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一種晶硅制絨添加劑的制備方法及其應(yīng)用的制作方法

文檔序號:8091332閱讀:498來源:國知局
一種晶硅制絨添加劑的制備方法及其應(yīng)用的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于晶體硅表面制備絨面【技術(shù)領(lǐng)域】,特別是涉及一種利用木糖醇與甘露糖酸在堿性條件下反應(yīng)制備新型制絨添加劑的制備方法及其應(yīng)用。其特征在于將質(zhì)量濃度為10-50%的木糖醇和質(zhì)量濃度為5-45%的甘露糖醛酸溶解在堿性水溶液中,在40-100℃加熱攪拌反應(yīng)2-10小時,冷卻至室溫后,加去離子水稀釋至質(zhì)量分?jǐn)?shù)3%即可使用,不需分離提純。本發(fā)明產(chǎn)品綠色環(huán)保,具有對人體刺激性小、生物降解快、性能優(yōu)良等特點(diǎn),可以在單晶硅片表面制備類“錐形”的特殊金字塔結(jié)構(gòu),從而有效地降低了光的反射率,并與現(xiàn)有生產(chǎn)設(shè)備匹配。本發(fā)明產(chǎn)品還可以應(yīng)用于多晶硅片表面在堿性條件下制備出類金字塔納米尺度絨面。
【專利說明】—種晶硅制絨添加劑的制備方法及其應(yīng)用
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于晶體硅表面制備絨面【技術(shù)領(lǐng)域】,特別是涉及一種利用木糖醇與甘露糖酸在堿性條件下反應(yīng)制備新型制絨添加劑的制備方法及其應(yīng)用。
技術(shù)背景
[0002]太陽能電池是一種利用光電轉(zhuǎn)換效應(yīng)將光能轉(zhuǎn)換為電能的裝置,因其安全無污染、不受地域限制等優(yōu)點(diǎn)得到大力發(fā)展。而晶硅太陽能電池憑借工藝成熟、轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)勢在整個光伏產(chǎn)業(yè)中占80%以上的份額。高效率、低成本一直是光伏產(chǎn)業(yè)不變的追求,而表面反射率是影響太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率的重要因素之一,太陽能電池表面織構(gòu)化技術(shù)可以有效降低太陽能電池的表面反射率。晶體硅太陽能電池可以分為單晶硅電池和多晶硅電池,它們的生產(chǎn)工藝基本相似,最大的不同在于表面制絨方法。其中單晶硅太陽能電池主要利用單晶硅片在堿性溶液中的各項異性腐蝕特性在硅片表面構(gòu)建隨機(jī)金字塔陷光結(jié)構(gòu),而多晶硅片通過氫氟酸和硝酸腐蝕制備出凹坑陷光結(jié)構(gòu)。
[0003]經(jīng)清洗后的單晶硅片,表面反射率在30%以上。為降低反射率,工業(yè)上主要利用單晶硅片在堿性溶液中的各項異性腐蝕特性,在硅片表面形成隨機(jī)金字塔陷光結(jié)構(gòu)以減小光在硅片表面的反射率,其中堿又以K0H、Na0H為主。該法工藝簡單,對設(shè)備要求不高,早期被廣泛使用,但是單純的堿刻蝕難以得到尺寸均勻的金字塔結(jié)構(gòu)。這是由于硅與堿反應(yīng)會產(chǎn)生氫氣和硅的絡(luò)合物,它們會粘附在硅片表面形成一層不易去除的“掩膜”,阻礙堿液與硅片接觸,使硅片表面形成雨點(diǎn)狀的缺陷(俗稱“花片”),進(jìn)而影響刻蝕效率。目前工業(yè)上最成熟、應(yīng)用最廣泛的是NaOH/異丙醇(IPA)制絨體系。經(jīng)過科研工作者的多年研究發(fā)現(xiàn),乙醇、異丙醇等醇類對去除 硅片表面氫氣氣泡非常有效果,它們不僅可以消除硅片表面氣泡,還可以影響各向異性因子,使硅片表面的金字塔更加均勻,降低反射率,提高光電轉(zhuǎn)換效率。如屈勝等人(屈勝,張興旺,毛和璜等.不同醇類對單晶硅絨面特性的影響[J].材料導(dǎo)報,2011,25 (IB):41154)研究了一元醇和二元醇對單晶硅絨面特性的影響,實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)二元醇跟一元醇相比,可以獲得更低的表面反射率且因其沸點(diǎn)高揮發(fā)損耗較少,但硅片表面的消泡效果和絨面金字塔結(jié)構(gòu)均勻性較差。再如內(nèi)蒙古師范大學(xué)王立娟等(王立娟,周炳卿,那日蘇等.異丙醇溶液對單晶硅太陽能電池表面織構(gòu)化的影響[J].內(nèi)蒙古師范大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)漢文版),2011(1):42-45)研究了異丙醇對單晶硅片表面織構(gòu)化的影響,確定實(shí)驗(yàn)的最佳條件為:反應(yīng)溫度80°C,氫氧化鈉質(zhì)量分?jǐn)?shù)3%,異丙醇質(zhì)量分?jǐn)?shù)8%,反應(yīng)時間40min。在最佳條件下,硅片表面金字塔尺寸分布均勻,反射率降低到10.42%。這種方法工藝簡單成熟,工業(yè)上也在普遍采用,但缺點(diǎn)也非常明顯:第一,添加的乙醇、異丙醇等醇類沸點(diǎn)較低,在高溫下易揮發(fā),反應(yīng)過程中要不停地補(bǔ)加,使生產(chǎn)成本大大增加;第二,這些醇類易燃易爆,工廠中經(jīng)常有操作工因操作失誤而受傷的事情發(fā)生;第三,異丙醇的毒性等級為中毒,異丙醇蒸汽對眼睛、呼吸道黏膜等有刺激作用,能損傷視網(wǎng)膜及視神經(jīng)。最近無醇型制絨添加劑已成為今后太陽能電池領(lǐng)域熱點(diǎn)。研究發(fā)現(xiàn),表面活性劑在低濃度時是以單分子狀態(tài)分散在溶液中,這時表面活性劑分子吸附在溶液界面處,降低了溶液的表面張力,從而使溶液的物理化學(xué)性質(zhì)發(fā)生巨大變化。表面活性劑具有很強(qiáng)的滲透能力,可以很輕易地滲透到硅片表面與吸附物之間,吸附在固-液界面上形成一層結(jié)實(shí)的溶劑化膜,這樣硅片表面與產(chǎn)物之間就像被插入一個“楔子”。隨著反應(yīng)的進(jìn)行,“楔子”將繼續(xù)向深處擴(kuò)展,最終將吸附物與硅片表面分開,形成較厚的保護(hù)層,阻止新的反應(yīng)產(chǎn)物吸附在硅片表面,使反應(yīng)不斷進(jìn)行,從而提高反應(yīng)速率。如中國專利CN201210489812.8公開了一種單晶硅制絨液的制備方法,制絨液由堿性腐蝕液、非離子表面活性劑、陽離子表面活性劑、無水葡萄糖以及有機(jī)鹽組成,能使單晶硅硅片絨面快速得到“金字塔”且有一定的去污能力。但是這些方法制備出來的金字塔結(jié)構(gòu)都為四面體型的且尺寸在3-6 μ m,一般可以將硅片表面反射率降低到14%左右,比理論上的最低反射率9%還高很多,因此繼續(xù)研究單晶硅片太陽能電池的絨面技術(shù),以降低反射率、提高轉(zhuǎn)換效率是十分有必要的。
[0004]多晶硅表面由于存在多種晶向,不能簡單利用各向異性化學(xué)腐蝕得到理想的陷光結(jié)構(gòu),因而對于多晶硅片,目前主要采用各向同性的酸腐方法來制備絨面。主要方法是利用硝酸和氫氟酸、去離子水來配制酸性腐蝕液,進(jìn)行各向同性腐蝕,硅片表面形成蜂窩狀的絨面結(jié)構(gòu),從而提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率。如Cheng等人(Cheng YT, HoJJ, Tsai SY,et al.Efficiency improved by acid texturization for mult1-crystalline siliconsolar cells [J].Solar Energy, 2011,85 (I):87-94)研究腐蝕液中氫氟酸、硝酸和水的比例及腐蝕時間,確定了最優(yōu)的酸刻蝕工藝。但是這種結(jié)構(gòu)的絨面陷光能力很弱,平均反射率基本在25%左右, 如果加大凹坑的深度使其反射率降低到20%左右,但后續(xù)的表面鈍化以及印刷電極會遇到困難,效率并不能得到有效提高。為了降低多晶硅片反射率,有少量研究采用添加活性劑的酸腐蝕工藝,如林育瓊等人(林育瓊,馮仕猛,王坤霞等.含氟表面活性劑對多晶硅絨面微結(jié)構(gòu)的影響[J].材料科學(xué)與工程學(xué)報,2011 (4) =502-505)通過向酸制絨液中添加含氟表面活性劑,發(fā)現(xiàn)酸腐蝕出現(xiàn)各向異性特性。酸制絨不僅反應(yīng)劇烈、工藝難調(diào)控,需要在非常低的溫度下進(jìn)行,能耗較高,而且使用的氫氟酸和硝酸對環(huán)境和人體健康極為不利,國內(nèi)外公司及其眾多研究機(jī)構(gòu)都在探索應(yīng)用堿制絨,在多晶硅片表面實(shí)現(xiàn)理想的金字塔結(jié)構(gòu),至今未見成功的報道。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于應(yīng)用新一代晶硅表面制絨添加劑,使添加劑更加綠色環(huán)保,本發(fā)明的另一目的是在晶硅表面形成特殊的微納米結(jié)構(gòu),本發(fā)明還有一個目的是使多晶硅片在堿性條件下利用添加劑的協(xié)同作用形成類金字塔結(jié)構(gòu)。
[0006]本發(fā)明所述的新一代晶硅表面制絨添加劑是指木糖醇與甘露糖酸在堿性條件下反應(yīng)制備一種新型制絨添加劑,合成制備工藝為:將質(zhì)量濃度為10-50%的木糖醇和質(zhì)量濃度為5-45%的甘露糖醛酸溶解在堿性水溶液中,40-100°C加熱攪拌,反應(yīng)2-10小時,冷卻至室溫后,加去離子水稀釋至質(zhì)量分?jǐn)?shù)3%,制得添加劑成品,不需分離提純。
[0007]上述的制備方法中,所述的堿性水溶液是由氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨水等一種或者幾種堿性物質(zhì)混合于去離子水中組成。
[0008]上述的制備方法中,所述的堿性水溶液中堿性物質(zhì)的質(zhì)量濃度為1_5%。
[0009]上述的制備方法中,所述的新型制絨添加劑可應(yīng)用于單晶硅表面制絨,可獲得優(yōu)異絨面。[0010]上述的制備方法中,所述的新型制絨添加劑可應(yīng)用于多晶硅表面堿性制絨,形成類金字塔絨面。
[0011]利用本發(fā)明制備的新型制絨添加劑進(jìn)行制絨的方法如下:
[0012]單晶硅片制絨:腐蝕液由氫氧化鈉、制絨添加劑和去離子水組成,其中氫氧化鈉的量相當(dāng)于腐蝕液質(zhì)量的1.5% (質(zhì)量濃度),制絨添加劑的量相當(dāng)于腐蝕液質(zhì)量的0.5-1%(質(zhì)量濃度)。將單晶硅片先清洗再置于腐蝕液中,78°C溫度條件下反應(yīng)16min形成優(yōu)質(zhì)絨面;
[0013]多晶硅片制絨:腐蝕液由氫氧化鈉、制絨添加劑和去離子水組成,其中氫氧化鈉的量相當(dāng)于腐蝕液質(zhì)量的1.0% (質(zhì)量濃度),制絨添加劑的量相當(dāng)于腐蝕液質(zhì)量的0.9%(質(zhì)量濃度)。將多晶硅片置于腐蝕液中,78°C溫度條件下反應(yīng)10min形成類金字塔型納米絨面。
[0014]本發(fā)明制備的制絨添加劑的用途:
[0015]無論是單晶硅片還是多晶硅片經(jīng)清洗后,表面的反射率在30%以上。為降低反射率,提高太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率,需要對表面制造陷光結(jié)構(gòu)。單晶硅片太陽電池主要利用單晶硅片在堿性溶液中的各項異性腐蝕特性,在硅片表面構(gòu)建隨機(jī)金字塔陷光結(jié)構(gòu)。多晶硅通過氫氟酸和硝酸腐蝕制備出凹坑陷光結(jié)構(gòu)。木糖醇與甘露糖醛酸在堿性條件下合成制備的木糖醇代甘露糖醛酸制絨添加劑能使晶硅表面在堿性條件下形成特殊微納米結(jié)構(gòu),從而形成對波長為400-1000nm光的低反射表面。如實(shí)施例1,將質(zhì)量濃度為15%的木糖醇和質(zhì)量濃度為35%的甘露糖醛酸溶解到質(zhì)量濃度為5%氫氧化鈉溶液中,反應(yīng)溫度為80°C,反應(yīng)時間為5h,冷卻至室溫后,加去離子水稀釋至質(zhì)量分?jǐn)?shù)3%,合成制備出木糖醇代甘露糖醛酸制絨添加劑。在由質(zhì)量濃度為1.5%氫氧化鈉、質(zhì)量濃度為0.9%制絨添加劑組成的腐蝕液中對單晶硅片進(jìn)行制絨,78°C溫度條件下反應(yīng)16min。結(jié)果表明單晶硅片表面長出尺寸小于3μπι的、類似錐形的均勻金字塔(見圖1),這種棱邊不明顯的類錐形結(jié)構(gòu)有利于增加不同角度入射光攝入硅片表面,降低表面反射率。如實(shí)施例2,將質(zhì)量濃度為10%的木糖醇和質(zhì)量濃度為5%的甘露糖醛酸溶解到質(zhì)量濃度為I %氫氧化鉀溶液中,反應(yīng)溫度為40°C,反應(yīng)時間為10h,冷卻至室溫后,加去離子水稀釋至質(zhì)量分?jǐn)?shù)3%,合成制備出木糖醇代甘露糖醛酸制絨添加劑。在由質(zhì)量濃度為1.5%氫氧化鈉、質(zhì)量濃度為1%制絨添加劑組成的腐蝕液中對單晶硅片進(jìn)行制絨,78°C溫度條件下反應(yīng)16min。結(jié)果表明單晶硅片表面長出標(biāo)準(zhǔn)金字塔的尺寸集中在1ym和5μπι左右(見圖2),金字塔棱邊一致性高。又如實(shí)施例3,將質(zhì)量濃度為30%的木糖醇和質(zhì)量濃度為45%的甘露糖醛酸溶解到質(zhì)量濃度為5%氫氧化鉀溶液中,反應(yīng)溫度為80°C,反應(yīng)時間為4h,冷卻至室溫后,加去離子水稀釋至質(zhì)量分?jǐn)?shù)3%,合成制備出木糖醇代甘露糖醛酸制絨添加劑。將單晶硅片置于含質(zhì)量濃度為1.5%氫氧化鈉、質(zhì)量濃度為0.8%制絨添加劑的腐蝕液中進(jìn)行制絨,78°C溫度條件下反應(yīng)16min。結(jié)果表明單晶硅片表面長出尺寸集中在2-4 μ m、類似錐形的均勻金字塔(見圖3)。又如實(shí)施例4,將質(zhì)量濃度為50%的木糖醇和質(zhì)量濃度為25%的甘露糖醛酸溶解到混合堿水溶液(質(zhì)量濃度為2% NaOH和質(zhì)量濃度為4%氨水按質(zhì)量比1:1混合)中,反應(yīng)溫度為60°C,反應(yīng)時間為8h,冷卻至室溫后,加去離子水稀釋至質(zhì)量分?jǐn)?shù)3%,合成制備出木糖醇代甘露糖醛酸制絨添加劑。將單晶硅片置于含質(zhì)量濃度為1.5%氫氧化鈉、質(zhì)量濃度為0.5%制絨添加劑的腐蝕液中,78°C溫度條件下反應(yīng)16min。結(jié)果表明單晶硅片表面長出尺寸為2-4 μ m金字塔(見圖4),金字塔棱邊一致性高。再如實(shí)施例5,將質(zhì)量濃度為25%的木糖醇和質(zhì)量濃度為25%的甘露糖醛酸溶解到質(zhì)量濃度為5%氫氧化鉀溶液中,反應(yīng)溫度為70°C,反應(yīng)時間為10h,冷卻至室溫后,加去離子水稀釋至質(zhì)量分?jǐn)?shù)3%,合成制備出木糖醇代甘露糖醛酸制絨添加劑。在由質(zhì)量濃度為1.5%氫氧化鈉、質(zhì)量濃度為0.9%制絨添加劑組成的腐蝕液中對單晶硅片進(jìn)行制絨,78°C溫度條件下反應(yīng)16min。結(jié)果表明單晶硅片表面長出尺寸為2-5 μ m、多棱邊不規(guī)則金字塔(見圖5)。木糖醇代甘露糖醛酸制絨添加劑不但可以應(yīng)用于單晶硅片表面制絨,也可以讓多晶硅在堿性條件下形成不規(guī)則的納米金字塔結(jié)構(gòu)。如實(shí)施例6,腐蝕液由質(zhì)量濃度為1.0%的氫氧化鈉、質(zhì)量濃度為0.9%的實(shí)施例1制備的制絨添加劑組成,將多晶硅片置于該腐蝕液中,78°C溫度條件下反應(yīng)lOmin。結(jié)果表明多晶硅片表面長出尺寸為100-300nm不等的隨機(jī)分布類金字塔凸起(見圖6)。這類結(jié)構(gòu)對研究多晶硅堿制絨和降低反射率有重要意義。
[0016]本發(fā)明利用木糖醇與甘露糖醛酸在堿性條件下反應(yīng)制備出一種新型的木糖醇代甘露糖醛酸制絨添加劑,其優(yōu)點(diǎn)在于非離子表面活性劑木糖醇和甘露糖醛酸為糖醚類表面活性劑的杰出代表,是新一代綠色表面活性劑,具有對人體刺激性小、生物降解快、性能優(yōu)良等特點(diǎn)。本發(fā)明的另外一個優(yōu)點(diǎn)在于應(yīng)用木糖醇代甘露糖醛酸制絨添加劑可以在單晶硅片表面制備類“錐形”的特殊金字塔結(jié)構(gòu),從而有效地降低了光的反射率,并能與現(xiàn)有生產(chǎn)設(shè)備匹配。本發(fā)明還有一個優(yōu)點(diǎn)是木糖醇代甘露糖醛酸制絨添加劑可以應(yīng)用于多晶硅片表面在堿性條件下制備出類金字塔絨面。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1:實(shí)施例1中制得的單晶硅片絨面場發(fā)射掃描電鏡圖;
[0018]圖2:實(shí)施例2中制得的單晶硅片絨面場發(fā)射掃描電鏡圖;
[0019]圖3:實(shí)施例3中制得的單晶硅片絨面場發(fā)射掃描電鏡圖;
[0020]圖4:實(shí)施例4中制得的單晶硅片絨面場發(fā)射掃描電鏡圖;
[0021]圖5:實(shí)施例5中制得的單晶硅片絨面場發(fā)射掃描電鏡圖;
[0022]圖6:實(shí)施例6中制得的多晶硅片絨面場發(fā)射掃描電鏡圖;
【具體實(shí)施方式】
[0023]以下結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述,但是本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于所述的實(shí)施例。
[0024]實(shí)施例1
[0025]將質(zhì)量濃度為15%的木糖醇和質(zhì)量濃度為35%的甘露糖醛酸溶解到質(zhì)量濃度為5%氫氧化鈉溶液中,反應(yīng)溫度為80°C,反應(yīng)時間為5h,冷卻至室溫后,加去離子水稀釋至質(zhì)量分?jǐn)?shù)3%,合成制備出木糖醇代甘露糖醛酸制絨添加劑。
[0026]在由質(zhì)量濃度為1.5%氫氧化鈉、質(zhì)量濃度為0.9%制絨添加劑組成的腐蝕液中對單晶硅片進(jìn)行制絨,78°C溫度條件下反應(yīng)16min。結(jié)果表明單晶硅片表面長出尺寸小于3ym的、類似錐形的均勻金字塔(見圖1)。這種棱邊不明顯的類錐形結(jié)構(gòu)有利于增加不同角度入射光攝入硅片表面,降低表面反射率。
[0027]實(shí)施例2[0028]將質(zhì)量濃度為10%的木糖醇和質(zhì)量濃度為5%的甘露糖醛酸溶解到質(zhì)量濃度為1%氫氧化鉀溶液中,反應(yīng)溫度為40°C,反應(yīng)時間為10h,冷卻至室溫后,加去離子水稀釋至質(zhì)量分?jǐn)?shù)3%,合成制備出木糖醇代甘露糖醛酸制絨添加劑。
[0029]在由質(zhì)量濃度為1.5%氫氧化鈉、質(zhì)量濃度為I %制絨添加劑組成的腐蝕液中對單晶硅片進(jìn)行制絨,78°C溫度條件下反應(yīng)16min。結(jié)果表明單晶硅片表面長出標(biāo)準(zhǔn)金字塔的尺寸集中在1 μ m和5 μ m左右(見圖2),金字塔棱邊一致性高。
[0030]實(shí)施例3
[0031]將質(zhì)量濃度為30%的木糖醇和質(zhì)量濃度為45%的甘露糖醛酸溶解到質(zhì)量濃度為5%氫氧化鉀溶液中,反應(yīng)溫度為80°C,反應(yīng)時間為4h,冷卻至室溫后,加去離子水稀釋至質(zhì)量分?jǐn)?shù)3%,合成制備出木糖醇代甘露糖醛酸制絨添加劑。
[0032]將單晶硅片置于含質(zhì)量濃度為1.5%氫氧化鈉、質(zhì)量濃度為0.8%制絨添加劑的腐蝕液中進(jìn)行制絨,78°C溫度條件下反應(yīng)16min。結(jié)果表明單晶硅片表面長出尺寸集中在2-4 μ m、類似錐形的均勻金字塔(見圖3)。
[0033]實(shí)施例4
[0034]將質(zhì)量濃度為50%的木糖醇和質(zhì)量濃度為25%的甘露糖醛酸溶解到混合堿溶液(質(zhì)量濃度為2% NaOH和質(zhì)量濃度為4%氨水按質(zhì)量比1:1混合)中,反應(yīng)溫度為60°C,反應(yīng)時間為8h,冷卻至室溫后,加去離子水稀釋至質(zhì)量分?jǐn)?shù)3%,合成制備出木糖醇代甘露糖醛酸制絨添加劑。
[0035]將單晶硅片置于含質(zhì)量濃度為1.5%氫氧化鈉、質(zhì)量濃度為0.5%制絨添加劑的腐蝕液中,78°C溫度條件下反應(yīng)16min。結(jié)果表明單晶硅片表面長出尺寸為2_4 μ m標(biāo)準(zhǔn)金字塔(見圖4),金字塔棱邊一致性高。
[0036]實(shí)施例5
[0037]將質(zhì)量濃度為25%的木糖醇和質(zhì)量濃度為25%的甘露糖醛酸溶解到質(zhì)量濃度為5%氫氧化鉀溶液中,反應(yīng)溫度為70°C,反應(yīng)時間為10h,冷卻至室溫后,加去離子水稀釋至質(zhì)量分?jǐn)?shù)3%,合成制備出木糖醇代甘露糖醛酸制絨添加劑。
[0038]在由質(zhì)量濃度為1.5%氫氧化鈉、質(zhì)量濃度為0.9%制絨添加劑組成的腐蝕液中對單晶硅片進(jìn)行制絨,78°C溫度條件下反應(yīng)16min。結(jié)果表明單晶硅片表面長出尺寸為2-5 μ m、多棱邊不規(guī)則金字塔(見圖5),硅片單面減薄約為4 μ m。
[0039]實(shí)施例6
[0040]木糖醇代甘露糖醛酸制絨添加劑不但可以應(yīng)用于單晶硅片表面使之形成微納米結(jié)構(gòu),也可以讓多晶硅片在堿性條件下形成不規(guī)則的納米金字塔結(jié)構(gòu)。
[0041]多晶硅片制絨:腐蝕液由質(zhì)量濃度為1.0%的氫氧化鈉、質(zhì)量濃度為0.9%的實(shí)施例I制備的制絨添加劑組成,將多晶硅片置于該腐蝕液中,78°c溫度條件下反應(yīng)lOmin。結(jié)果表明多晶硅片表面長出尺寸為100-300nm不等的隨機(jī)分布類金字塔凸起(見圖6)。這類結(jié)構(gòu)對研究多晶硅堿制絨和降低反射率有重要意義。
【權(quán)利要求】
1.一種利用木糖醇與甘露糖酸在堿性條件下反應(yīng)制備新型制絨添加劑的制備方法及其應(yīng)用,其特征在于將質(zhì)量濃度為10-50%的木糖醇和質(zhì)量濃度為5-45%的甘露糖醛酸溶解在堿性水溶液中,在40-100°C加熱攪拌反應(yīng)2-10小時,冷卻至室溫后,加去離子水稀釋至質(zhì)量分?jǐn)?shù)3 %即可使用,不需分離提純。
2.如權(quán)利要求1所述的制絨添加劑制備方法,其特征在于所述的堿性水溶液是由氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨水等一種或者幾種堿性物質(zhì)混合于去離子水中組成。
3.如權(quán)利要求1所述的制絨添加劑制備方法,其特征在于所述的堿性水溶液中堿性物質(zhì)的質(zhì)量濃度為1_5%。
4.如權(quán)利要求1所述的制絨添加劑制備方法,其特征在于所述的新型制絨添加劑可應(yīng)用于單晶硅表面制絨,可獲得優(yōu)異絨面。
5.如權(quán)利要求1所述的制絨添加劑制備方法,其特征在于所述的新型制絨添加劑可應(yīng)用于多晶硅表面堿性制絨,形 成類金字塔絨面。
【文檔編號】C30B33/10GK103789838SQ201410055925
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2014年2月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月20日
【發(fā)明者】管自生 申請人:南京納鑫新材料有限公司
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