電子控制單元的制作方法
【專利摘要】一種電子控制單元（61），其基板（10）具有在其上設(shè)置有控制部件（15）的控制區(qū)域（11）以及在其上設(shè)置有功率部件（20）的功率區(qū)域（12）。殼體（30）的基板固定部（31-34）從底部（35）突出，并且基板（10）固定至基板固定部（31-34）。熱輻射部（36）從底部（35）延伸。半導(dǎo)體模塊（41-44）固定至熱輻射部（36）的第一外表面（363）和第二外表面（364），第一外表面（363）位于與功率部件（20）相反的一側(cè)。熱輻射部（36）設(shè)置在半導(dǎo)體模塊（41-44）與功率部件（20）之間。因此，減小了半導(dǎo)體模塊（41-44）與功率部件（20）之間的熱干擾，并且改進(jìn)了熱輻射性能。
【專利說(shuō)明】電子控制單元
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本公開(kāi)內(nèi)容涉及電子控制單元。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，對(duì)用于車輛的馬達(dá)的控制已經(jīng)取得進(jìn)展，并且因此馬達(dá)的數(shù)量以及用于控制馬達(dá)的電子控制單元的數(shù)量已經(jīng)有所增加。此外，安裝在車輛中的部件的數(shù)量已經(jīng)隨著車輛功能——例如用于安全行駛的功能——的增加而增加。另一方面，已經(jīng)嘗試增加內(nèi)部空間從而為使用者提供舒適的空間。因此，重要的是減小電子控制單元的尺寸。
[0003]例如，用于電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的電子控制單元布置在發(fā)動(dòng)機(jī)艙中或布置在儀表板的后方。事實(shí)上，用于電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的電子控制單元需要以較大量的電流(例如大約80安培)來(lái)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)。因此，電子控制單元的部件——例如具有切換功能的半導(dǎo)體模塊——產(chǎn)生大量的熱。為了減小由該部件產(chǎn)生的熱的量，有必要增加電子部件的尺寸或使用通常較為昂貴的高規(guī)格部件。另一方面，為了減小電子控制單元的尺寸和成本，需要高熱輻射結(jié)構(gòu)。
[0004]例如，在JP-A-2003-309384 (以下稱為專利文獻(xiàn)I)中，形成有傾斜表面以使得與印制板的距離逐漸增加，并且開(kāi)關(guān)晶體管布置在該傾斜表面上。在專利文獻(xiàn)I中，由于開(kāi)關(guān)晶體管布置成使得開(kāi)關(guān)晶體管的引線定位在與印制板相鄰的頂側(cè)處，因此能夠減小引線的長(zhǎng)度。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠減小引線的電阻，并且因此能夠減小所產(chǎn)生的熱的量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]在專利文獻(xiàn)I中，開(kāi)關(guān)晶體管布置成與產(chǎn)生相對(duì)大量的熱的部件——例如電源平流電容器、線圈、以及繼電器——對(duì)置。當(dāng)在如專利文獻(xiàn)I所述的開(kāi)關(guān)晶體管與部件彼此對(duì)置的狀態(tài)下有大量的電流流動(dòng)時(shí)，所擔(dān)心的是除了因每個(gè)部件產(chǎn)生的熱而使溫度增加之夕卜，還由于部件之間的熱干擾而使溫度進(jìn)一步增加。
[0006]鑒于以上問(wèn)題而進(jìn)行了本公開(kāi)，并且本公開(kāi)的目的是提供一種具有高熱輻射結(jié)構(gòu)的電子控制單元。
[0007]根據(jù)本公開(kāi)的一方面，電子控制單元包括基板、控制部件、功率部件、殼體、以及多個(gè)半導(dǎo)體模塊。基板具有控制區(qū)域和功率區(qū)域?？刂撇考O(shè)置在基板的控制區(qū)域上。功率部件設(shè)置在基板的功率區(qū)域上。殼體具有基板固定部、熱輻射部、以及與基板對(duì)置的底部?；骞潭ú繌牡撞垦由欤⑶一骞潭ㄖ粱骞潭ú?。熱輻射部從底部延伸。半導(dǎo)體模塊沿著熱輻射部設(shè)置并且電連接至基板的功率區(qū)域。半導(dǎo)體模塊中的至少一者設(shè)置于熱輻射部的第一表面，其中第一表面位于與功率部件相反的一側(cè)。
[0008]在上述結(jié)構(gòu)中，產(chǎn)生相對(duì)大量的熱的功率部件和半導(dǎo)體模塊設(shè)置在基板的功率區(qū)域中或與基板的功率區(qū)域相鄰。產(chǎn)生相對(duì)小量的熱的控制部件設(shè)置在基板的控制區(qū)域中。
[0009]功率部件的示例為電容器、線圈、電阻器以及繼電器?？刂撇考氖纠秊镮C(集成電路)和CPU。[0010]在該結(jié)構(gòu)中，由于控制部件與功率部件和半導(dǎo)體模塊在空間上間隔開(kāi)，因此由功率部件和半導(dǎo)體模塊產(chǎn)生的熱不易傳遞至控制部件。
[0011]此外，半導(dǎo)體模塊中的至少一者設(shè)置在熱輻射部的第一表面上，其中，第一表面位于與功率部件相反的一側(cè)。也就是說(shuō)，熱輻射部件設(shè)置在功率部件與固定在熱輻射部的第一表面上的半導(dǎo)體模塊之間。因此，能夠減小功率部件與固定在熱輻射部的第一表面上的半導(dǎo)體模塊之間的熱干擾，并且因此能夠改進(jìn)熱輻射性能。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]通過(guò)參照附圖進(jìn)行的以下詳細(xì)描述，本發(fā)明的以上和其它的目的、特征以及優(yōu)點(diǎn)將變得更為明顯，在附圖中相似的部分由相似的附圖標(biāo)記表示，并且在附圖中:
[0013]圖1是示出了根據(jù)本公開(kāi)第一實(shí)施方式的電子控制單元的俯視平面圖的簡(jiǎn)圖；
[0014]圖2是示出了當(dāng)沿著圖1中的箭頭II觀察時(shí)電子控制單元的側(cè)視圖的簡(jiǎn)圖；
[0015]圖3是根據(jù)本公開(kāi)第一實(shí)施方式的電子控制單元的電路圖；
[0016]圖4是示意性地示出使用了根據(jù)本公開(kāi)第一實(shí)施方式的電子控制單元的電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的簡(jiǎn)圖；
[0017]圖5是示出了根據(jù)本公開(kāi)第二實(shí)施方式的電子控制單元的俯視平面圖的簡(jiǎn)圖；
[0018]圖6是示出了當(dāng)沿著圖5中的箭頭VI觀察時(shí)電子控制單元的側(cè)視圖的簡(jiǎn)圖；
[0019]圖7是示出了根據(jù)本公開(kāi)第三實(shí)施方式的電子控制單元的俯視平面圖的簡(jiǎn)圖；
[0020]圖8是示出了當(dāng)沿著圖7中的箭頭VII觀察時(shí)電子控制單元的側(cè)視圖的簡(jiǎn)圖；
[0021]圖9是示出了根據(jù)本公開(kāi)第四實(shí)施方式的電子控制單元的俯視平面圖的簡(jiǎn)圖；
[0022]圖10是示出了根據(jù)本公開(kāi)第五實(shí)施方式的電子控制單元的俯視平面圖的簡(jiǎn)圖；
[0023]圖11是示出了當(dāng)沿著圖10中的箭頭XI觀察時(shí)電子控制單元的側(cè)視圖的簡(jiǎn)圖；
[0024]圖12是示出了根據(jù)本公開(kāi)第六實(shí)施方式的電子控制單元的俯視平面圖的簡(jiǎn)圖；
[0025]圖13是示出了根據(jù)本公開(kāi)第七實(shí)施方式的電子控制單元的俯視平面圖的簡(jiǎn)圖；
[0026]圖14是示出了當(dāng)沿著圖13中的箭頭XIV觀察時(shí)電子控制單元的側(cè)視圖的簡(jiǎn)圖；
[0027]圖15是示出了根據(jù)本公開(kāi)第八實(shí)施方式的電子控制單元的俯視平面圖的簡(jiǎn)圖；
[0028]圖16是示出了根據(jù)本公開(kāi)第九實(shí)施方式的電子控制單元的俯視平面圖的簡(jiǎn)圖；
[0029]圖17是示出了當(dāng)沿著圖16中的箭頭XVII觀察時(shí)電子控制單元的側(cè)視圖的簡(jiǎn)圖；
[0030]圖18是示出了根據(jù)本公開(kāi)第十實(shí)施方式的電子控制單元的俯視平面圖的簡(jiǎn)圖；
[0031]圖19是示出了根據(jù)本公開(kāi)第十一實(shí)施方式的電子控制單元的俯視平面圖的簡(jiǎn)圖；
[0032]圖20是示出了當(dāng)沿著圖19中的箭頭XX觀察時(shí)電子控制單元的側(cè)視圖的簡(jiǎn)圖；
[0033]圖21是示出了根據(jù)本公開(kāi)第十二實(shí)施方式的電子控制單元的俯視平面圖的簡(jiǎn)圖；
[0034]圖22是示出了當(dāng)沿著圖21中的箭頭XXII觀察時(shí)電子控制單元的側(cè)視圖的簡(jiǎn)圖；
[0035]圖23是示出了根據(jù)本公開(kāi)第十三實(shí)施方式的電子控制單元的俯視平面圖的簡(jiǎn)圖；
[0036]圖24是示出了當(dāng)沿著圖23中的箭頭XXIV觀察時(shí)電子控制單元的側(cè)視圖的簡(jiǎn)圖；【具體實(shí)施方式】
[0037]以下將參照附圖來(lái)描述本公開(kāi)的電子控制單元的示例性實(shí)施方式。在下文描述的實(shí)施方式中，基本相同的部分將用相同的附圖標(biāo)記表示，并且不會(huì)對(duì)其描述進(jìn)行重復(fù)。
[0038](第一實(shí)施方式)
[0039]根據(jù)本公開(kāi)第一實(shí)施方式的電子控制單元在圖1至圖3中示出。電子控制單元61例如用于圖4中示出的車輛用電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)100。電子控制單元61驅(qū)動(dòng)并控制馬達(dá)2，其中馬達(dá)2基于諸如轉(zhuǎn)向扭矩信號(hào)和車輛速度信號(hào)之類的信號(hào)而產(chǎn)生輔助扭矩以輔助使用者的轉(zhuǎn)向操作。馬達(dá)2由電池3供應(yīng)的電能經(jīng)由電子控制單元61驅(qū)動(dòng)。
[0040]如圖1和圖2所示，電子控制單元61包括基板10、控制部件15、功率部件20、殼體
30、半導(dǎo)體模塊41至44、蓋構(gòu)件50等。圖1和圖2是示意性簡(jiǎn)圖。在所述附圖中，適當(dāng)?shù)厥÷粤嘶?0和蓋構(gòu)件50的圖示，或是出于適當(dāng)?shù)厥境銎渌考皖愃莆锏牟贾玫哪康亩蕴摼€示出基板10和蓋構(gòu)件50。此外，在圖2中，未示出連接器19。這在其它實(shí)施方式的附圖中是類似的。
[0041]基板10為印制電路板，例如由玻璃纖維和環(huán)氧樹(shù)脂制成的FR-4 (阻燃型4)?；?0具有控制區(qū)域11和功率區(qū)域12。在本實(shí)施方式中，控制區(qū)域12由基板10的從圖1中的單點(diǎn)劃線L起向右的部分的兩個(gè)表面提供，而功率區(qū)域12由基板10的從圖1中的單點(diǎn)劃線L起向左的部分的兩個(gè)表面提供。在本實(shí)施方式中，接地線設(shè)置在單點(diǎn)劃線L的位置處，并且因此控制區(qū)域11與功率區(qū)域12在基板10上彼此分開(kāi)。替代性地，控制區(qū)域11與功率區(qū)域12可以在未布置接地線的情況下由假想線進(jìn)行劃分。
[0042]產(chǎn)生相對(duì)小量的熱的控制部件15安裝在控制區(qū)域11上。產(chǎn)生相對(duì)大量的熱——也就是比控制部件15產(chǎn)生的熱更多——的功率部件20安裝在功率區(qū)域12上。半導(dǎo)體模塊41至44聯(lián)接至功率區(qū)域12。本實(shí)施方式的基板10分隔成控制區(qū)域11和功率區(qū)域12。因此，控制部件15與功率部件20和半導(dǎo)體模塊41至44在空間上間隔開(kāi)。因此，由功率部件20和半導(dǎo)體模塊41至44產(chǎn)生的熱將不太可能傳遞至控制部件15。
[0043]控制部件15包括IC16和CPU17。IC16和CPU17檢測(cè)馬達(dá)2的旋轉(zhuǎn)方向以及馬達(dá)2的旋轉(zhuǎn)扭矩。IC16和CPU17控制預(yù)驅(qū)動(dòng)器18 (見(jiàn)圖3)以基于通過(guò)連接器19輸入的轉(zhuǎn)向扭矩信號(hào)和車輛速度信號(hào)而輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，從而控制半導(dǎo)體模塊41至44及繼電器23的切換。
[0044]在本實(shí)施方式中，IC16在控制區(qū)域11中設(shè)置于基板10的下表面102上。CPU17在控制區(qū)域11中設(shè)置于基板10的上表面101上。
[0045]功率部件20包括鋁電解質(zhì)電容器21、線圈22、繼電器23、以及分流電阻器24。鋁電解質(zhì)電容器21、線圈22、繼電器23、以及分流電阻器24在功率區(qū)域12中設(shè)置于基板10的下表面102上。
[0046]鋁電解質(zhì)電容器21蓄積電荷以協(xié)助至半導(dǎo)體模塊41至44的電力供應(yīng)，并且減小諸如沖擊電壓之類的噪聲成分。
[0047]線圈22設(shè)置成減小噪聲。繼電器23為電力源繼電器或馬達(dá)繼電器，并且設(shè)置成用于故障安全。分流電阻器24設(shè)置成檢測(cè)提供至馬達(dá)2的電流。
[0048]殼體30具有第一基板固定部31、第二基板固定部32、第三基板固定部33、第四基板固定部34、底部35、熱輻射部36等。殼體30由具有高導(dǎo)熱性的金屬或類似物制成。在本實(shí)施方式中，第一基板固定部31、第二基板固定部32、第三基板固定部33以及第四基板固定部34與“基板固定部”相對(duì)應(yīng)，并且在下文也會(huì)被稱為基板固定部31至34。
[0049]基板固定部31至34從與基板10對(duì)置的底部35突出?；?0安裝在基板固定部31至34上，并且通過(guò)緊固基板固定螺釘301至304而固定至基板固定部31至34。因此，基板10固定至殼體30。
[0050]第一基板固定部31和第二基板固定部32設(shè)置在與基板10的功率區(qū)域12相鄰的一側(cè)，而第三基板固定部33和第四基板固定部34設(shè)置在與基板10的控制區(qū)域11相鄰的一側(cè)。此外，第一基板固定部31和第三基板固定部33設(shè)置在與連接器19相鄰的一側(cè)，而第二基板固定部32和第四基板固定部34設(shè)置在與連接器19相對(duì)的一側(cè)。
[0051]熱輻射部36與固定有基板10的功率區(qū)域12的第一基板固定部31和第二基板固定部32接連并成一體。熱輻射部36從底部35延伸。在本實(shí)施方式中，熱輻射部36設(shè)置在安裝有功率部件20的區(qū)域的外側(cè)的位置處。也就是說(shuō)，熱輻射部36相比于功率部件20設(shè)置在外側(cè)。
[0052]熱輻射部36包括第一熱輻射部361和第二熱輻射部362。第一熱輻射部361在第一基板固定部31與第二基板固定部32之間延伸。第二熱輻射部362從第二基板固定部32朝向第四基板固定部34延伸。因此，熱輻射部36具有整體大致呈L形的形狀。換言之，能夠理解的是，第一基板固定部31設(shè)置在熱輻射部36的端部處，而第二基板固定部32設(shè)置在熱輻射部36的角部處。
[0053]第一熱輻射部361設(shè)置成與基板10的相鄰于功率區(qū)域12的側(cè)邊121大致平行。第二熱輻射部362設(shè)置成與基板10的與連接器19相對(duì)的側(cè)邊122大致平行，并且設(shè)置在連接器19的位于功率區(qū)域12內(nèi)的投影區(qū)域中。也就是說(shuō)，第二熱輻射部362朝向第四基板固定部304，并且具有位于功率區(qū)域12內(nèi)的端部365。第二熱輻射部362設(shè)置成使得與第四基板固定部34相鄰的端部365相比于功率部件20的與控制區(qū)域11相鄰的端部(例如鋁電解質(zhì)電容器21的與控制區(qū)域11相鄰的端部)更靠近控制區(qū)域11。
[0054]本實(shí)施方式的第一熱輻射部361和第二熱輻射部362從第一基板固定部31和第二基板固定部32向內(nèi)側(cè)凹入。也就是說(shuō)，相比于第一基板固定部31的外端部和第二基板固定部32的外端部，第一熱輻射部361的外表面和第二熱輻射部362的外表面設(shè)置成更靠近殼體30的內(nèi)側(cè)。
[0055]半導(dǎo)體模塊41至44由作為一種電場(chǎng)效應(yīng)晶體管的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)提供。下文中，半導(dǎo)體模塊41至44也將稱為“M0S41至44”。
[0056]如圖3所示，M0S41至44橋連接。M0S41和M0S43設(shè)置在高電勢(shì)側(cè)，而M0S42和M0S44設(shè)置在低電勢(shì)側(cè)。設(shè)置在高電勢(shì)側(cè)的M0S41和M0S43趨向于比設(shè)置在低電勢(shì)側(cè)的M0S42和M0S44產(chǎn)生更多的熱。以下將設(shè)置在高電勢(shì)側(cè)并提供高電勢(shì)側(cè)模塊的M0S41和M0S43還稱為“上部M0S41和43”，而將設(shè)置在低電勢(shì)側(cè)并提供低電勢(shì)側(cè)模塊的M0S42和M0S44還稱為“下部M0S42和44”。
[0057]在本實(shí)施方式中，通過(guò)使用控制部件15對(duì)M0S41至44的接通和關(guān)斷操作進(jìn)行控制從而控制馬達(dá)2的驅(qū)動(dòng)。
[0058]M0S41和M0S42設(shè)置在第一熱輻射部361的第一外表面363上，其中第一外表面363位于與功率部件20相反的一側(cè)。在本實(shí)施方式中，在第一熱輻射部361的第一外表面363上形成有固定孔461、462。通過(guò)將MOS固定螺釘451、452緊固至固定孔461、462中，從而使M0S41和M0S42經(jīng)由熱輻射且絕緣的片材47固定至第一熱輻射部361的第一外表面363。
[0059]M0S43和44設(shè)置在第二熱輻射部362的第二外表面364上，其中第二外表面364位于與功率部件20相反的一側(cè)。在本實(shí)施方式中，在第二熱輻射部362的第二外表面364上形成有固定孔463、464。通過(guò)將MOS固定螺釘453、454緊固至固定孔463、464中，從而使M0S43和M0S44經(jīng)由熱輻射且絕緣的片材47固定至第二熱輻射部362的第二外表面364。
[0060]在本實(shí)施方式中，第一外表面363和第二外表面364可以與熱福射部的“第一表面”以及“在其上設(shè)置有半導(dǎo)體模塊的表面”相對(duì)應(yīng)。例如，第一外表面363和第二外表面364可以與“與底部35垂直且在其上設(shè)置有半導(dǎo)體模塊的垂直表面”相對(duì)應(yīng)。在附圖中，用虛線示出固定孔461至464。對(duì)于MOS固定螺釘451至454，僅示出了 MOS固定螺釘451至454的頭部并且未示出MOS固定螺釘451至454的軸部。
[0061]在本實(shí)施方式中，在其上設(shè)置有M0S41至44的第一外表面363和第二外表面364與底部35垂直。
[0062]M0S41至44固定至熱輻射部36，使得引線411、421、431、441設(shè)置在與基板10相鄰的一側(cè)。M0S41至44經(jīng)由引線411、421、431、441電連接至基板10的功率區(qū)域12。在本實(shí)施方式中，由于第一熱輻射部361和第二熱輻射部362朝向內(nèi)側(cè)凹入，因此M0S41至44設(shè)置在基板10的投影區(qū)域內(nèi)。因此，當(dāng)M0S41至44連接至基板10時(shí)，不必使引線411、421、431,441彎曲。因此，能夠減小引線411、421、431、441的長(zhǎng)度。
[0063]在本實(shí)施方式中，在M0S41至44之中，產(chǎn)生相對(duì)大量的熱的上部M0S41設(shè)置成在第一熱福射部361上相鄰于第一基板固定部31,而產(chǎn)生相對(duì)大量的熱的上部M0S43設(shè)置成在第二熱輻射部362上相鄰于端部365。產(chǎn)生相對(duì)小量的熱的下部M0S42設(shè)置成在第一熱輻射部361上相鄰于第二基板固定部32。產(chǎn)生相對(duì)小量的熱的下部M0S44設(shè)置成在第二熱輻射部362上相鄰于第二基板固定部32。
[0064]也就是說(shuō)，在本實(shí)施方式中，產(chǎn)生相對(duì)大量的熱的上部M0S41、43布置在端部處。由于產(chǎn)生熱的位置——即熱產(chǎn)生部——被分散開(kāi)，因此改進(jìn)了熱輻射性能。
[0065]在基板10、控制部件15、功率部件20、基板固定部31至34、熱輻射部36以及M0S41至44容置在蓋構(gòu)件50中——即容置在設(shè)置于蓋構(gòu)件50與殼體30之間的空間中——的狀態(tài)下，蓋構(gòu)件50與殼體30的底部35接合，并且連接器19從蓋構(gòu)件50露出。
[0066]在本實(shí)施方式中，第一熱輻射部361和第二熱輻射部362向內(nèi)側(cè)凹入，并且M0S41至44設(shè)置在基板10的投影區(qū)域內(nèi)。因此，M0S41至44將不太可能與蓋構(gòu)件50接觸。
[0067]如上文所詳細(xì)描述的，本實(shí)施方式的電子控制單元61包括基板10、控制部件15、功率部件20、殼體30、以及M0S41至44?；?0具有控制區(qū)域11和功率區(qū)域12?？刂撇考?5設(shè)置在基板10的控制區(qū)域11中。功率部件20設(shè)置在基板10的功率區(qū)域12中。
[0068]殼體30具有基板固定部31至34、熱輻射部36、以及與基板10對(duì)置的底部35。基板固定部31至34從底部35突出，并且基板10固定至基板固定部31至34。熱輻射部36從底部35延伸。
[0069]M0S41至44沿著熱輻射部36設(shè)置，并且連接至基板10的功率區(qū)域12。
[0070]M0S41至44設(shè)置在熱輻射部36的位于與相鄰于功率部件20的一側(cè)相反的一側(cè)的第一外表面363和第二外表面364上。
[0071](I)在本實(shí)施方式中，產(chǎn)生相對(duì)大量的熱的功率部件20和M0S41至44設(shè)置在基板10的功率區(qū)域12中，并且產(chǎn)生相對(duì)小量的熱的控制部件15設(shè)置在基板10的控制區(qū)域11中。在此結(jié)構(gòu)中，由于控制部件15與功率部件20和M0S41至44在空間上間隔開(kāi)，因此由功率部件20和M0S41至44產(chǎn)生的熱不易傳遞至控制部件15。因此，不必對(duì)控制部件15使用耐高溫部件。因此能夠減小成本。
[0072]M0S41至44固定至熱輻射部36的外表面363、364。也就是說(shuō)，熱輻射部36設(shè)置在M0S41至44與功率部件20之間。因此，能夠減小M0S41至44與功率部件20之間的熱干擾，并且因此改進(jìn)了熱輻射性能。
[0073](2)熱輻射部36與固定有基板10的功率區(qū)域12的第一基板固定部31和第二基板固定部32成一體。因此，由M0S41至44產(chǎn)生的熱能夠經(jīng)由熱輻射部36和基板固定部
31、32傳遞至基板10，并且還從基板10輻射出。因此，改進(jìn)了熱輻射性能。
[0074](3)熱輻射部36的在其上設(shè)置有M0S41至44的第一外表面363和第二外表面364與底部35垂直。因此，能夠減小電子控制單元61的在寬度方向(圖1中的左右方向)上和在深度方向(圖1中的上下方向)上的尺寸。
[0075](4)位于高電勢(shì)側(cè)的上部M0S41和43固定值熱輻射部36的外表面363、364。熱輻射部36位于產(chǎn)生相對(duì)大量的熱的功率部件20與上部M0S41、M0S43之間。因此，上部M0S41和43將不易受到由功率部件20產(chǎn)生的熱的影響，并且因此能夠減小熱干擾。
[0076](5)在本實(shí)施方式中，特別地，M0S41至44全部固定至熱輻射部36的外表面363、364。因此，由于熱輻射部36設(shè)置在M0S41至44與功率部件20之間，因此能夠進(jìn)一步減小M0S41至44與功率部件20之間的熱干擾。
[0077](6)熱輻射部36設(shè)置成沿著基板10的兩個(gè)側(cè)邊121、122延伸。因此，熱輻射部36的外表面363、364能夠提供較寬的區(qū)域以用于將半導(dǎo)體模塊固定。
[0078](7)與熱輻射部36成一體的第一基板固定部31和第二基板固定部32設(shè)置在熱輻射部36的端部處和角部處。在本實(shí)施方式中，第一基板固定部31固定至熱福射部36的端部，而第二基板固定部32形成在熱輻射部36的角部處。因此，能夠與基板固定部31、32的尺寸不相關(guān)地減小熱輻射部36的厚度。此外，充分地確保了能夠?qū)0S41至44固定的面積。
[0079](第二實(shí)施方式)
[0080]將參照?qǐng)D5和圖6來(lái)描述根據(jù)本公開(kāi)第二實(shí)施方式的電子控制單元。
[0081]第二實(shí)施方式的電子控制單元62具有熱輻射部37。熱輻射部37包括第一熱輻射部371和第二熱輻射部372。第一熱輻射部371設(shè)置在第一基板固定部31與第二基板固定部32之間。第二熱輻射部372從第二基板固定部32朝向第四基板固定部34延伸。
[0082]第一熱輻射部371設(shè)置成與基板10的相鄰于功率區(qū)域12的側(cè)邊121大致平行，這與上述實(shí)施方式類似。第二熱輻射部372設(shè)置成與基板10的側(cè)邊122大致平行，其在功率區(qū)域12內(nèi)、與連接器19相對(duì)，這與上述實(shí)施方式類似。此外，相比于功率部件20的相鄰于控制區(qū)域11的端部，第二熱輻射部372的相鄰于第四基板固定部34的端部375設(shè)置成更靠近控制區(qū)域11。
[0083]M0S41和M0S42通過(guò)MOS固定螺釘451、452固定至第一熱輻射部371的第一外表面373,其中第一外表面373位于與功率部件20相反的一側(cè)。熱福射且絕緣的片材47設(shè)置在M0S41和MOS42與第一熱輻射部371之間。也就是說(shuō)，M0S41和MOS42在熱輻射且絕緣的片材47置于M0S41和MOS42與第一熱輻射部371之間的狀態(tài)下固定至第一熱輻射部371。
[0084]M0S43和M0S44通過(guò)MOS固定螺釘453、454固定至第二熱輻射部372的第二外表面374，其中第二外表面374位于與功率部件20相反的一側(cè)。熱輻射且絕緣的片材47設(shè)置在M0S43和M0S44與第二熱輻射部372之間。也就是說(shuō)，M0S43和M0S44在熱輻射且絕緣的片材47置于M0S43和M0S44與第二熱輻射部372之間的狀態(tài)下固定至第二熱輻射部371。
[0085]在本實(shí)施方式中，第一外表面373和第二外表面374可以與熱福射部的“第一表面”和“在其上設(shè)置有半導(dǎo)體模塊的表面”相對(duì)應(yīng)。例如，第一外表面373和第二外表面374可以與“垂直于底部35并且在其上設(shè)置有半導(dǎo)體模塊的垂直表面”相對(duì)應(yīng)。
[0086]在本實(shí)施方式中，M0S41至44的與熱輻射部37相對(duì)的表面與蓋構(gòu)件50經(jīng)由熱輻射且絕緣的片材48緊固在一起。因此，由M0S41至44產(chǎn)生的熱除了消散至熱輻射部37之外還消散至蓋構(gòu)件50。因此改進(jìn)了 M0S41至44的熱輻射性能。
[0087]也就是說(shuō)，本實(shí)施方式的熱輻射部37形成為向外側(cè)突出，使得M0S41至44通過(guò)蓋構(gòu)件50緊固在一起。熱輻射部37具有以下形狀:該形狀依照M0S41至44以及蓋構(gòu)件50等的形狀而使得M0S41至44能夠用蓋構(gòu)件50緊固在一起。
[0088](8)在本實(shí)施方式中，電子控制單元62包括如下蓋構(gòu)件50:該蓋構(gòu)件50能夠?qū)⒒?0、控制部件15、功率部件20、熱輻射部37、以及M0S41至44容置于其中。M0S41至44設(shè)置在熱輻射部37的外側(cè)并且在被置于熱輻射部37與蓋構(gòu)件50之間的狀態(tài)下固定。因此，由M0S41至44產(chǎn)生的熱不僅能夠輻射至熱輻射部37而且還能夠輻射至設(shè)置在背側(cè)的蓋構(gòu)件50。也就是說(shuō)，M0S41至44還具有背側(cè)熱輻射結(jié)構(gòu)。因此進(jìn)一步改進(jìn)了 M0S41至44的熱輻射性能。
[0089]此外，還實(shí)現(xiàn)了與上述實(shí)施方式相類似的效果，尤其是實(shí)現(xiàn)了效果(I)至(7 )。
[0090](第三實(shí)施方式)
[0091]圖7和圖8示出了根據(jù)本公開(kāi)第三實(shí)施方式的電子控制單元。
[0092]本實(shí)施方式的電子控制單元63具有熱輻射部38。熱輻射部38設(shè)置在第一基板固定部31與第二基板固定部32之間，并且與基板10的相鄰于功率區(qū)域12的側(cè)邊121大致平行。在此情況下，熱輻射部38不具有與上述實(shí)施方式的第二熱輻射部相對(duì)應(yīng)的部分。熱輻射部38具有直的形狀來(lái)代替L形形狀。因此，相比于上述實(shí)施方式能夠減小殼體的體積。
[0093]在本實(shí)施方式中，用于將上部M0S41和43固定的固定孔461、463形成在熱輻射部38的外表面381上。此外，用于將下部M0S42和44固定的固定孔462、464形成在熱輻射部38的內(nèi)表面382上。
[0094]在本實(shí)施方式中，產(chǎn)生相對(duì)大量的熱的上部M0S41和43經(jīng)由熱輻射且絕緣的片材47固定至熱輻射部38的外表面381，而下部M0S42、44經(jīng)由熱輻射且絕緣的片材47固定至熱輻射部38的內(nèi)表面382。因此，由于熱輻射部38設(shè)置在產(chǎn)生相對(duì)大量的熱的上部M0S41和43與諸如鋁電解質(zhì)電容器21之類的功率部件20之間，因此上部M0S41和43將不太可能受到由功率部件20和下部M0S42和44產(chǎn)生的熱的影響。因此減小了熱干擾。
[0095]在本實(shí)施方式中，外表面381和內(nèi)表面382可以與“在其上設(shè)置有半導(dǎo)體模塊的表面”相對(duì)應(yīng)。例如，外表面381和內(nèi)表面382可以與“垂直于底部35并且在其上設(shè)置有半導(dǎo)體模塊的垂直表面”相對(duì)應(yīng)。外表面381還可以與“第一表面”相對(duì)應(yīng)，而內(nèi)表面382還可以與“第二表面”相對(duì)應(yīng)。此外，M0S41和M0S43可以與“第一模塊”相對(duì)應(yīng)，而M0S42和44可以與“第二模塊”相對(duì)應(yīng)。
[0096]在本實(shí)施方式中，上部M0S41與下部M0S42在側(cè)向方向(圖7中的上-下方向)上相對(duì)于對(duì)置位置而彼此偏置。同樣地，上部M0S43與下部M0S44在側(cè)向方向上相對(duì)于對(duì)置位置而彼此偏置。也就是說(shuō)，上部M0S41與下部M0S42在熱輻射部38的相反兩側(cè)設(shè)置在彼此偏置的位置處。同樣地，上部M0S43與下部M0S44在熱福射部38的相反兩側(cè)設(shè)置在彼此偏置的位置處。例如，上部M0S41與下部M0S42在熱輻射部38的縱向方向上彼此偏置，并且上部M0S43與下部M0S44在熱輻射部38的縱向方向上彼此偏置。
[0097](9)在本實(shí)施方式中，熱輻射部38沿著基板10的側(cè)邊121設(shè)置。此外，M0S41和M0S43固定至熱輻射部38的外表面381，而M0S42、M0S44固定至熱輻射部38的內(nèi)表面382。
[0098]因此，相比于熱輻射部沿著基板10的兩個(gè)側(cè)邊設(shè)置的情況，能夠減小殼體30的體積，并且因此能夠減小電子控制單元63的重量。
[0099](10) M0S41和M0S43分別在熱輻射部38的縱向方向上相對(duì)于M0S42和M0S44偏置。因此將熱產(chǎn)生部分散開(kāi)，并且因此改進(jìn)了熱輻射性能。此外，用于將M0S41至44固定的固定孔461至464能夠形成在偏置位置處。因此，能夠減小熱輻射部38的厚度。因此，能夠減小殼體30的體積并且因此能夠減小重量。
[0100]此外，實(shí)現(xiàn)了與上述實(shí)施方式相類似的效果，特別是實(shí)現(xiàn)了與(I)至(4)以及(7)相類似的效果。
[0101]第四實(shí)施方式至第六實(shí)施方式是第三實(shí)施方式的改型。在第四實(shí)施方式至第六實(shí)施方式中，與第三實(shí)施方式相類似地，上部M0S41和43固定至熱輻射部38的外表面381，而下部M0S42和44固定至熱輻射部38的內(nèi)表面382。
[0102](第四實(shí)施方式)
[0103]圖9中示出了根據(jù)本公開(kāi)第四實(shí)施方式的電子控制單元。要注意的是，第四實(shí)施方式的電子控制單元的側(cè)視圖與第三實(shí)施方式的電子控制單元的側(cè)視圖大致相同。
[0104]在本實(shí)施方式的電子控制單元64中，M0S41設(shè)置在與M0S42穿過(guò)熱輻射部38而相對(duì)的位置處。M0S41和M0S42使用MOS固定螺釘451、452而從共用的通孔465的相反的端部緊固至熱輻射部38。同樣地，M0S43設(shè)置在與M0S44穿過(guò)熱輻射部38而相對(duì)的位置處。M0S43和M0S44使用MOS固定螺釘453、454而從共用的通孔466的相反的端部緊固至熱輻射部38。
[0105](11)在本實(shí)施方式中，M0S41和M0S42設(shè)置在穿過(guò)熱輻射部38而彼此相對(duì)的位置處。此外設(shè)置在穿過(guò)熱輻射部38而彼此相對(duì)的位置處的M0S41和M0S42在形成于熱輻射部38中的通孔465的相反的兩端處固定。此外，設(shè)置在穿過(guò)熱輻射部38而彼此相對(duì)的位置處的M0S43和M0S44在形成于熱輻射部38中的通孔466的相反的兩端處固定。因此，能夠減少對(duì)用于固定M0S41至44的孔進(jìn)行處理的步驟數(shù)。
[0106]此外，實(shí)現(xiàn)了與上述實(shí)施方式相類似的效果，特別是與(I)至(4)、(7)以及(9)相類似的效果。
[0107](第五實(shí)施方式)[0108]圖10和圖11中示出了根據(jù)本公開(kāi)第五實(shí)施方式的電子控制單元。
[0109]在根據(jù)本實(shí)施方式的電子控制單元65中，與第三實(shí)施方式相類似地，上部M0S41與下部M0S42在側(cè)向方向(圖10中的上-下方向)上相對(duì)于對(duì)置位置而彼此偏置。同樣地，上部M0S43與下部M0S44在側(cè)向方向上相對(duì)于對(duì)置位置而彼此偏置。
[0110]在本實(shí)施方式中，固定至熱輻射部38的外表面381的上部M0S41和43與蓋構(gòu)件50經(jīng)由熱輻射且絕緣的片材48緊固在一起。也就是說(shuō)，在本實(shí)施方式中，上部M0S41、43不僅能夠?qū)彷椛渲翢彷椛洳?8，而且還能夠?qū)彷椛渲猎O(shè)置在背側(cè)的蓋構(gòu)件50。因此，可以這樣說(shuō)，上部M0S41、43還具有背側(cè)熱輻射結(jié)構(gòu)。因此改進(jìn)了固定至外表面381的上部M0S41和43的熱輻射性能。
[0111]因此，實(shí)現(xiàn)了與上述實(shí)施方式相類似的效果，特別是實(shí)現(xiàn)了與(I)至(4)、(7)以及
(10)相類似的效果。
[0112](第六實(shí)施方式)
[0113]圖12中示出了根據(jù)本公開(kāi)第六實(shí)施方式的電子控制單元。要了解的是，本實(shí)施方式的電子控制單元的側(cè)視圖與第五實(shí)施方式的電子控制單元的側(cè)視圖大致相同。
[0114]在根據(jù)本實(shí)施方式的電子控制單元66中，與第四實(shí)施方式相類似地，M0S41設(shè)置在穿過(guò)熱輻射部38而與M0S42相對(duì)的位置處。M0S41和M0S42通過(guò)MOS固定螺釘451、452從共用的通孔465的相反的端部處緊固至熱輻射部38。同樣地，M0S43設(shè)置在穿過(guò)熱輻射部38而與M0S44相對(duì)的位置處。M0S43和M0S44通過(guò)MOS固定螺釘453、454從共用的通孔466的相反的端部處緊固至熱輻射部38.[0115]此外，與第五實(shí)施方式相類似地，固定至熱輻射部38的外表面381的上部M0S41和43與蓋構(gòu)件50經(jīng)由熱輻射且絕緣的片材48緊固在一起。也就是說(shuō)，在本實(shí)施方式中，上部M0S41、43不僅能夠?qū)彷椛渲翢彷椛洳?8，而且還能夠?qū)彷椛渲猎O(shè)置在背側(cè)的蓋構(gòu)件50。因此，可以這樣說(shuō)，上部M0S41、43還具有背側(cè)熱輻射結(jié)構(gòu)。因此改進(jìn)了固定至外表面381的上部M0S41和43的熱輻射性能。
[0116]因此，實(shí)現(xiàn)了與上述實(shí)施方式相類似的效果，特別是實(shí)現(xiàn)了與(I)至(4)、(7)至
(9)以及(11)相類似的效果。
[0117](第七實(shí)施方式)
[0118]圖13和圖14中示出了根據(jù)本公開(kāi)第七實(shí)施方式的電子控制單元。
[0119]在本實(shí)施方式的電子控制單元67中，熱輻射及固定部39用作“基板固定部”以及“熱輻射部”。
[0120]熱輻射及固定部39在位于基板10的側(cè)邊121與設(shè)置有功率部件20的區(qū)域之間的位置處設(shè)置成與基板10的相鄰于功率區(qū)域12的側(cè)邊121大致平行。在本實(shí)施方式中，第五基板固定部395形成在熱輻射及固定部39的大致中部處。基板10的功率區(qū)域12通過(guò)基板固定螺釘305固定至第五基板固定部395。
[0121]也就是說(shuō)，在上述實(shí)施方式中，基板10的功率區(qū)域12在兩個(gè)位置處——也就是在第一基板固定部31處以及在第二基板固定部32處——固定至殼體30。另一方面，在本實(shí)施方式中，基板10的功率區(qū)域12在一個(gè)位置處一也就是在第五基板固定部395處一固定至殼體30。
[0122]在本實(shí)施方式中，用于將上部M0S41和43固定的固定孔461、463形成在熱輻射及固定部39的外表面391上，而用于將下部M0S42、44固定的固定孔462、464形成在熱輻射及固定部39的內(nèi)表面上。在本實(shí)施方式中，第五基板固定部395形成在熱輻射及固定部39的大致中部處。此外，固定孔461、462以及固定孔463、464形成在第五基板固定部395的相對(duì)兩側(cè)。
[0123]在本實(shí)施方式中，產(chǎn)生相對(duì)大量的熱的上部M0S41和43通過(guò)MOS固定螺釘451、453經(jīng)由熱輻射且絕緣的片材47固定至熱輻射及固定部39的外表面391。此外，下部M0S42和44通過(guò)MOS固定螺釘452、454經(jīng)由熱輻射且絕緣的片材47固定至熱輻射及固定部39的內(nèi)表面392。
[0124]因此，熱輻射及固定部39設(shè)置在產(chǎn)生相對(duì)大量的熱的上部M0S41和43與諸如鋁電解質(zhì)電容器21之類的功率部件20及下部M0S42和44之間。因此，上部M0S41和43將不太可能受到由功率部件20和下部M0S42和44產(chǎn)生的熱的影響，并且因此能夠減小熱干擾。
[0125]此外，上部M0S41與下部M0S42在側(cè)向方向(圖13中的上-下方向)上相對(duì)于對(duì)置位置而彼此偏置。同樣地，上部M0S43與下部M0S44在側(cè)向方向上相對(duì)于對(duì)置位置而彼此偏置。
[0126](12)在本實(shí)施方式中，第五基板固定部395形成在熱輻射及固定部39的中部處。第五基板固定部395形成在位于熱輻射及固定部39的中部處的一個(gè)位置中。因此，相比于基板10在熱輻射部的相對(duì)兩側(cè)進(jìn)行固定的情況，能夠?qū)⒂糜趯⒒?0固定的螺釘?shù)臄?shù)量減少一個(gè)。因此能夠減少部件的數(shù)量。
[0127]此外，實(shí)現(xiàn)了與上述實(shí)施方式相類似的效果，特別是實(shí)現(xiàn)了與(I)至(4)、(9)以及
(10)相類似的效果。
[0128]圖15至圖18中示出了根據(jù)本公開(kāi)第八實(shí)施方式至第十實(shí)施方式的電子控制單
J Li ο
[0129]第八實(shí)施方式至第十實(shí)施方式是第七實(shí)施方式的改型。與第七實(shí)施方式相類似地，熱輻射及固定部39用作“基板固定部”以及“熱輻射部”。上部M0S41和43固定至熱輻射及固定部39的外表面391，而下部M0S42、44固定至熱輻射及固定部39的內(nèi)表面392。第五基板固定部395形成在熱福射及固定部39的中部處。
[0130](第八實(shí)施方式)
[0131]圖15中示出了根據(jù)本公開(kāi)第八實(shí)施方式的電子控制單元。要注意的是，第八實(shí)施方式的電子控制單元的側(cè)視圖與第七實(shí)施方式的電子控制單元的側(cè)視圖大致相同。
[0132]在本實(shí)施方式的電子控制單元68中，M0S41設(shè)置在穿過(guò)熱輻射及固定部39而與M0S42相對(duì)的位置處。M0S41和M0S42通過(guò)MOS固定螺釘451、452從共用通孔467的相反兩側(cè)緊固至熱輻射及固定部39。此外，M0S43和M0S44通過(guò)MOS固定螺釘453、454從共用通孔468的相反兩側(cè)緊固至熱輻射及固定部39。
[0133]通孔467和通孔468設(shè)置在第五基板固定部395的相對(duì)兩側(cè)。因此，M0S41和M0S42以及M0S43和M0S44設(shè)置在第五基板固定部395的相對(duì)兩側(cè)。
[0134]因此，實(shí)現(xiàn)了與上述實(shí)施方式相類似的效果，特別是實(shí)現(xiàn)了與(I)至(4)、(9)、
(11)以及(12)相類似的效果。
[0135](第九實(shí)施方式)[0136]圖16和圖17中示出了根據(jù)本公開(kāi)第九實(shí)施方式的電子控制單元。
[0137]在本實(shí)施方式的電子控制單元69中，與第七實(shí)施方式相類似地，上部M0S41與下部M0S42在側(cè)向方向(圖16中的上-下方向)上相對(duì)于對(duì)置位置而彼此偏置。同樣地,上部M0S43與下部M0S44在側(cè)向方向上相對(duì)于對(duì)置位置而彼此偏置。
[0138]在本實(shí)施方式中，固定至熱輻射及固定部39的外表面391的上部M0S41和43與蓋構(gòu)件50經(jīng)由熱輻射且絕緣的片材48緊固在一起。也就是說(shuō)，在本實(shí)施方式中，M0S41和43不僅能夠?qū)彷椛渲翢彷椛浼肮潭ú?9，而且還能夠?qū)彷椛渲猎O(shè)置在背側(cè)的蓋構(gòu)件50。因此，可以這樣說(shuō)，上部M0S41和43具有背側(cè)熱輻射結(jié)構(gòu)。因此，改進(jìn)了固定至外表面391的上部M0S41和43的熱輻射性能。
[0139]因此，實(shí)現(xiàn)了與上述實(shí)施方式相類似的效果，特別是實(shí)現(xiàn)了與(I)至(4)、(8)、(9)、(10)以及(11)相類似的效果。
[0140](第十實(shí)施方式)
[0141]圖18中示出了根據(jù)本公開(kāi)第十實(shí)施方式的電子控制單元。要了解的是，本實(shí)施方式的電子控制單元的側(cè)視圖與第九實(shí)施方式的電子控制單元的側(cè)視圖是相同的。
[0142]在本實(shí)施方式的電子控制單元70中，M0S41設(shè)置在穿過(guò)熱輻射及固定部39與M0S42相對(duì)的位置處。M0S41和M0S42通過(guò)MOS固定螺釘451、452從共用通孔467的相反兩側(cè)緊固至熱輻射及固定部39。此外，M0S43和M0S44通過(guò)MOS固定螺釘453、454從共用通孔468的相反兩側(cè)緊固至熱輻射及固定部39。 [0143]通孔467和通孔468設(shè)置在第五基板固定部395的相對(duì)兩側(cè)。因此，M0S41和M0S42以及M0S43和M0S44設(shè)置在第五基板固定部395的相對(duì)兩側(cè)。
[0144]此外，與第九實(shí)施方式相類似地，固定至熱輻射及固定部39的外表面391的上部M0S41和43與蓋構(gòu)件50經(jīng)由熱輻射且絕緣的片材48緊固在一起。也就是說(shuō)，在本實(shí)施方式中，上部M0S41和43不僅能夠?qū)彷椛渲翢彷椛浼肮潭ú?9，而且還能夠?qū)彷椛渲猎O(shè)置在背側(cè)的蓋構(gòu)件50。因此，可以這樣說(shuō)，上部M0S41和43具有背側(cè)熱輻射結(jié)構(gòu)。因此，改進(jìn)了固定至外表面391的上部M0S41和43的熱輻射性能。
[0145]此外，實(shí)現(xiàn)了與上述實(shí)施方式相類似的效果，特別是實(shí)現(xiàn)了與(I)至(4)、(8)、(9)、(10)、(11)以及(12)相類似的效果。
[0146](第^^一實(shí)施方式)
[0147]將參照?qǐng)D19和圖20來(lái)描述根據(jù)本公開(kāi)第十一實(shí)施方式的電子控制單元。在圖19和接下來(lái)的附圖中，適當(dāng)?shù)厥÷粤松w構(gòu)件50和基板固定螺釘301至304的圖示。
[0148]本實(shí)施方式的電子控制單元71具有從底部35朝向基板10突出的熱輻射部81。
[0149]熱輻射部81包括第一熱輻射部811和第二熱輻射部812。
[0150]第一熱輻射部811在功率區(qū)域12的投影區(qū)域內(nèi)設(shè)置成與基板10的與連接器19相對(duì)的側(cè)邊122大致平行。
[0151]第二熱輻射部812從第一熱輻射部811的與第四基板固定部34相鄰的端部朝向連接器19與第一熱輻射部811大致垂直地延伸。此外，第二熱輻射部812在功率區(qū)域11的投影區(qū)域內(nèi)設(shè)置于比功率部件20的相鄰于控制區(qū)域11的端部更靠近控制區(qū)域11的位置處。
[0152]在本實(shí)施方式中，在第一熱輻射部811與第二基板固定部32之間設(shè)置有空間。熱輻射部81與基板固定部31至34形成為分開(kāi)的部分。在此情況下，熱輻射部81和基板固定部31至34均從底部35突出。然而，熱輻射部81和基板固定部31至34彼此不接連?！盁彷椛洳?1與基板固定部31至34形成為分開(kāi)的部分”的意思是“熱輻射部81與基板固定部31至34除了與底部35接連之外彼此不接連”。
[0153]第一熱輻射部811具有位于與功率部件20相反的一側(cè)的第一外表面813。此外，第二熱輻射部812具有位于與功率部件20相反的一側(cè)的第二外表面814。在本實(shí)施方式中，第一外表面813和第二外表面814相對(duì)于底部35傾斜。特別地,第一外表面813和第二外表面814傾斜成使得與底部35相鄰的端部(例如下端)比與基板10相鄰的端部(例如上端)更靠近外側(cè)，并且與基板10相鄰的端部朝向功率部件20。因此，第一外表面813和第二外表面814面向基板10的下表面102。
[0154]M0S41和M0S42設(shè)置在第一外表面813上，而M0S43和M0S44設(shè)置在第二外表面814 上。
[0155]M0S41設(shè)置在第一外表面813上使得引線411與基板10相鄰，并且M0S41通過(guò)MOS固定螺釘451固定至第一外表面813。M0S42設(shè)置在第一外表面813上使得引線421與基板10相鄰，并且M0S42通過(guò)MOS固定螺釘452固定至第一外表面813。
[0156]M0S41和M0S42部分地設(shè)置在基板10的投影區(qū)域外側(cè)。
[0157]M0S43設(shè)置在第二外表面814上使得引線431與基板10相鄰，并且M0S43通過(guò)MOS固定螺釘453固定至第二外表面814。M0S44設(shè)置在第二外表面814上使得引線441與基板10相鄰，并且M0S44通過(guò)MOS固定螺釘454固定至第一外表面814。
[0158]M0S43和M0S44全部設(shè)置在基板10的投影區(qū)域內(nèi)側(cè)。并且M0S43和M0S44各自設(shè)置成使得M0S43和M0S44的一部分位于功率區(qū)域12的投影區(qū)域內(nèi)側(cè)而M0S43和M0S44的其余部分位于控制區(qū)域11的投影區(qū)域內(nèi)側(cè)。
[0159]在圖19和圖20中，M0S44設(shè)置成比M0S43更靠近連接器19。替代性地，M0S43可以設(shè)置成比M0S44更靠近連接器19。也就是說(shuō)，與第一實(shí)施方式相類似地，位于高電勢(shì)側(cè)并產(chǎn)生相對(duì)大量的熱的M0S41和M0S43可以設(shè)置在端部處使得將熱輻射部分散開(kāi)。
[0160]M0S41至44在功率區(qū)域12內(nèi)經(jīng)由引線411、421、431、441電連接至基板10。
[0161 ] 盡管M0S43和M0S44部分地設(shè)置在控制區(qū)域11的投影區(qū)域內(nèi)，然而M0S43和M0S44在功率區(qū)域12內(nèi)聯(lián)接至基板10，如圖20中所示。M0S43和M0S44在投影區(qū)域內(nèi)與安裝至基板10的下表面102的IC16部分地交疊。然而，在M0S43和M0S44與IC16之間設(shè)置有空間。因此，由M0S43和M0S44產(chǎn)生的熱將不太可能傳遞至IC16。第一外表面813和第二外表面814可以與“第一表面”以及“在其上設(shè)置有半導(dǎo)體模塊的表面”相對(duì)應(yīng)。例如，第一外表面813和第二外表面814可以與“相對(duì)于底部35傾斜并且在其上設(shè)置有半導(dǎo)體模塊的傾斜表面”相對(duì)應(yīng)。
[0162](13)在本實(shí)施方式中，在其上設(shè)置有半導(dǎo)體模塊41至44的熱福射部81第一外表面813和第二外表面814相對(duì)于底部35傾斜。因此能夠減小電子控制單元71的高度。
[0163]此外，實(shí)現(xiàn)了與上述實(shí)施方式相類似的效果，特別是實(shí)現(xiàn)了與(I)、(4)以及(5)相類似的效果。
[0164](第十二實(shí)施方式)
[0165]將參照?qǐng)D21和圖22來(lái)描述根據(jù)本公開(kāi)第十二實(shí)施方式的電子控制單元。[0166]本實(shí)施方式的電子控制單元72是第十一實(shí)施方式的改型。
[0167]電子控制單元72的熱輻射部82包括第一熱輻射部821和第二熱輻射部822。本實(shí)施方式的第一熱輻射部821與第二基板固定部32成一體。此外，能夠理解的是，第二基板固定部32設(shè)置在熱輻射部82的端部處。除了第一熱輻射部821與第二基板固定部32成一體之外，本實(shí)施方式的第一熱輻射部821與第十一實(shí)施方式的第一熱輻射部811是相類似的。此外，第二熱輻射部822與第十一實(shí)施方式的第二熱輻射部812相類似。
[0168]第一熱輻射部821具有位于與功率部件20相反的一側(cè)的第一外表面823。第二熱輻射部822具有位于與功率部件20相反的一側(cè)的第二外表面824。第一外表面823和第二外表面824相對(duì)于底部35傾斜,這與第^ 實(shí)施方式相類似。
[0169]由于M0S41至44的布置等與第十一實(shí)施方式中的布置等類似，因此將省略對(duì)M0S41至44的描述。
[0170]因此，實(shí)現(xiàn)了與上述實(shí)施方式相類似的效果，特別是實(shí)現(xiàn)了與(I)、(2)、(4)、(5)、
(7)以及(13)相類似的效果。
[0171](第十三實(shí)施方式)
[0172]將參照?qǐng)D23和圖24來(lái)描述根據(jù)本公開(kāi)第十三實(shí)施方式的電子控制單元。
[0173]本實(shí)施方式的電子控制單元73具有熱輻射部83。熱輻射部83設(shè)置成與基板10的相鄰于功率區(qū)域12的側(cè)邊121大致平行。也就是說(shuō)，熱輻射部83不具有與上述實(shí)施方式的第二熱輻射部相對(duì)應(yīng) 的部分，并且因此具有直的形狀。因此，相比于上述實(shí)施方式，能夠減小殼體的體積。
[0174]熱輻射部83具有外表面831和內(nèi)表面832。外表面831和內(nèi)表面832相對(duì)于底部35傾斜。特別地，外表面831形成為使得與底部35相鄰的端部(例如下端)設(shè)置成相比于與基板10相鄰的端部(例如上端)更靠近外側(cè)，并且與基板10相鄰的端部設(shè)置成更靠近內(nèi)側(cè)。內(nèi)表面832形成為使得與底部35相鄰的端部(例如下端)設(shè)置成相比于與基板10相鄰的端部(例如上端)更靠近內(nèi)側(cè)，并且與基板10相鄰的端部設(shè)置成更靠近外側(cè)。因此，外表面831和內(nèi)表面832面向基板10的下表面102。
[0175]在本實(shí)施方式中，產(chǎn)生相對(duì)大量的熱的上部M0S41和43經(jīng)由熱輻射且絕緣的片材47固定至熱輻射部83的外表面831。上部M0S41和43部分地設(shè)置在基板10的投影區(qū)域外側(cè)。
[0176]此外，產(chǎn)生相對(duì)小量的熱的下部M0S42和44經(jīng)由熱輻射且絕緣的片材47固定至熱輻射部83的內(nèi)表面832。下部M0S42和44全部設(shè)置在基板10的投影區(qū)域內(nèi)側(cè)。
[0177]因此，熱輻射部83設(shè)置在產(chǎn)生相對(duì)大量的熱的上部M0S41和43與諸如鋁電解質(zhì)電容器21之類的功率部件20之間。因此，上部M0S41和43將不太可能受到由功率部件20和下部M0S42和44產(chǎn)生的熱的影響，并且因此能夠減小熱干擾。
[0178]在本實(shí)施方式中,外表面831和內(nèi)表面832可以與“在其上設(shè)置有半導(dǎo)體模塊的表面”相對(duì)應(yīng)。例如，外表面831和內(nèi)表面832可以與“相對(duì)于底部35傾斜并且在其上設(shè)置有半導(dǎo)體模塊的傾斜表面”相對(duì)應(yīng)。此外，外表面831可以與“第一表面”相對(duì)應(yīng),而內(nèi)表面832可以與“第二表面”相對(duì)應(yīng)。此外，M0S41和M0S43可以與“第一模塊”相對(duì)應(yīng)，而M0S42和M0S44可以與“第二模塊”相對(duì)應(yīng)。
[0179]因此，實(shí)現(xiàn)了與上述實(shí)施方式相類似的效果，特別是實(shí)現(xiàn)了與(I)、(2)、(4)、(7)、(9)以及(13)相類似的效果。
[0180](其它實(shí)施方式)
[0181](i)在上述實(shí)施方式中，半導(dǎo)體模塊為M0SFET。在其它實(shí)施方式中，半導(dǎo)體模塊可以是任何類型的模塊，例如IGBT (絕緣柵雙極型晶體管)、晶體管、晶閘管。
[0182]( ii )在上述實(shí)施方式中，使用了四個(gè)半導(dǎo)體模塊。在其它實(shí)施方式中，半導(dǎo)體模塊的數(shù)量不限于四個(gè)，而是可以為任何數(shù)量。
[0183]在第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式中，兩個(gè)半導(dǎo)體模塊設(shè)置在熱輻射部的第一外表面上，并且兩個(gè)半導(dǎo)體模塊設(shè)置在熱輻射部的第二外表面上。在第三至第六實(shí)施方式中，兩個(gè)半導(dǎo)體模塊設(shè)置在熱輻射部的外表面上，并且兩個(gè)半導(dǎo)體模塊設(shè)置在熱輻射部的內(nèi)表面上。在其它實(shí)施方式中，半導(dǎo)體模塊在熱輻射部上的布置可以不限于對(duì)稱的布置。半導(dǎo)體模塊可以以任何的布置設(shè)置在熱輻射部上。例如，在第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式的示例中，全部的半導(dǎo)體模塊可以設(shè)置在熱輻射部的第一外表面或第二外表面中的任一者上。替代性地，可以使三個(gè)半導(dǎo)體模塊設(shè)置在熱輻射部的第一外表面或第二外表面中的一者上并且可以使一個(gè)半導(dǎo)體模塊設(shè)置在第一外表面或第二外表面中的另一者上。替代性地，在第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式中，半導(dǎo)體模塊的一部分可以設(shè)置在熱輻射部的內(nèi)表面上。類似地，在第三至第六實(shí)施方式的示例中，全部的半導(dǎo)體模塊可以設(shè)置在熱輻射部的外表面上。替代性地，可以使三個(gè)半導(dǎo)體模塊設(shè)置在熱輻射部的第一外表面或第二外表面中的一者上，并且可以使一個(gè)半導(dǎo)體模塊設(shè)置在第一外表面或第二外表面中的另一者上。
[0184](iii)在第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式中，產(chǎn)生相對(duì)大量的熱的上部MOS設(shè)置在熱輻射部的端部處。在其它實(shí)施方式中，上部MOS可以設(shè)置成相鄰于第二基板固定部。上部MOS可以設(shè)置成相鄰于第二基板固定部，并且諸如熱敏電阻之類的溫度檢測(cè)部可以例如在第二基板固定部處設(shè)置于兩個(gè)上部MOS之間。在此情況下，當(dāng)通過(guò)使用由溫度檢測(cè)部檢測(cè)到的溫度而實(shí)施控制時(shí)，改進(jìn)了控制特性。
[0185]在上述的第三實(shí)施方式至第六實(shí)施方式中，上部MOS設(shè)置在熱輻射部的外表面上，而下部MOS設(shè)置在熱輻射部的內(nèi)表面上。在其它實(shí)施方式中，為了使熱產(chǎn)生部分散，上部MOS可以以分散的方式設(shè)置使得上部MOS沒(méi)有彼此靠近且沒(méi)有彼此對(duì)置。
[0186]此外，半導(dǎo)體模塊的布置可以不限于這些示例。半導(dǎo)體模塊可以以任何布置來(lái)設(shè)置。
[0187]在上述的第四、第六、第八以及第十實(shí)施方式中，位于外表面上的MOS和位于內(nèi)表面上的MOS設(shè)置在對(duì)置位置處，并且設(shè)置在共用的通孔的相反兩側(cè)。在另外的實(shí)施方式中，即便當(dāng)位于外表面上的MOS和位于內(nèi)表面上的MOS設(shè)置在對(duì)置位置處時(shí)，仍然可以形成用于MOS中的每一者的固定孔以代替通孔。
[0188](iv)在上述實(shí)施方式中，半導(dǎo)體模塊通過(guò)MOS固定螺釘緊固至熱輻射部。在另一實(shí)施方式中，半導(dǎo)體模塊可以以任何方式固定至熱輻射部。在上述實(shí)施方式中，通過(guò)基板固定螺釘將基板緊固至殼體的基板固定部。在其它實(shí)施方式中，基板可以以任何方式固定至殼體的基板固定部。
[0189](V)在上述實(shí)施方式中，熱輻射且絕緣的片材設(shè)置在半導(dǎo)體模塊與熱輻射部之間。在其它實(shí)施方式中，代替熱輻射且絕緣的片材，可以使用熱輻射凝膠、熱輻射油脂或類似物。此外，可以使用具有熱輻射功能或絕緣功能中的一種功能的構(gòu)件。替代性地，熱輻射且絕緣的片材可以省略。這與設(shè)置在半導(dǎo)體模塊與蓋構(gòu)件之間的熱輻射且絕緣的片材類似。
[0190](vi)在上述實(shí)施方式中，控制部件包括IC和CPU。在另一實(shí)施方式中，控制部件可以包括用于控制任何裝置的計(jì)算并且產(chǎn)生相對(duì)小量的熱的任何部件。
[0191]在上述實(shí)施方式中，功率部件包括鋁電解質(zhì)電容器、線圈、繼電器以及分流電阻器。在另一實(shí)施方式中，可以使用任何類型的電容器來(lái)代替鋁電解質(zhì)電容器?？梢允÷怨β什考囊徊糠?，只要功率部件包括電容器、線圈、繼電器、或電阻器中的至少一者即可。功率部件可以包括電容器、線圈、繼電器、以及電阻器之外的電子部件。
[0192]在上述實(shí)施方式中，CPU安裝在基板的上表面上，并且其它電子部件安裝在基板的下表面上。在另一實(shí)施方式中，電子部件各自可以安裝在基板的上表面或下表面中的任一者上，只要控制部件設(shè)置在控制區(qū)域中并且功率部件設(shè)置在功率區(qū)域中即可。 [0193](Vii)在第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式中，基板固定部設(shè)置在熱輻射部的端部和角部處。在其它實(shí)施方式中，可以在熱輻射部的相鄰于第四基板固定部的端部處設(shè)置有另外的基板固定部。除了上述的第一實(shí)施方式至第五實(shí)施方式的基板固定部之外，基板固定部可以形成在熱輻射部的中部部分處。此外，在第六實(shí)施方式中，基板固定部可以另外形成在熱輻射及固定部的端部處。
[0194]此外，熱輻射部的形狀可以不限于大致呈L形的形狀或直的形狀。熱輻射部可以具有任何其它形狀。
[0195](Viii)在第十一實(shí)施方式至第十三實(shí)施方式中，在其上設(shè)置有半導(dǎo)體模塊的表面是傾斜的。在另一實(shí)施方式中，在具有任何形狀的熱輻射部——例如如第一實(shí)施方式的具有沿著基板的兩側(cè)延伸的形狀的熱輻射部——中，在其上設(shè)置有半導(dǎo)體模塊的表面可以是傾斜的。
[0196]在上述實(shí)施方式中，在其上設(shè)置有半導(dǎo)體模塊的表面面向基板。在另一實(shí)施方式中，在其上設(shè)置有半導(dǎo)體模塊的表面可以面向底部。
[0197]此外，同樣是在熱輻射部?jī)A斜的情況下，蓋構(gòu)件可以具有依照熱輻射部的形狀的形狀。在此情況下，半導(dǎo)體模塊可以在被置于熱輻射部與蓋構(gòu)件之間的狀態(tài)下固定，從而還具有背側(cè)熱輻射結(jié)構(gòu)。
[0198](ix)在第十一實(shí)施方式中，熱輻射部和基板固定部為分開(kāi)的部分。在另一實(shí)施方式中，例如第一至第六實(shí)施方式的熱輻射部和基板固定部可以設(shè)置為分開(kāi)的部分。
[0199](X)在上述實(shí)施方式中，電子控制單元用于電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)。在另一實(shí)施方式中，電子控制單元的使用不限于電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)，并且電子控制單元可以用于任何裝置。
[0200]盡管已經(jīng)選擇了僅選定的示例性實(shí)施方式和示例來(lái)描述本公開(kāi)，然而通過(guò)本公開(kāi)對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的是，在不與本公開(kāi)的由所附權(quán)利要求限定的范圍相背離的情況下，在本公開(kāi)中可以進(jìn)行各種變型和改型。此外，根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施方式和示例的以上描述僅出于描述的目的而提供，并且不用于對(duì)由所附權(quán)利要求及其等同方式限定的本公開(kāi)進(jìn)行限制的目的。
【權(quán)利要求】
1.一種電子控制單元，包括: 基板(10)，所述基板(10)具有控制區(qū)域(11)和功率區(qū)域(12)； 控制部件(15)，所述控制部件(15)設(shè)置在所述基板(10)的所述控制區(qū)域(11)上；功率部件(20)，所述功率部件(20)設(shè)置在所述基板(10)的所述功率區(qū)域(12)上；殼體(30)，所述殼體(30)具有底部(35)、基板固定部(31-34、395)、以及熱輻射部(36-39、81、82、83)，所述底部(35)與所述基板(10)對(duì)置，所述基板固定部(31_34、395)從所述底部(35 )延伸并且所述基板(10 )固定至所述基板固定部(31-34、395 )，所述熱輻射部(36-39、81、82、83)從所述底部(35)延伸；以及 多個(gè)半導(dǎo)體模塊(41-44)，所述多個(gè)半導(dǎo)體模塊(41-44)沿著所述熱輻射部(36-39、81、82、83)設(shè)置并且電連接至所述基板(10)的所述功率區(qū)域(12)，其中 所述半導(dǎo)體模塊(41-44)中的至少一者固定至所述熱輻射部(36-39、81、82、83)的第一表面(363、364、373、374、381、391、813、814、823、824、831)，所述第一表面(363、364、373、374、381、391、813、814、823、824、831)位于與所述功率部件(20)相反的一側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子控制單元，其中 所述熱輻射部(36-39、82、83)與固定有所述基板(10)的所述功率區(qū)域(12)的基板固定部(31、32、395)成一體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子控制單元，其中 所述熱輻射部(81-83)具有相對(duì)于所述底部(35)傾斜的傾斜表面(813、814、823、824、831、832)，并且 所述半導(dǎo)體模塊(41-44)中的至少一者設(shè)置在所述傾斜表面(813、814、823、824、831、832)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子控制單元，其中 所述傾斜表面(813、814、823、824、831、832)是以下表面中的至少一者:固定有所述半導(dǎo)體模塊(41-44)中的所述至少一者的所述第一表面；或與所述第一表面相反的第二表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子控制單元，其中 所述熱輻射部(36-39)具有與所述底部(35)垂直的垂直表面(363、364、373、374、381、382、391、392)，并且， 所述半導(dǎo)體模塊(41-44)中的至少一者設(shè)置在所述垂直表面(363、364、373、374、381、382、391、392)上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子控制單元，其中 所述垂直表面(363、364、373、374、381、382、391、392)是以下表面中的至少一者:固定有所述半導(dǎo)體模塊(41-44)的所述至少一者的所述第一表面；或與所述第一表面相反的第二表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的電子控制單元，還包括: 蓋構(gòu)件(50)，所述蓋構(gòu)件(50)容置所述基板(10)、所述控制部件(15)、所述功率部件(20)、所述熱輻射部(37、38、39)以及所述半導(dǎo)體模塊(41-44)，其中， 所述半導(dǎo)體模塊(41-44)中的固定至所述第一表面(371、374、381、391)的所述至少一者在被置于所述熱輻射部(37、38、39)與所述蓋構(gòu)件(50)之間的狀態(tài)下固定。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的電子控制單元，其中 所述熱輻射部(36、37 )包括第一熱輻射部(361、371)和第二熱輻射部(362、372 )，所述第一熱輻射部(361、371)設(shè)置成與所述基板(10)的第一側(cè)邊(121)大致平行，并且所述第二熱輻射部(362、372 )設(shè)置成與所述基板(10 )的第二側(cè)邊(122 )大致平行。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的電子控制單元，其中 所述熱輻射部(38、39、83)設(shè)置成與所述基板(10)的一個(gè)側(cè)邊(121)大致平行。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的電子控制單元，其中 全部的所述半導(dǎo)體模塊(41-44)固定至所述熱輻射部(36、37、81)的所述第一表面(363、364、373、374、813、814)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的電子控制單元，其中 所述熱輻射部(38、39、83)具有與所述第一表面(381、391、831)相反并且與所述功率區(qū)域(20)相鄰的第二表面(382、392、832)， 所述半導(dǎo)體模塊(41-44)中的固定至所述第一表面(381、391、831)的所述至少一者稱為第一模塊，并且 所述半導(dǎo)體模塊(41-44)中的至少另一者固定至所述熱輻射部(38、39、83)的所述第二表面(382、392、832)并且稱為第二模塊。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子控制單元，其中 所述第一模塊設(shè)置在穿過(guò)所述熱輻射部(38、39、83)與所述第二模塊相對(duì)的位置處。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子控制單元，其中 所述第一模塊和所述第二模塊固定在通孔(465-468)的相反的端部處，所述通孔(465-468 )從所述第一表面(381、391)和所述第二表面(382、392 )通過(guò)所述熱輻射部(38、39)。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子控制單元，其中 所述第一模塊和所述第二模塊設(shè)置在穿過(guò)所述熱輻射部(38、39)而彼此偏置的位置處。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的電子控制單元，其中 固定有所述基板(10)的所述功率區(qū)域(12)的所述基板固定部(31、32)設(shè)置在所述熱輻射部(36、37、38、82)的端部或角部中的一者處。
16.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的電子控制單元，其中 固定有所述基板(10)的所述功率區(qū)域(12)的所述基板固定部(395)設(shè)置在所述熱輻射部(39)的中部處。
17.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的電子控制單元，其中 所述多個(gè)半導(dǎo)體模塊(41-44)橋連接，并且 所述半導(dǎo)體模塊(41-44)中的固定至所述熱福射部(36-39、81、82、83)的所述第一表面(363、364、373、374、381、391、813、814、823、824、831)的所述至少一者為在橋連接中設(shè)置在高電勢(shì)側(cè)的高電勢(shì)側(cè)模塊。
【文檔編號(hào)】H05K1/02GK104039073SQ201410081475
【公開(kāi)日】2014年9月10日 申請(qǐng)日期:2014年3月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月6日
【發(fā)明者】吉見(jiàn)朋晃, 大多信介 申請(qǐng)人:株式會(huì)社電裝