半導(dǎo)體裝置制造方法
【專利摘要】提供一種能夠有效減少外部磁場的影響的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置（100）具備：基板（101）；磁阻存儲芯片（102），其安裝于基板（101）；第一軟磁性體（103），其配置在基板（101）與磁阻存儲芯片（102）之間，覆蓋磁阻存儲芯片（102）的背面；第二軟磁性體（104），其覆蓋磁阻存儲芯片（102）的正面；以及第三軟磁性體（105），其覆蓋磁阻存儲芯片（102）的側(cè)面。
【專利說明】半導(dǎo)體裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實施方式涉及具備磁阻存儲器的半導(dǎo)體裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)在，各種半導(dǎo)體存儲器被開發(fā)出且已實用化。在半導(dǎo)體存儲器中，利用磁的磁阻存儲器(magnetoresistive random memory:MRAM)已實用化。磁阻存儲器是利用磁的存儲元件，所保持的信息可能會因外部磁場的影響而丟失。
[0003]因此，在以往的磁阻存儲器中，為了抑制外部磁場的影響，提出了在磁阻存儲器的正面(第一主面)和背面(第二主面)配置軟磁性材料的方案。通過配置軟磁性材料，外部磁場選擇性地透過軟磁性材料，所以能夠抑制外部磁場對磁阻存儲器造成的影響。
[0004]然而，在上述方案的情況下，與對在平行方向上入射于磁阻存儲器的主面的磁場的屏蔽效果相比，對在垂直方向上入射于磁阻存儲器的主面的磁場的屏蔽效果弱。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明要解決的問題在于，提供一種能夠更有效地減少外部磁場的影響的半導(dǎo)體
>J-U ρ?α裝直。
[0006]實施方式的半導(dǎo)體裝置具備:基板；磁阻存儲芯片，其安裝于基板；第一軟磁性體，其配置在基板與磁阻存儲芯片之間，且覆蓋磁阻存儲芯片的背面；第二軟磁性體，其覆蓋磁阻存儲芯片的正面；以及第三軟磁性體，其覆蓋磁阻存儲芯片的側(cè)面。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1是第一實施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)圖。
[0008]圖2是表示第一實施方式的半導(dǎo)體裝置的磁屏蔽效果的圖。
[0009]圖3是表示比較例的半導(dǎo)體裝置的磁屏蔽效果的圖。
[0010]圖4是第二實施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)圖。
[0011]圖5是第三實施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)圖。
[0012]圖6是第一?第三實施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)圖。
[0013]圖7是第四實施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)圖。
[0014]圖8是第五實施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)圖。
[0015]圖9是第六實施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)圖。
[0016]圖10是第七實施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)圖。
[0017]標號的說明
[0018]BH、BV…磁場，F(xiàn)...粘接劑，P...焊盤，Tl…外部連接端子，Τ2...連接端子，W...接合線，100、100A、200、200A、300、300A、400、500、600、700…半導(dǎo)體裝置，101 …布線基板，1lH…正面，1lR…背面，102…磁阻存儲芯片，102A、102B、102C、102D…側(cè)面，102H…正面，102R…背面，103…第一軟磁性體，104…第二軟磁性體，105…第三軟磁性體，106...密封(封止)樹脂， 107…填充材料。

【具體實施方式】
[0019]以下，參照圖1?圖10，對實施方式的半導(dǎo)體裝置和半導(dǎo)體裝置的制造方法進行說明。在各實施方式的附圖中，對實質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)部位標注相同的標號，省略一部分說明。其中，附圖是示意性的圖，厚度與平面尺寸的關(guān)系、各層的厚度的比例等與現(xiàn)實不同。說明中的表示上下等方向的用語是指以后述的半導(dǎo)體基板的電路形成面?zhèn)葹樯蠒r的相對方向，有時與以重力加速度方向為基準的現(xiàn)實的方向不同。
[0020](第一實施方式)
[0021]圖1是第一實施方式的半導(dǎo)體裝置100的結(jié)構(gòu)圖。圖1 (a)是半導(dǎo)體裝置100的俯視圖。圖1 (b)是半導(dǎo)體裝置100的主視圖。圖1 (C)是半導(dǎo)體裝置100的側(cè)視圖。
[0022]半導(dǎo)體裝置100具備布線基板101、磁阻存儲芯片(magnetoresistive randommemory:MRAM) 102、第一軟磁性體103、第二軟磁性體104、第三軟磁性體105以及密封樹脂106。在圖1中，用虛線表示密封樹脂106，圖示了密封樹脂106內(nèi)。
[0023]布線基板101是用于安裝磁阻存儲芯片102的基板。在布線基板101的背面1lR設(shè)置有外部連接端子Tl。在布線基板101的正面1lH設(shè)置有與磁阻存儲芯片102連接的連接端子T2。
[0024]磁阻存儲芯片102在俯視下具有矩形形狀。在磁阻存儲芯片102設(shè)置有用于與布線基板101連接的焊盤P。磁阻存儲芯片102的焊盤P和布線基板101的連接端子T2通過接合線W電連接。
[0025]第一軟磁性體103配置在布線基板101與磁阻存儲芯片102之間，覆蓋磁阻存儲芯片102的背面102R。第二軟磁性體104配置在磁阻存儲芯片102上，覆蓋磁阻存儲芯片102的正面102H。第三軟磁性體105覆蓋磁阻存儲芯片102的相對的側(cè)面102A、102B。此夕卜，為了避免與接合線W的干涉，磁阻存儲芯片102的側(cè)面102CU02D沒有被第三軟磁性體105覆蓋。
[0026]第三軟磁性體105與第一軟磁性體103成形為一體。作為將第一和第三軟磁性體103、105加工成如圖1所示的形狀的方法，例如能夠舉出沖壓加工、蝕刻加工。此外，在加工后，通過對第一和第三軟磁性體進行退火(熱處理)，能夠提高第一和第三軟磁性體的磁導(dǎo)率，能夠更有效地屏蔽外部磁場。
[0027]作為第一?第三軟磁性體103?105的材料，只要是磁導(dǎo)率高的材料則能夠使用各種材料。例如，能夠使用鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)等軟磁性金屬和/或硅鋼(Fe-Si)、碳鋼(Fe-C )、坡莫合金(Fe-Ni )、鐵素體不銹鋼等軟磁性合金。
[0028]第一?第三軟磁性體103?105具有作為磁阻存儲芯片102的磁屏蔽部的功能。第一?第三軟磁性體103?105的厚度優(yōu)選均為50 μ m以上且500 μ m以下。若第一?第三軟磁性體103?105的厚度均小于50 μ m,則可能會無法得到充分的磁屏蔽效果。若第一?第三軟磁性體103?105的厚度均超過500 μ m,則會妨礙半導(dǎo)體裝置100的小型化、薄型化。
[0029]第一和第三軟磁性體103、105通過粘接劑F而粘接在布線基板101的正面101H。磁阻存儲芯片102通過粘接劑F而粘接在第一軟磁性體103上。第二軟磁性體102通過粘接劑F而粘接在磁阻存儲芯片102上。
[0030]密封樹脂106對磁阻存儲芯片102、第一?第三軟磁性體103?105以及接合線W進行密封。密封樹脂106，例如使用如環(huán)氧樹脂那樣的熱固化性樹脂。
[0031]圖2是表示半導(dǎo)體裝置100的磁屏蔽效果的圖。圖2表示半導(dǎo)體裝置100的截面。如圖2所示，半導(dǎo)體裝置100，對于來自橫向的磁場Bh，通過覆蓋磁阻存儲芯片102的正面102H和背面102R的第一和第二軟磁性體103、104進行屏蔽。對于來自縱向的磁場Bv，通過覆蓋磁阻存儲芯片102的相對的側(cè)面102Α、102Β的第三軟磁性體105進行屏蔽。
[0032]圖3是表示比較例的半導(dǎo)體裝置10的磁屏蔽效果的圖。圖3表示半導(dǎo)體裝置10的截面。圖3所示的半導(dǎo)體裝置10除了不具有覆蓋磁阻存儲芯片102的相對的側(cè)面102Α、102Β的第三軟磁性體105之外，具有與圖1所示的半導(dǎo)體裝置100相同的結(jié)構(gòu)。此外，對與參照圖1說明的半導(dǎo)體裝置100相同的結(jié)構(gòu)標注相同的標號，省略重復(fù)的說明。
[0033]如圖3所示，比較例的半導(dǎo)體裝置10，對于來自橫向的磁場Bh，通過覆蓋磁阻存儲芯片102的正面102Η和背面102R的第一和第二軟磁性體103、104進行屏蔽。然而，由于不存在覆蓋磁阻存儲芯片102的相對的側(cè)面102Α、102Β的第三軟磁性體105，所以對來自縱向的磁場Bv的屏蔽效果比來自橫向的磁場Bh弱。
[0034]如上所述，第一實施方式的半導(dǎo)體裝置100具備覆蓋磁阻存儲芯片102的相對的側(cè)面102Α、102Β的第三軟磁性體105，因此，對于磁阻存儲芯片102的主面(正面102Η、背面102R)，能夠更有效地屏蔽縱向的磁場Βν。
[0035](第二實施方式)
[0036]圖4是第二實施方式的半導(dǎo)體裝置200的結(jié)構(gòu)圖。圖4 (a)是半導(dǎo)體裝置200的俯視圖。圖4 (b)是半導(dǎo)體裝置200的主視圖。圖4 (c)是半導(dǎo)體裝置200的側(cè)視圖。在圖4中，用虛線表示密封樹脂106，圖示了密封樹脂106內(nèi)。
[0037]在第一實施方式的半導(dǎo)體裝置100中，第二軟磁性體104配置成蓋住第三軟磁性體105的上面。另一方面，在第二實施方式的半導(dǎo)體裝置200中，第二軟磁性體104配置成收容于覆蓋磁阻存儲芯片102的側(cè)面102AU02B的第三軟磁性體105內(nèi)。第二實施方式的半導(dǎo)體裝置200在這一點與第一實施方式的半導(dǎo)體裝置100不同。其他結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體裝置100相同，因此省略重復(fù)的說明。第二實施方式的半導(dǎo)體裝置200顯示出了與第一實施方式的半導(dǎo)體裝置100同樣的效果。
[0038](第三實施方式)
[0039]圖5是第三實施方式的半導(dǎo)體裝置300的結(jié)構(gòu)圖。圖5 (a)是半導(dǎo)體裝置300的俯視圖。圖5 (b)是半導(dǎo)體裝置300的主視圖。圖5 (。)是半導(dǎo)體裝置300的側(cè)視圖。在圖5中，用虛線表示密封樹脂106，圖示了密封樹脂106內(nèi)。
[0040]如圖5所示，在第三實施方式的半導(dǎo)體裝置300中，第三軟磁性體105與第二軟磁性體104成形為一體這一點與參照圖1說明的第一實施方式的半導(dǎo)體裝置100不同。其他結(jié)構(gòu)與第一實施方式的半導(dǎo)體裝置100相同，因此省略重復(fù)的說明。另外，效果與第一實施方式的半導(dǎo)體裝置100相同。
[0041](第一?第三實施方式的變形例)
[0042]圖6是第一?第三實施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置100A?300A的結(jié)構(gòu)圖。圖6(a)是第一實施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置100A的主視圖。圖6 (b)是第二實施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置200A的主視圖。圖6 (c)是第三實施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置300A的主視圖。
[0043]如圖6 (a)?圖6 (C)所示,第一?第三實施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置100A?300A，在第一軟磁性體103與第三軟磁性體105的間隙、或第二軟磁性體104與第三軟磁性體105的間隙填充有包含軟磁性體的顆粒(填充物)的填充材料107。
[0044]圖6 (a)?圖6 (C)所示的半導(dǎo)體裝置100A?300A，由于在第一軟磁性體103與第三軟磁性體105的間隙或第二軟磁性體104與第三軟磁性體105的間隙填充有填充材料107，所以能夠更有效地屏蔽外部磁場。其他效果與分別參照圖1、圖4、圖5說明的第一?第三實施方式的半導(dǎo)體裝置100?300相同。
[0045](第四實施方式)
[0046]圖7是第四實施方式的半導(dǎo)體裝置400的結(jié)構(gòu)圖。圖7 (a)是半導(dǎo)體裝置400的俯視圖。圖7 (b)是在圖7 (a)的線段X-X的剖視圖。圖7 (c)是在圖7 (a)的線段Y-Y的剖視圖。在圖7 (a)中，省略了密封樹脂106和第二、第三軟磁性體104、105的圖示。
[0047]在第四實施方式的半導(dǎo)體裝置400中，使覆蓋磁阻存儲芯片102的上面和側(cè)面的第二和第三軟磁性體104、105形成在密封樹脂106的表面。軟磁性體104、105例如能夠通過電鍍法、濺射法形成在密封樹脂106的表面。
[0048]在第四實施方式的半導(dǎo)體裝置400中，由于在密封樹脂106的表面形成軟磁性體104、105，所以軟磁性體不會與接合線干涉。因此，能夠通過軟磁性體來覆蓋磁阻存儲芯片102的四個側(cè)面。
[0049]在布線基板101的背面設(shè)置有外部連接端子Tl。因此，不能通過電鍍法、濺射法在布線基板101的背面形成第一軟磁性體103。因此，在半導(dǎo)體裝置400中，在布線基板101與磁阻存儲芯片102之間配置覆蓋磁阻存儲芯片102的背面的第一軟磁性體103，且使第一軟磁性體103的側(cè)面從密封樹脂106露出。
[0050]通過使第一軟磁性體103的側(cè)面從密封樹脂106露出，第一軟磁性體103與在密封樹脂106的表面形成的第二和第三軟磁性體104、105電連接。
[0051]如上所述，在第四實施方式的半導(dǎo)體裝置400中，能夠通過軟磁性體來覆蓋該磁阻存儲芯片102的四個側(cè)面。因此，對外部磁場的屏蔽效果大幅提高。其他效果與參照圖1說明的第一實施方式的半導(dǎo)體裝置100的效果相同。
[0052](第五實施方式)
[0053]圖8是第五實施方式的半導(dǎo)體裝置500的結(jié)構(gòu)圖。圖8 (a)是半導(dǎo)體裝置500的俯視圖。圖8 (b)是在圖8 (a)的線段X-X的剖視圖。圖8 (c)是在圖8 (a)的線段Y-Y的剖視圖。在圖8 (a)中，省略第二軟磁性體104的圖示，另外，用局部剖面示出了密封樹脂106和第三軟磁性體105。
[0054]第五實施方式的半導(dǎo)體裝置500與第四實施方式的半導(dǎo)體裝置400同樣地，使覆蓋磁阻存儲芯片102的上面和側(cè)面的第二和第三軟磁性體104、105形成在密封樹脂106的表面。軟磁性體104、105例如能夠通過電鍍法、濺射法形成在密封樹脂106的表面。
[0055]在半導(dǎo)體裝置500中，覆蓋磁阻存儲芯片102的背面的第一軟磁性體103配置在布線基板101與磁阻存儲芯片102之間。第一軟磁性體103的側(cè)面從密封樹脂106露出。從密封樹脂106露出的第一軟磁性體103的側(cè)面與在密封樹脂106的表面形成的第二和第三軟磁性體104、105電連接。
[0056]成為與第二和第三軟磁性體104、105的電連接部的第一軟磁性體103的側(cè)面從密封樹脂106呈梳齒狀露出。即，第一軟磁性體103具有分割成從密封樹脂106呈梳齒狀露出的端部103a，這些梳齒狀端部103a與第三軟磁性體105電連接。在相鄰的梳齒狀端部103a之間填充有密封樹脂106。
[0057]這樣，通過將成為與第二和第三軟磁性體104、105的電連接部的第一軟磁性體103的端部103a分割為梳齒狀，能夠提高半導(dǎo)體裝置500的制造工序中的單片化工序的效率、精度等。
[0058]S卩，半導(dǎo)體裝置500例如如下制作。首先，在多片式(多數(shù)個取>9)的集合基板的各布線基板區(qū)域(101)上配置成為第一軟磁性體103的軟磁性體。軟磁性體具有與多個布線基板區(qū)域(101)對應(yīng)的形狀。在集合基板的各布線基板區(qū)域(101)內(nèi)的軟磁性體上分別搭載磁阻存儲芯片102。通過接合線W將各布線基板區(qū)域(101)的連接端子T2與磁阻存儲芯片102的焊盤P電連接。對搭載于多片式的集合基板上的多個磁阻存儲芯片102 —并進行樹脂密封。
[0059]將包括多個磁阻存儲芯片102的樹脂密封體根據(jù)各布線基板區(qū)域(101)切斷。即，將包括集合基板、軟磁性體和密封樹脂層的樹脂密封體整體切斷，使形成第二和第三軟磁性體104、105的前階段的封裝(package)單片化。配置于集合基板上的軟磁性體使用作為延性材料(塑性材料)的金屬材料，與此相對，密封樹脂層使用脆性材料。雖然密封樹脂層包括熱固化性樹脂等樹脂成分，但密封樹脂層的大部分由二氧化硅粉末等無機填充物構(gòu)成，因此密封樹脂層整體視為脆性材料。
[0060]在用金剛石刀片等將樹脂密封體切斷的情況下，將由延性材料構(gòu)成的軟磁性體和由脆性材料構(gòu)成的密封樹脂層同時切斷。此時，若使用與密封樹脂層的切斷對應(yīng)的刀片，則軟磁性體的切斷效率低，另外，有時刀片的鋒利度會因金屬材料的繞纏等而降低。在這樣的樹脂密封體的切斷工序中，通過將第一軟磁性體103的端部103a分割為梳齒狀，能夠抑制軟磁性體的切斷效率的降低、刀片的鋒利度的降低等。
[0061]S卩，第一軟磁性體103的分割為梳齒狀的端部103a在切斷之前的階段中構(gòu)成將相鄰的軟磁性體103之間局部連結(jié)的連結(jié)部。根據(jù)具有這樣的連結(jié)部的軟磁性體，與平板狀的軟磁性體相比，能夠減少用刀片切斷的體積。因此，在樹脂密封體的切斷工序中，能夠抑制軟磁性體的切斷效率的降低、刀片的鋒利度的降低等。因此，能夠謀求半導(dǎo)體裝置500的制造效率的提高、制造成本的減少等。其他效果與參照圖7說明的第四實施方式的半導(dǎo)體裝置400是同樣的。
[0062](第六實施方式)
[0063]圖9是第六實施方式的半導(dǎo)體裝置600的結(jié)構(gòu)圖。圖9 (a)是半導(dǎo)體裝置600的俯視圖。圖9 (b)是在圖9 (a)的線段X-X的剖視圖。圖9 (c)是在圖9 (a)的線段Y-Y的剖視圖。在圖9 (a)中，省略第二軟磁性體104的圖示，另外，局部剖視地示出密封樹脂106和第三軟磁性體105。
[0064]第六實施方式的半導(dǎo)體裝置600與第五實施方式的半導(dǎo)體裝置500同樣地，使覆蓋磁阻存儲芯片102的上面和側(cè)面的軟磁性體104、105形成在密封樹脂106的表面。軟磁性體104、105例如能夠通過電鍍法、濺射法形成在密封樹脂106表面。
[0065]在半導(dǎo)體裝置600中，覆蓋磁阻存儲芯片102的背面的第一軟磁性體103配置在布線基板101與磁阻存儲芯片102之間。第一軟磁性體103具有:平坦部103b，其具有供磁阻存儲芯片102搭載的表面S ;立起部103c，其從平坦部103b朝向表面S面對的方向、例如與表面S垂直的方向彎曲；和水平延伸部103d，其從立起部103c朝向表面S的面方向、即與表面S平行的方向彎曲。
[0066]第一軟磁性體103的水平延伸部103d的側(cè)面從密封樹脂106露出，以使得與在密封樹脂106的表面形成的第二和第三軟磁性體104、105電連接。成為與軟磁性體104、105的電連接部的水平延伸部103d的側(cè)面從密封樹脂106呈梳齒狀露出。即，第一軟磁性體103的水平延伸部103d具有分割成從密封樹脂106呈梳齒狀露出的端部103a，這些梳齒狀端部103a與第三軟磁性體105電連接。在相鄰的梳齒狀端部103a之間填充有密封樹脂106。
[0067]這樣，通過將成為與第二和第三軟磁性體104、105的電連接部的第一軟磁性體103的端部103a (水平延伸部103d的端部103a)分割為梳齒狀,能夠與第五實施方式的半導(dǎo)體裝置500同樣地提高半導(dǎo)體裝置600的制造工序中的單片化工序的效率、精度等。因此，能夠謀求半導(dǎo)體裝置600的制造效率的提高、制造成本的減少等。
[0068]進而，在沒有將水平延伸部103d的端部103a分割為梳齒狀的情況下，密封樹脂106被水平延伸部103d的上部和下部分割，可能會產(chǎn)生密封樹脂106的局部剝離等。與此相對，通過將水平延伸部103d的端部103a分割為梳齒狀，密封樹脂106位于端部103a之間的部分將水平延伸部103d的上部與下部連接，從而抑制密封樹脂106的剝離等。因此，能夠提高半導(dǎo)體裝置600的制造性、可靠性等。其他效果與參照圖7說明的第四實施方式的半導(dǎo)體裝置400是同樣的。
[0069](第七實施方式)
[0070]圖10是第七實施方式的半導(dǎo)體裝置700的結(jié)構(gòu)圖。圖10 (a)是第七實施方式的半導(dǎo)體裝置700的主視圖。圖10 (b)是在圖10 Ca)的線段X-X的剖視圖。圖10 (c)是在圖10 Ca)的線段Y-Y的剖視圖。在圖10 Ca)中，省略了密封樹脂106和第二軟磁性體104的圖示。
[0071]第七實施方式的半導(dǎo)體裝置700與第一實施方式同樣地，具有將第一軟磁性體103和第三軟磁性體105成形為一體的軟磁性體。在密封樹脂106的表面形成有覆蓋磁阻存儲芯片102的正面102H的第二軟磁性體104。與第一軟磁性體103成形為一體的第三軟磁性體105的上面優(yōu)選從密封樹脂106露出。通過使第三軟磁性體105的上面從密封樹脂106露出，第三軟磁性體105與在密封樹脂106表面形成的第二軟磁性體104電連接。
[0072]在第七實施方式的半導(dǎo)體裝置700中，第二軟磁性體104可以形成為覆蓋密封樹脂106的整個表面，但由于磁阻存儲芯片102的相對的側(cè)面102AU02B被第三軟磁性體105覆蓋，所以也可以除去該部分而形成。進而，第三軟磁性體105的上面也可以分割成從密封樹脂106呈梳齒狀露出。根據(jù)第七實施方式的半導(dǎo)體裝置700，與第四實施方式的半導(dǎo)體裝置400同樣地，能夠提高對外部磁場的屏蔽效果。其他效果與參照圖1說明的第一實施方式的半導(dǎo)體裝置100的效果是同樣的。
[0073]對本發(fā)明的幾個實施方式進行了說明，但不限于各實施方式所示的結(jié)構(gòu)、各種條件，這些實施方式是作為例子而提出的，并非意在限定發(fā)明的范圍。這些新的實施方式能夠以其他各種各樣的方式來實施，能夠在不脫離發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)進行各種省略、替換、變更。這些實施方式及其變形包含于發(fā)明的范圍、要旨，并且包含于權(quán)利要求書所記載的發(fā)明和其等同的范圍內(nèi)。
[0074]關(guān)于上述實施方式的半導(dǎo)體裝置，附記以下結(jié)構(gòu)。
[0075](附記I)
[0076]一種半導(dǎo)體裝置，具備:基板、安裝于所述基板的磁阻存儲芯片、將所述磁阻存儲芯片密封的密封樹脂、配置在所述基板與所述磁阻存儲芯片之間且覆蓋所述磁阻存儲芯片的背面的第一軟磁性體、覆蓋所述磁阻存儲芯片的正面的第二軟磁性體以及覆蓋所述磁阻存儲芯片的側(cè)面的第三軟磁性體，其中，
[0077]所述第二和第三軟磁性體設(shè)置在所述密封樹脂的表面，
[0078]所述第一軟磁性體從所述密封樹脂露出，以使得與所述第二軟磁性體或所述第三軟磁性體電連接。
[0079](附記2)
[0080]根據(jù)附記I記載的半導(dǎo)體裝置，其中，
[0081]所述第一軟磁性體具有分割成從所述密封樹脂呈梳齒狀露出的端部，所述梳齒狀的端部與所述第三軟磁性體電連接。
[0082](附記3)
[0083]根據(jù)附記I記載的半導(dǎo)體裝置，其中，
[0084]所述第一軟磁性體具備:平坦部，其具有供所述磁阻存儲芯片搭載的表面；立起部，其從所述平坦部朝向所述表面面對的方向彎曲；以及水平延伸部，其從所述立起部朝向所述表面的面方向彎曲，
[0085]所述水平延伸部具有分割成從所述密封樹脂呈梳齒狀露出的端部，所述梳齒狀的端部與所述第三軟磁性體電連接。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體裝置，具備: 基板； 磁阻存儲芯片，其安裝于所述基板； 第一軟磁性體，其配置在所述基板與所述磁阻存儲芯片之間，覆蓋所述磁阻存儲芯片的背面； 第二軟磁性體，其覆蓋所述磁阻存儲芯片的正面；以及 第三軟磁性體，其覆蓋所述磁阻存儲芯片的側(cè)面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述第一?第三軟磁性體的厚度為50 μ m以上且500 μ m以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 還具備將所述磁阻存儲芯片密封的密封樹脂， 所述第二軟磁性體設(shè)置在所述密封樹脂的表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述第三軟磁性體與所述第一軟磁性體或所述第二軟磁性體一體地成形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 還具備包括軟磁性體的填充材料，所述填充材料將所述第一軟磁性體與所述第三軟磁性體的間隙、以及所述第二軟磁性體與所述第三軟磁性體的間隙中的至少一方填充。
【文檔編號】H05K9/00GK104425541SQ201410072026
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年2月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月26日
【發(fā)明者】赤田裕亮 申請人:株式會社 東芝