高頻電路組件的制作方法
高頻電路組件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種高頻特性良好并且能夠容易地實(shí)現(xiàn)小型化的高頻電路組件。在具備多層電路基板（200）、切換天線的連接的第一高頻開關(guān)（120）、發(fā)送用濾波器和接收用濾波器（130～160）的高頻電路組件（100）中，將發(fā)送用濾波器和接收用濾波器（130～160）的任一方或雙方和第一高頻開關(guān)（120）埋設(shè)于多層電路基板（200）中。在與所埋設(shè)的電子部件相對的導(dǎo)體層中形成接地導(dǎo)體（401、411）。
【專利說明】高頻電路組件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及在多層電路基板安裝有1?頻電路的1?頻電路組件，特別涉及1?頻開關(guān) 和濾波器的安裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002] 以往，便攜電話中所使用的包括高頻開關(guān)的電路組件中，使用了利用PIN二極管 的開關(guān)電路。但是，近年來，隨著多波段化、通信頻帶的高頻化，使用了利用FET開關(guān)的高頻 開關(guān)。作為安裝有這樣的高頻開關(guān)的電路組件，例如，公知有專利文獻(xiàn)1?3中記載的電路 組件。在專利文獻(xiàn)1和2中，記載有在多層電路基板表面安裝有高頻開關(guān)1C和表面聲波 (SAW :Surface Acoustic Wave)濾波器的高頻電路開關(guān)組件。另外，在專利文獻(xiàn)3中，記載 有在多層電路基板內(nèi)埋設(shè)有商頻開關(guān)的商頻組件。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0004] 專利文獻(xiàn)
[0005] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開2011-103597號公報(bào)
[0006] 專利文獻(xiàn)2 :國際公開第2010/024376號公報(bào)
[0007] 專利文獻(xiàn)3 :日本專利第4337944號公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008] 發(fā)明所要解決的課題
[0009] 但是，在該種高頻電路組件中，近年來，對進(jìn)一步小型化、薄型化的要求提高。但 是，現(xiàn)有的高頻電路組件的結(jié)構(gòu)中，信號線間的干擾、信號線和接地圖案間的寄生電容引起 的特性劣化形成問題，對于小型化、薄型化具有限制。因此，研究了在電路基板內(nèi)埋設(shè)高頻 開關(guān)和濾波器。但是，上述專利文獻(xiàn)1?3中記載的電路組件，原本就是以在電路基板上表 面安裝高頻開關(guān)和濾波器為前提的結(jié)構(gòu)，因此，存在僅簡單地將高頻開關(guān)和濾波器埋設(shè)于 電路基板內(nèi)不能夠消除特性劣化的問題(特別是在高頻開關(guān)及其周邊產(chǎn)生的寄生電容的問 題)，或者難以實(shí)現(xiàn)小型化、薄型化的問題。換而言之，為了小型化、薄型化而將高頻開關(guān)埋 設(shè)于電路基板內(nèi)，需要與其結(jié)構(gòu)相應(yīng)的獨(dú)特的設(shè)計(jì)思想。
[0010] 本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)實(shí)而完成的，其目的在于提供高頻特性良好并且能夠容易地 實(shí)現(xiàn)小型化的1?頻電路組件。
[0011] 用于解決課題的方法
[0012] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請發(fā)明的高頻電路組件的特征在于，其具備：絕緣體層和 導(dǎo)體層交替層疊而形成的多層電路基板；對高頻發(fā)送信號進(jìn)行濾波的發(fā)送用濾波器；對高 頻接收信號進(jìn)行濾波的接收用濾波器；和對天線與發(fā)送用濾波器和接收用濾波器的連接進(jìn) 行切換的第一高頻開關(guān)，在該高頻電路組件中，發(fā)送用濾波器和接收用濾波器的任一方或 雙方、和第一高頻開關(guān)分別被埋設(shè)于多層電路基板內(nèi)，在多層電路基板的內(nèi)層，且位于第一 高頻開關(guān)和所埋設(shè)的濾波器的一方的主面?zhèn)鹊牡谝粚?dǎo)體層中的、至少與第一高頻開關(guān)和所 埋設(shè)的濾波器相對的區(qū)域中形成有第一接地導(dǎo)體，并且，在位于另一方的主面?zhèn)鹊牡诙?dǎo) 體層中的、至少與第一高頻開關(guān)和所埋設(shè)的濾波器相對的區(qū)域中形成有第二接地導(dǎo)體。
[0013] 根據(jù)本發(fā)明，由于將第一高頻開關(guān)、和發(fā)送用濾波器以及接收用濾波器的任一方 或雙方埋設(shè)于多層電路基板，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)高頻電路組件的小型化。另外，由于以隔著第 一高頻開關(guān)和所埋設(shè)的濾波器的方式在第一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體層形成有接地導(dǎo)體，因此， 屏蔽效果高，高頻特性優(yōu)異。
[0014] 作為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的一個(gè)例子，可以列舉一種高頻電路組件，其特征在 于：在與上述第一導(dǎo)體層隔著絕緣體層相鄰的第三導(dǎo)體層中，形成有連接第一高頻開關(guān)和 所埋設(shè)的濾波器的信號線，上述第一接地導(dǎo)體至少形成在與信號線相對的區(qū)域中。根據(jù)本 發(fā)明，相對第一高頻開關(guān)和所埋設(shè)的濾波器中流通的電流的回流電流在第一接地導(dǎo)體中流 通，因此，電流回路變得最小。由此能夠?qū)⒉ㄐ蔚奈蓙y和輻射噪聲抑制得較低。
[0015] 另外，作為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的一個(gè)例子，可以列舉一種高頻電路組件，其特 征在于：在多層電路基板的第一主面安裝有插設(shè)在天線和第一高頻開關(guān)之間的第一匹配 電路，在與第一主面相反側(cè)的第二主面形成有高頻電路組件的端子電極，并且，第一高頻開 關(guān)的輸入輸出端子形成于多層電路基板的第一主面?zhèn)?。根?jù)本發(fā)明，在由于第一高頻開關(guān) 自身的不一致和第一高頻開關(guān)的安裝狀況等而無法得到所期望的特性時(shí)，由于匹配電路安 裝于多層電路基板上，因此，能夠容易地通過該匹配電路的更換、調(diào)整等來得到所期望的特 性。另外，由于能夠縮短匹配電路和第一高頻開關(guān)的距離，能夠抑制高頻信號的損失。
[0016] 另外，作為本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式的一個(gè)例子，可以列舉一種高頻電路組件，其 特征在于：至少是接收用濾波器埋設(shè)在多層電路基板內(nèi)，在多層電路基板的第一主面安裝 有進(jìn)行接收用濾波器和處理接收信號的高頻1C的匹配的第二匹配電路，在與第一主面相 反側(cè)的第二主面形成有高頻電路組件的端子電極，并且，所埋設(shè)的接收用濾波器的輸入輸 出端子形成于多層電路基板的第一主面?zhèn)?。根?jù)本發(fā)明，在由于接收用濾波器自身的不一 致(波動）和接收用濾波器的安裝狀況等而無法得到所期望的的特性時(shí)，由于匹配電路安 裝于多層電路基板上，因此，能夠容易地通過該匹配電路的更換、調(diào)整等來得到所期望的特 性。另外，由于能夠縮短匹配電路和接收用濾波器的距離，能夠抑制高頻信號的損失。
[0017] 另外，作為本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式的一個(gè)例子，可以列舉一種高頻電路組件，其 特征在于：頻帶相互不同的多個(gè)接收用濾波器至少埋設(shè)在多層電路基板中，并且，上述高頻 電路組件具備：對通過各接收用濾波器進(jìn)行濾波后得到的接收信號加以處理的高頻1C ;和 切換與該高頻1C的共用接收端子連接的接收用濾波器的第二高頻開關(guān)，該第二高頻開關(guān) 埋設(shè)于多層電路基板內(nèi)，并且，連接該第二高頻開關(guān)和接收用濾波器的信號線在多層電路 基板的內(nèi)層中形成在與第一接地導(dǎo)體相對的位置。根據(jù)本發(fā)明，由于能夠通過高頻1C的共 用的接收電路處理多個(gè)頻帶的接收信號，所以能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。另外，相對在第二高頻開關(guān) 中流通的電流的回流電流在第一接地導(dǎo)體中流通，因此，電流回路變得最小。由此能夠?qū)⒉?形的紊亂和輻射噪聲抑制得較低。
[0018] 另外，作為本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式的一個(gè)例子，可以列舉一種高頻電路組件，其 特征在于：頻帶相互不同的多個(gè)發(fā)送用濾波器至少埋設(shè)在多層電路基板中，并且，上述高頻 電路組件具備：放大發(fā)送信號的放大器；和切換從放大器連接到輸出端子的發(fā)送用濾波器 的第三高頻開關(guān)，該第三高頻開關(guān)埋設(shè)于多層電路基板內(nèi)，并且，連接第三高頻開關(guān)和發(fā)送 用濾波器的信號線形成在多層電路基板的內(nèi)層。根據(jù)本發(fā)明，由于能夠通過共用的放大器 將多個(gè)頻帶用的發(fā)送信號放大，因此能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。另外，由于能夠容易地縮短傳輸被放 大后的發(fā)送信號的信號線長度，并且，能夠利用第一接地導(dǎo)體和第二接地導(dǎo)體提高屏蔽效 果，因此，能夠抑制輻射噪聲。
[0019] 另外，作為本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式的一個(gè)例子，可以列舉一種高頻信號組件，其 特征在于：在多層電路基板的第一主面安裝有與所埋設(shè)的發(fā)送用濾波器對應(yīng)的頻帶的接收 用濾波器，并且，將該接收用濾波器在多層電路基板的厚度方向上投影的區(qū)域的一部分或 全部與上述發(fā)送用濾波器重疊。根據(jù)本發(fā)明，由于能夠縮短第三高頻開關(guān)與發(fā)送用濾波器 和接收用濾波器的距離，因此，能夠得到良好的高頻特性。
[0020] 另外，作為本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式的一個(gè)例子，可以列舉一種高頻信號組件，其 特征在于：在多層電路基板的第一主面安裝有：與所埋設(shè)的發(fā)送用濾波器對應(yīng)的頻帶的接 收用濾波器；和處理接收信號的高頻1C，連接高頻1C和接收用濾波器的信號線形成在多層 電路基板的第一主面。根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制發(fā)送信號和接收信號的干擾。特別是在設(shè)置 于傳輸發(fā)送信號的信號線和傳輸接收信號的信號線之間的導(dǎo)體層形成有接地導(dǎo)體，在防止 干擾的方面更有用。
[0021] 另外，作為本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式的一個(gè)例子，可以列舉一種高頻電路組件，其 特征在于：多層電路基板包括厚度比其它導(dǎo)體層的厚度厚的芯層，第一高頻開關(guān)和所埋設(shè) 的濾波器配置于在芯層中形成的貫通孔或凹部內(nèi)。在該情況下，從屏蔽性的觀點(diǎn)，優(yōu)選由導(dǎo) 電性材料形成上述芯層并且對該芯層賦予接地電位。或者，由絕緣性材料形成上述芯層并 且在第一高頻開關(guān)和所埋設(shè)的濾波器的周圍形成有連接第一接地導(dǎo)體和第二接地導(dǎo)體的 多個(gè)通孔導(dǎo)體，也可以得到高的屏蔽效果。另外，此時(shí)，從小型化的觀點(diǎn)，優(yōu)選在一個(gè)貫通孔 或凹部配置有多個(gè)接收用濾波器。
[0022] 發(fā)明的效果
[0023] 采用如上所述的本發(fā)明的高頻電路組件，高頻特性良好并且能夠容易地實(shí)現(xiàn)小型 化。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0024] 圖1是第一實(shí)施方式的高頻電路組件的簡要電路圖。
[0025] 圖2是是第一實(shí)施方式的高頻電路組件的剖面圖。
[0026] 圖3是說明第一實(shí)施方式的高頻電路組件的主要部分的多層電路基板的各層的 圖案圖。
[0027] 圖4是說明第一實(shí)施方式的高頻電路組件的主要部分的多層電路基板的各層的 圖案圖。
[0028] 圖5是說明第一實(shí)施方式的高頻電路組件的主要部分的多層電路基板的各層的 圖案圖。
[0029] 圖6是說明第一實(shí)施方式的高頻電路組件的主要部分的多層電路基板的各層的 圖案圖。
[0030] 圖7是第二實(shí)施方式的高頻電路組件的剖面圖。
[0031] 圖8是第三實(shí)施方式的高頻電路組件的簡要電路圖。
[0032] 圖9是第三實(shí)施方式的高頻電路組件的剖面圖。
[0033] 圖10是說明第三實(shí)施方式的高頻電路組件的主要部分的多層電路基板的各層的 圖案圖。
[0034] 圖11是說明第三實(shí)施方式的高頻電路組件的主要部分的多層電路基板的各層的 圖案圖。
[0035] 圖12是說明第三實(shí)施方式的高頻電路組件的主要部分的多層電路基板的各層的 圖案圖。
[0036] 圖13是說明第三實(shí)施方式的高頻電路組件的主要部分的多層電路基板的各層的 圖案圖。
[0037] 圖14是第四實(shí)施方式的高頻電路組件的剖面圖。
[0038] 圖15是說明第四實(shí)施方式的高頻電路組件的主要部分的芯層的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0039] (第一實(shí)施方式）
[0040] 參照【專利附圖】
【附圖說明】本發(fā)明的第一實(shí)施方式的高頻電路組件。圖1中表示高頻電路組件 的簡要電路圖。此外，本實(shí)施方式中，為了說明的簡便，主要僅說明與本發(fā)明的要點(diǎn)相關(guān)的 結(jié)構(gòu)。
[0041] 本實(shí)施方式的高頻電路組件100是對應(yīng)于四個(gè)頻帶的便攜電話中使用的高頻電 路組件。該高頻電路組件100采用多樣性結(jié)構(gòu)，對于一個(gè)天線具備一組發(fā)送接收類的電路， 對于另一個(gè)天線具備一個(gè)接收類的電路(多樣性接收電路)。本實(shí)施方式中，為了說明的簡 便，僅對后者的多樣性接收電路進(jìn)行說明，省略對其它電路的說明。此外，前者的發(fā)送接收 類的電路中也包括發(fā)送濾波器。
[0042] 如圖1所示，高頻電路組件100具備：用于實(shí)現(xiàn)與天線10的匹配的匹配電路110 ; 將天線10的連接目的地按每個(gè)頻帶進(jìn)行切換的第一高頻開關(guān)120 ;將由天線10所接收的 高頻的接收信號在各頻帶中進(jìn)行濾波的第一?第四接收濾波器130、140、150、160 ;和進(jìn)行 高頻信號的調(diào)制解調(diào)處理、頻率轉(zhuǎn)換處理的RFIP(Radio Frequency Integrated Circuit : 射頻集成電路）170。另外，高頻電路組件100具備對輸入到RFIC170的接收信號進(jìn)行切換 的第二高頻開關(guān)180。另外，高頻電路組件100具備介于第一接收濾波器130、第四接收濾 波器160和第二高頻開關(guān)180與RFIC170之間設(shè)置的匹配電路190、192、194。
[0043] 第一高頻開關(guān)120對第一?第四接收濾波器130?160與經(jīng)由匹配電路110的一 個(gè)外部天線10的連接進(jìn)行切換。第一高頻開關(guān)120是將FET等的開關(guān)元件和控制該開關(guān) 元件的控制元件收納于一個(gè)封裝體中的獨(dú)立的部件。
[0044] 各接收濾波器130?160包括彈性波濾波器等獨(dú)立部件。作為彈性波濾波器，例 如，可以列舉表面聲波（SAW :Surface Acoustic Wave)濾波器、體聲波（BAW:Bulk Acoustic Wave)濾波器等。本實(shí)施方式中使用平衡輸出型的SAW濾波器。第一接收濾波器130和第 四接收濾波器160的平衡輸出端子經(jīng)由匹配電路190、194與RFIC170的接收端口連接。第 二接收濾波器140和第三接收濾波器150的平衡輸出端子與第二高頻開關(guān)180連接。
[0045] 第二高頻開關(guān)180用于將RFIC170的接收端口的一個(gè)在多個(gè)頻帶中共用。第二高 頻開關(guān)180的選擇端子與第二接收濾波器140和第三接收濾波器150的平衡輸出端子連 接。另一方面，第二高頻開關(guān)180的共用端子經(jīng)由匹配電路192與RFIC170的接收端口連 接。第二高頻開關(guān)180為將FET等的開關(guān)元件和控制該開關(guān)元件的控制元件收納于一個(gè)封 裝體中的獨(dú)立的部件。
[0046] 如上所述，本實(shí)施方式的高頻電路組件100對應(yīng)于四個(gè)頻帶，各接收濾波器130? 160進(jìn)行濾波使得僅規(guī)定的頻帶的高頻信號通過。
[0047] 具體而言，第一接收濾波器130對應(yīng)于2100MHz帶的W-CDMA (Wideband Code Division Multiple Access:寬帶碼分多址）或 LTE (Long Term Evolution:長期演進(jìn)技 術(shù))。因此，第一接收濾波器130為2110?2170MHz的帶通濾波器。第二接收濾波器140對 應(yīng)于 900MHz 帶的 W-CDMA 或 LTE 或 GSM (Global System for Mobile Communications :全 球移動通信系統(tǒng))。因此，第二接收濾波器140為925?960MHz的帶通濾波器。第三接收 濾波器150對應(yīng)于850MHz帶的W-CDMA或LTE或GSM。因此，第三接收濾波器150為869? 894MHz的帶通濾波器。第四接收濾波器160對應(yīng)于1900MHz帶的W-CDMA或LTE或GSM。因 此，第四接收濾波器160為1930?1990MHz的帶通濾波器。
[0048] 接著，參照圖2至圖5說明高頻電路組件100的結(jié)構(gòu)。圖2是高頻電路組件的剖 面圖，圖3至圖6是說明高頻電路組件的主要部分的多層電路基板的圖案圖。此外，圖2是 圖3中A線按箭頭方向看的剖面圖。
[0049] 1?頻電路組件100如圖2所不，在多層電路基板200的上表面，表面安裝有構(gòu)成 匹配電路110、190、192、194的電感器、電容器等電子部件111、191、193、195 (圖2中省略 了 191和195的圖示）；和RFIC170。另一方面，第一高頻開關(guān)120、第一?第四接收濾波器 130?160和第二高頻開關(guān)180埋設(shè)于多層電路基板200內(nèi)。
[0050] 多層電路基板200是交替層疊絕緣體層和導(dǎo)體層構(gòu)成的多層基板。多層電路基板 200如圖2所示，具備：導(dǎo)電性良好且比較厚的金屬制的作為導(dǎo)體層的芯層210 ;形成于該 芯層210的一個(gè)主面(上表面)的多個(gè)(本實(shí)施方式中為3個(gè))絕緣體層221?223和導(dǎo)體層 241?243 ;以及在芯層210的另一個(gè)主面(下表面）形成的多個(gè)(本實(shí)施方式中為3個(gè)）絕 緣體層231?233和導(dǎo)體層251?253。絕緣體層221?223、231?233和導(dǎo)體層241? 243、251?253在芯層210的兩個(gè)主面通過積層施工方法形成。此外，導(dǎo)體層243和253相 當(dāng)于多層電路基板200的表層。導(dǎo)體層243相當(dāng)于高頻電路組件100的部件安裝面，形成 有傳送高頻信號的電路圖案、用于安裝外部安裝部件的焊墊、檢查用的焊盤等。導(dǎo)體層253 相當(dāng)于將高頻電路組件安裝于母電路基板的底面，形成有端子電極和接地電極等。該端子 電極包括用于與天線連接的天線用端子電極261，該天線用端子電極261經(jīng)由通孔262與安 裝于多層電路基板200的表面的匹配電路110連接。
[0051 ] 在芯層210形成有電子部件收納用的貫通孔211。在該貫通孔211中，配置有第一 和第二高頻開關(guān)120、180和第一?第四接收濾波器130?160等的電子部件。因此，芯層 210優(yōu)選厚度比內(nèi)置的電子部件的高度大并且彎曲強(qiáng)度大。另外，芯層210由導(dǎo)電性材料構(gòu) 成，被賦予電基準(zhǔn)電位(接地)。因此，能夠?qū)⑿緦?10解釋為多層電路基板200的導(dǎo)體層之 一。本實(shí)施方式中，由金屬板、更詳細(xì)而言由銅制或者銅合金制的金屬板形成芯層210。在 貫通孔211內(nèi)并且在與收納部件之間的間隙填充有樹脂等的絕緣體。
[0052] 接著，說明多層電路基板200中的各電子部件的安裝結(jié)構(gòu)。從圖3到圖6依次是 從多層電路基板200的部件安裝面?zhèn)龋▓D2的紙面上側(cè)）看多層電路基板200的芯層210、 導(dǎo)體層241?243的圖。此外，圖3?圖6中用虛線表示在多層電路基板200所埋設(shè)的各 電子部件的位置。此外，圖5和圖6中用一點(diǎn)劃線表示多層電路基板200的表層所安裝的 電子部件的位置。
[0053] 如圖3所示，第一和第二高頻開關(guān)120、180和第一?第四接收濾波器130?160 配置于在多層電路基板200的芯層210形成的貫通孔211內(nèi)。這里，第一和第二高頻開關(guān) 120、180分別獨(dú)立地配置于貫通孔211a、211b中。另一方面，第一和第二接收濾波器130、 140配置于共用的貫通孔211c內(nèi)。同樣地，第三和第四接收濾波器150U60配置于共用的 貫通孔211d內(nèi)。第一和第二高頻開關(guān)120U80和第一?第四接收濾波器130?160的各 端子形成于多層電路基板200的與部件安裝面?zhèn)认鄬Φ闹髅妗Ａ硗?，在芯?10形成有從 匹配電路110向天線用端子電極261連接的通孔262。
[0054] 如圖4所示，在第一導(dǎo)體層241，形成有構(gòu)成分別經(jīng)由通孔導(dǎo)體與各電子部件連接 的信號線的電路圖案和焊墊。具體而言，在第一導(dǎo)體層241，形成有與作為第一高頻開關(guān) 120的輸入輸出端子的天線端子連接的電路圖案311、與第一高頻開關(guān)120的電源端子連接 的電路圖案312、連接作為第一高頻開關(guān)120的輸入輸出端子的電路端子和第一?第四接 收濾波器130?160的不平衡輸入端子的電路圖案313?316。并且，在第一導(dǎo)體層241形 成有：連接第一和第四接收濾波器130U60的平衡輸出端子與構(gòu)成匹配電路190U94的電 子部件191、195的電路圖案317?320 ;和連接第二和第三接收濾波器140、150的平衡輸出 端子與第二高頻開關(guān)180的選擇端子的電路圖案321?324。并且，在第一導(dǎo)體層241形成 有：與第二高頻開關(guān)180的電源端子連接的電路圖案325 ;與第二高頻開關(guān)180的共用端子 連接的焊墊326、327 ;和通孔262。另外，在第一導(dǎo)體層241，與上述電路圖案311?324、焊 墊326、327和通孔262隔開規(guī)定距離整體地形成有稱為"整面接地"的接地導(dǎo)體401。該接 地導(dǎo)體401經(jīng)由通孔導(dǎo)體與芯層210連接，并且，經(jīng)由通孔導(dǎo)體與第一和第二高頻開關(guān)120、 180的接地端子、第一?第四接收濾波器130?160的接地端子連接。此外，為了說明的簡 便，本實(shí)施方式中省略了與第一和第二高頻開關(guān)120U80的控制端子連接的電路圖案。另 夕卜，為了對應(yīng)共模噪聲，在從接收濾波器130的平衡輸出端子延伸的一對電路圖案317、318 之間不形成接地導(dǎo)體401。對其它的接收濾波器140?160也同樣。
[0055] 如圖5所示，在第二導(dǎo)體層242形成有：經(jīng)由通孔導(dǎo)體與形成于第一導(dǎo)體層241的 電路圖案317?320的端部連接的焊墊331?334 ;經(jīng)由通孔導(dǎo)體與形成于第一導(dǎo)體層241 的焊墊326、327連接的焊墊335、336 ;經(jīng)由通孔導(dǎo)體與形成于第一導(dǎo)體層241的電路圖案 311的端部連接的焊墊337 ;和通孔262。另外，在第二導(dǎo)體層242,被稱為"整面接地"的接 地導(dǎo)體402與上述焊墊331?337和通孔262隔開規(guī)定距離整體地形成。該接地導(dǎo)體402 經(jīng)由通孔導(dǎo)體與第一導(dǎo)體層241的接地導(dǎo)體401連接。這里，應(yīng)該留意的第一點(diǎn)在于，該接 地導(dǎo)體402在除了必要的電路圖案和焊盤的形成區(qū)域以外的、與所埋設(shè)的各電子部件相對 的區(qū)域中形成。由此，所埋設(shè)的各電子部件的屏蔽性提高。另外，應(yīng)該留意的第二點(diǎn)在于，接 地導(dǎo)體402至少形成于與在第一導(dǎo)體層241所形成的各電路圖案311、313?324相對的區(qū) 域。由此，相對于電路圖案311、313?324中流通的電流的回流電流，通過在接地導(dǎo)體402 中的與各電路圖案311、313?324相對的位置。由此，電流回路變得最小，因此，能夠?qū)⒉?形的紊亂和輻射噪聲抑制得較小。
[0056] 如圖6所示，在第三導(dǎo)體層243、即多層電路基板200的表層，形成有與構(gòu)成匹配電 路190、192、194的電子部件191、193、195的輸入側(cè)的端子連接的電路圖案341?346 ;和連 接該電子部件191、193、195的輸出側(cè)的端子和RFIC170的接收端口的電路圖案347?352。 所述電路圖案341?346的端部經(jīng)由通孔導(dǎo)體與形成于第二導(dǎo)體層242的焊墊331?336 連接。另外，在第三導(dǎo)體層243形成有：經(jīng)由通孔導(dǎo)體與形成于第二導(dǎo)體層242的焊墊337 連接、并且與構(gòu)成匹配電路110的電子部件111的一方的端子連接的焊墊353 ;和連接電子 部件111的另一方的端子與通孔262的電路圖案354。
[0057] 另外，如圖2所示，在與所埋設(shè)的各電子部件相對的導(dǎo)體層、并且是形成于與上述 導(dǎo)體層241相反一側(cè)的導(dǎo)體層251，形成有稱為所謂"整面接地"的接地導(dǎo)體411。該接地 導(dǎo)體411經(jīng)由通孔導(dǎo)體與芯層210連接。這里，應(yīng)該留意的點(diǎn)在于，該接地導(dǎo)體411在除了 必要的電路圖案和焊墊的形成區(qū)域以外的、與所埋設(shè)的各電子部件相對的區(qū)域形成。由此， 所埋設(shè)的各電子部件成為由形成于導(dǎo)體層241的接地導(dǎo)體401、導(dǎo)電性芯層210、形成于導(dǎo) 體層251的接地導(dǎo)體411圍繞的結(jié)構(gòu)。因此，所埋設(shè)的各電子部件的屏蔽性提高。
[0058] 接著，說明與圖3所示的各接收濾波器130?160的安裝結(jié)構(gòu)和圖1所示的電路 的關(guān)系相關(guān)的本申請發(fā)明的特征點(diǎn)之一。在多層電路基板200,如圖3所示，對一個(gè)貫通孔 分別配置有兩個(gè)接收濾波器。本申請發(fā)明中，特征之一在于在一個(gè)貫通孔中配置的多個(gè)接 收濾波器的頻帶的間隔離開規(guī)定頻率以上。具體而言，將各接收濾波器以通過頻帶的高低 大致地分為多個(gè)(例如兩個(gè)）組，在一個(gè)貫通孔內(nèi)配置不同組的接收濾波器即可。作為分組 的方法，可以以特定頻率(例如1GHz)以上的為高域側(cè)組、以低于特定頻率的為低域側(cè)組即 可。由此，能夠至少隔開組間的頻率以上的間隔。本實(shí)施方式中，以1GHz作為界限進(jìn)行分 組，將第一接收濾波器130和第二接收濾波器140配置于貫通孔211c中，將第三接收濾波 器150和第四接收濾波器160配置于貫通孔211d中。
[0059] 如上所述，本實(shí)施方式的高頻電路組件100中，由于第一和第二高頻開關(guān)120、 180、第一?第四接收濾波器130?160埋設(shè)于多層電路基板200中，能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。這 里，所埋設(shè)的各電子部件由接地導(dǎo)體402、411夾著，因此，屏蔽效果高，高頻特性優(yōu)異。另 夕卜，各電子部件配置于在導(dǎo)電性的芯層210形成的貫通孔211內(nèi)，換而言之，被導(dǎo)體圍繞，因 此，能夠得到高的屏蔽效果。另外，作為連接第一高頻開關(guān)120和第一?第四接收濾波器 130?160的信號線的電路圖案313?316,和作為連接第一?第四接收濾波器130?160 和第二高頻開關(guān)180的信號線的電路圖案321?322,在多層電路基板200的內(nèi)層形成，并 且，在與該電路圖案313?316、321?322相對的區(qū)域中形成有接地導(dǎo)體402,因此，能夠?qū)?由在電路圖案313?316、321?322中流通的電流及其回流電流所形成的電流回路抑制為 最小。由此，能夠?qū)⒉ㄐ蔚奈蓙y和輻射噪聲抑制得較小。
[0060] 另外，采用本實(shí)施方式的高頻電路組件100,通過由第二高頻開關(guān)180切換多個(gè)頻 帶中的接收信號，由此，能夠在RFIC170的共用的接收電路中進(jìn)行處理，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)小 型化。
[0061] 另外，本實(shí)施方式的1?頻電路組件100中，在多層電路基板200上安裝有匹配電路 110、190、192、194,因此，能夠容易地通過該匹配電路的交換、調(diào)整等得到所期望的特性。另 夕卜，能夠減小匹配電路和所埋設(shè)的電子部件的距離，因此，能夠抑制高頻信號的損失。
[0062] (第二實(shí)施方式）
[0063] 參照【專利附圖】
【附圖說明】本發(fā)明的第二實(shí)施方式的高頻電路組件。本實(shí)施方式的高頻電路組 件與第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于多層電路基板的層結(jié)構(gòu)。其它的方面與第一實(shí)施方式同 樣，因此，在這里僅說明不同點(diǎn)。此外，對于與第一實(shí)施方式同樣的結(jié)構(gòu)使用同一符號。
[0064] 圖7中表示第二實(shí)施方式的高頻電路組件的剖面圖。第一實(shí)施方式的多層電路基 板200以芯層210為中心在兩面分別具有三層的絕緣體層和導(dǎo)體層。另一方面，本實(shí)施方 式的多層電路基板200以芯層210為中心在兩面分別具有四層的絕緣體層和導(dǎo)體層，在這 一點(diǎn)與第一實(shí)施方式不同。具體而言，如圖7所不，多層電路基板200a，在芯層210的上表 面?zhèn)龋惶娴貙盈B有絕緣體層221a、221?223和導(dǎo)體層241a、241?243而形成。另外，在 芯層210的下表面?zhèn)?，交替地層疊有絕緣體層231?234和導(dǎo)體層251?255而形成。這 里，導(dǎo)體層241?243的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式相同。本實(shí)施方式形成為在第一實(shí)施方式的 第一導(dǎo)體層241和芯層210之間設(shè)置有導(dǎo)體層241a的結(jié)構(gòu)。在該導(dǎo)體層241a，形成有用于 經(jīng)由通孔導(dǎo)體將所埋設(shè)的電子部件和形成于第一導(dǎo)體層241的電路圖案等連接的焊墊。另 夕卜，在導(dǎo)體層241a，被稱為所謂"整面接地"的接地導(dǎo)體421與上述焊墊隔開規(guī)定距離整體 地形成。該接地導(dǎo)體421經(jīng)由通孔導(dǎo)體與芯層210和第一導(dǎo)體層241連接。
[0065] 這里應(yīng)該留意的第一點(diǎn)在于，該接地導(dǎo)體421在除了必要的焊墊等的形成區(qū)域以 外的、與所埋設(shè)的各電子部件相對的區(qū)域中形成。由此，所埋設(shè)的各電子部件的屏蔽性提 高。另外，應(yīng)該留意的第二點(diǎn)在于，接地導(dǎo)體421至少形成于與在第一導(dǎo)體層241所形成的 各電路圖案311、313?324相對的區(qū)域。由此，相對在電路圖案311、313?324中流通的 電流的回流電流，通過接地導(dǎo)體421中的與各電路圖案311、313?324相對的位置。由此， 電流回路變得最小，因此，能夠?qū)⒉ㄐ蔚奈蓙y和輻射噪聲抑制得較低。
[0066] 采用本實(shí)施方式的高頻電路組件，與第一實(shí)施方式相比，所埋設(shè)的各電子部件的 屏蔽性提高。即，在第一實(shí)施方式中，雖然在與芯層210相對的第一導(dǎo)體層241形成有接地 導(dǎo)體401，但是也形成有電路圖案311?324等。另一方面，由于在與芯層210相對的導(dǎo)體 層241a沒有形成電路圖案，因此能夠使接地導(dǎo)體421的形成面積增大。其它的作用和效果 與第一實(shí)施方式相同。
[0067](第三實(shí)施方式）
[0068] 參照【專利附圖】
【附圖說明】本發(fā)明的第三實(shí)施方式的高頻電路組件。圖8中表示高頻電路組件 的簡要電路圖。此外，本實(shí)施方式中，為了說明的簡便，主要僅說明與本發(fā)明的要點(diǎn)相關(guān)的 結(jié)構(gòu)。
[0069] 本實(shí)施方式的高頻電路組件500是對應(yīng)于四個(gè)頻帶的便攜電話中使用的高頻電 路組件。該高頻電路組件500對應(yīng)于一個(gè)天線具備一組發(fā)送接收類的電路。
[0070] 如圖8所示，高頻電路組件500具備：用于實(shí)現(xiàn)與天線的匹配的匹配電路510 ; 將天線50的連接目的地按每個(gè)頻帶進(jìn)行切換的第一高頻開關(guān)520 ;為了用共用的天線50 進(jìn)行發(fā)送和接收將發(fā)送信號和接收信號電分離的第一?第四雙工器530、540、550、560 ; 進(jìn)行高頻信號的調(diào)制解調(diào)處理、頻率轉(zhuǎn)換處理等的RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit) 570 ;對從RFIC570輸出的高頻信號進(jìn)行放大的高頻功率放大器580 ;切換通過高 頻功率放大器580放大后的發(fā)送信號的連接目的地的第三高頻開關(guān)590。此外，在實(shí)際的電 路結(jié)構(gòu)中，按每個(gè)頻帶具備發(fā)送信號用的帶通濾波器、接收信號用的匹配電路等，但為了說 明的簡便，在本實(shí)施方式中省略。
[0071] 第一高頻開關(guān)520對第一?第四雙工器530?560和經(jīng)由匹配電路510的一個(gè)外 部天線50的連接進(jìn)行切換。第一高頻開關(guān)520是將FET等的開關(guān)元件和控制該開關(guān)元件 的控制元件收納于一個(gè)封裝體中的獨(dú)立的部件。
[0072] 各雙工器530?560分別具備發(fā)送濾波器532、542、552、562和接收濾波器534、 544、554、564。各發(fā)送濾波器532、542、552、562和各接收濾波器534、544、554、564包括 聲波濾波器等的獨(dú)立部件。作為彈性波濾波器，例如，可以列舉表面聲波（SAW :SurfaCe Acoustic Wave)濾波器、體聲波（BAW:Bulk Acoustic Wave)濾波器等。本實(shí)施方式中作為 發(fā)送濾波器532、542、552、562使用不平衡輸出型的SAW濾波器，作為接收濾波器534、544、 554、564使用平衡輸出型的SAW濾波器。發(fā)送濾波器532、542、552、562的輸入端子與第三 高頻開關(guān)590的選擇端子連接。接收濾波器534、544、554、564的平衡輸出端子，根據(jù)需要 經(jīng)由匹配電路(省略圖示）與RFIC570的接收端口連接。
[0073] 高頻功率放大器580封裝于一個(gè)功率放大器IC585中。高頻功率放大器580的 輸出端子與第三高頻開關(guān)590的共用端子連接，輸入端子與RFIC570的發(fā)送端口連接。 RFIC570進(jìn)行高頻信號的調(diào)制解調(diào)處理、頻率轉(zhuǎn)換處理等的發(fā)送處理和接收處理。
[0074] 第三高頻開關(guān)590用于使基于RFIC570的發(fā)送處理和基于高頻功率放大器580的 放大處理在多個(gè)頻帶共用。第三高頻開關(guān)590的選擇端子與各發(fā)送濾波器532、542、552、 562的輸入端子連接，共用端子與高頻功率放大器580的輸出端子連接。第三高頻開關(guān)590 是將FET等的開關(guān)元件和控制該開關(guān)元件的控制元件收納于一個(gè)封裝體的獨(dú)立的部件。
[0075] 如上所述，本實(shí)施方式的高頻電路組件500對應(yīng)于四個(gè)頻帶，各雙工器530?560 進(jìn)行濾波，僅使規(guī)定頻帶的高頻信號通過。
[0076] 具體而言，第一雙工器 530 對應(yīng)于 2100MHz 帶的 W-CDMA(Wideband Code Division Multiple Access)或 LTE (Long Term Evolution)。因此，第一發(fā)送濾波器 532 為 1920 ? 1980MHz的帶通濾波器，第一接收濾波器534為2110?2170MHz的帶通濾波器。
[0077] 第二雙工器 540 對應(yīng)于 900MHz 帶的 W-CDMA 或 LTE 或 GSM (Global System for Mobile Communications)。因此，第二發(fā)送濾波器542為880?915MHz的帶通濾波器，第 二接收濾波器544為925?960MHz的帶通濾波器。
[0078] 第三雙工器550對應(yīng)于1900MHz帶的W-CDMA或LTE或GSM。因此，第三發(fā)送濾波 器552為1850?1910MHz的帶通濾波器，第三接收濾波器554為1930?1990MHz的帶通 濾波器。
[0079] 第四雙工器560對應(yīng)于850MHz帶的W-CDMA或LTE或GSM。因此，第四發(fā)送濾波器 562為824?849MHz的帶通濾波器，第四接收濾波器564為869?894MHz的帶通濾波器。
[0080] 接著，參照圖9至圖13說明高頻電路組件500的結(jié)構(gòu)。圖9是高頻電路組件的剖 面圖，圖10至圖13是說明高頻電路組件的主要部分的多層電路基板的圖案圖。此外，圖9 是圖10中A線從箭頭方向看的剖面圖。
[0081] 1?頻電路組件500如圖9所不，在多層電路基板600的上表面，表面安裝有構(gòu)成匹 配電路510的電感器、電容器等電子部件111 ;構(gòu)成各雙工器530?560的第一?第四接收 濾波器534、544、554、564 ;和功率放大器IC585、RFIC570。另一方面，第一高頻開關(guān)520 ;構(gòu) 成各雙工器530?560的第一?第四發(fā)送濾波器532、542、552、562 ;和第三高頻開關(guān)590被 埋設(shè)于多層電路基板600內(nèi)。這里，第一發(fā)送濾波器532被埋設(shè)于與將對應(yīng)的第一接收濾 波器534在多層電路基板600的厚度方向上投影的區(qū)域的一部分或全部重疊的位置。其它 的發(fā)送濾波器542、552、562也同樣。
[0082] 多層電路基板600是絕緣體層和導(dǎo)體層交替層疊構(gòu)成的多層基板。如圖9所示， 多層電路基板600具備：導(dǎo)電性良好且比較厚的金屬制的作為導(dǎo)體層的芯層610 ;形成于該 芯層610的一個(gè)主面(上表面）的多個(gè)(本實(shí)施方式中為3個(gè)）絕緣體層621?623和導(dǎo)體 層641?643 ;在芯層610的另一個(gè)主面(下表面）形成的多個(gè)(本實(shí)施方式中為3個(gè)）的絕 緣體層631?633和導(dǎo)體層651?653。絕緣體層621?623、631?633和導(dǎo)體層641? 643、651?653在芯層610的兩個(gè)主面通過積層施工方法形成。此外，導(dǎo)體層643和653相 當(dāng)于多層電路基板600的表層。導(dǎo)體層643相當(dāng)于高頻電路組件500的部件安裝面，形成 有傳輸高頻信號的電路圖案、用于安裝外裝部件的焊墊、檢查用的焊盤等。導(dǎo)體層653相當(dāng) 于將高頻電路組件安裝于母電路基板的底面，形成有端子電極和接地電極等。在該端子電 極包括用于與天線連接的天線用端子電極661，該天線用端子電極661經(jīng)由通孔662與安裝 于多層電路基板600的表面的匹配電路510連接。
[0083] 在芯層610形成有電子部件收納用的貫通孔611。在該貫通孔611中，配置有第 一和第三高頻開關(guān)520、590和第一?第四發(fā)送濾波器534、544、554、564等的電子部件。因 此，優(yōu)選芯層610的厚度大于內(nèi)置的電子部件的高度并且彎曲強(qiáng)度大。另外，芯層610由導(dǎo) 電性材料構(gòu)成，被賦予電基準(zhǔn)電位(接地)。因此，能夠?qū)⑿緦?10解釋為多層電路基板600 的導(dǎo)體層之一。本實(shí)施方式中，由金屬板、更詳細(xì)而言由銅制或者銅合金制的金屬板形成芯 層610。在貫通孔611內(nèi)的與收納部件之間的間隙填充有樹脂等的絕緣體。
[0084] 接著，說明多層電路基板600中的各電子部件的安裝結(jié)構(gòu)。從圖10到圖13依次 是從多層電路基板600的部件安裝面?zhèn)龋▓D9的紙面上側(cè))看多層電路基板600的芯層610、 導(dǎo)體層641?643的圖。此外，圖10?圖13中用虛線表示在多層電路基板600所埋設(shè)的 各電子部件的位置。此外，圖12和圖13中用一點(diǎn)劃線表示在多層電路基板600的表層所 安裝的電子部件的位置。
[0085] 如圖10所不，第一和第三高頻開關(guān)520、590和第一?第四發(fā)送濾波器534、544、 554、564配置于在多層電路基板600的芯層610形成的貫通孔611內(nèi)。這里，第一和第三高 頻開關(guān)520、590分別獨(dú)立地配置于貫通孔611a、611b中。另一方面，第一和第二發(fā)送濾波 器534、544配置于共用的貫通孔611c內(nèi)。同樣地，第三和第四發(fā)送濾波器554、564配置于 共用的貫通孔611d內(nèi)。第一和第三高頻開關(guān)520、590和第一?第四發(fā)送濾波器534、544、 554、564的各端子形成于多層電路基板600的與部件安裝面?zhèn)认鄬Φ闹髅妗Ａ硗?，在芯?610形成有從匹配電路510向天線用端子電極661連接的通孔662。
[0086] 如圖11所示，在第一導(dǎo)體層641，形成有構(gòu)成分別經(jīng)由通孔導(dǎo)體與各電子部件連 接的信號線的電路圖案。具體而言，在第一導(dǎo)體層641，形成有與作為第一高頻開關(guān)520的 輸入輸出端子的天線端子連接的電路圖案711、與第一高頻開關(guān)520的電源端子連接的電 路圖案712、連接作為第一高頻開關(guān)520的輸入輸出端子的電路端子和第一?第四發(fā)送濾 波器534、544、554、564的輸出端子的電路圖案713?716。并且，在第一導(dǎo)體層641，形成 有連接第一?第四發(fā)送濾波器534、544、554、564的輸入端子與第三高頻開關(guān)590的選擇端 子的電路圖案717?720。并且，在第一導(dǎo)體層641形成有：用于將第三高頻開關(guān)590的共 用端子與功率放大器IC585連接的電路圖案721 ;與第三高頻開關(guān)590的電源端子連接的 電路圖案722 ;和通孔662。另外，在第一導(dǎo)體層641，稱為"整面接地"的接地導(dǎo)體801與 上述電路圖案711?722和通孔662隔開規(guī)定距離整體地形成。該接地導(dǎo)體801經(jīng)由通孔 導(dǎo)體與芯層610連接，并且，經(jīng)由通孔導(dǎo)體與第一和第三高頻開關(guān)520、590的接地端子、第 一?第四發(fā)送濾波器534、544、554、564的接地端子連接。此外，為了說明的簡便，本實(shí)施方 式中省略了與第一和第三高頻開關(guān)520、590的控制端子連接的電路圖案。
[0087] 如圖12所示，在第二導(dǎo)體層642形成有：經(jīng)由通孔導(dǎo)體與形成于第一導(dǎo)體層641 的電路圖案713?716的端部連接的焊墊731?734 ;經(jīng)由通孔導(dǎo)體與形成于第一導(dǎo)體層 641的電路圖案722的端部連接的焊墊735 ;經(jīng)由通孔導(dǎo)體與形成于第一導(dǎo)體層641的電路 圖案711的端部連接的焊墊736 ;和通孔262。另外，在第二導(dǎo)體層642,被稱為"整面接地" 的接地導(dǎo)體802與上述焊墊731?736和通孔662隔開規(guī)定距離整體地形成。該接地導(dǎo)體 802經(jīng)由通孔導(dǎo)體與第一導(dǎo)體層641的接地導(dǎo)體801連接。這里，應(yīng)該留意的第一點(diǎn)在于， 該接地導(dǎo)體602在除了必要的電路圖案和焊墊的形成區(qū)域以外的、與所埋設(shè)的各電子部件 相對的區(qū)域中形成。由此，所埋設(shè)的各電子部件的屏蔽性提高。另外，應(yīng)該留意的第二點(diǎn)在 于，接地導(dǎo)體802至少在與形成于第一導(dǎo)體層641的各電路圖案711、713?721相對的區(qū)域 中形成。由此，相對在電路圖案711、713?721中流通的電流的回流電流，在接地導(dǎo)體802 的與各電路圖案711、713?721相對的位置通過。由此，電路回路變得最小，因此，能夠?qū)?波形的紊亂和輻射噪聲抑制得較小。
[0088] 如圖13所示，在第三導(dǎo)體層643、即多層電路基板600的表層形成有：經(jīng)由通孔導(dǎo) 體與第二導(dǎo)體層642的焊墊731?734連接并且與第一?第四接收濾波器532、542、552、 562的不平衡輸入端子連接的焊墊741?744 ;連接第一?第四接收濾波器532、542、552、 562的平衡輸出端子和RFIC570的接收端口的電路圖案745?752 ;經(jīng)由通孔導(dǎo)體與第二導(dǎo) 體層642的焊墊735連接并且與功率放大器IC585的輸出端子連接的電路圖案753。并且， 在第三導(dǎo)體層643形成有：經(jīng)由通孔導(dǎo)體與形成于第二導(dǎo)體層642的焊墊736連接并且與 構(gòu)成匹配電路510的電子部件511的一方的端子連接的焊墊754 ;和連接電子部件511的 另一方的端子與通孔662的電路圖案755。此外，從第一接收濾波器532的平衡輸出端子 延伸的一對電路圖案745、746中相鄰的第二接收濾波器542側(cè)的電路圖案746與從第二接 收濾波器542的平衡輸出端子延伸的一對電路圖案747、748中第一接收濾波器532側(cè)的電 路圖案747的間隔形成為，比從第一接收濾波器532的平衡輸出端子延伸的一對電路圖案 745和746的間隔、以及從第二接收濾波器542的平衡輸出端子延伸的一對電路圖案747和 748的間隔寬。由此能夠使頻帶間的信號的干涉降低。在其它接收濾波器之間也同樣。
[0089] 另外，如圖9所示，在作為與所埋設(shè)的各電子部件相對的導(dǎo)體層的、形成于與上述 導(dǎo)體層641相反側(cè)的導(dǎo)體層651，形成有稱為所謂"整面接地"的接地導(dǎo)體811。該接地導(dǎo) 體811經(jīng)由通孔導(dǎo)體與芯層610連接。這里，應(yīng)該留意的點(diǎn)在于，該接地導(dǎo)體811在除了必 要的電路圖案和焊墊的形成區(qū)域以外的、與所埋設(shè)的各電子部件相對的區(qū)域中形成。由此， 所埋設(shè)的各電子部件成為由形成于導(dǎo)體層641的接地導(dǎo)體801、導(dǎo)電性芯層610、形成于導(dǎo) 體層851的接地導(dǎo)體811圍繞的結(jié)構(gòu)。因此，所埋設(shè)的各電子部件的屏蔽性高。
[0090] 采用本實(shí)施方式的高頻電路組件500,由于第一和第三高頻開關(guān)520、590和第 一?第四發(fā)送濾波器532、542、552、562埋設(shè)于多層電路基板600，因此能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。這 里，所埋設(shè)的各電子部件由接地導(dǎo)體802、811夾著，因此屏蔽效果高，高頻特性良好。另外， 由于各電子部件配置于在導(dǎo)電性的芯層610形成的貫通孔611內(nèi)，換言之，被導(dǎo)體圍繞，因 此，能夠得到高的屏蔽效果。另外，本實(shí)施方式中，作為連接第一高頻開關(guān)520和第一?第 四發(fā)送濾波器532、542、552、562的信號線的電路圖案713?716,以及作為連接第一?第四 發(fā)送濾波器532、542、552、562和第三高頻開關(guān)590的信號線的電路圖案717?720形成于 多層電路基板600的內(nèi)層。并且，在與該電路圖案713?720相對的區(qū)域形成有接地導(dǎo)體 802,因此，能夠?qū)⒂稍陔娐穲D案713?720中流通的電流及其回流電流所形成的電流回路 抑制為最小。由此，能夠?qū)⒉ㄐ蔚奈蓙y和輻射噪聲抑制降低。
[0091] 另外，本實(shí)施方式的高頻電路組件500中，由于在形成于多層電路基板600的表面 的電路圖案745?752和形成于第一導(dǎo)體層641的電路圖案713?720之間設(shè)置有接地導(dǎo) 體802,因此，能夠防止信號的干擾。
[0092] 另外，采用本實(shí)施方式的高頻電路組件500,能夠使用共用的高頻放大器580對多 個(gè)頻帶用的發(fā)送信號進(jìn)行放大，因此能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。
[0093] 另外，本實(shí)施方式的高頻電路組件500中，由于匹配電路510安裝在多層電路基板 600上，因此能夠通過該匹配電路的更換、調(diào)整等容易地得到所期望的特性。另外，由于能夠 減小匹配電路與所埋設(shè)的電子部件的距離，因此，能夠抑制高頻信號的損失。
[0094] 此外，本實(shí)施方式的高頻電路組件作為第一實(shí)施方式的高頻電路組件的變形例進(jìn) 行例示，但也能夠?qū)Φ诙?shí)施方式的高頻電路組件應(yīng)用同樣的變形。
[0095] (第四實(shí)施方式）
[0096] 參照【專利附圖】
【附圖說明】本發(fā)明的第四實(shí)施方式的高頻電路組件。本實(shí)施方式的高頻電路組 件與第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于多層電路基板的層結(jié)構(gòu)。其它的方面與第一實(shí)施方式同 樣，因此，在這里僅說明不同點(diǎn)。此外，對于與第一實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)使用同一符號。
[0097] 圖14是第四實(shí)施方式的高頻電路組件的剖面圖，圖15是第四實(shí)施方式的高頻電 路組件的芯層的俯視圖。第一實(shí)施方式的多層電路基板200b中，作為芯層210的材質(zhì)使用 具有導(dǎo)電性的材料。另一方面，本實(shí)施方式的多層電路基板200b，作為芯層210使用絕緣 體。具體而言，芯層210例如可以列舉環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺等絕緣性的樹脂、或者在玻璃纖 維等中含浸有環(huán)氧樹脂的玻璃環(huán)氧樹脂等。但不限于此，只要是電路基板用的絕緣材料即 可。由于這樣的不同點(diǎn)，本實(shí)施方式的多層電路基板200b不具有連接接地導(dǎo)體401和411 與芯層210的通孔導(dǎo)體。
[0098] 另外，本實(shí)施方式的多層電路基板200b如圖14和圖15所示，在形成于芯層210 的貫通孔211的周圍形成有多個(gè)通孔導(dǎo)體271。該通孔導(dǎo)體271連接接地導(dǎo)體411和接地 導(dǎo)體411。即，形成為配置于貫通孔211內(nèi)的電子部件的側(cè)面由接地導(dǎo)體401、411和通孔導(dǎo) 體271圍繞的結(jié)構(gòu)。因此，所埋設(shè)的各電子部件的屏蔽性提高。
[0099] 此外，本實(shí)施方式的高頻電路組件作為第一實(shí)施方式的高頻電路組件的變形例進(jìn) 行例示，但也能夠?qū)Φ诙偷谌龑?shí)施方式的高頻電路組件應(yīng)用同樣的變形。適用于第二實(shí) 施方式時(shí)，通孔導(dǎo)體271連接接地導(dǎo)體421和接地導(dǎo)體411即可。
[0100] 以上說明了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，但是本發(fā)明不限定于此。例如，上述各實(shí)施方 式中，在電路基板200、600的上表面各種部件以被安裝的狀態(tài)露出，但是，也可以以覆蓋電 路基板200、600的上表面的整個(gè)面或者一部分的方式安裝有外殼或者以樹脂等封裝。
[0101] 另外，上述各實(shí)施方式中說明的頻帶僅僅是作為一例進(jìn)行例示，對于其他的頻帶 也能夠?qū)嵤┍景l(fā)明。另外，上述實(shí)施方式中，作為分波器(天線共用器）的例子列舉了雙工 器，但對于三工器（triplexer)等具有三個(gè)以上的通過頻帶的分波器，也能夠?qū)嵤┍景l(fā)明。
[0102] 符號說明
[0103] 10、50…天線、100、500…高頻電路組件、110、510…匹配電路、120、520…第一高頻 開關(guān)、130?160…接收用濾波器、530?560…雙工器、532、542、552、562?發(fā)送用濾波器、 534、544、554、56七..接收用濾波器、170、57(>..1^1(：、18(>..第二高頻開關(guān)、58(>..高頻功率放 大器、585…功率放大器IC、590…第三高頻開關(guān)、200、600…多層電路基板、210、610…芯層、 211、611 …貫通孔、401、402、411、421、801、802、81卜.接地導(dǎo)體。
【權(quán)利要求】
1. 一種高頻電路組件，其具備：交替層疊絕緣體層和導(dǎo)體層而形成的多層電路基板； 對高頻發(fā)送信號進(jìn)行濾波的發(fā)送用濾波器；對高頻接收信號進(jìn)行濾波的接收用濾波器；和 對天線與發(fā)送用濾波器和接收用濾波器的連接進(jìn)行切換的第一高頻開關(guān)，該高頻電路組件 的特征在于： 發(fā)送用濾波器和接收用濾波器的任一方或雙方、和第一高頻開關(guān)分別被埋設(shè)于多層電 路基板內(nèi)， 在位于多層電路基板的內(nèi)層且位于第一高頻開關(guān)和所埋設(shè)的濾波器的一方的主面?zhèn)?的第一導(dǎo)體層中，至少與第一高頻開關(guān)和所埋設(shè)的濾波器相對的區(qū)域中形成有第一接地導(dǎo) 體，并且，在位于另一方的主面?zhèn)鹊牡诙?dǎo)體層中，至少與第一高頻開關(guān)和所埋設(shè)的濾波器 相對的區(qū)域中形成有第二接地導(dǎo)體。
2. 如權(quán)利要求1所述的高頻電路組件，其特征在于： 在與所述第一導(dǎo)體層隔著絕緣體層相鄰的第三導(dǎo)體層中，形成有連接第一高頻開關(guān)和 所埋設(shè)的濾波器的信號線， 所述第一接地導(dǎo)體至少形成在與信號線相對的區(qū)域中。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的高頻電路組件，其特征在于： 在多層電路基板的第一主面安裝有插設(shè)在天線和第一高頻開關(guān)之間的第一匹配電路， 在與第一主面相反側(cè)的第二主面形成有高頻電路組件的端子電極，并且，第一高頻開關(guān)的 輸入輸出端子形成于多層電路基板的第一主面?zhèn)取?br> 4. 如權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的高頻電路組件，其特征在于： 至少是接收用濾波器埋設(shè)在多層電路基板內(nèi)， 在多層電路基板的第一主面安裝有進(jìn)行接收用濾波器和處理接收信號的高頻1C的匹 配的第二匹配電路，在與第一主面相反側(cè)的第二主面形成有高頻電路組件的端子電極，并 且，所埋設(shè)的接收用濾波器的輸入輸出端子形成于多層電路基板的第一主面?zhèn)取?br> 5. 如權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的高頻電路組件，其特征在于： 頻帶相互不同的多個(gè)接收用濾波器至少埋設(shè)在多層電路基板中，并且，所述高頻電路 組件具備：對通過各接收用濾波器進(jìn)行濾波后得到的接收信號加以處理的高頻1C ;和切換 與該高頻1C的共用接收端子連接的接收用濾波器的第二高頻開關(guān)， 該第二高頻開關(guān)埋設(shè)于多層電路基板內(nèi)，并且，連接該第二高頻開關(guān)和接收用濾波器 的信號線在多層電路基板的內(nèi)層中形成在與第一接地導(dǎo)體相對的位置。
6. 如權(quán)利要求1?5中任一項(xiàng)所述的高頻電路組件，其特征在于： 頻帶相互不同的多個(gè)發(fā)送用濾波器至少埋設(shè)在多層電路基板中，并且，所述高頻電路 組件具備：放大發(fā)送信號的放大器；和切換從放大器連接到輸出端子的發(fā)送用濾波器的第 二商頻開關(guān)， 該第三高頻開關(guān)埋設(shè)于多層電路基板內(nèi)，并且，連接第三高頻開關(guān)和發(fā)送用濾波器的 信號線形成在多層電路基板的內(nèi)層。
7. 如權(quán)利要求6所述的高頻電路組件，其特征在于： 在多層電路基板的第一主面安裝有與所埋設(shè)的發(fā)送用濾波器對應(yīng)的頻帶的接收用濾 波器，并且，將該接收用濾波器在多層電路基板的厚度方向上投影的區(qū)域的一部分或全部 與所述發(fā)送用濾波器重疊。
8. 如權(quán)利要求6所述的高頻電路組件，其特征在于： 在多層電路基板的第一主面安裝有：與所埋設(shè)的發(fā)送用濾波器對應(yīng)的頻帶的接收用濾 波器；和處理接收信號的高頻1C，連接高頻1C和接收用濾波器的信號線形成在多層電路基 板的第一主面。
9. 如權(quán)利要求7或8所述的高頻電路組件，其特征在于： 在設(shè)置于傳輸發(fā)送信號的信號線與傳輸接收信號的信號線之間的導(dǎo)體層形成有接地 導(dǎo)體。
10. 如權(quán)利要求1?9中任一項(xiàng)所述的高頻電路組件，其特征在于： 多層電路基板包括厚度比其它導(dǎo)體層的厚度厚的芯層，第一高頻開關(guān)和所埋設(shè)的濾波 器配置于在芯層中形成的貫通孔或凹部內(nèi)。
11. 如權(quán)利要求10所述的高頻電路組件，其特征在于： 所述芯層由導(dǎo)電性材料構(gòu)成并且被賦予接地電位。
12. 如權(quán)利要求10所述的高頻電路組件，其特征在于： 所述芯層由絕緣性材料構(gòu)成，并且在第一高頻開關(guān)和所埋設(shè)的濾波器的周圍形成有連 接第一接地導(dǎo)體和第二接地導(dǎo)體的多個(gè)通孔導(dǎo)體。
13. 如權(quán)利要求10?12中任一項(xiàng)所述的高頻電路組件，其特征在于： 在一個(gè)貫通孔或凹部中配置有多個(gè)接收用濾波器。
【文檔編號】H05K1/18GK104105342SQ201410005763
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年1月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月11日
【發(fā)明者】佐治哲夫, 中村浩 申請人:太陽誘電株式會社
【專利摘要】本發(fā)明提供一種高頻特性良好并且能夠容易地實(shí)現(xiàn)小型化的高頻電路組件。在具備多層電路基板（200）、切換天線的連接的第一高頻開關(guān)（120）、發(fā)送用濾波器和接收用濾波器（130～160）的高頻電路組件（100）中，將發(fā)送用濾波器和接收用濾波器（130～160）的任一方或雙方和第一高頻開關(guān)（120）埋設(shè)于多層電路基板（200）中。在與所埋設(shè)的電子部件相對的導(dǎo)體層中形成接地導(dǎo)體（401、411）。
【專利說明】高頻電路組件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及在多層電路基板安裝有1?頻電路的1?頻電路組件，特別涉及1?頻開關(guān) 和濾波器的安裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002] 以往，便攜電話中所使用的包括高頻開關(guān)的電路組件中，使用了利用PIN二極管 的開關(guān)電路。但是，近年來，隨著多波段化、通信頻帶的高頻化，使用了利用FET開關(guān)的高頻 開關(guān)。作為安裝有這樣的高頻開關(guān)的電路組件，例如，公知有專利文獻(xiàn)1?3中記載的電路 組件。在專利文獻(xiàn)1和2中，記載有在多層電路基板表面安裝有高頻開關(guān)1C和表面聲波 (SAW :Surface Acoustic Wave)濾波器的高頻電路開關(guān)組件。另外，在專利文獻(xiàn)3中，記載 有在多層電路基板內(nèi)埋設(shè)有商頻開關(guān)的商頻組件。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0004] 專利文獻(xiàn)
[0005] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開2011-103597號公報(bào)
[0006] 專利文獻(xiàn)2 :國際公開第2010/024376號公報(bào)
[0007] 專利文獻(xiàn)3 :日本專利第4337944號公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008] 發(fā)明所要解決的課題
[0009] 但是，在該種高頻電路組件中，近年來，對進(jìn)一步小型化、薄型化的要求提高。但 是，現(xiàn)有的高頻電路組件的結(jié)構(gòu)中，信號線間的干擾、信號線和接地圖案間的寄生電容引起 的特性劣化形成問題，對于小型化、薄型化具有限制。因此，研究了在電路基板內(nèi)埋設(shè)高頻 開關(guān)和濾波器。但是，上述專利文獻(xiàn)1?3中記載的電路組件，原本就是以在電路基板上表 面安裝高頻開關(guān)和濾波器為前提的結(jié)構(gòu)，因此，存在僅簡單地將高頻開關(guān)和濾波器埋設(shè)于 電路基板內(nèi)不能夠消除特性劣化的問題(特別是在高頻開關(guān)及其周邊產(chǎn)生的寄生電容的問 題)，或者難以實(shí)現(xiàn)小型化、薄型化的問題。換而言之，為了小型化、薄型化而將高頻開關(guān)埋 設(shè)于電路基板內(nèi)，需要與其結(jié)構(gòu)相應(yīng)的獨(dú)特的設(shè)計(jì)思想。
[0010] 本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)實(shí)而完成的，其目的在于提供高頻特性良好并且能夠容易地 實(shí)現(xiàn)小型化的1?頻電路組件。
[0011] 用于解決課題的方法
[0012] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請發(fā)明的高頻電路組件的特征在于，其具備：絕緣體層和 導(dǎo)體層交替層疊而形成的多層電路基板；對高頻發(fā)送信號進(jìn)行濾波的發(fā)送用濾波器；對高 頻接收信號進(jìn)行濾波的接收用濾波器；和對天線與發(fā)送用濾波器和接收用濾波器的連接進(jìn) 行切換的第一高頻開關(guān)，在該高頻電路組件中，發(fā)送用濾波器和接收用濾波器的任一方或 雙方、和第一高頻開關(guān)分別被埋設(shè)于多層電路基板內(nèi)，在多層電路基板的內(nèi)層，且位于第一 高頻開關(guān)和所埋設(shè)的濾波器的一方的主面?zhèn)鹊牡谝粚?dǎo)體層中的、至少與第一高頻開關(guān)和所 埋設(shè)的濾波器相對的區(qū)域中形成有第一接地導(dǎo)體，并且，在位于另一方的主面?zhèn)鹊牡诙?dǎo) 體層中的、至少與第一高頻開關(guān)和所埋設(shè)的濾波器相對的區(qū)域中形成有第二接地導(dǎo)體。
[0013] 根據(jù)本發(fā)明，由于將第一高頻開關(guān)、和發(fā)送用濾波器以及接收用濾波器的任一方 或雙方埋設(shè)于多層電路基板，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)高頻電路組件的小型化。另外，由于以隔著第 一高頻開關(guān)和所埋設(shè)的濾波器的方式在第一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體層形成有接地導(dǎo)體，因此， 屏蔽效果高，高頻特性優(yōu)異。
[0014] 作為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的一個(gè)例子，可以列舉一種高頻電路組件，其特征在 于：在與上述第一導(dǎo)體層隔著絕緣體層相鄰的第三導(dǎo)體層中，形成有連接第一高頻開關(guān)和 所埋設(shè)的濾波器的信號線，上述第一接地導(dǎo)體至少形成在與信號線相對的區(qū)域中。根據(jù)本 發(fā)明，相對第一高頻開關(guān)和所埋設(shè)的濾波器中流通的電流的回流電流在第一接地導(dǎo)體中流 通，因此，電流回路變得最小。由此能夠?qū)⒉ㄐ蔚奈蓙y和輻射噪聲抑制得較低。
[0015] 另外，作為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的一個(gè)例子，可以列舉一種高頻電路組件，其特 征在于：在多層電路基板的第一主面安裝有插設(shè)在天線和第一高頻開關(guān)之間的第一匹配 電路，在與第一主面相反側(cè)的第二主面形成有高頻電路組件的端子電極，并且，第一高頻開 關(guān)的輸入輸出端子形成于多層電路基板的第一主面?zhèn)?。根?jù)本發(fā)明，在由于第一高頻開關(guān) 自身的不一致和第一高頻開關(guān)的安裝狀況等而無法得到所期望的特性時(shí)，由于匹配電路安 裝于多層電路基板上，因此，能夠容易地通過該匹配電路的更換、調(diào)整等來得到所期望的特 性。另外，由于能夠縮短匹配電路和第一高頻開關(guān)的距離，能夠抑制高頻信號的損失。
[0016] 另外，作為本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式的一個(gè)例子，可以列舉一種高頻電路組件，其 特征在于：至少是接收用濾波器埋設(shè)在多層電路基板內(nèi)，在多層電路基板的第一主面安裝 有進(jìn)行接收用濾波器和處理接收信號的高頻1C的匹配的第二匹配電路，在與第一主面相 反側(cè)的第二主面形成有高頻電路組件的端子電極，并且，所埋設(shè)的接收用濾波器的輸入輸 出端子形成于多層電路基板的第一主面?zhèn)?。根?jù)本發(fā)明，在由于接收用濾波器自身的不一 致(波動）和接收用濾波器的安裝狀況等而無法得到所期望的的特性時(shí)，由于匹配電路安 裝于多層電路基板上，因此，能夠容易地通過該匹配電路的更換、調(diào)整等來得到所期望的特 性。另外，由于能夠縮短匹配電路和接收用濾波器的距離，能夠抑制高頻信號的損失。
[0017] 另外，作為本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式的一個(gè)例子，可以列舉一種高頻電路組件，其 特征在于：頻帶相互不同的多個(gè)接收用濾波器至少埋設(shè)在多層電路基板中，并且，上述高頻 電路組件具備：對通過各接收用濾波器進(jìn)行濾波后得到的接收信號加以處理的高頻1C ;和 切換與該高頻1C的共用接收端子連接的接收用濾波器的第二高頻開關(guān)，該第二高頻開關(guān) 埋設(shè)于多層電路基板內(nèi)，并且，連接該第二高頻開關(guān)和接收用濾波器的信號線在多層電路 基板的內(nèi)層中形成在與第一接地導(dǎo)體相對的位置。根據(jù)本發(fā)明，由于能夠通過高頻1C的共 用的接收電路處理多個(gè)頻帶的接收信號，所以能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。另外，相對在第二高頻開關(guān) 中流通的電流的回流電流在第一接地導(dǎo)體中流通，因此，電流回路變得最小。由此能夠?qū)⒉?形的紊亂和輻射噪聲抑制得較低。
[0018] 另外，作為本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式的一個(gè)例子，可以列舉一種高頻電路組件，其 特征在于：頻帶相互不同的多個(gè)發(fā)送用濾波器至少埋設(shè)在多層電路基板中，并且，上述高頻 電路組件具備：放大發(fā)送信號的放大器；和切換從放大器連接到輸出端子的發(fā)送用濾波器 的第三高頻開關(guān)，該第三高頻開關(guān)埋設(shè)于多層電路基板內(nèi)，并且，連接第三高頻開關(guān)和發(fā)送 用濾波器的信號線形成在多層電路基板的內(nèi)層。根據(jù)本發(fā)明，由于能夠通過共用的放大器 將多個(gè)頻帶用的發(fā)送信號放大，因此能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。另外，由于能夠容易地縮短傳輸被放 大后的發(fā)送信號的信號線長度，并且，能夠利用第一接地導(dǎo)體和第二接地導(dǎo)體提高屏蔽效 果，因此，能夠抑制輻射噪聲。
[0019] 另外，作為本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式的一個(gè)例子，可以列舉一種高頻信號組件，其 特征在于：在多層電路基板的第一主面安裝有與所埋設(shè)的發(fā)送用濾波器對應(yīng)的頻帶的接收 用濾波器，并且，將該接收用濾波器在多層電路基板的厚度方向上投影的區(qū)域的一部分或 全部與上述發(fā)送用濾波器重疊。根據(jù)本發(fā)明，由于能夠縮短第三高頻開關(guān)與發(fā)送用濾波器 和接收用濾波器的距離，因此，能夠得到良好的高頻特性。
[0020] 另外，作為本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式的一個(gè)例子，可以列舉一種高頻信號組件，其 特征在于：在多層電路基板的第一主面安裝有：與所埋設(shè)的發(fā)送用濾波器對應(yīng)的頻帶的接 收用濾波器；和處理接收信號的高頻1C，連接高頻1C和接收用濾波器的信號線形成在多層 電路基板的第一主面。根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制發(fā)送信號和接收信號的干擾。特別是在設(shè)置 于傳輸發(fā)送信號的信號線和傳輸接收信號的信號線之間的導(dǎo)體層形成有接地導(dǎo)體，在防止 干擾的方面更有用。
[0021] 另外，作為本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式的一個(gè)例子，可以列舉一種高頻電路組件，其 特征在于：多層電路基板包括厚度比其它導(dǎo)體層的厚度厚的芯層，第一高頻開關(guān)和所埋設(shè) 的濾波器配置于在芯層中形成的貫通孔或凹部內(nèi)。在該情況下，從屏蔽性的觀點(diǎn)，優(yōu)選由導(dǎo) 電性材料形成上述芯層并且對該芯層賦予接地電位。或者，由絕緣性材料形成上述芯層并 且在第一高頻開關(guān)和所埋設(shè)的濾波器的周圍形成有連接第一接地導(dǎo)體和第二接地導(dǎo)體的 多個(gè)通孔導(dǎo)體，也可以得到高的屏蔽效果。另外，此時(shí)，從小型化的觀點(diǎn)，優(yōu)選在一個(gè)貫通孔 或凹部配置有多個(gè)接收用濾波器。
[0022] 發(fā)明的效果
[0023] 采用如上所述的本發(fā)明的高頻電路組件，高頻特性良好并且能夠容易地實(shí)現(xiàn)小型 化。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0024] 圖1是第一實(shí)施方式的高頻電路組件的簡要電路圖。
[0025] 圖2是是第一實(shí)施方式的高頻電路組件的剖面圖。
[0026] 圖3是說明第一實(shí)施方式的高頻電路組件的主要部分的多層電路基板的各層的 圖案圖。
[0027] 圖4是說明第一實(shí)施方式的高頻電路組件的主要部分的多層電路基板的各層的 圖案圖。
[0028] 圖5是說明第一實(shí)施方式的高頻電路組件的主要部分的多層電路基板的各層的 圖案圖。
[0029] 圖6是說明第一實(shí)施方式的高頻電路組件的主要部分的多層電路基板的各層的 圖案圖。
[0030] 圖7是第二實(shí)施方式的高頻電路組件的剖面圖。
[0031] 圖8是第三實(shí)施方式的高頻電路組件的簡要電路圖。
[0032] 圖9是第三實(shí)施方式的高頻電路組件的剖面圖。
[0033] 圖10是說明第三實(shí)施方式的高頻電路組件的主要部分的多層電路基板的各層的 圖案圖。
[0034] 圖11是說明第三實(shí)施方式的高頻電路組件的主要部分的多層電路基板的各層的 圖案圖。
[0035] 圖12是說明第三實(shí)施方式的高頻電路組件的主要部分的多層電路基板的各層的 圖案圖。
[0036] 圖13是說明第三實(shí)施方式的高頻電路組件的主要部分的多層電路基板的各層的 圖案圖。
[0037] 圖14是第四實(shí)施方式的高頻電路組件的剖面圖。
[0038] 圖15是說明第四實(shí)施方式的高頻電路組件的主要部分的芯層的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0039] (第一實(shí)施方式）
[0040] 參照【專利附圖】
【附圖說明】本發(fā)明的第一實(shí)施方式的高頻電路組件。圖1中表示高頻電路組件 的簡要電路圖。此外，本實(shí)施方式中，為了說明的簡便，主要僅說明與本發(fā)明的要點(diǎn)相關(guān)的 結(jié)構(gòu)。
[0041] 本實(shí)施方式的高頻電路組件100是對應(yīng)于四個(gè)頻帶的便攜電話中使用的高頻電 路組件。該高頻電路組件100采用多樣性結(jié)構(gòu)，對于一個(gè)天線具備一組發(fā)送接收類的電路， 對于另一個(gè)天線具備一個(gè)接收類的電路(多樣性接收電路)。本實(shí)施方式中，為了說明的簡 便，僅對后者的多樣性接收電路進(jìn)行說明，省略對其它電路的說明。此外，前者的發(fā)送接收 類的電路中也包括發(fā)送濾波器。
[0042] 如圖1所示，高頻電路組件100具備：用于實(shí)現(xiàn)與天線10的匹配的匹配電路110 ; 將天線10的連接目的地按每個(gè)頻帶進(jìn)行切換的第一高頻開關(guān)120 ;將由天線10所接收的 高頻的接收信號在各頻帶中進(jìn)行濾波的第一?第四接收濾波器130、140、150、160 ;和進(jìn)行 高頻信號的調(diào)制解調(diào)處理、頻率轉(zhuǎn)換處理的RFIP(Radio Frequency Integrated Circuit : 射頻集成電路）170。另外，高頻電路組件100具備對輸入到RFIC170的接收信號進(jìn)行切換 的第二高頻開關(guān)180。另外，高頻電路組件100具備介于第一接收濾波器130、第四接收濾 波器160和第二高頻開關(guān)180與RFIC170之間設(shè)置的匹配電路190、192、194。
[0043] 第一高頻開關(guān)120對第一?第四接收濾波器130?160與經(jīng)由匹配電路110的一 個(gè)外部天線10的連接進(jìn)行切換。第一高頻開關(guān)120是將FET等的開關(guān)元件和控制該開關(guān) 元件的控制元件收納于一個(gè)封裝體中的獨(dú)立的部件。
[0044] 各接收濾波器130?160包括彈性波濾波器等獨(dú)立部件。作為彈性波濾波器，例 如，可以列舉表面聲波（SAW :Surface Acoustic Wave)濾波器、體聲波（BAW:Bulk Acoustic Wave)濾波器等。本實(shí)施方式中使用平衡輸出型的SAW濾波器。第一接收濾波器130和第 四接收濾波器160的平衡輸出端子經(jīng)由匹配電路190、194與RFIC170的接收端口連接。第 二接收濾波器140和第三接收濾波器150的平衡輸出端子與第二高頻開關(guān)180連接。
[0045] 第二高頻開關(guān)180用于將RFIC170的接收端口的一個(gè)在多個(gè)頻帶中共用。第二高 頻開關(guān)180的選擇端子與第二接收濾波器140和第三接收濾波器150的平衡輸出端子連 接。另一方面，第二高頻開關(guān)180的共用端子經(jīng)由匹配電路192與RFIC170的接收端口連 接。第二高頻開關(guān)180為將FET等的開關(guān)元件和控制該開關(guān)元件的控制元件收納于一個(gè)封 裝體中的獨(dú)立的部件。
[0046] 如上所述，本實(shí)施方式的高頻電路組件100對應(yīng)于四個(gè)頻帶，各接收濾波器130? 160進(jìn)行濾波使得僅規(guī)定的頻帶的高頻信號通過。
[0047] 具體而言，第一接收濾波器130對應(yīng)于2100MHz帶的W-CDMA (Wideband Code Division Multiple Access:寬帶碼分多址）或 LTE (Long Term Evolution:長期演進(jìn)技 術(shù))。因此，第一接收濾波器130為2110?2170MHz的帶通濾波器。第二接收濾波器140對 應(yīng)于 900MHz 帶的 W-CDMA 或 LTE 或 GSM (Global System for Mobile Communications :全 球移動通信系統(tǒng))。因此，第二接收濾波器140為925?960MHz的帶通濾波器。第三接收 濾波器150對應(yīng)于850MHz帶的W-CDMA或LTE或GSM。因此，第三接收濾波器150為869? 894MHz的帶通濾波器。第四接收濾波器160對應(yīng)于1900MHz帶的W-CDMA或LTE或GSM。因 此，第四接收濾波器160為1930?1990MHz的帶通濾波器。
[0048] 接著，參照圖2至圖5說明高頻電路組件100的結(jié)構(gòu)。圖2是高頻電路組件的剖 面圖，圖3至圖6是說明高頻電路組件的主要部分的多層電路基板的圖案圖。此外，圖2是 圖3中A線按箭頭方向看的剖面圖。
[0049] 1?頻電路組件100如圖2所不，在多層電路基板200的上表面，表面安裝有構(gòu)成 匹配電路110、190、192、194的電感器、電容器等電子部件111、191、193、195 (圖2中省略 了 191和195的圖示）；和RFIC170。另一方面，第一高頻開關(guān)120、第一?第四接收濾波器 130?160和第二高頻開關(guān)180埋設(shè)于多層電路基板200內(nèi)。
[0050] 多層電路基板200是交替層疊絕緣體層和導(dǎo)體層構(gòu)成的多層基板。多層電路基板 200如圖2所示，具備：導(dǎo)電性良好且比較厚的金屬制的作為導(dǎo)體層的芯層210 ;形成于該 芯層210的一個(gè)主面(上表面)的多個(gè)(本實(shí)施方式中為3個(gè))絕緣體層221?223和導(dǎo)體層 241?243 ;以及在芯層210的另一個(gè)主面(下表面）形成的多個(gè)(本實(shí)施方式中為3個(gè)）絕 緣體層231?233和導(dǎo)體層251?253。絕緣體層221?223、231?233和導(dǎo)體層241? 243、251?253在芯層210的兩個(gè)主面通過積層施工方法形成。此外，導(dǎo)體層243和253相 當(dāng)于多層電路基板200的表層。導(dǎo)體層243相當(dāng)于高頻電路組件100的部件安裝面，形成 有傳送高頻信號的電路圖案、用于安裝外部安裝部件的焊墊、檢查用的焊盤等。導(dǎo)體層253 相當(dāng)于將高頻電路組件安裝于母電路基板的底面，形成有端子電極和接地電極等。該端子 電極包括用于與天線連接的天線用端子電極261，該天線用端子電極261經(jīng)由通孔262與安 裝于多層電路基板200的表面的匹配電路110連接。
[0051 ] 在芯層210形成有電子部件收納用的貫通孔211。在該貫通孔211中，配置有第一 和第二高頻開關(guān)120、180和第一?第四接收濾波器130?160等的電子部件。因此，芯層 210優(yōu)選厚度比內(nèi)置的電子部件的高度大并且彎曲強(qiáng)度大。另外，芯層210由導(dǎo)電性材料構(gòu) 成，被賦予電基準(zhǔn)電位(接地)。因此，能夠?qū)⑿緦?10解釋為多層電路基板200的導(dǎo)體層之 一。本實(shí)施方式中，由金屬板、更詳細(xì)而言由銅制或者銅合金制的金屬板形成芯層210。在 貫通孔211內(nèi)并且在與收納部件之間的間隙填充有樹脂等的絕緣體。
[0052] 接著，說明多層電路基板200中的各電子部件的安裝結(jié)構(gòu)。從圖3到圖6依次是 從多層電路基板200的部件安裝面?zhèn)龋▓D2的紙面上側(cè)）看多層電路基板200的芯層210、 導(dǎo)體層241?243的圖。此外，圖3?圖6中用虛線表示在多層電路基板200所埋設(shè)的各 電子部件的位置。此外，圖5和圖6中用一點(diǎn)劃線表示多層電路基板200的表層所安裝的 電子部件的位置。
[0053] 如圖3所示，第一和第二高頻開關(guān)120、180和第一?第四接收濾波器130?160 配置于在多層電路基板200的芯層210形成的貫通孔211內(nèi)。這里，第一和第二高頻開關(guān) 120、180分別獨(dú)立地配置于貫通孔211a、211b中。另一方面，第一和第二接收濾波器130、 140配置于共用的貫通孔211c內(nèi)。同樣地，第三和第四接收濾波器150U60配置于共用的 貫通孔211d內(nèi)。第一和第二高頻開關(guān)120U80和第一?第四接收濾波器130?160的各 端子形成于多層電路基板200的與部件安裝面?zhèn)认鄬Φ闹髅妗Ａ硗?，在芯?10形成有從 匹配電路110向天線用端子電極261連接的通孔262。
[0054] 如圖4所示，在第一導(dǎo)體層241，形成有構(gòu)成分別經(jīng)由通孔導(dǎo)體與各電子部件連接 的信號線的電路圖案和焊墊。具體而言，在第一導(dǎo)體層241，形成有與作為第一高頻開關(guān) 120的輸入輸出端子的天線端子連接的電路圖案311、與第一高頻開關(guān)120的電源端子連接 的電路圖案312、連接作為第一高頻開關(guān)120的輸入輸出端子的電路端子和第一?第四接 收濾波器130?160的不平衡輸入端子的電路圖案313?316。并且，在第一導(dǎo)體層241形 成有：連接第一和第四接收濾波器130U60的平衡輸出端子與構(gòu)成匹配電路190U94的電 子部件191、195的電路圖案317?320 ;和連接第二和第三接收濾波器140、150的平衡輸出 端子與第二高頻開關(guān)180的選擇端子的電路圖案321?324。并且，在第一導(dǎo)體層241形成 有：與第二高頻開關(guān)180的電源端子連接的電路圖案325 ;與第二高頻開關(guān)180的共用端子 連接的焊墊326、327 ;和通孔262。另外，在第一導(dǎo)體層241，與上述電路圖案311?324、焊 墊326、327和通孔262隔開規(guī)定距離整體地形成有稱為"整面接地"的接地導(dǎo)體401。該接 地導(dǎo)體401經(jīng)由通孔導(dǎo)體與芯層210連接，并且，經(jīng)由通孔導(dǎo)體與第一和第二高頻開關(guān)120、 180的接地端子、第一?第四接收濾波器130?160的接地端子連接。此外，為了說明的簡 便，本實(shí)施方式中省略了與第一和第二高頻開關(guān)120U80的控制端子連接的電路圖案。另 夕卜，為了對應(yīng)共模噪聲，在從接收濾波器130的平衡輸出端子延伸的一對電路圖案317、318 之間不形成接地導(dǎo)體401。對其它的接收濾波器140?160也同樣。
[0055] 如圖5所示，在第二導(dǎo)體層242形成有：經(jīng)由通孔導(dǎo)體與形成于第一導(dǎo)體層241的 電路圖案317?320的端部連接的焊墊331?334 ;經(jīng)由通孔導(dǎo)體與形成于第一導(dǎo)體層241 的焊墊326、327連接的焊墊335、336 ;經(jīng)由通孔導(dǎo)體與形成于第一導(dǎo)體層241的電路圖案 311的端部連接的焊墊337 ;和通孔262。另外，在第二導(dǎo)體層242,被稱為"整面接地"的接 地導(dǎo)體402與上述焊墊331?337和通孔262隔開規(guī)定距離整體地形成。該接地導(dǎo)體402 經(jīng)由通孔導(dǎo)體與第一導(dǎo)體層241的接地導(dǎo)體401連接。這里，應(yīng)該留意的第一點(diǎn)在于，該接 地導(dǎo)體402在除了必要的電路圖案和焊盤的形成區(qū)域以外的、與所埋設(shè)的各電子部件相對 的區(qū)域中形成。由此，所埋設(shè)的各電子部件的屏蔽性提高。另外，應(yīng)該留意的第二點(diǎn)在于，接 地導(dǎo)體402至少形成于與在第一導(dǎo)體層241所形成的各電路圖案311、313?324相對的區(qū) 域。由此，相對于電路圖案311、313?324中流通的電流的回流電流，通過在接地導(dǎo)體402 中的與各電路圖案311、313?324相對的位置。由此，電流回路變得最小，因此，能夠?qū)⒉?形的紊亂和輻射噪聲抑制得較小。
[0056] 如圖6所示，在第三導(dǎo)體層243、即多層電路基板200的表層，形成有與構(gòu)成匹配電 路190、192、194的電子部件191、193、195的輸入側(cè)的端子連接的電路圖案341?346 ;和連 接該電子部件191、193、195的輸出側(cè)的端子和RFIC170的接收端口的電路圖案347?352。 所述電路圖案341?346的端部經(jīng)由通孔導(dǎo)體與形成于第二導(dǎo)體層242的焊墊331?336 連接。另外，在第三導(dǎo)體層243形成有：經(jīng)由通孔導(dǎo)體與形成于第二導(dǎo)體層242的焊墊337 連接、并且與構(gòu)成匹配電路110的電子部件111的一方的端子連接的焊墊353 ;和連接電子 部件111的另一方的端子與通孔262的電路圖案354。
[0057] 另外，如圖2所示，在與所埋設(shè)的各電子部件相對的導(dǎo)體層、并且是形成于與上述 導(dǎo)體層241相反一側(cè)的導(dǎo)體層251，形成有稱為所謂"整面接地"的接地導(dǎo)體411。該接地 導(dǎo)體411經(jīng)由通孔導(dǎo)體與芯層210連接。這里，應(yīng)該留意的點(diǎn)在于，該接地導(dǎo)體411在除了 必要的電路圖案和焊墊的形成區(qū)域以外的、與所埋設(shè)的各電子部件相對的區(qū)域形成。由此， 所埋設(shè)的各電子部件成為由形成于導(dǎo)體層241的接地導(dǎo)體401、導(dǎo)電性芯層210、形成于導(dǎo) 體層251的接地導(dǎo)體411圍繞的結(jié)構(gòu)。因此，所埋設(shè)的各電子部件的屏蔽性提高。
[0058] 接著，說明與圖3所示的各接收濾波器130?160的安裝結(jié)構(gòu)和圖1所示的電路 的關(guān)系相關(guān)的本申請發(fā)明的特征點(diǎn)之一。在多層電路基板200,如圖3所示，對一個(gè)貫通孔 分別配置有兩個(gè)接收濾波器。本申請發(fā)明中，特征之一在于在一個(gè)貫通孔中配置的多個(gè)接 收濾波器的頻帶的間隔離開規(guī)定頻率以上。具體而言，將各接收濾波器以通過頻帶的高低 大致地分為多個(gè)(例如兩個(gè)）組，在一個(gè)貫通孔內(nèi)配置不同組的接收濾波器即可。作為分組 的方法，可以以特定頻率(例如1GHz)以上的為高域側(cè)組、以低于特定頻率的為低域側(cè)組即 可。由此，能夠至少隔開組間的頻率以上的間隔。本實(shí)施方式中，以1GHz作為界限進(jìn)行分 組，將第一接收濾波器130和第二接收濾波器140配置于貫通孔211c中，將第三接收濾波 器150和第四接收濾波器160配置于貫通孔211d中。
[0059] 如上所述，本實(shí)施方式的高頻電路組件100中，由于第一和第二高頻開關(guān)120、 180、第一?第四接收濾波器130?160埋設(shè)于多層電路基板200中，能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。這 里，所埋設(shè)的各電子部件由接地導(dǎo)體402、411夾著，因此，屏蔽效果高，高頻特性優(yōu)異。另 夕卜，各電子部件配置于在導(dǎo)電性的芯層210形成的貫通孔211內(nèi)，換而言之，被導(dǎo)體圍繞，因 此，能夠得到高的屏蔽效果。另外，作為連接第一高頻開關(guān)120和第一?第四接收濾波器 130?160的信號線的電路圖案313?316,和作為連接第一?第四接收濾波器130?160 和第二高頻開關(guān)180的信號線的電路圖案321?322,在多層電路基板200的內(nèi)層形成，并 且，在與該電路圖案313?316、321?322相對的區(qū)域中形成有接地導(dǎo)體402,因此，能夠?qū)?由在電路圖案313?316、321?322中流通的電流及其回流電流所形成的電流回路抑制為 最小。由此，能夠?qū)⒉ㄐ蔚奈蓙y和輻射噪聲抑制得較小。
[0060] 另外，采用本實(shí)施方式的高頻電路組件100,通過由第二高頻開關(guān)180切換多個(gè)頻 帶中的接收信號，由此，能夠在RFIC170的共用的接收電路中進(jìn)行處理，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)小 型化。
[0061] 另外，本實(shí)施方式的1?頻電路組件100中，在多層電路基板200上安裝有匹配電路 110、190、192、194,因此，能夠容易地通過該匹配電路的交換、調(diào)整等得到所期望的特性。另 夕卜，能夠減小匹配電路和所埋設(shè)的電子部件的距離，因此，能夠抑制高頻信號的損失。
[0062] (第二實(shí)施方式）
[0063] 參照【專利附圖】
【附圖說明】本發(fā)明的第二實(shí)施方式的高頻電路組件。本實(shí)施方式的高頻電路組 件與第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于多層電路基板的層結(jié)構(gòu)。其它的方面與第一實(shí)施方式同 樣，因此，在這里僅說明不同點(diǎn)。此外，對于與第一實(shí)施方式同樣的結(jié)構(gòu)使用同一符號。
[0064] 圖7中表示第二實(shí)施方式的高頻電路組件的剖面圖。第一實(shí)施方式的多層電路基 板200以芯層210為中心在兩面分別具有三層的絕緣體層和導(dǎo)體層。另一方面，本實(shí)施方 式的多層電路基板200以芯層210為中心在兩面分別具有四層的絕緣體層和導(dǎo)體層，在這 一點(diǎn)與第一實(shí)施方式不同。具體而言，如圖7所不，多層電路基板200a，在芯層210的上表 面?zhèn)龋惶娴貙盈B有絕緣體層221a、221?223和導(dǎo)體層241a、241?243而形成。另外，在 芯層210的下表面?zhèn)?，交替地層疊有絕緣體層231?234和導(dǎo)體層251?255而形成。這 里，導(dǎo)體層241?243的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式相同。本實(shí)施方式形成為在第一實(shí)施方式的 第一導(dǎo)體層241和芯層210之間設(shè)置有導(dǎo)體層241a的結(jié)構(gòu)。在該導(dǎo)體層241a，形成有用于 經(jīng)由通孔導(dǎo)體將所埋設(shè)的電子部件和形成于第一導(dǎo)體層241的電路圖案等連接的焊墊。另 夕卜，在導(dǎo)體層241a，被稱為所謂"整面接地"的接地導(dǎo)體421與上述焊墊隔開規(guī)定距離整體 地形成。該接地導(dǎo)體421經(jīng)由通孔導(dǎo)體與芯層210和第一導(dǎo)體層241連接。
[0065] 這里應(yīng)該留意的第一點(diǎn)在于，該接地導(dǎo)體421在除了必要的焊墊等的形成區(qū)域以 外的、與所埋設(shè)的各電子部件相對的區(qū)域中形成。由此，所埋設(shè)的各電子部件的屏蔽性提 高。另外，應(yīng)該留意的第二點(diǎn)在于，接地導(dǎo)體421至少形成于與在第一導(dǎo)體層241所形成的 各電路圖案311、313?324相對的區(qū)域。由此，相對在電路圖案311、313?324中流通的 電流的回流電流，通過接地導(dǎo)體421中的與各電路圖案311、313?324相對的位置。由此， 電流回路變得最小，因此，能夠?qū)⒉ㄐ蔚奈蓙y和輻射噪聲抑制得較低。
[0066] 采用本實(shí)施方式的高頻電路組件，與第一實(shí)施方式相比，所埋設(shè)的各電子部件的 屏蔽性提高。即，在第一實(shí)施方式中，雖然在與芯層210相對的第一導(dǎo)體層241形成有接地 導(dǎo)體401，但是也形成有電路圖案311?324等。另一方面，由于在與芯層210相對的導(dǎo)體 層241a沒有形成電路圖案，因此能夠使接地導(dǎo)體421的形成面積增大。其它的作用和效果 與第一實(shí)施方式相同。
[0067](第三實(shí)施方式）
[0068] 參照【專利附圖】
【附圖說明】本發(fā)明的第三實(shí)施方式的高頻電路組件。圖8中表示高頻電路組件 的簡要電路圖。此外，本實(shí)施方式中，為了說明的簡便，主要僅說明與本發(fā)明的要點(diǎn)相關(guān)的 結(jié)構(gòu)。
[0069] 本實(shí)施方式的高頻電路組件500是對應(yīng)于四個(gè)頻帶的便攜電話中使用的高頻電 路組件。該高頻電路組件500對應(yīng)于一個(gè)天線具備一組發(fā)送接收類的電路。
[0070] 如圖8所示，高頻電路組件500具備：用于實(shí)現(xiàn)與天線的匹配的匹配電路510 ; 將天線50的連接目的地按每個(gè)頻帶進(jìn)行切換的第一高頻開關(guān)520 ;為了用共用的天線50 進(jìn)行發(fā)送和接收將發(fā)送信號和接收信號電分離的第一?第四雙工器530、540、550、560 ; 進(jìn)行高頻信號的調(diào)制解調(diào)處理、頻率轉(zhuǎn)換處理等的RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit) 570 ;對從RFIC570輸出的高頻信號進(jìn)行放大的高頻功率放大器580 ;切換通過高 頻功率放大器580放大后的發(fā)送信號的連接目的地的第三高頻開關(guān)590。此外，在實(shí)際的電 路結(jié)構(gòu)中，按每個(gè)頻帶具備發(fā)送信號用的帶通濾波器、接收信號用的匹配電路等，但為了說 明的簡便，在本實(shí)施方式中省略。
[0071] 第一高頻開關(guān)520對第一?第四雙工器530?560和經(jīng)由匹配電路510的一個(gè)外 部天線50的連接進(jìn)行切換。第一高頻開關(guān)520是將FET等的開關(guān)元件和控制該開關(guān)元件 的控制元件收納于一個(gè)封裝體中的獨(dú)立的部件。
[0072] 各雙工器530?560分別具備發(fā)送濾波器532、542、552、562和接收濾波器534、 544、554、564。各發(fā)送濾波器532、542、552、562和各接收濾波器534、544、554、564包括 聲波濾波器等的獨(dú)立部件。作為彈性波濾波器，例如，可以列舉表面聲波（SAW :SurfaCe Acoustic Wave)濾波器、體聲波（BAW:Bulk Acoustic Wave)濾波器等。本實(shí)施方式中作為 發(fā)送濾波器532、542、552、562使用不平衡輸出型的SAW濾波器，作為接收濾波器534、544、 554、564使用平衡輸出型的SAW濾波器。發(fā)送濾波器532、542、552、562的輸入端子與第三 高頻開關(guān)590的選擇端子連接。接收濾波器534、544、554、564的平衡輸出端子，根據(jù)需要 經(jīng)由匹配電路(省略圖示）與RFIC570的接收端口連接。
[0073] 高頻功率放大器580封裝于一個(gè)功率放大器IC585中。高頻功率放大器580的 輸出端子與第三高頻開關(guān)590的共用端子連接，輸入端子與RFIC570的發(fā)送端口連接。 RFIC570進(jìn)行高頻信號的調(diào)制解調(diào)處理、頻率轉(zhuǎn)換處理等的發(fā)送處理和接收處理。
[0074] 第三高頻開關(guān)590用于使基于RFIC570的發(fā)送處理和基于高頻功率放大器580的 放大處理在多個(gè)頻帶共用。第三高頻開關(guān)590的選擇端子與各發(fā)送濾波器532、542、552、 562的輸入端子連接，共用端子與高頻功率放大器580的輸出端子連接。第三高頻開關(guān)590 是將FET等的開關(guān)元件和控制該開關(guān)元件的控制元件收納于一個(gè)封裝體的獨(dú)立的部件。
[0075] 如上所述，本實(shí)施方式的高頻電路組件500對應(yīng)于四個(gè)頻帶，各雙工器530?560 進(jìn)行濾波，僅使規(guī)定頻帶的高頻信號通過。
[0076] 具體而言，第一雙工器 530 對應(yīng)于 2100MHz 帶的 W-CDMA(Wideband Code Division Multiple Access)或 LTE (Long Term Evolution)。因此，第一發(fā)送濾波器 532 為 1920 ? 1980MHz的帶通濾波器，第一接收濾波器534為2110?2170MHz的帶通濾波器。
[0077] 第二雙工器 540 對應(yīng)于 900MHz 帶的 W-CDMA 或 LTE 或 GSM (Global System for Mobile Communications)。因此，第二發(fā)送濾波器542為880?915MHz的帶通濾波器，第 二接收濾波器544為925?960MHz的帶通濾波器。
[0078] 第三雙工器550對應(yīng)于1900MHz帶的W-CDMA或LTE或GSM。因此，第三發(fā)送濾波 器552為1850?1910MHz的帶通濾波器，第三接收濾波器554為1930?1990MHz的帶通 濾波器。
[0079] 第四雙工器560對應(yīng)于850MHz帶的W-CDMA或LTE或GSM。因此，第四發(fā)送濾波器 562為824?849MHz的帶通濾波器，第四接收濾波器564為869?894MHz的帶通濾波器。
[0080] 接著，參照圖9至圖13說明高頻電路組件500的結(jié)構(gòu)。圖9是高頻電路組件的剖 面圖，圖10至圖13是說明高頻電路組件的主要部分的多層電路基板的圖案圖。此外，圖9 是圖10中A線從箭頭方向看的剖面圖。
[0081] 1?頻電路組件500如圖9所不，在多層電路基板600的上表面，表面安裝有構(gòu)成匹 配電路510的電感器、電容器等電子部件111 ;構(gòu)成各雙工器530?560的第一?第四接收 濾波器534、544、554、564 ;和功率放大器IC585、RFIC570。另一方面，第一高頻開關(guān)520 ;構(gòu) 成各雙工器530?560的第一?第四發(fā)送濾波器532、542、552、562 ;和第三高頻開關(guān)590被 埋設(shè)于多層電路基板600內(nèi)。這里，第一發(fā)送濾波器532被埋設(shè)于與將對應(yīng)的第一接收濾 波器534在多層電路基板600的厚度方向上投影的區(qū)域的一部分或全部重疊的位置。其它 的發(fā)送濾波器542、552、562也同樣。
[0082] 多層電路基板600是絕緣體層和導(dǎo)體層交替層疊構(gòu)成的多層基板。如圖9所示， 多層電路基板600具備：導(dǎo)電性良好且比較厚的金屬制的作為導(dǎo)體層的芯層610 ;形成于該 芯層610的一個(gè)主面(上表面）的多個(gè)(本實(shí)施方式中為3個(gè)）絕緣體層621?623和導(dǎo)體 層641?643 ;在芯層610的另一個(gè)主面(下表面）形成的多個(gè)(本實(shí)施方式中為3個(gè)）的絕 緣體層631?633和導(dǎo)體層651?653。絕緣體層621?623、631?633和導(dǎo)體層641? 643、651?653在芯層610的兩個(gè)主面通過積層施工方法形成。此外，導(dǎo)體層643和653相 當(dāng)于多層電路基板600的表層。導(dǎo)體層643相當(dāng)于高頻電路組件500的部件安裝面，形成 有傳輸高頻信號的電路圖案、用于安裝外裝部件的焊墊、檢查用的焊盤等。導(dǎo)體層653相當(dāng) 于將高頻電路組件安裝于母電路基板的底面，形成有端子電極和接地電極等。在該端子電 極包括用于與天線連接的天線用端子電極661，該天線用端子電極661經(jīng)由通孔662與安裝 于多層電路基板600的表面的匹配電路510連接。
[0083] 在芯層610形成有電子部件收納用的貫通孔611。在該貫通孔611中，配置有第 一和第三高頻開關(guān)520、590和第一?第四發(fā)送濾波器534、544、554、564等的電子部件。因 此，優(yōu)選芯層610的厚度大于內(nèi)置的電子部件的高度并且彎曲強(qiáng)度大。另外，芯層610由導(dǎo) 電性材料構(gòu)成，被賦予電基準(zhǔn)電位(接地)。因此，能夠?qū)⑿緦?10解釋為多層電路基板600 的導(dǎo)體層之一。本實(shí)施方式中，由金屬板、更詳細(xì)而言由銅制或者銅合金制的金屬板形成芯 層610。在貫通孔611內(nèi)的與收納部件之間的間隙填充有樹脂等的絕緣體。
[0084] 接著，說明多層電路基板600中的各電子部件的安裝結(jié)構(gòu)。從圖10到圖13依次 是從多層電路基板600的部件安裝面?zhèn)龋▓D9的紙面上側(cè))看多層電路基板600的芯層610、 導(dǎo)體層641?643的圖。此外，圖10?圖13中用虛線表示在多層電路基板600所埋設(shè)的 各電子部件的位置。此外，圖12和圖13中用一點(diǎn)劃線表示在多層電路基板600的表層所 安裝的電子部件的位置。
[0085] 如圖10所不，第一和第三高頻開關(guān)520、590和第一?第四發(fā)送濾波器534、544、 554、564配置于在多層電路基板600的芯層610形成的貫通孔611內(nèi)。這里，第一和第三高 頻開關(guān)520、590分別獨(dú)立地配置于貫通孔611a、611b中。另一方面，第一和第二發(fā)送濾波 器534、544配置于共用的貫通孔611c內(nèi)。同樣地，第三和第四發(fā)送濾波器554、564配置于 共用的貫通孔611d內(nèi)。第一和第三高頻開關(guān)520、590和第一?第四發(fā)送濾波器534、544、 554、564的各端子形成于多層電路基板600的與部件安裝面?zhèn)认鄬Φ闹髅妗Ａ硗?，在芯?610形成有從匹配電路510向天線用端子電極661連接的通孔662。
[0086] 如圖11所示，在第一導(dǎo)體層641，形成有構(gòu)成分別經(jīng)由通孔導(dǎo)體與各電子部件連 接的信號線的電路圖案。具體而言，在第一導(dǎo)體層641，形成有與作為第一高頻開關(guān)520的 輸入輸出端子的天線端子連接的電路圖案711、與第一高頻開關(guān)520的電源端子連接的電 路圖案712、連接作為第一高頻開關(guān)520的輸入輸出端子的電路端子和第一?第四發(fā)送濾 波器534、544、554、564的輸出端子的電路圖案713?716。并且，在第一導(dǎo)體層641，形成 有連接第一?第四發(fā)送濾波器534、544、554、564的輸入端子與第三高頻開關(guān)590的選擇端 子的電路圖案717?720。并且，在第一導(dǎo)體層641形成有：用于將第三高頻開關(guān)590的共 用端子與功率放大器IC585連接的電路圖案721 ;與第三高頻開關(guān)590的電源端子連接的 電路圖案722 ;和通孔662。另外，在第一導(dǎo)體層641，稱為"整面接地"的接地導(dǎo)體801與 上述電路圖案711?722和通孔662隔開規(guī)定距離整體地形成。該接地導(dǎo)體801經(jīng)由通孔 導(dǎo)體與芯層610連接，并且，經(jīng)由通孔導(dǎo)體與第一和第三高頻開關(guān)520、590的接地端子、第 一?第四發(fā)送濾波器534、544、554、564的接地端子連接。此外，為了說明的簡便，本實(shí)施方 式中省略了與第一和第三高頻開關(guān)520、590的控制端子連接的電路圖案。
[0087] 如圖12所示，在第二導(dǎo)體層642形成有：經(jīng)由通孔導(dǎo)體與形成于第一導(dǎo)體層641 的電路圖案713?716的端部連接的焊墊731?734 ;經(jīng)由通孔導(dǎo)體與形成于第一導(dǎo)體層 641的電路圖案722的端部連接的焊墊735 ;經(jīng)由通孔導(dǎo)體與形成于第一導(dǎo)體層641的電路 圖案711的端部連接的焊墊736 ;和通孔262。另外，在第二導(dǎo)體層642,被稱為"整面接地" 的接地導(dǎo)體802與上述焊墊731?736和通孔662隔開規(guī)定距離整體地形成。該接地導(dǎo)體 802經(jīng)由通孔導(dǎo)體與第一導(dǎo)體層641的接地導(dǎo)體801連接。這里，應(yīng)該留意的第一點(diǎn)在于， 該接地導(dǎo)體602在除了必要的電路圖案和焊墊的形成區(qū)域以外的、與所埋設(shè)的各電子部件 相對的區(qū)域中形成。由此，所埋設(shè)的各電子部件的屏蔽性提高。另外，應(yīng)該留意的第二點(diǎn)在 于，接地導(dǎo)體802至少在與形成于第一導(dǎo)體層641的各電路圖案711、713?721相對的區(qū)域 中形成。由此，相對在電路圖案711、713?721中流通的電流的回流電流，在接地導(dǎo)體802 的與各電路圖案711、713?721相對的位置通過。由此，電路回路變得最小，因此，能夠?qū)?波形的紊亂和輻射噪聲抑制得較小。
[0088] 如圖13所示，在第三導(dǎo)體層643、即多層電路基板600的表層形成有：經(jīng)由通孔導(dǎo) 體與第二導(dǎo)體層642的焊墊731?734連接并且與第一?第四接收濾波器532、542、552、 562的不平衡輸入端子連接的焊墊741?744 ;連接第一?第四接收濾波器532、542、552、 562的平衡輸出端子和RFIC570的接收端口的電路圖案745?752 ;經(jīng)由通孔導(dǎo)體與第二導(dǎo) 體層642的焊墊735連接并且與功率放大器IC585的輸出端子連接的電路圖案753。并且， 在第三導(dǎo)體層643形成有：經(jīng)由通孔導(dǎo)體與形成于第二導(dǎo)體層642的焊墊736連接并且與 構(gòu)成匹配電路510的電子部件511的一方的端子連接的焊墊754 ;和連接電子部件511的 另一方的端子與通孔662的電路圖案755。此外，從第一接收濾波器532的平衡輸出端子 延伸的一對電路圖案745、746中相鄰的第二接收濾波器542側(cè)的電路圖案746與從第二接 收濾波器542的平衡輸出端子延伸的一對電路圖案747、748中第一接收濾波器532側(cè)的電 路圖案747的間隔形成為，比從第一接收濾波器532的平衡輸出端子延伸的一對電路圖案 745和746的間隔、以及從第二接收濾波器542的平衡輸出端子延伸的一對電路圖案747和 748的間隔寬。由此能夠使頻帶間的信號的干涉降低。在其它接收濾波器之間也同樣。
[0089] 另外，如圖9所示，在作為與所埋設(shè)的各電子部件相對的導(dǎo)體層的、形成于與上述 導(dǎo)體層641相反側(cè)的導(dǎo)體層651，形成有稱為所謂"整面接地"的接地導(dǎo)體811。該接地導(dǎo) 體811經(jīng)由通孔導(dǎo)體與芯層610連接。這里，應(yīng)該留意的點(diǎn)在于，該接地導(dǎo)體811在除了必 要的電路圖案和焊墊的形成區(qū)域以外的、與所埋設(shè)的各電子部件相對的區(qū)域中形成。由此， 所埋設(shè)的各電子部件成為由形成于導(dǎo)體層641的接地導(dǎo)體801、導(dǎo)電性芯層610、形成于導(dǎo) 體層851的接地導(dǎo)體811圍繞的結(jié)構(gòu)。因此，所埋設(shè)的各電子部件的屏蔽性高。
[0090] 采用本實(shí)施方式的高頻電路組件500,由于第一和第三高頻開關(guān)520、590和第 一?第四發(fā)送濾波器532、542、552、562埋設(shè)于多層電路基板600，因此能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。這 里，所埋設(shè)的各電子部件由接地導(dǎo)體802、811夾著，因此屏蔽效果高，高頻特性良好。另外， 由于各電子部件配置于在導(dǎo)電性的芯層610形成的貫通孔611內(nèi)，換言之，被導(dǎo)體圍繞，因 此，能夠得到高的屏蔽效果。另外，本實(shí)施方式中，作為連接第一高頻開關(guān)520和第一?第 四發(fā)送濾波器532、542、552、562的信號線的電路圖案713?716,以及作為連接第一?第四 發(fā)送濾波器532、542、552、562和第三高頻開關(guān)590的信號線的電路圖案717?720形成于 多層電路基板600的內(nèi)層。并且，在與該電路圖案713?720相對的區(qū)域形成有接地導(dǎo)體 802,因此，能夠?qū)⒂稍陔娐穲D案713?720中流通的電流及其回流電流所形成的電流回路 抑制為最小。由此，能夠?qū)⒉ㄐ蔚奈蓙y和輻射噪聲抑制降低。
[0091] 另外，本實(shí)施方式的高頻電路組件500中，由于在形成于多層電路基板600的表面 的電路圖案745?752和形成于第一導(dǎo)體層641的電路圖案713?720之間設(shè)置有接地導(dǎo) 體802,因此，能夠防止信號的干擾。
[0092] 另外，采用本實(shí)施方式的高頻電路組件500,能夠使用共用的高頻放大器580對多 個(gè)頻帶用的發(fā)送信號進(jìn)行放大，因此能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。
[0093] 另外，本實(shí)施方式的高頻電路組件500中，由于匹配電路510安裝在多層電路基板 600上，因此能夠通過該匹配電路的更換、調(diào)整等容易地得到所期望的特性。另外，由于能夠 減小匹配電路與所埋設(shè)的電子部件的距離，因此，能夠抑制高頻信號的損失。
[0094] 此外，本實(shí)施方式的高頻電路組件作為第一實(shí)施方式的高頻電路組件的變形例進(jìn) 行例示，但也能夠?qū)Φ诙?shí)施方式的高頻電路組件應(yīng)用同樣的變形。
[0095] (第四實(shí)施方式）
[0096] 參照【專利附圖】
【附圖說明】本發(fā)明的第四實(shí)施方式的高頻電路組件。本實(shí)施方式的高頻電路組 件與第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于多層電路基板的層結(jié)構(gòu)。其它的方面與第一實(shí)施方式同 樣，因此，在這里僅說明不同點(diǎn)。此外，對于與第一實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)使用同一符號。
[0097] 圖14是第四實(shí)施方式的高頻電路組件的剖面圖，圖15是第四實(shí)施方式的高頻電 路組件的芯層的俯視圖。第一實(shí)施方式的多層電路基板200b中，作為芯層210的材質(zhì)使用 具有導(dǎo)電性的材料。另一方面，本實(shí)施方式的多層電路基板200b，作為芯層210使用絕緣 體。具體而言，芯層210例如可以列舉環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺等絕緣性的樹脂、或者在玻璃纖 維等中含浸有環(huán)氧樹脂的玻璃環(huán)氧樹脂等。但不限于此，只要是電路基板用的絕緣材料即 可。由于這樣的不同點(diǎn)，本實(shí)施方式的多層電路基板200b不具有連接接地導(dǎo)體401和411 與芯層210的通孔導(dǎo)體。
[0098] 另外，本實(shí)施方式的多層電路基板200b如圖14和圖15所示，在形成于芯層210 的貫通孔211的周圍形成有多個(gè)通孔導(dǎo)體271。該通孔導(dǎo)體271連接接地導(dǎo)體411和接地 導(dǎo)體411。即，形成為配置于貫通孔211內(nèi)的電子部件的側(cè)面由接地導(dǎo)體401、411和通孔導(dǎo) 體271圍繞的結(jié)構(gòu)。因此，所埋設(shè)的各電子部件的屏蔽性提高。
[0099] 此外，本實(shí)施方式的高頻電路組件作為第一實(shí)施方式的高頻電路組件的變形例進(jìn) 行例示，但也能夠?qū)Φ诙偷谌龑?shí)施方式的高頻電路組件應(yīng)用同樣的變形。適用于第二實(shí) 施方式時(shí)，通孔導(dǎo)體271連接接地導(dǎo)體421和接地導(dǎo)體411即可。
[0100] 以上說明了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，但是本發(fā)明不限定于此。例如，上述各實(shí)施方 式中，在電路基板200、600的上表面各種部件以被安裝的狀態(tài)露出，但是，也可以以覆蓋電 路基板200、600的上表面的整個(gè)面或者一部分的方式安裝有外殼或者以樹脂等封裝。
[0101] 另外，上述各實(shí)施方式中說明的頻帶僅僅是作為一例進(jìn)行例示，對于其他的頻帶 也能夠?qū)嵤┍景l(fā)明。另外，上述實(shí)施方式中，作為分波器(天線共用器）的例子列舉了雙工 器，但對于三工器（triplexer)等具有三個(gè)以上的通過頻帶的分波器，也能夠?qū)嵤┍景l(fā)明。
[0102] 符號說明
[0103] 10、50…天線、100、500…高頻電路組件、110、510…匹配電路、120、520…第一高頻 開關(guān)、130?160…接收用濾波器、530?560…雙工器、532、542、552、562?發(fā)送用濾波器、 534、544、554、56七..接收用濾波器、170、57(>..1^1(：、18(>..第二高頻開關(guān)、58(>..高頻功率放 大器、585…功率放大器IC、590…第三高頻開關(guān)、200、600…多層電路基板、210、610…芯層、 211、611 …貫通孔、401、402、411、421、801、802、81卜.接地導(dǎo)體。
【權(quán)利要求】
1. 一種高頻電路組件，其具備：交替層疊絕緣體層和導(dǎo)體層而形成的多層電路基板； 對高頻發(fā)送信號進(jìn)行濾波的發(fā)送用濾波器；對高頻接收信號進(jìn)行濾波的接收用濾波器；和 對天線與發(fā)送用濾波器和接收用濾波器的連接進(jìn)行切換的第一高頻開關(guān)，該高頻電路組件 的特征在于： 發(fā)送用濾波器和接收用濾波器的任一方或雙方、和第一高頻開關(guān)分別被埋設(shè)于多層電 路基板內(nèi)， 在位于多層電路基板的內(nèi)層且位于第一高頻開關(guān)和所埋設(shè)的濾波器的一方的主面?zhèn)?的第一導(dǎo)體層中，至少與第一高頻開關(guān)和所埋設(shè)的濾波器相對的區(qū)域中形成有第一接地導(dǎo) 體，并且，在位于另一方的主面?zhèn)鹊牡诙?dǎo)體層中，至少與第一高頻開關(guān)和所埋設(shè)的濾波器 相對的區(qū)域中形成有第二接地導(dǎo)體。
2. 如權(quán)利要求1所述的高頻電路組件，其特征在于： 在與所述第一導(dǎo)體層隔著絕緣體層相鄰的第三導(dǎo)體層中，形成有連接第一高頻開關(guān)和 所埋設(shè)的濾波器的信號線， 所述第一接地導(dǎo)體至少形成在與信號線相對的區(qū)域中。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的高頻電路組件，其特征在于： 在多層電路基板的第一主面安裝有插設(shè)在天線和第一高頻開關(guān)之間的第一匹配電路， 在與第一主面相反側(cè)的第二主面形成有高頻電路組件的端子電極，并且，第一高頻開關(guān)的 輸入輸出端子形成于多層電路基板的第一主面?zhèn)取?br> 4. 如權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的高頻電路組件，其特征在于： 至少是接收用濾波器埋設(shè)在多層電路基板內(nèi)， 在多層電路基板的第一主面安裝有進(jìn)行接收用濾波器和處理接收信號的高頻1C的匹 配的第二匹配電路，在與第一主面相反側(cè)的第二主面形成有高頻電路組件的端子電極，并 且，所埋設(shè)的接收用濾波器的輸入輸出端子形成于多層電路基板的第一主面?zhèn)取?br> 5. 如權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的高頻電路組件，其特征在于： 頻帶相互不同的多個(gè)接收用濾波器至少埋設(shè)在多層電路基板中，并且，所述高頻電路 組件具備：對通過各接收用濾波器進(jìn)行濾波后得到的接收信號加以處理的高頻1C ;和切換 與該高頻1C的共用接收端子連接的接收用濾波器的第二高頻開關(guān)， 該第二高頻開關(guān)埋設(shè)于多層電路基板內(nèi)，并且，連接該第二高頻開關(guān)和接收用濾波器 的信號線在多層電路基板的內(nèi)層中形成在與第一接地導(dǎo)體相對的位置。
6. 如權(quán)利要求1?5中任一項(xiàng)所述的高頻電路組件，其特征在于： 頻帶相互不同的多個(gè)發(fā)送用濾波器至少埋設(shè)在多層電路基板中，并且，所述高頻電路 組件具備：放大發(fā)送信號的放大器；和切換從放大器連接到輸出端子的發(fā)送用濾波器的第 二商頻開關(guān)， 該第三高頻開關(guān)埋設(shè)于多層電路基板內(nèi)，并且，連接第三高頻開關(guān)和發(fā)送用濾波器的 信號線形成在多層電路基板的內(nèi)層。
7. 如權(quán)利要求6所述的高頻電路組件，其特征在于： 在多層電路基板的第一主面安裝有與所埋設(shè)的發(fā)送用濾波器對應(yīng)的頻帶的接收用濾 波器，并且，將該接收用濾波器在多層電路基板的厚度方向上投影的區(qū)域的一部分或全部 與所述發(fā)送用濾波器重疊。
8. 如權(quán)利要求6所述的高頻電路組件，其特征在于： 在多層電路基板的第一主面安裝有：與所埋設(shè)的發(fā)送用濾波器對應(yīng)的頻帶的接收用濾 波器；和處理接收信號的高頻1C，連接高頻1C和接收用濾波器的信號線形成在多層電路基 板的第一主面。
9. 如權(quán)利要求7或8所述的高頻電路組件，其特征在于： 在設(shè)置于傳輸發(fā)送信號的信號線與傳輸接收信號的信號線之間的導(dǎo)體層形成有接地 導(dǎo)體。
10. 如權(quán)利要求1?9中任一項(xiàng)所述的高頻電路組件，其特征在于： 多層電路基板包括厚度比其它導(dǎo)體層的厚度厚的芯層，第一高頻開關(guān)和所埋設(shè)的濾波 器配置于在芯層中形成的貫通孔或凹部內(nèi)。
11. 如權(quán)利要求10所述的高頻電路組件，其特征在于： 所述芯層由導(dǎo)電性材料構(gòu)成并且被賦予接地電位。
12. 如權(quán)利要求10所述的高頻電路組件，其特征在于： 所述芯層由絕緣性材料構(gòu)成，并且在第一高頻開關(guān)和所埋設(shè)的濾波器的周圍形成有連 接第一接地導(dǎo)體和第二接地導(dǎo)體的多個(gè)通孔導(dǎo)體。
13. 如權(quán)利要求10?12中任一項(xiàng)所述的高頻電路組件，其特征在于： 在一個(gè)貫通孔或凹部中配置有多個(gè)接收用濾波器。
【文檔編號】H05K1/18GK104105342SQ201410005763
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年1月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月11日
【發(fā)明者】佐治哲夫, 中村浩 申請人:太陽誘電株式會社
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