實(shí)施方式中，將第一實(shí)施方式中的凸起結(jié)構(gòu)32和33的形狀倒置成凹入形狀，并且由此可以獲得與第一實(shí)施方式相同的效果。
[0502]【實(shí)例】
[0503]在下文中，將根據(jù)實(shí)例詳細(xì)描述本技術(shù)，但是，本技術(shù)并不僅局限于實(shí)例。
[0504]在下列實(shí)例、比較例以及參考例中，通過四端阻抗測量設(shè)備測量導(dǎo)電片的表面阻抗。此外，探針頭針的直徑為RlOO μ m,并且針的節(jié)距為Ιμπι。
[0505](實(shí)例I)
[0506](轉(zhuǎn)印處理)
[0507]首先，如圖34Α所示，制備其中平坦表面區(qū)域(第一區(qū)域)R1和納米結(jié)構(gòu)形成區(qū)域(第二區(qū)域)R2在模制表面上形成條紋圖案的輥母盤。接著，將多個(gè)UV光源布置在輥母盤的中空部中。
[0508]接著，通過使用乙酸丁酯對(duì)硅烷偶聯(lián)劑進(jìn)行稀釋來制備表面處理溶液。接著，通過已制備的表面處理溶液來處理由聚酰亞胺制成的薄片的表面，從而形成底涂層。
[0509]接著，將紫外射線固化型樹脂涂布到設(shè)置有底涂層的薄片的表面上。接著，在使輥母盤旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，將其轉(zhuǎn)印表面帶至與對(duì)其涂布紫外射線固化型樹脂的薄片緊密接觸，并且通過lOOmJ/cm2功率的紫外線從輥母盤的轉(zhuǎn)印表面?zhèn)日丈渥贤馍渚€固化型樹脂以進(jìn)行固化和剝離。因此，獲得其中多個(gè)凸起納米結(jié)構(gòu)形成在薄片的表面上的納米結(jié)構(gòu)形成區(qū)域(第二區(qū)域)R2中并且平坦表面形成在平坦表面區(qū)域(第一區(qū)域)R1中的光學(xué)片。結(jié)構(gòu)的布置節(jié)距為250nm,結(jié)構(gòu)的高度為200nm,結(jié)構(gòu)的形狀為切去頂端的錐面形狀,并且結(jié)構(gòu)的布置為六角形晶格布置。
[0510](膜形成處理)
[0511]接著，通過濺射方法使ITO層形成在光學(xué)片的模制表面上。到達(dá)真空度為0.00015Pa，膜形成過程中的真空度為0.24Pa，并且在膜形成過程中引入Ar氣體和O2氣體，使得其混合比為Ar:02 = 200:13。此外，對(duì)膜形成條件進(jìn)行調(diào)整，從而使得平板的膜厚度變?yōu)?0nm。此外，平板的膜厚度變成與結(jié)構(gòu)的頂點(diǎn)部分的膜厚度大致相同。
[0512](退火處理)
[0513]接著，在150°C的大氣下，對(duì)具有形成在其中的ITO層的光學(xué)片執(zhí)行退火30分鐘。因此，加速了多晶體在ITO層中的形成。接著，為了檢查加速的狀態(tài)，通過X-射線衍射(XRD)測量ITO層，并且確認(rèn)In2O3的峰值。
[0514](移除處理)
[0515]接著，將經(jīng)過退火處理的光學(xué)片浸入到具有PH約為3的溶液中20秒。
[0516](清潔處理)
[0517]接著，使用純水清潔經(jīng)過移除處理的光學(xué)片。
[0518]因此，獲得目標(biāo)透明導(dǎo)電片。
[0519](導(dǎo)電性/非導(dǎo)性電評(píng)估)
[0520]關(guān)于根據(jù)如上所述獲得的實(shí)例I的透明導(dǎo)電片的表面，使用測試儀從圖34B中所示的各個(gè)方面對(duì)導(dǎo)電性和非導(dǎo)電性進(jìn)行評(píng)估。表I中示出了評(píng)估結(jié)果。
[0521]表I示出了根據(jù)實(shí)例I的透明導(dǎo)電片的評(píng)估結(jié)果。
[0522]【表I】
[0523]

介于A-B之間介于E-A之間介于C-D之間實(shí)例IIS2000 Ω (導(dǎo)電)
[0524]從表I中可以看出如下。
[0525]在透明導(dǎo)電片的表面中，納米結(jié)構(gòu)形成區(qū)域(第二區(qū)域)R2處于絕緣狀態(tài)，而平坦表面區(qū)域(第一區(qū)域)R1處于導(dǎo)電狀態(tài)。因此，只有通過順次執(zhí)行轉(zhuǎn)印處理(壓印處理)、膜形成處理以及移除處理，諸如配線或者電極等期望的導(dǎo)電圖案部才可以形成在基板表面上。S卩，可以提聞生廣能力。
[0526](粘附力)
[0527]對(duì)根據(jù)如上所述獲得的實(shí)例I的透明導(dǎo)電片的粘附力進(jìn)行評(píng)估。因此，可以看出，通過提供由聚酰亞胺制成的薄片與紫外射線固化型樹脂制成的納米結(jié)構(gòu)之間的硅烷偶聯(lián)劑制成的底涂層，可以增強(qiáng)兩者之間的粘附力。
[0528]此處，盡管已經(jīng)省去細(xì)節(jié)，然而，即使在使用由聚萘二甲酸乙二酯(PEN)或者環(huán)烯烴共聚物(COC)制成的薄片的情況下，通過提供由硅烷偶聯(lián)劑制成的底涂層也可以增強(qiáng)薄片與納米結(jié)構(gòu)之間的粘附力。此外，即使在使用丙烯酸類表面處理劑或者其混合劑而非硅烷偶聯(lián)劑作為表面處理劑的情況下，在增強(qiáng)粘附力方面也可獲得相同的效果。
[0529](實(shí)例2-1)
[0530](轉(zhuǎn)印處理)
[0531]首先，制備其中平坦表面區(qū)域(第一區(qū)域)R1和納米結(jié)構(gòu)形成區(qū)域(第二區(qū)域)R2在模制表面上形成條紋圖案的輥母盤。接著，將多個(gè)UV光源布置在輥母盤的中空部中。
[0532]接著，通過使用乙酸丁酯對(duì)硅烷偶聯(lián)劑進(jìn)行稀釋來制備表面處理溶液。接著，通過已制備的表面處理溶液來處理由聚酰亞胺制成的薄片的表面，從而形成底涂層。
[0533]接著，將紫外射線固化型樹脂涂布到設(shè)置有底涂層的薄片的表面上。接著，在輥母盤旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，其轉(zhuǎn)印表面與對(duì)其涂布紫外射線固化型樹脂的薄片緊密接觸，并且通過lOOmJ/cm2功率的紫外線從輥母盤的轉(zhuǎn)印表面的一側(cè)照射紫外射線固化型樹脂以進(jìn)行固化和剝離。因此，生產(chǎn)將輥母盤的第一區(qū)域和第二區(qū)域轉(zhuǎn)印至其中的光學(xué)片(納米壓印膜)。
[0534](形狀測量)
[0535]接著，測量所生產(chǎn)的光學(xué)片的轉(zhuǎn)印表面的平均波長λ m和振動(dòng)的平均幅度Am，并且從測量結(jié)果中獲得比率(Am/λπι)。表2中示出了結(jié)果。
[0536](膜形成處理)
[0537]接著，通過濺射方法使ITO層形成在光學(xué)片的模制表面上。
[0538]下面示出了 ITO層形成過程中的膜形成條件。
[0539]到達(dá)真空度:0.00015Pa
[0540]膜形成過程中的真空度:0.24Pa
[0541]氣體類型:Ar氣體和O2氣體的混合氣體
[0542]混合氣體的混合比率(體積比):Ar:02 = 200:13
[0543]平板的膜厚度:36nm
[0544]此處，平板的膜厚度是當(dāng)在與ITO層形成在光學(xué)片的表面上的相同條件下使ITO層形成在平板上的膜厚度并且大致等于波形表面的頂點(diǎn)部分的膜厚度。
[0545]接著，在保留真空狀態(tài)的同時(shí)，通過濺射方法使Ag層形成在ITO層上。
[0546]下面示出了 Ag層形成過程中的膜形成條件。
[0547]膜形成過程中的真空度:0.1lPa
[0548]氣體類型:Ar氣體
[0549]氣體流動(dòng)速率:10sccm
[0550]平板的膜厚度:200nm
[0551](表面阻抗測量)
[0552]接著，測量如上所述生產(chǎn)的光學(xué)片的表面阻抗。表2中示出了結(jié)果。
[0553](移除處理)
[0554]接著，將光學(xué)片浸入到具有PH約為3的溶液中20秒。
[0555](清潔處理)
[0556]接著，使用純水清潔光學(xué)片。
[0557]由此生產(chǎn)目標(biāo)導(dǎo)電片。
[0558](表面阻抗測量)
[0559]接著，測量如上所述生產(chǎn)的導(dǎo)電片的表面阻抗。表2中示出了結(jié)果。
[0560](實(shí)例2-2)
[0561](轉(zhuǎn)印處理)
[0562]首先，制備其中平坦表面區(qū)域(第一區(qū)域)R1和納米結(jié)構(gòu)形成區(qū)域(第二區(qū)域)R2在模制表面上形成條紋圖案的輥母盤。接著，將多個(gè)UV光源布置在輥母盤的中空部中。
[0563]接著，通過使用乙酸丁酯對(duì)硅烷偶聯(lián)劑進(jìn)行稀釋來制備表面處理溶液。接著，通過已制備的表面處理溶液來處理由聚酰亞胺制成的薄片的表面，從而形成底涂層。
[0564]接著，將紫外射線固化型樹脂涂布到設(shè)置有底涂層的薄片的表面上。接著，在輥母盤旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，其轉(zhuǎn)印表面與對(duì)其涂布紫外射線固化型樹脂的薄片緊密接觸，并且通過lOOmJ/cm2功率的紫外線從輥母盤的轉(zhuǎn)印表面的一側(cè)照射紫外射線固化型樹脂以進(jìn)行固化和剝離。因此，生產(chǎn)將輥母盤的第一區(qū)域和第二區(qū)域轉(zhuǎn)印至其的光學(xué)片(納米壓印膜)。
[0565](形狀測量)
[0566]接著，測量所生產(chǎn)光學(xué)片的轉(zhuǎn)印表面的平均波長λ m和振動(dòng)的平均幅度Am，并且從測量值獲得比率(Am/λπι)。表3中示出了結(jié)果。
[0567](膜形成處理)
[0568]接著，通過濺射方法使ITO層形成在光學(xué)片的模制表面上。
[0569]下面示出了 ITO層形成過程中的膜形成條件。
[0570]到達(dá)真空度:0.00015Pa
[0571]膜形成過程中的真空度:0.24Pa
[0572]氣體類型:Ar氣體和O2氣體的混合氣體
[0573]混合氣體的混合比率(體積比):Ar:02 = 200:13
[0574]平板的膜厚度:40nm
[0575]此處，平板的膜厚度是當(dāng)在與ITO層形成在光學(xué)片的表面上的相同條件下使ITO層形成在平板上的膜厚度并且大致等于波形表面的頂點(diǎn)部分的膜厚度。
[0576]接著，在保持真空狀態(tài)的同時(shí)，通過濺射方法使Ag層形成在ITO層上。
[0577]下面示出了 Ag層形成過程中的膜形成條件。
[0578]膜形成過程中的真空度:0.1lPa
[0579]氣體類型:Ar氣體
[0580]氣體流動(dòng)速率:10sccm
[0581]平板的膜厚度:200nm
[0582](表面阻抗測量)
[0583]接著，測量如上所述生產(chǎn)光學(xué)片的表面阻抗。表3中示出了結(jié)果。
[0584](移除處理)
[0585]接著，將光學(xué)片浸入到具有PH約為3的溶液中60秒。
[0586](清潔處理)
[0587]接著，使用純水清潔光學(xué)片。
[0588]由此生產(chǎn)目標(biāo)導(dǎo)電片。
[0589](表面阻抗測量)
[0590]接著，測量如上所述生產(chǎn)的導(dǎo)電片的表面阻抗。表3中示出了結(jié)果。
[0591](表面觀察)
[0592]接著，通過使用光學(xué)顯微鏡觀察如上所述生產(chǎn)的導(dǎo)電片的表面。圖35中示出了結(jié)果O
[0593]表2示出了根據(jù)實(shí)例2-1的導(dǎo)電片的測量結(jié)果。
[0594]【表2】
[0595]

【權(quán)利要求】
1.一種導(dǎo)電元件，包括: 基板； 形狀層，設(shè)置在所述基板的表面上并且具有第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面； 第一層，設(shè)置在所述第一波形表面上；以及 第二層，設(shè)置在所述第二波形表面上， 其中，所述形狀層包含能量射線固化型樹脂組合物， 所述第一層具有其中層壓兩個(gè)以上的層的層壓結(jié)構(gòu)， 所述第二層具有包括所述第一層的部分層的單層結(jié)構(gòu)或者層壓結(jié)構(gòu)， 所述第一層和所述第二層形成導(dǎo)電圖案部，并且 所述第一波形表面、所述第二波形表面以及所述第三波形表面滿足下列關(guān)系:
O ^ (Aml/ λ ml) < (Am2/ λ m2) < (Am3/ λ m3) ^1.8 其中，Aml是所述第一波形表面的振動(dòng)的平均幅度，Am2是所述第二波形表面的振動(dòng)的平均幅度，Am3是所述第三波形表面的振動(dòng)的平均幅度，λ ml是所述第一波形表面的平均波長，λ m2是所述第二波形表面的平均波長，并且λ m3是所述第三波形表面的平均波長。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電元件， 其中，具有預(yù)定凹凸圖案的單元區(qū)域連續(xù)形成在所述形狀層的表面上，而不引起凹凸形狀之間的不一致，并且 所述基板對(duì)用于固化所述能量射線固化型樹脂組合物的能量射線具有不透過性。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電元件， 其中，所述基板具有帶狀形狀，并且 所述單元區(qū)域沿所述基板的長度方向連續(xù)形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電元件， 其中，所述凹凸形狀之間的不一致指所述預(yù)定凹凸圖案的周期紊亂。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電元件， 其中，所述凹凸形狀之間的不一致指相鄰單元區(qū)域之間的重疊、間隙、或者未轉(zhuǎn)印部。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電元件， 其中，所述單元區(qū)域連接，而不引起所述能量射線固化型樹脂組合物的固化度的不一致。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電元件， 其中，所述能量射線固化型樹脂組合物的所述固化度的不一致指聚合度的差異。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電元件， 其中，通過在所述基板的對(duì)側(cè)的方向上對(duì)涂布到所述基板上的所述能量射線固化型樹脂組合物執(zhí)行固化反應(yīng)而形成所述形狀層。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電元件， 其中，所述單元區(qū)域是通過將旋轉(zhuǎn)母盤的旋轉(zhuǎn)面旋轉(zhuǎn)一周而形成的轉(zhuǎn)印區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電元件， 其中，通過以一維方式或者二維方式布置多個(gè)凸?fàn)罱Y(jié)構(gòu)和凹狀結(jié)構(gòu)而形成所述凹凸圖案。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電元件， 其中，所述第一波形表面、所述第二波形表面以及所述第三波形表面滿足下列關(guān)系，并且 所述第二波形表面的波長λ2和所述第三波形表面的波長λ3等于或者短于可見光的波長:
(Aml/ λ ml) = O, 0〈 (Am2/ λ m2) < (Am3/ λ m3) <1.8。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電元件， 其中，所述第一波形表面、所述第二波形表面以及所述第三波形表面滿足下列關(guān)系，并且 所述第一波形表面的波長λ 1、所述第二波形表面的波長λ 2以及所述第三波形表面的波長λ 3均等于或者短于可見光的波長:
0〈 (Aml/ λ ml) < (Am2/ λ m2) < (Am3/ λ m3) <1.8。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電元件， 其中，所述第一波形表面、所述第二波形表面以及所述第三波形表面滿足下列關(guān)系，并且 所述第二波形表面的波長λ 2和所述第三波形表面的波長λ 3等于或者短于100 μ m: (Aml/ λ ml) = O, 0〈 (Am2/ λ m2) < (Am3/ λ m3) <1.8。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電元件， 其中，所述第一波形表面、所述第二波形表面以及所述第三波形表面滿足下列關(guān)系，且所述第一波形表面的波長λ 1、所述第二波形表面的波長λ 2以及所述第三波形表面的波長λ 3等于或者短于100 μ m:
0〈 (Aml/ λ ml) < (Am2/ λ m2) < (Am3/ λ m3) <1.8。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電元件，進(jìn)一步包括: 第三層，形成在所述第三波形表面上， 其中，所述第三層包括所述第二層的部分層，并且 所述第一層、所述第二層以及所述第三層滿足下列關(guān)系:
S1>S2>S3 其中，SI是所述第一層的單元區(qū)域，S2是所述第二層的單元區(qū)域，并且S3是所述第三層的單元區(qū)域。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的導(dǎo)電元件， 其中，所述第一層和所述第二層分別連續(xù)形成在所述第一波形表面和所述第二波形表面上，并且 所述第三層非連續(xù)地形成在所述第三波形表面上。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電元件，進(jìn)一步包括: 第三層，形成在所述第三波形表面上； 其中，所述第一層、所述第二層以及所述第三層滿足下列關(guān)系: dl>d2>d3 其中，dl是所述第一層的平均厚度，d2是所述第二層的平均厚度，并且d3是所述第三層的平均厚度。
18.一種配線元件，包括: 基板； 形狀層，設(shè)置在所述基板的表面上并且具有第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面； 第一層，設(shè)置在所述第一波形表面上；以及 第二層，設(shè)置在所述第二波形表面上， 其中，所述形狀層包含能量射線固化型樹脂組合物， 所述第一層具有其中層壓兩個(gè)以上的層的層壓結(jié)構(gòu)， 所述第二層具有包括所述第一層的部分層的單層結(jié)構(gòu)或者層壓結(jié)構(gòu)， 所述第一層和所述第二層形成導(dǎo)電圖案部，并且 所述第一波形表面、所述第二波形表面以及所述第三波形表面滿足下列關(guān)系:
O ^ (Aml/ λ ml) < (Am2/ λ m2) < (Am3/ λ m3) ^1.8 其中，Aml是所述第一波形表面的振動(dòng)的平均幅度，Am2是所述第二波形表面的振動(dòng)的平均幅度，Am3是所述第三波形表面的振動(dòng)的平均幅度，λ ml是所述第一波形表面的平均波長，λ m2是所述第二波形表面的平均波長，并且λ m3是所述第三波形表面的平均波長。
19.一種制造導(dǎo)電元件的方法，包括: 將能量射線固化型樹脂組合物涂布到基板的表面上； 在旋轉(zhuǎn)母盤的旋轉(zhuǎn)面被旋轉(zhuǎn)并且與涂布到所述基板的所述表面的所述能量射線固化型樹脂組合物緊密接觸的同時(shí)，經(jīng)由所述旋轉(zhuǎn)面用由設(shè)置在所述旋轉(zhuǎn)母盤中的能量射線源發(fā)射的能量射線照射所述能量射線固化型樹脂組合物以將所述能量射線固化型樹脂組合物固化，從而在所述基板的所述表面上形成具有第一波形表面、第二波形表面以及第三波形表面的形狀層；在所述第一波形表面、所述第二波形表面以及所述第三波形表面上形成層壓膜；并且移除在所述第一波形表面、所述第二波形表面以及所述第三波形表面之中的所述第三波形表面上形成的層壓膜，從而允許在所述第一波形表面上形成的層壓膜保留為第一層，并且允許在所述第二波形表面上形成的層壓膜的部分層保留為第二層，從而形成導(dǎo)電圖案部， 其中，所述第一波形表面、所述第二波形表面以及所述第三波形表面滿足下列關(guān)系:
O ^ (Aml/ λ ml) < (Am2/ λ m2) < (Am3/ λ m3) ^1.8 其中，Aml是所述第一波形表面的振動(dòng)的平均幅度，Am2是所述第二波形表面的振動(dòng)的平均幅度，Am3是所述第三波形表面的振動(dòng)的平均幅度，λ ml是所述第一波形表面的平均波長，λ m2是所述第二波形表面的平均波長，并且λ m3是所述第三波形表面的平均波長。
20.—種母盤，用于制作: 根據(jù)權(quán)利要求1至18中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電元件或者配線元件。
【文檔編號(hào)】H05B33/14GK104185878SQ201380015452
【公開日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2013年3月8日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月28日
【發(fā)明者】林部和彌, 田澤洋志, 梶谷俊一 申請(qǐng)人:索尼公司