一種燈具及其led驅(qū)動裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于LED照明控制領(lǐng)域，尤其涉及一種燈具及其LED驅(qū)動裝置。本發(fā)明提供的LED驅(qū)動裝置，除了整流橋、電容和可調(diào)LED負載，還包括邏輯控制模塊以及與其相接的充放電模塊、電壓檢測模塊和NMOS管。在實際工作中，邏輯控制模塊根據(jù)電壓檢測模塊對LED負載陰極末端的NMOS管漏極的電壓檢測的結(jié)果，在NMOS管漏極的電壓高于預設的最高閾值時，關(guān)閉充電電路，維持電容上的電壓為特定電壓。當整流輸出電壓低于電容C1兩端的電壓(最高閾值)時，電容C1通過充放電模塊中的放電電路對LED負載放電。如此在邏輯控制模塊的控制下，精確控制電容的充電時序和放電時序，以實現(xiàn)整個LED驅(qū)動裝置的較高的驅(qū)動效率。
【專利說明】一種燈具及其LED驅(qū)動裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于LED照明控制領(lǐng)域，尤其涉及一種燈具及其LED驅(qū)動裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的高壓線性LED驅(qū)動電路如圖1所示:高壓線性LED驅(qū)動芯片與LED燈串串聯(lián)，整流橋的兩個輸出端并聯(lián)一個大電容用來穩(wěn)壓，以降低整流橋輸出電壓的波動。其驅(qū)動波形圖如圖2所示，具體地，上面的波形為市電輸入交流信號，下面的驅(qū)動波形為整流輸出波形圖；并且，實線部分為市電電壓較低時的驅(qū)動波形圖，虛線部分為市電電壓較高時的驅(qū)動波形圖。由圖可知，在T2時間段內(nèi)，市電輸入對電容Cl充電，整流輸出的電壓隨著市電電壓的絕對值的增加而升高；在!1、T3時間段內(nèi)，電容Cl兩端的電壓高于市電電壓，電容Cl對LED燈串放電，電容C l上的電壓緩慢下降。
[0003]對比圖中的實線與虛線可以得出，當市電電壓升高時，LED燈串的驅(qū)動電壓也隨之整體升高一定的電壓，這部分電壓等于市電輸入幅度絕對值的增加值。由于燈芯是恒流驅(qū)動，所以燈串的兩端的電壓不變，增加的這部分電壓就直接施加在高壓線性LED驅(qū)動芯片上，使得芯片上的功耗急劇增加，因為受到驅(qū)動芯片封裝散熱能力的限制，高壓線性LED驅(qū)動芯片根本無法實現(xiàn)高功率的輸出。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明的目的首先在于提供一種LED驅(qū)動裝置，以解決現(xiàn)有LED驅(qū)動電路的驅(qū)動效率較低的技術(shù)問題。
[0005]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:
[0006]一種LED驅(qū)動裝置，包括整流橋、電容Cl和可調(diào)LED負載，作為改進，所述LED驅(qū)動裝置還包括:邏輯控制模塊以及分別與邏輯控制模塊相接的充放電模塊、電壓檢測模塊和 NMOS 管 NI ；
[0007]所述充放電模塊與所述電容Cl串聯(lián)后并接在所述整流橋的兩個輸出端之間，所述NMOS管NI的漏極與LED負載相接，所述NMOS管NI的柵極控制端接所述邏輯控制模塊，所述電壓檢測模塊的輸入端接所述NMOS管NI的漏極與所述LED負載的共接端；所述電壓檢測模塊的輸出端接所述邏輯控制模塊；
[0008]所述邏輯控制模塊根據(jù)所述電壓檢測模塊輸出的信號控制所述充放電電路模塊的工作:在整流輸出對所述電容Cl進行充電時，若所述NMOS管NI漏極的電壓達到最高閾值，則所述電壓檢測模塊輸出的電容充電終止信號OVC為有效的高電平，所述邏輯控制模塊控制關(guān)閉充電電路。
[0009]另一方面，本發(fā)明的目的還在于提供一種LED燈具。該LED燈具包括了上述的LED
驅(qū)動裝置。
[0010]本發(fā)明提供的LED燈具及其LED驅(qū)動裝置，根據(jù)電壓檢測模塊對LED負載陰極末端的NMOS管NI漏極的電壓檢測的結(jié)果，控制電容Cl上的電壓不超過預設的最高閾值，以提高LED驅(qū)動裝置的驅(qū)動效率。具體而言，在邏輯控制模塊的控制下，市電輸入經(jīng)整流輸出通過充放電模塊中的充電電路對Cl進行充電。當電壓檢測模塊輸出的電容充電終止信號OVC為低電平時、即NMOS管NI漏極的電壓未達到最高閾值時，充放電模塊中的充電電路打開；否則充電電路關(guān)閉。這樣，可以在整流輸出電壓過高時，關(guān)閉充電電路，維持電容Cl上的電壓為特定電壓(即預設電壓的最高閾值)。當整流輸出電壓低于電容Cl兩端的電壓(最高閾值)時，電容Cl通過充放電模塊中的放電電路對LED負載放電。綜上所述，在邏輯控制模塊的控制下，精確控制電容Cl的充電時序和放電時序，以實現(xiàn)整個LED驅(qū)動裝置的較高的驅(qū)動效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中聞壓線性LED驅(qū)動電路的不意圖；
[0012]圖2是圖1所示電路工作時的驅(qū)動波形圖；
[0013]圖3是本發(fā)明一實施例提供的LED驅(qū)動裝置的結(jié)構(gòu)框圖；
[0014]圖4是本發(fā)明另一實施例提供的LED驅(qū)動裝置的結(jié)構(gòu)框圖；
[0015]圖5是本發(fā)明提供的LED驅(qū)動裝置工作時的典型驅(qū)動波形圖；
[0016]圖6是圖3所示LED驅(qū)動裝置中充放電模塊的可實施方案示意圖；
[0017]圖7是圖4所示LED驅(qū)動裝置中充放電模塊的可實施方案示意圖。
【具體實施方式】
[0018]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0019]圖3是本發(fā)明實施例提供的LED驅(qū)動裝置的結(jié)構(gòu)框圖；為了便于說明，僅示出了與本實施例相關(guān)的部分，如圖所示:
[0020]一種LED驅(qū)動裝置，與交流電源AC相連，包括整流橋B1、電容Cl和可調(diào)LED負載100，作為改進，該LED驅(qū)動裝置還包括:邏輯控制模塊200以及分別與其相接的充放電模塊300、電壓檢測模塊400和NMOS管NI ;其中，充放電模塊300與電容Cl串聯(lián)后并接在整流橋BI的兩個輸出端之間，充放電模塊300的控制端接邏輯控制模塊200的輸出端，NMOS管NI的漏極與LED負載100相接，NMOS管NI的柵極控制端接邏輯控制模塊200，電壓檢測模塊400的輸入端接NMOS管NI的漏極與LED負載100的共接端；電壓檢測模塊400的輸出端接邏輯控制模塊200。
[0021]在實際工作過程中，電壓檢測模塊400通過檢測LED負載100陰極末端的NMOS管NI漏極的電壓高低，輸出過壓信號0VH、欠壓信號OVL和/或電容充電終止信號OVC給邏輯控制模塊200。具體地，在邏輯控制模塊200的控制下，市電輸入經(jīng)整流輸出通過充放電模塊300中的充電電路對電容Cl進行充電，當電壓檢測模塊400輸出的電容充電終止信號OVC為低電平時，即NMOS管NI漏極的電壓還未達到預設的最高閾值時，充放電模塊300中的充電電路持續(xù)打開；當NMOS管NI漏極的電壓達到最高閾值時，則電壓檢測模塊400輸出的電容充電終止信號OVC就為有效的高電平，邏輯控制模塊200即刻根據(jù)此信號控制關(guān)閉充電電路。這樣，邏輯控制模塊200可以在外部電網(wǎng)波動、交流電電壓增加很多時，還是可以在整流輸出電壓過聞時關(guān)閉充電電路，使電容Cl上的最聞電壓維持在特定的最聞閾值上。跟現(xiàn)有技術(shù)相比，使得施加在驅(qū)動芯片上的電壓和耗散功耗都變小，實現(xiàn)高效率的驅(qū)動。
[0022]另一方面，當整流輸出電壓低于電容Cl兩端的電壓(最高閾值)時，電容Cl通過充放電模塊中的放電電路對LED負載100放電。更進一步地，當電容Cl充電電壓的上限(即預設電壓的最高閾值)確定時，電容Cl放電電壓的下限由電容本身的大小和燈串流過的電流決定，在保證電容Cl的最低電壓大于燈串點亮電壓的前提下，通過調(diào)節(jié)電容大小，可以適應不同燈串電流的應用需求。
[0023]綜上，根據(jù)本發(fā)明實施例提供的LED驅(qū)動裝置，在邏輯控制模塊200的控制下，能夠精確控制電容Cl的充電時序和放電時序，實現(xiàn)整個LED驅(qū)動裝置的較高效率。
[0024]在具體實現(xiàn)時，本發(fā)明實施例提供的LED驅(qū)動裝置還可以如圖4所示。參見圖4，與圖3所示的LED驅(qū)動裝置不同的是，充放電模塊300與電容Cl的位置發(fā)生了互換。盡管將充放電模塊300與電容Cl互換了位置，但是整個裝置的工作原理是一樣的，在此就不再贅述。
[0025]需要強調(diào)的是，本發(fā)明實施例提及的LED負載100 —般為可調(diào)的LED燈串。圖3和圖4所不的LED負載100即為一優(yōu)選的實施方式。
[0026]具體的，圖3和圖4所示的LED負載100均由LEDl?LEDn+1串接構(gòu)成，并且LEDl?LEDn分別與PMOS管Pl?Pn并聯(lián)，PMOS管Pl?Pn的柵極控制端分別接所述邏輯控制模塊200，LEDn+Ι的陰極末端則接NMOS管NI的漏極。邏輯控制模塊200根據(jù)接收到的電壓檢測模塊400輸出的過壓信號OVH和欠壓信號0VL，控制PMOS管Pl?Pn的開關(guān)狀態(tài)，以此來改變點亮的LED燈串的數(shù)量，使LED負載100上的電壓之和與整流輸出電壓或者電容Cl放電輸出的電壓接近。
[0027]當電壓檢測模塊400輸出的過壓信號OVH為高電平時，即說明NMOS管NI的漏極的電壓過高，邏輯控制模塊200要改變PMOS管Pl?Pn的開關(guān)狀態(tài)，使更多的燈串點亮、承載一部分電壓，從而使得過壓信號OVH變?yōu)镺 ;當欠壓信號OVL為高電平時，說明NMOS管NI的漏極的電壓過低，邏輯控制模塊200要改變PMOS管Pl?Pn的開關(guān)狀態(tài)，使更少的燈串點亮，從而使得欠壓信號OVL變?yōu)镺。
[0028]下面通過如圖5所示的工作狀態(tài)下的驅(qū)動波形圖對本發(fā)明實施例提供的LED驅(qū)動裝置的工作原理進一步進行說明。參見圖5，上面的正弦波形為市電輸入波形，下面的波形為圖3或圖4所示的LED驅(qū)動裝置工作時的驅(qū)動波形圖。以市電輸入波形中實線所示的驅(qū)動波形為例。
[0029]驅(qū)動波形圖中的兩條橫向的虛線分別為Vthl和Vth2。其中，Vthl代表電容Cl放電的最低電壓，在設計中其值一般為最少點亮的燈串的電壓值總和再加上驅(qū)動芯片上的最低電壓值(主要是NMOS管NI的導通電壓)；Vth2則代表電容Cl充電的最高電壓，即最高閾值，在設計中其值一般為LED燈串全部點亮時的電壓值總和，再加上一定的電壓(通常取6V?50V之間)。在圖中的T2時間段內(nèi)，整流輸出電壓在Vthl到Vth2之間，此時對電容Cl進行充電，同時邏輯控制模塊200根據(jù)接收到的過壓信號OVH和欠壓信號0VL，控制PMOS管Pl?Pn的通斷，點亮合適數(shù)量的LED燈串，使點亮的LED燈串的電壓之和與整流輸出電壓基本接近；在T3時間段內(nèi)，整流輸出電壓高于Vth2，邏輯控制模塊200關(guān)斷充電電路，停止對電容Cl充電；同時，邏輯控制模塊200根據(jù)接收到的過壓信號OVH、欠壓信號OVL，控制PMOS管Pl?Pn的通斷，點亮合適數(shù)量的LED燈串；在T4和Tl時間段，市電輸入電壓的絕對值小于電容Cl兩端的電壓值，電容Cl對LED燈串進行放電。由于電容Cl放電，整流輸出電壓不斷下降，邏輯控制模塊200同樣要根據(jù)接收到的過壓信號0VH、欠壓信號0VL，控制點亮合適數(shù)量的LED燈串。
[0030]這樣，只有在T3時間段內(nèi)，由于整流輸出電壓較高(高于最高閾值Vth2)，此時整個LED驅(qū)動裝置的驅(qū)動效率最低；而在T1、T2和Τ4時間段內(nèi)，由于整流輸出電壓在Vthl和Vth2之間，可以保持很高的驅(qū)動效率。通常情況下，假設電頻率為50Hz，T3時間段的持續(xù)時間為2mS左右，只占整個周期的20%，從而T3時間段的效率對整個周期內(nèi)驅(qū)動效率的影響可以降低80%，故而可以實現(xiàn)高的驅(qū)動效率。
[0031]圖5中虛線所示的波形為市電電壓升高時的驅(qū)動波形。由圖可知，市電電壓升高后，T3時間段的持續(xù)時間變長，T1、T2、T4時間段的持續(xù)時間則相較變短；在Τ3時間段內(nèi)系統(tǒng)的效率較低，在Tl、Τ2、Τ4時間段內(nèi)系統(tǒng)的效率很高。與傳統(tǒng)的高壓線性恒流方案相比，整流輸出電壓只在Τ3時間段內(nèi)，抬升的較多，而在Tl、Τ2、Τ4時間段內(nèi)，整流輸出電壓變化很小，從而可以有效的減弱輸入市電電壓升高對效率的影響，在較寬的市電輸入電壓變化范圍內(nèi)保持較高的驅(qū)動效率。
[0032]進一步地，作為一優(yōu)選實施例，本發(fā)明提供的LED驅(qū)動裝置還可以包括一可調(diào)電流源II?？烧{(diào)電流源Il設置在NMOS管NI的源極與地之間。當邏輯控制模塊200點亮的LED燈串的數(shù)量變化時，動態(tài)調(diào)節(jié)可調(diào)電流源Il的輸出。一般的，可以根據(jù)LED燈串總數(shù)量與點亮的LED燈串數(shù)量的比例關(guān)系調(diào)整可調(diào)電流源Il的輸出，在被點亮的LED燈串數(shù)量減少時，增大LED燈串燈芯的電流(不再是普通的恒流驅(qū)動)，這樣可以維持光通量的輸出大小近似不變。
[0033]圖6示出了圖3所示LED驅(qū)動裝置中充放電模塊300的三種可實施方案。為了便于說明，僅示出了與充放電模塊300直接相連的部分。具體如圖所示:
[0034]圖6a中，充放電模塊300采用NMOS管Nn作為充放電管；NM0S管Nn的柵極接邏輯控制模塊200，NMOS管Nn的漏極接電容Cl，NMOS管Nn的源極接地。充電時，邏輯控制模塊200輸出高電平到NMOS管Nn的柵極開啟NMOS管，電流流過NMOS管的溝道到地；或者，邏輯控制模塊200輸出低電平到NMOS管Nn的柵極關(guān)斷NMOS管，使得無法通過NMOS管對電容Cl充電。放電時，NMOS管Nn寄生的二極管導通，電容Cl放電。
[0035]圖6b中，充放電模塊300包括NMOS管Nn和并聯(lián)在NMOS管Nn的漏源極之間的反向二極管Dl ;反向二極管Dl的陽極接NMOS管Nn的源極，反向二極管Dl的陰極接NMOS管Nn的漏極，NMOS管Nn的柵極接邏輯控制模塊200，NMOS管Nn的漏極接電容Cl，NMOS管Nn的源極接地。與圖6a相較而言，在NMOS管Nn的漏源之間并聯(lián)一個反向二極管Dl，可以消除放電時對從其寄生二極管過電流對NMOS管本身的開啟\關(guān)斷特性的影響。
[0036]圖6c中，充放電模塊300是在圖6b的基礎(chǔ)上，增加了一個連接在NMOS管Nn的漏極與電容Cl之間的二極管D2 ;二極管D2的陽極接電容Cl，二極管D2的陰極接NMOS管Nn的漏極。如圖6c所示的充電電路由NMOS管Nn和二極管D2構(gòu)成，放電電路由反向二極管Dl構(gòu)成；具體地，充電時，邏輯控制模塊200輸出高電平到NMOS管Nn的柵極開啟NMOS管，反向二極管Dl反向截止，電流流過二極管D2及NMOS管Nn到地；放電時，二極管D2反向截止，電流流過反向二極管Dl。
[0037]此外，圖6所示的三種可實施方案中的，NMOS管Nn的源極與地之間都可以再串接一個限流電阻R1，以平緩充放電時的電流沖擊。
[0038]圖7示出了圖4所示LED驅(qū)動裝置中充放電模塊300的三種可實施方案。同樣的，為了便于說明，僅示出了與充放電模塊300直接相連的部分。具體如圖所示:
[0039]圖7a中，充放電模塊300采用PMOS管Pm作為充放電管；PM0S管Pm的柵極接邏輯控制模塊200，PMOS管Pm的源極接整流橋BI的輸出端，PMOS管Pm的漏極接電容Cl。充電時，邏輯控制模塊200輸出低電平到PMOS管Pm的柵極開啟PMOS管，電流流過PMOS管的溝道到地；放電時，PMOS管Pm寄生的二極管導通，電容Cl放電。
[0040]圖7b中，充放電模塊300包括PMOS管Pm和并聯(lián)在PMOS管Pm的漏源極之間的反向二極管D3 ；PM0S管Pm的柵極接邏輯控制模塊200，PMOS管Pm的源極接整流橋BI的輸出端，PMOS管Pm的漏極接電容Cl。類似的，充電電路為PMOS管Pm，放電電路為反向二極管D3。與圖7a相較而言，在PMOS管Pm的漏源之間并聯(lián)一個反向二極管D3，可以消除放電時對從其寄生二極管過電流對PMOS管本身的開啟\關(guān)斷特性的影響。
[0041]圖7c中，在圖7b的基礎(chǔ)上，增加了一個連接在PMOS管Pm的漏極與電容Cl之間的二極管D4 ;二極管D4的陰極接電容Cl，二極管D4的陽極接PMOS管Pm的漏極。充電電路由PMOS管Pm和二極管D4構(gòu)成，放電電路由反向二極管D3構(gòu)成。
[0042]與圖6中采用NMOS管Nn類似的，圖7提供的充放電模塊300中，PMOS管Pm的源極與整流橋BI的輸出端之間，同樣都可以再串接一個限流電阻R1。
[0043]最后，本發(fā)明實施例還提供一種LED燈具，所述LED燈具包括如前所述任一形式下的LED驅(qū)動裝置。
[0044]本發(fā)明提供的LED燈具及其LED驅(qū)動裝置，根據(jù)電壓檢測模塊對LED負載陰極末端的NMOS管NI漏極的電壓檢測的結(jié)果，控制電容Cl上的電壓不超過預設的最高閾值，以提高LED驅(qū)動裝置的驅(qū)動效率。具體而言，在邏輯控制模塊的控制下，市電輸入經(jīng)整流輸出通過充放電模塊中的充電電路對Cl進行充電。當電壓檢測模塊輸出的電容充電終止信號OVC為低電平時、即NMOS管NI漏極的電壓未達到最高閾值時，充放電模塊中的充電電路打開；否則充電電路關(guān)閉。這樣，可以在整流輸出電壓過高時，關(guān)閉充電電路，維持電容Cl上的電壓為特定電壓(即預設電壓的最高閾值)。當整流輸出電壓低于電容Cl兩端的電壓(最高閾值)時，電容Cl通過充放電模塊中的放電電路對LED負載放電。綜上所述，在邏輯控制模塊的控制下，精確控制電容Cl的充電時序和放電時序，以實現(xiàn)整個LED驅(qū)動裝置的較高的驅(qū)動效率。
[0045]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了較詳細的說明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改、或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種LED驅(qū)動裝置，包括整流橋、電容Cl和可調(diào)LED負載，其特征在于，所述LED驅(qū)動裝置還包括:邏輯控制模塊以及分別與其相接的充放電模塊、電壓檢測模塊和NMOS管NI ； 所述充放電模塊與所述電容Cl串聯(lián)后并接在所述整流橋的兩個輸出端之間，所述NMOS管NI的漏極與LED負載相接，所述NMOS管NI的柵極控制端接所述邏輯控制模塊，所述電壓檢測模塊的輸入端接所述NMOS管NI的漏極與所述LED負載的共接端；所述電壓檢測模塊的輸出端接所述邏輯控制模塊； 所述邏輯控制模塊根據(jù)所述電壓檢測模塊輸出的信號控制所述充放電電路模塊的工作:在整流輸出對所述電容Cl進行充電時，若所述NMOS管NI漏極的電壓達到最高閾值，則所述電壓檢測模塊輸出的電容充電終止信號OVC為有效的高電平，所述邏輯控制模塊控制關(guān)閉充電電路。
2.如權(quán)利要求1所述的LED驅(qū)動裝置，其特征在于，所述LED負載包括可調(diào)節(jié)的LED燈串；所述LED燈串由LEDl~LEDn+Ι串聯(lián)構(gòu)成，并且LEDl~LEDn分別與PMOS管Pl~Pn并聯(lián)，所述PMOS管Pl~Pn的柵極控制端分別接所述邏輯控制模塊，所述LEDn+Ι的陰極末端接所述NMOS管NI的漏極； 所述邏輯控制模塊根據(jù)接收到的電壓檢測模塊輸出的過壓信號OVH和欠壓信號0VL，控制所述PMOS管Pl~Pn的開關(guān)狀態(tài)以改變點亮的LED燈串數(shù)量，使所述LED負載上的電壓之和與整流輸出或電 容Cl放電輸出的電壓接近。
3.如權(quán)利要求2所述的LED驅(qū)動裝置，其特征在于，所述LED驅(qū)動裝置還包括一連接在所述NMOS管NI的源極與地之間的可調(diào)電流源； 所述邏輯控制模塊根據(jù)LED燈串總數(shù)量與點亮的LED燈串數(shù)量的比例關(guān)系調(diào)整所述可調(diào)電流源的輸出，以維持光通量的大小不變。
4.如權(quán)利要求1所述的LED驅(qū)動裝置，其特征在于，所述充放電模塊采用NMOS管Nn作為充放電管； 所述NMOS管Nn的柵極接所述邏輯控制模塊，所述NMOS管Nn的漏極接所述電容Cl，所述NMOS管Nn的源極接地。
5.如權(quán)利要求1所述的LED驅(qū)動裝置，其特征在于，所述充放電模塊包括NMOS管Nn和并聯(lián)在所述NMOS管Nn的漏源極之間的反向二極管Dl ； 所述反向二極管Dl的陽極接所述NMOS管Nn的源極，所述反向二極管Dl的陰極接所述NMOS管Nn的漏極，所述NMOS管Nn的柵極接所述邏輯控制模塊，所述NMOS管Nn的漏極接所述電容Cl，所述NMOS管Nn的源極接地。
6.如權(quán)利要求5所述的LED驅(qū)動裝置，其特征在于，所述充放電模塊還包括一連接在所述NMOS管Nn的漏極與所述電容Cl之間的二極管D2 ； 所述二極管D2的陽極接所述電容Cl，所述二極管D2的陰極接所述NMOS管Nn的漏極。
7.如權(quán)利要求1所述的LED驅(qū)動裝置，其特征在于，所述充放電模塊采用PMOS管Pm作為充放電管； 所述PMOS管Pm的柵極接所述邏輯控制模塊，所述PMOS管Pm的源極接所述整流橋的輸出端，所述PMOS管Pm的漏極接所述電容Cl。
8.如權(quán)利要求1所述的LED驅(qū)動裝置，其特征在于，所述充放電模塊包括PMOS管Pm和并聯(lián)在所述PMOS管Pm的漏源極之間的反向二極管D3 ；所述PMOS管Pm的柵極接所述邏輯控制模塊，所述PMOS管Pm的源極接所述整流橋的輸出端，所述PMOS管Pm的漏極接所述電容Cl。
9.如權(quán)利要求8所述的LED驅(qū)動裝置，其特征在于，所述充放電模塊還包括一連接在所述PMOS管Pm的漏極與所述電容Cl之間的二極管D4 ； 所述二極管D4的陽極接所述PMOS管Pm的漏極，所述二極管D4的陰極接所述電容Cl。
10.如權(quán)利要求4-9任一項所述的LED驅(qū)動裝置，其特征在于，所述充放電模塊還包括一串接在MOS管源極上的限流電阻Rl。
11.一種LED燈具，其特征在于，所述LED燈具包括如權(quán)利要求1_10任一項所述的LED驅(qū)動裝置。
【文檔編號】H05B37/02GK103945616SQ201410182733
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2014年4月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月30日
【發(fā)明者】陳博, 陳小雨, 王文攀 申請人:深圳市晟碟半導體有限公司