用于制備iii-n單晶的方法以及iii-n單晶的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及制備III-N模板，并且還涉及制備III-N單晶，其中III表示元素周期表第三主族的至少一種選自Al、Ga和In的元素。通過在晶體生長過程中設(shè)定特定的參數(shù)，可以獲得III-N模板，該模板為在異質(zhì)襯底上生長的晶體層賦予獲得模板形式或甚至具有大的III-N層厚的無裂紋III-N單晶的特性。
【專利說明】用于制備M I-N單晶的方法以及I I I-N單晶
[0001] 本發(fā)明涉及用于制備復合襯底（以下稱為"模板"）和用于制備III-N單晶的制備 方法。根據(jù)本發(fā)明的方法能夠制備無裂紋的III-N單晶，所述單晶尤其適合用作晶片。III 表示元素周期表第三主族中選自Al、Ga和In的至少一種元素。
[0002] III-N單晶具有重要的技術(shù)意義。大量的半導體元件和光電元件，如功率元件、高 頻元件、發(fā)光二極管和激光器都是以這些材料為基礎(chǔ)。在制備這樣的裝置時通常在起始襯 底上進行外延晶體生長，或在起始襯底上首先形成模板，然后通過另外的外延生長可以在 所述模板上沉積III-N層或III-N單晶體。作為起始襯底，可以使用III-N-襯底或尤其是 異質(zhì)襯底。在使用異質(zhì)襯底的情況下，在生長過程中由于起始襯底的和已經(jīng)生長的層的熱 膨脹系數(shù)的差異可能導致在III-N層內(nèi)部出現(xiàn)應(yīng)變或裂紋。多達Imm的較厚的層也可以 借助于部分結(jié)構(gòu)化的，由WSiN、TiN或SiO 2形成的中間層生長并且然后作為獨立的層剝離， 所述層通常具有塑性的，凹型彎曲的C-晶格平面和表面。尤其是當在該方法中舍棄使用 中間層時，在起始襯底與已經(jīng)生長的III-N層之間的界面處和所述界面上可以產(chǎn)生成垂直 的或水平的微裂紋，所述微裂紋隨著時間的變化而延伸并且可能導致在冷卻過程中或之后 GaN-層破裂。
[0003] 從 Hearne 等，Applied Physics Letters 74, 356-358 (1999)的研究已知的是，在 藍寶石襯底上沉積GaN期間形成隨著生長而逐漸增強的內(nèi)在拉伸應(yīng)力（Stress)。原位應(yīng)力 監(jiān)控表明，由生長產(chǎn)生的拉伸應(yīng)力能夠不可測量地通過退火或熱循環(huán)松弛。此外這還意味 著，在GaN-層生長結(jié)束時獲得的應(yīng)力在冷卻和重新加熱到相同的（生長_)溫度之后再次 達到相同的值。在Hearne等的情況下也找到遵循背景、關(guān)聯(lián)性和對外在的（即由于在藍寶 石襯底與GaN-層之間產(chǎn)生的不同的熱膨脹系數(shù)）和內(nèi)在的（即通過生長產(chǎn)生的）應(yīng)力的 可能性的解釋。
[0004] 在 Journal of crystal Growth 289,445-449 (2006)中 Napierala 等描述了用于 制備GaN/藍寶石模板的方法，由于可以通過調(diào)節(jié)氮化鎵-雛晶的密度來控制氮化鎵中的內(nèi) 在應(yīng)力，使得薄層中的應(yīng)力能夠通過彎曲而釋放，從而在襯底上生長無裂紋的薄GaN-層。 但是在該方法中厚層不能補償生長過程中的壓力并且盡管彎曲仍然易于斷裂。Richter等 (E. Richter, U. Zeimer,S. Hagedorn,M. Wagner,F. Brunner,M. ffeyers,G. Traenkle,Journal of crystal Growth 312, [2010] 2537)描述一種通過氫化物氣相外延（HVPE)制備GaN-晶 體的方法，在所述方法中通過調(diào)節(jié)氯化鎵分壓而可以無裂紋地生長2. 6mm的GaN-層，其中 獲得的GaN-層在表面上具有大量的V-凹點。采用這種工藝生長的晶體具有5. 8mm的厚度， 然而其具有較長的裂紋。Brunner 等在 Journal of crystal Growth 298,202-206(2007) 中指出層厚對生長中的ΠΙ-Ν層的彎曲的影響。任選采用InGaN-順從-層對在GaN-藍寶 石-模板上GaN和AlGaN的生長進行研究。在此表明，對于Al-摩爾份額為2. 8%和7. 6% 的AlGaN和GaN而言，凹型彎曲在生長過程中增大，這根據(jù)觀察伴隨著拉伸應(yīng)力的產(chǎn)生（參 見圖3)。此外當鋁含量升高時凹型彎曲也增加，相應(yīng)地拉伸應(yīng)力也增加。此外還顯示了硅 摻雜的銦-鍺-氮化物層對GaN-緩沖層上的Al-摩爾份額為7. 6%的AlGaN-層的生長的 影響。為此一方面將Al-摩爾份額為7. 6%的AlGaN-層直接生長在GaN-緩沖層上和另一 方面將硅摻雜的銦-鎵-氮化物層作為中間層生長在GaN-緩沖層上，其中隨后將Al-摩爾 份額為7. 6%的AlGaN-層生長在該中間層上生長。由此表明，在GaN-緩沖層上施加硅摻雜 的銦-鎵-氮化物層導致在晶體內(nèi)的壓應(yīng)力。在所述方法過程中GaN-緩沖層的最初的凹型 彎曲在降溫過程中轉(zhuǎn)變成輕微的凸型彎曲，和通過在相同的方法內(nèi)生長I%〇 6GaN-層，所述 凸型彎曲在另外的生長期間增強。在隨后進行的在該Inatl6GaN-層上施加 Alatl76GaN-層時 最終達到凹型彎曲，與在沒有1%Cl6GaN-中間層的情況下所產(chǎn)生的彎曲相比，所述凹型彎曲 較小。
[0005] E. Richter，M. GrUnder，b. Schinel ler，F(xiàn). brunner，IL Zeimer，c. Netzel， M.Weyers，和 G. Traenkle (Phys. Status Solidic 8，No. 5 (2011) 1450)描述了通過 HVPE 制 備GaN-晶體的方法，其中可以實現(xiàn)最大至6. 3mm的厚度。所述晶體顯示表面上的V-凹 點和傾斜的側(cè)壁。此外，在晶格中還顯示大約5. 4m的凹型彎曲和6xl(T5Cnr2的位錯密度。 US2009/0092815A1描述了制備厚度在1至2mm之間的氮化鋁晶體以及厚度為5mm的氮化鋁 層。這些層被描述為沒有裂紋，并且可以將其用來切割可用面積超過90%的用于生產(chǎn)元器 件的無色透明晶片。
[0006] 上述【背景技術(shù)】的方法共同點在于，在生長和冷卻之后獲得III-N晶體，所述晶體 經(jīng)受強大的外來應(yīng)力和內(nèi)在應(yīng)力，由此可能產(chǎn)生裂紋或其它材料缺陷，這限制了材料質(zhì)量 和到III-N襯底的可加工性。
[0007] 因此本發(fā)明的任務(wù)在于，提供模板和III-N晶體的制備方法，所述方法使得III-N 晶體能夠在將材料缺陷的影響降至最低和改善晶體質(zhì)量以及可加工性的條件下生長。
[0008] 該任務(wù)通過權(quán)利要求1、2和8所述的方法解決。改進方案在相應(yīng)的從屬權(quán)利要求 中給出。此外，本發(fā)明提供根據(jù)權(quán)利要求19所述附著在異質(zhì)襯底上的III-N單晶，此外還 有從屬權(quán)利要求的相應(yīng)改進方案。在權(quán)利要求23和24中定義了有益的用途。
[0009] 根據(jù)本發(fā)明令人驚訝地發(fā)現(xiàn)，如果在第一晶體生長溫度下在襯底上進行晶體生 長，接著將之前應(yīng)用的溫度改變成第二溫度，和然后在相對于第一晶體生長溫度改變后的 第二溫度范圍內(nèi)繼續(xù)進行晶體生長，就可以在可控的壓縮應(yīng)變下生長出無裂紋的III-N單 晶。如何改變應(yīng)用溫度取決于針對工藝所選的襯底類型。如果襯底具有比待生長的III-N 單晶更高的熱膨脹系數(shù)，則應(yīng)采用的變化為將溫度降低到之前應(yīng)用的第一溫度以下。反之， 如果襯底具有比待生長的III-N單晶更低的熱膨脹系數(shù)，則應(yīng)采用的變化為將溫度升高到 之前應(yīng)用的第一溫度以上。
[0010] 由此可能的是，根據(jù)本發(fā)明在模板中（即在具有襯底和相對薄的III-N晶體層的 單元中，其中這種模板單元本身起用于隨后制備III-N梨形晶/晶錠或III-N元器件的起 始產(chǎn)品的作用）可以正確和有目的地影響模板的經(jīng)認識為重要的關(guān)鍵參數(shù)曲率和應(yīng)變（可 選或組合），以使得模板及其繼續(xù)使用具有有利的性質(zhì)，由此使用根據(jù)本發(fā)明的模板可以有 效抵抗以后的裂紋形成。根據(jù)本發(fā)明的重要的和有利于繼續(xù)使用模板的曲率設(shè)定包括根據(jù) 可選的技術(shù)方案保證，（i)稍候還將詳細說明的曲率差（K a-IQ在模板制備時的至少一個生 長階段保持在> 〇并且尤其> 〇的范圍，或（ii)所制備的模板在生長溫度的狀態(tài)下不彎曲 或基本上不彎曲或負（凸）彎曲。根據(jù)本發(fā)明可以制備在外延晶體生長條件下沒有曲率、 幾乎沒有曲率、或具有負曲率并且因此只有很小內(nèi)在應(yīng)力的模板，這對于進一步加工而言 的初始狀況是有利的。 toon] 根據(jù)本發(fā)明的方法，且更明顯地通過遵循根據(jù)本發(fā)明的方法的優(yōu)選特征，因此允 許有利地設(shè)定模板的ΠΙ-Ν晶體層中的應(yīng)變，使其在室溫下具有在ε xx < 0的有利范圍內(nèi)， 尤其是在特別合適的負εχχ值范圍內(nèi)，這對根據(jù)本發(fā)明的模板的繼續(xù)使用產(chǎn)生非常有利的 影響，因此是根據(jù)本發(fā)明的模板的可選的重要產(chǎn)物特征。
[0012] 傳統(tǒng)的方法迄今為止均呈現(xiàn)出完全不同的特性。在傳統(tǒng)的方法中同樣在某個特定 的期望的溫度進行晶體生長。該溫度相當于各III-N材料的何時考慮的溫度。同樣當可以 存在其中生長方法降低溫度，以生長另一種III-N材料時，盡管如此在該特定的新的溫度 下開始生長或生長過程中并不繼續(xù)降低溫度，而是保持恒定。但是在這種傳統(tǒng)的情況下，生 長表面的給定曲率（無論凸面還是凹面）典型地在生長過程中增大。令人驚訝的是，可以 如此設(shè)計根據(jù)本發(fā)明的方法，從而使得在模板的III-N材料層的特定生長階段期間，即使 在給定的III-N材料層的繼續(xù)生長期間，給定曲率也減小。此外在傳統(tǒng)方法的情況下由于 曲率不斷增大而在晶體之內(nèi)形成相應(yīng)升高的內(nèi)在應(yīng)力（通常是拉伸應(yīng)力），該應(yīng)力任選在 繼續(xù)生長期間、最遲在外延生長溫度冷卻時可能導致微裂紋直至破裂。與此相對，在本發(fā)明 的方法的情況下可以將外延晶體生長過程中可控設(shè)定的內(nèi)在應(yīng)力（通常是壓縮應(yīng)力）保持 得小，從而在繼續(xù)生長過程中以及在冷卻時可以避免出現(xiàn)裂紋，即可以實現(xiàn)III-N晶體的 無裂紋生長。
[0013] 作為可選和任選組合應(yīng)用的新的可能，本發(fā)明意義上要有利地影響的和要在合適 的條件下設(shè)定的上述有利的曲率差（K a-Ke)和/或不彎曲、基本上不彎曲或負（凸）曲率， 基于以下工藝技術(shù)措施：在晶體ΠΙ-Ν材料在襯底上生長期間，或在生長開始的間歇的中 間階段，或在開始生長與繼續(xù)生長之間，將掩膜材料作為中間層沉積在任選具有ΠΙ-Ν成 核層的襯底上，或離襯底或任選設(shè)置的ΠΙ-Ν成核層的一定最大距離沉積在晶體III-N材 料中，然后進行或繼續(xù)晶體III-N材料的生長。掩膜材料的中間層（優(yōu)選形成唯一的薄的， 通常非常薄的層，以下還將詳細描述其特性），在此在離襯底或任選在襯底上形成的III-N 成核層為300nm的最大距離，優(yōu)選在小于300nm、更優(yōu)選小于250nm、還更優(yōu)選小于100nm、尤 其最多50nm的距離沉積。
[0014] 在該稱為設(shè)定曲率特性的可選方法的情況下應(yīng)注意：將掩膜材料作為中間層至少 部分直接沉積在襯底上，或沉積在襯底上任選存在的III-N成核層上（即直接相鄰），或離 襯底主表面或與襯底上任選存在的III-N成核層（即與襯底或III-N成核層發(fā)生接觸之 處）合適的距離沉積在模板的晶體III-N材料之中。如果在襯底上準備任選的表面結(jié)構(gòu)化， 并且因此僅部分發(fā)生上述接觸，那么也適用上述方法；也就是說，這些表面結(jié)構(gòu)化僅僅涉及 常規(guī)的外部進行的圖案化，如借助光刻技術(shù)開窗口、形成條紋或點和其它掩膜結(jié)構(gòu)，其中不 可以如根據(jù)本發(fā)明那樣設(shè)定期望的曲率特性。此外，尺寸有所不同：異位進行的表面掩膜化 和圖案典型地具有微米級厚度尺寸，而原位引入的（根據(jù)本發(fā)明任選或補充應(yīng)用的）掩膜 材料中間層則典型地具有亞微米級的厚度尺寸。
[0015] 在根據(jù)本發(fā)明的III-N晶體中可以避免產(chǎn)生限制材料質(zhì)量和/或到III-N襯底的 可加工性的裂紋。根據(jù)本發(fā)明，"無裂紋的III-N晶體"表示其在15cm 2的面積（相當于在 2英寸的情況下的3mm邊緣排除）上在分別采用光學顯微鏡拍攝的30mm2的圖像片段中沒 有裂紋。
[0016] 此外根據(jù)本發(fā)明，可以影響晶格常數(shù)a的應(yīng)變ε xx的顯微特性。在機械領(lǐng)域中，變 形ε通常也被稱作應(yīng)變張量（strain tensor),其中εχχ代表其第一組分。在晶格中，應(yīng) 變ε χχ在此如下定義：
[0017]
【權(quán)利要求】
1. 用于制備模板的方法，所述模板包括襯底和至少一個iii-n晶體層，其中in表不兀 素周期表第三主族的至少一種選自Al、Ga和In的元素，其中所述方法包括以下步驟： a) 準備襯底， b) 在第一晶體生長溫度下在襯底上進行晶體III-N材料的生長， c) 將溫度改變成第二溫度，所述第二溫度相對于第一晶體生長溫度有所改變，然而在 所述第二溫度仍然可以進行晶體生長， d) 繼續(xù)晶體生長，以在相對于第一生長溫度有所改變的范圍內(nèi)形成III-N晶體，在該 步驟d)中不添加 In, 條件是，如果所使用的襯底具有比直到步驟d)中所要生長的III-N晶體更高的熱膨脹 系數(shù)，則步驟c)中的第二溫度低于所述第一溫度，和在步驟d)中在第一生長溫度以下繼續(xù) 晶體生長， 或如果所使用的襯底具有比直到步驟d)所要生長的III-N晶體更低的熱膨脹系數(shù)，則 步驟c)中的第二溫度高于所述第一溫度，和在步驟d)中在第一生長溫度以上繼續(xù)晶體生 長。
2. 用于制備III-N單晶的方法，其中III表示元素周期表第三主族的至少一種選自 Al、Ga和In的元素，所述方法包括以下步驟： a) 準備襯底， b) 在第一晶體生長溫度下在襯底上進行晶體III-N材料的生長， c) 將溫度改變成第二溫度，所述第二溫度相對于第一晶體生長溫度有所改變，但是仍 然可以進行晶體生長， d) 繼續(xù)晶體生長，以在相對于第一生長溫度有所改變的范圍內(nèi)形成III-N晶體，在該 步驟d)中不添加 In, 條件是，如果所使用的襯底具有比直到步驟d)中所要生長的III-N晶體更高的熱膨脹 系數(shù)，則步驟c)中的第二溫度低于所述第一溫度，和在步驟d)中在第一生長溫度以下繼續(xù) 晶體生長， 或如果所使用的襯底具有比直到步驟d)所要生長的III-N晶體更低的熱膨脹系數(shù)，則 步驟c)中的第二溫度高于所述第一溫度，和在步驟d)中在第一生長溫度以上繼續(xù)晶體生 長， e) 在可以獨立于所述第一和第二溫度進行選擇的晶體生長溫度下進行附加外延晶體 生長以形成III-N晶體，其中可以任選在該步驟e)中添加 In，和 f) 任選分解所形成的III-N單晶和襯底。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步驟c)中改變，即降低或升高溫度 確定反應(yīng)器中的溫度差ATCTi-ig，其值至少為10°C，優(yōu)選在10至100°C范圍內(nèi)，更優(yōu)選在 20至50°C范圍內(nèi)。
4. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，在步驟c)中在雛晶聚結(jié)的時 間點改變溫度，和在所述的溫度變化之后，在聚結(jié)的III-N雛晶上進行晶體生長，視確定方 式而定在低于或高于第一生長溫度的范圍內(nèi)。
5. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，在步驟d)中的生長階段期 間，生長表面的給定曲率在生長溫度下連續(xù)或間歇減小。
6. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，在生長溫度下，在步驟d)開 始時（曲率值1〇和結(jié)束時（曲率值1〇模板的曲率差（Ka-I〇具有正符號，優(yōu)選至少SknT1， 更優(yōu)選至少lOknT1。
7. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，采用形成模板的步驟d)將厚 度在0. 1至lOiim范圍內(nèi)的III-N層施加到襯底上。
8. 用于制備III-N單晶的方法，其中III表示元素周期表第三主族中選自Al、Ga和In 的至少一種元素，其中所述方法包括以下步驟： aa)準備模板，該模板包括異質(zhì)襯底和至少一個III-N晶體層，其中所述模板在外延晶 體生長的溫度范圍內(nèi)不彎曲或基本上不彎曲或負彎曲， bb)在模板不彎曲或基本上不彎曲或負彎曲的晶體生長溫度下進行III-N晶體的外延 晶體生長， 其中優(yōu)選在步驟aa)和bb)中不添加 In，和 cc)在可以獨立于步驟bb)的所述晶體生長溫度的生長溫度任選進行另外的外延晶體 生長以形成III-N晶體，其中任選可以在該步驟cc)中添加銦，和 dd)還任選分解III_N單晶和異質(zhì)襯底。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在步驟bb)結(jié)束之后，條件"基本上不彎 曲"或"以負曲率彎曲"表示在晶體生長溫度下曲率0Q在最大soknr1的范圍內(nèi)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的用于制備III-N單晶的方法，其特征在于，在步驟aa) 中至少一個III-N晶體層不含銦，和/或在步驟bb)中在III-N晶體的外延晶體生長時不 添加銦。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的用于制備III-N單晶的方法，其特征在于，通過根據(jù)權(quán) 利要求1至9中任一項所述的方法制備在步驟aa)中準備的模板。
12. 根據(jù)權(quán)利要求8至11中任一項所述的方法，其特征在于，由此制備步驟aa)中所 準備的模板：在用于所述III-N晶體層的晶體III-N材料在襯底上生長期間，或在生長開始 的間歇的中間階段，或在開始生長與繼續(xù)生長之間，將掩膜材料作為中間層沉積在任選具 有III-N成核層的襯底上，或離襯底或任選設(shè)置的III-N成核層的300nm的最大距離，優(yōu)選 在100nm以下的距離，更優(yōu)選最大50nm的距離沉積在晶體III-N材料本身中，然后進行或 繼續(xù)用于所述III-N晶體層的晶體III-N材料的生長。
13. 根據(jù)權(quán)利要求8至12中任一項所述的用于制備III-N單晶的方法，其特征在于，在 步驟aa)中模板 i) 在室溫下具有〇 xx < -〇? 70GPa的壓縮應(yīng)力；或 ii) 在外延晶體生長的溫度范圍內(nèi)具有exx<〇的exx值，和/或在室溫下具有exx< 〇的e xx值，優(yōu)選在〇 > e xx彡-〇. 003范圍內(nèi)，更優(yōu)選在e xx < -0. 002范圍內(nèi)，尤其在 室溫下具有_〇. 002至_0. 004范圍內(nèi)的e xx值。
14. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，其特征在于，在步驟a)或aa)中使用的 襯底是熱膨脹系數(shù)高于待生長的III-N晶體的異質(zhì)襯底，所述異質(zhì)襯底選自LiA102和藍寶 石，優(yōu)選藍寶石。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項所述的方法，其特征在于，在步驟a)或aa)中使用 的襯底是熱膨脹系數(shù)低于待生長的III-N晶體的異質(zhì)襯底，所述異質(zhì)襯底選自SiC和Si。
16. 根據(jù)權(quán)利要求8至14中任一項所述的用于制備III-N單晶的方法，其特征在于， 在步驟aa)中，在使用或設(shè)定厚度為430iim的藍寶石作為襯底，并且使用厚度 (deaN)為3. 5 y m的GaN作為模板的III-N晶體層時，則模板在室溫下具有KT(3.5wm;43Qwm)< -nOknT1、優(yōu)選具有-170 > KT > -25010^范圍內(nèi)的曲率，在使用或設(shè)定其它層厚時，則與 各層厚有關(guān)的曲率值根據(jù)Stoney方程在以下范圍內(nèi)： KT(dGaN;d 藍寶石）一 KT(3. 5wm ;430um)X (430 !! m/d 藍寶石)X (dGaN/3. 5 !! m)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求2至16項中任一項所述的用于制備III-N單晶的方法，其特征在于， 在外延生長結(jié)束之后，生長層厚為至少1mm、優(yōu)選至少5mm、更優(yōu)選至少7mm和最優(yōu)選至少 lcm的III-N單晶。
18. 用于制備III-N晶片的方法，其中III表示元素周期表第三主族的至少一種選自 Al、Ga和In的元素，所述方法包括以下步驟： a) 進行根據(jù)權(quán)利要求2至17中任一項所述的方法以形成III-N單晶，和 b) 分解單晶以形成晶片。
19. 附著在異質(zhì)襯底上的III-N單晶，其中III表示元素周期表第三主族的至少一種 選自Al、Ga和In的元素，其特征在于，所述III-N單晶通過形變e xx的一個或兩個以下值 (iV(ii)具有： i) 在外延晶體生長溫度范圍內(nèi)，e xx值在彡0范圍內(nèi)，優(yōu)選e xx值< 0 ; ii) 在室溫下exx值<〇,優(yōu)選在〇> exx>-〇. 〇〇3范圍內(nèi)，更優(yōu)選在exx彡-0. 002 范圍內(nèi)，尤其在_〇. 002至-0. 004范圍內(nèi)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的III-N單晶，其呈III-N單晶的層厚在0. 1至lOiim范圍 內(nèi)，優(yōu)選在2至5iim范圍內(nèi)的模板形式。
21. 根據(jù)權(quán)利要求19或20所述的III-N單晶，其特征在于，所述異質(zhì)襯底包括藍寶石， 優(yōu)選由藍寶石組成。
22. 根據(jù)權(quán)利要求19至21中任一項所述的III-N單晶，其特征在于，除去所述異質(zhì)襯 底。
23. 根據(jù)權(quán)利要求19至22中任一項所述的III-N單晶，其特征在于，根據(jù)權(quán)利要求1 至17中任一項所述的方法制備晶體。
24. 根據(jù)權(quán)利要求19至23中任一項所述的III-N單晶的用途，用于制備較厚的III-N 層或III-N梨形晶或III-N塊狀晶體，然后任選將它們分解成單個III-N晶片。
25. 根據(jù)權(quán)利要求18制備的III-N晶片的用途，或根據(jù)權(quán)利要求19至23中任一項所 述的III-N單晶的用途，各自用于制備半導體元器件、電子元器件或光電元器件。
【文檔編號】C30B29/40GK104364429SQ201380015539
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2013年3月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月21日
【發(fā)明者】M·格林德爾, F·布儒納, E·里希特, F·哈貝爾, M·魏爾斯 申請人:弗賴貝格化合物原料有限公司