配線電路基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種配線電路基板，依次包括：金屬支承層；第1絕緣層；導體圖案；以及第2絕緣層。第1絕緣層具有第1開口部，使導體圖案的表面暴露。第2絕緣層具有第2開口部，使導體圖案的表面暴露，并且，在沿厚度方向進行投影時第2開口部的至少一部分與第1開口部重疊。導體圖案的厚度方向的另一側的表面的經(jīng)由第1開口部暴露的部分構成為第1端子部，導體圖案的厚度方向的一側的表面的經(jīng)由第2開口部暴露的部分構成為第2端子部。金屬支承層包括第3開口部和增強部，第3開口部使第1端子部和第1絕緣層的覆蓋與第1端子部相連續(xù)的導體圖案的覆蓋部分暴露，增強部配置于覆蓋部分的厚度方向的另一側的表面并以自金屬支承層連續(xù)的方式設置。
【專利說明】配線電路基板

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種配線電路基板，詳細而言，本發(fā)明涉及一種適合用作帶電路的懸 掛基板的配線電路基板。

【背景技術】
[0002] 通常，在用于電子?電氣設備等中的配線電路基板上形成有用于與外部端子相連 接的端子部。
[0003] 近年來，為了應對電子?電氣設備的高密度化和小型化，正在普及端子部不是僅 形成在導體圖案的單面、在該導體圖案的導電性引線的兩面都形成端子部而成的飛線（日 文：7 9 4 >夕'^一卜'')，例如，公知有在用于硬盤驅動器的帶電路的懸掛基板等中使導電 性引線的兩面暴露而將端子部形成為飛線的情況。并且，對于那樣的形成為飛線的端子部， 例如，使用超聲波接合裝置等對該端子部施加超聲波振動而使其與外部端子相接合。
[0004] 然而，由于形成為飛線的端子部的導電性引線的兩面暴露，因此，易于傳遞超聲 波，適合于基于超聲波振動的接合，但存在物理強度較弱，應力容易集中于端子部的端部而 斷線這樣的不良情況。因此，研究了各種能夠抑制飛線的斷線的帶電路的懸掛基板。
[0005] 例如，提出有一種將彈簧金屬突起（日文：《' ft金屬島）電連接且機械連接于導電 性引線的兩面暴露而成的飛線區(qū)域而增強飛線區(qū)域中的導電性引線的磁頭懸架（例如參 照日本特表2007 - 537562號公報）。
[0006] 但是，在日本特表2007 - 537562號公報所記載的磁頭懸架中，由于在飛線區(qū)域中 的導電性引線上連接有彈簧金屬突起，因此，超聲波向飛線區(qū)域中的導電性引線的傳遞受 到阻礙，從而有時難以利用超聲波振動進行接合。
[0007] 另一方面，若提高超聲波接合裝置的輸出，則能夠利用超聲波振動來將與彈簧金 屬突起相連接的導電性引線和外部端子接合，但會存在使超聲波接合裝置的夾具磨損加劇 這樣的不良情況。


【發(fā)明內容】

[0008] 因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種配線電路基板：能夠利用超聲波振動來將第1 端子部或第2端子部和外部端子可靠地接合，并且能夠抑制導體圖案的斷線。
[0009] 本發(fā)明提供一種配線電路基板，其特征在于，該配線電路基板包括：金屬支承層； 第1絕緣層，其形成于金屬支承層的厚度方向的一側的表面；導體圖案，其形成于第1絕緣 層的厚度方向的一側的表面；以及第2絕緣層，其形成于導體圖案的厚度方向的一側的表 面，第1絕緣層具有第1開口部，該第1開口部使導體圖案的厚度方向的另一側的表面自第 1絕緣層暴露，第2絕緣層具有第2開口部，該第2開口部配置為：使導體圖案的厚度方向 的一側的表面自第2絕緣層暴露，并且，在沿厚度方向進行投影時該第2開口部的至少一部 分與第1開口部重疊，導體圖案的厚度方向的另一側的表面的經(jīng)由第1開口部暴露的部分 構成為第1端子部，導體圖案的厚度方向的一側的表面的經(jīng)由第2開口部暴露的部分構成 為第2端子部，金屬支承層包括第3開口部和增強部，該第3開口部使第1端子部和第1絕 緣層的覆蓋與第1端子部相連續(xù)的導體圖案的覆蓋部分暴露，該增強部配置于覆蓋部分的 厚度方向的另一側的表面并以自金屬支承層連續(xù)的方式設置。
[0010] 采用這樣的結構，導體圖案具有經(jīng)由第1開口部暴露的第1端子部和經(jīng)由第2開 口部暴露的第2端子部，第1端子部和第2端子部形成飛線。因此，例如，在利用超聲波接 合裝置等以超聲波振動的方式將第1端子部和外部端子接合、或將第2端子部和外部端子 接合時，能夠在不使超聲波接合裝置的輸出過度增大的情況下將第1端子部和外部端子接 合起來、或將第2端子部和外部端子接合起來。也就是說，能夠抑制超聲波接合裝置的夾具 的磨損并能夠將第1端子部和外部端子可靠地接合起來、或將第2端子部和外部端子可靠 地接合起來。
[0011] 另外，第3開口部使第1端子部和第1絕緣層的覆蓋與第1端子部相連續(xù)的導體 圖案的覆蓋部分暴露，增強部配置于覆蓋部分的厚度方向的另一側的表面。
[0012] 因此，增強部能夠經(jīng)由覆蓋部分而增強飛線（導體圖案）的位于第1開口部的端 緣部的部分的物理強度。其結果，即使在第1開口部的端緣部應力集中于飛線，也能夠抑制 導體圖案斷線，進而能夠謀求提高導體圖案的連接可靠性。
[0013] 因而，能夠在不使超聲波接合裝置的輸出過度增大的情況下利用超聲波振動將第 1端子部和外部端子可靠地接合起來、或將第2端子部和外部端子可靠地接合起來，且能夠 抑制飛線（導體圖案）的斷線。
[0014] 另外，在本發(fā)明的配線電路基板中，優(yōu)選的是，增強部是自第3開口部的端緣朝向 第3開口部的內側突出的突出部。
[0015] 采用這樣的結構，結構簡單，并且突出部能夠經(jīng)由覆蓋部可靠地增強飛線（導體 圖案）的位于第1開口部的端緣部的部分。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016] 圖1是作為本發(fā)明的配線電路基板的第1實施方式的帶電路的懸掛基板的俯視 圖。
[0017] 圖2A是圖1所示的帶電路的懸掛基板的外部連接部的俯視圖。圖2B是圖2A所示 的帶電路的懸掛基板的外部連接部的仰視圖。圖2C是圖2B所示的外部側端子的仰視圖， 是在圖2B中被圓包圍的部分的放大圖。
[0018] 圖3A?圖3D是用于說明圖1所示的帶電路的懸掛基板的制造方法的工序圖，是 圖2C的X - X剖視圖，圖3A表示準備支承基板的工序，圖3B表示形成基底絕緣層的工序， 圖3C表示形成導體圖案的工序，圖3D表示形成覆膜的工序。
[0019] 圖4E?圖41是接著圖3A?圖3D繼續(xù)說明用于制造圖1所示的帶電路的懸掛基 板的方法的工序圖，圖4E表示隔著光掩模而對覆膜進行曝光的工序，圖4F表示對覆膜進行 顯影而形成規(guī)定圖案的覆蓋絕緣層的工序，圖4G表示在支承基板上形成基板側開口部的 工序，圖4H表示在基底絕緣層上形成基底側開口部的工序，圖41表示在第1端子部和第2 端子部上形成鍍層的工序。
[0020] 圖5A是作為本發(fā)明的配線電路基板的第2實施方式的帶電路的懸掛基板的外部 側端子的仰視圖。圖5B是作為本發(fā)明的配線電路基板的第3實施方式的帶電路的懸掛基 板的外部側端子的仰視圖。
[0021] 圖6A?圖6D是用于說明作為本發(fā)明的配線電路基板的第4實施方式的帶電路的 懸掛基板的制造方法的工序圖，圖6A表示準備支承基板的工序，圖6B表示形成基底絕緣層 的工序，圖6C表示形成導體圖案的工序，圖6D表示形成覆膜的工序。
[0022] 圖7E?圖7H是接著圖6A?圖6D繼續(xù)說明用于制造帶電路的懸掛基板的方法的 工序圖，圖7E表示隔著光掩模而對覆膜進行曝光的工序，圖7F表示對覆膜進行顯影而形成 規(guī)定圖案的覆蓋絕緣層的工序，圖7G表示在支承基板上形成基板側開口部的工序，圖7H表 示在基底絕緣層上形成基底側開口部的工序。

【具體實施方式】
[0023] 如圖1所示，作為配線電路基板的一個例子的帶電路的懸掛基板1安裝有硬盤驅 動器的磁頭（未圖示），以對抗磁頭與磁盤相對運動時的氣流地在該磁頭與磁盤之間保持 微小的間隔的方式支承該磁頭，該帶電路的懸掛基板形成有與其成為一體的、用于將磁頭 和作為外部電路的讀寫基板相連接的配線。
[0024] 帶電路的懸掛基板1形成為沿長度方向延伸的俯視大致矩形的平帶形狀。帶電路 的懸掛基板1包括：滑撬搭載部2,其配置于帶電路的懸掛基板1的長度方向一側，用于搭 載具有磁頭（未圖示）的滑撬（未圖示）；外部連接部3,其配置于帶電路的懸掛基板1的 長度方向另一側，用于與讀寫基板40電連接；以及配線部4,其在滑撬搭載部2與外部連接 部3之間沿帶電路的懸掛基板1的長度方向延伸。
[0025] 此外，在以下的說明中，在提及方向時，將設有滑撬搭載部2的一側（圖1中的紙 面左側）作為帶電路的懸掛基板1的前側，將設有外部連接部3的一側（圖1中的紙面右 偵D作為帶電路的懸掛基板1的后側。另外，以自前側看帶電路的懸掛基板1時為基準來 規(guī)定左右，將圖1中的紙面上側作為帶電路的懸掛基板1的左側（寬度方向的一側），將圖 1中的紙面下側作為帶電路的懸掛基板1的右側（寬度方向的另一側）。另外，在圖1中， 將紙面前側作為帶電路的懸掛基板1的上側（厚度方向的一側），將紙面進深側作為帶電路 的懸掛基板1的下側（厚度方向的另一側）。
[0026] 也就是說，將帶電路的懸掛基板1的長度方向作為前后方向，將帶電路的懸掛基 板1的寬度方向作為左右方向，將帶電路的懸掛基板1的厚度方向作為上下方向。
[0027] 如圖41所示，這樣的帶電路的懸掛基板1具有層疊構造，具體而言，帶電路的懸掛 基板1通過自下側朝向上側地依次層疊作為金屬支承層的一個例子的支承基板10、作為第 1絕緣層的一個例子的基底絕緣層11、導體圖案12以及作為第2絕緣層的一個例子的覆蓋 絕緣層13而形成。
[0028] 支承基板10由例如不銹鋼、42合金、鋁、銅一鈹以及磷青銅等金屬材料形成，優(yōu)選 由不銹鋼形成。另外，支承基板10形成為沿前后方向延伸的俯視大致矩形形狀的大致平板 形狀（參照圖1)。另外，支承基板10的厚度例如為10 μ m以上，且例如為50 μ m以下，優(yōu)選 為25 μ m以下。
[0029] 另外，如圖2B和圖2C所示，支承基板10在與外部連接部3相對應的部分上具有 作為第3開口部的一個例子的基板側開口部15和作為增強部的一個例子的突出部16。
[0030] 如圖2B所示，基板側開口部15形成于支承基板10的后端部的右側部分?；鍌?開口部15形成為沿前后方向延伸的仰視大致矩形形狀，并沿上下方向貫穿支承基板10(參 照圖41)。
[0031] 突出部16與多個外部側端子7 (后述）相對應，并在基板側開口部15的左右方向 兩端緣上分別設有多個。具體而言，突出部16以在前后方向上互相隔開等間隔的方式在基 板側開口部15的左端緣和右端緣上分別各并列配置有多個（6個）。另外，設于基板側開口 部15的左端緣的突出部16和設于基板側開口部15的右端緣的突出部16以在沿左右方向 進行投影時對齊的方式配置。
[0032] 也就是說，相對于每個外部側端子7都設有左右1對突出部16,多對陽對）突出 部16以在前后方向上互相隔開等間隔的方式并列配置。
[0033] 1對突出部16分別形成為自基板側開口部15的左右方向端緣朝向基板側開口部 15的內側突出的仰視大致圓弧形狀。也就是說，各突出部16以自支承基板10連續(xù)的方式 與支承基板10設置成一體。
[0034] 另外，突出部16的前后方向尺寸C例如為10 μ m以上，優(yōu)選為30 μ m以上，且例如 為200 μ m以下，優(yōu)選為160 μ m以下。另夕卜，突出部16的左右方向尺寸D例如為3 μ m以上， 優(yōu)選為5μηι以上，且例如為130μηι以下，優(yōu)選為70μηι以下。
[0035] 此外，在本實施方式中，各突出部16的前后方向尺寸C均形成為相同尺寸，各突出 部16的左右方向尺寸D均形成為相同尺寸。
[0036] 如圖41所不，基底絕緣層11層置于支承基板10的上表面，在支承基板10的上表 面，在基底絕緣層11的要形成導體圖案12的部分上形成有規(guī)定的圖案。基底絕緣層11由 例如聚酰亞胺、聚酰胺一酰亞胺、丙烯、聚醚腈、聚醚砜、聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚萘 二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯等合成樹脂等形成。從尺寸熱穩(wěn)定性等觀點來看，基底絕緣層11 優(yōu)選由聚酰亞胺形成。另外，基底絕緣層11的厚度例如為2μπι?20μπι。
[0037] 另外，如圖2Β所示，在基底絕緣層11中的與支承基板10的基板側開口部15相對 應的部分上形成有作為第1開口部的一個例子的基底側開口部18。
[0038] 基底側開口部18形成為沿前后方向延伸的仰視大致矩形形狀，并沿上下方向貫 穿基底絕緣層11 (參照圖41)。另外，基底側開口部18的如后方向尺寸和左右方向尺寸分 別形成得比基板側開口部15的前后方向尺寸和左右方向尺寸短。
[0039] 并且，基底側開口部18以在沿上下方向進行投影時基底側開口部18的投影面全 部包含在基板側開口部15內的方式配置。由此，在沿上下方向進行投影時，在基底側開口 部18的周端緣與基板側開口部15的周端緣之間劃分有基底絕緣層11上的基底側開口部 18的自基板側開口部15暴露的周端部19(以下，簡稱作周端部19。）。也就是說，基底側 開口部18的周端部19經(jīng)由基板側開口部15而自下側暴露。
[0040] 更詳細而言，周端部19具有作為右側的周端部的右側周端部25、作為左側的周端 部的左側周端部26(覆蓋部分的一個例子）、作為前側的周端部的前側周端部以及作為后 側的周端部的后側周端部。
[0041] 如圖41所示，右側周端部25和左側周端部26分別以與各突出部16的上側鄰接 的方式配置于各突出部16的上側。也就是說，各突出部16配置于所對應的右側周端部25 或左側周端部26的下表面。
[0042] 另外，如圖2C所示，右側周端部25和左側周端部26的左右方向尺寸Ε相對于突 出部16的左右方向尺寸D的比率分別例如為0. 8以上，優(yōu)選為1以上，進一步優(yōu)選為2以 上，特別優(yōu)選為8以上，且例如為20以下，優(yōu)選為12以下。
[0043] 若右側周端部25和左側周端部26的左右方向尺寸E相對于突出部16的左右方 向尺寸D的比率分別在上述下限值以上，則能夠抑制后述的第1端子部20與突出部16相 接觸，若在上述上限值以下，則能夠可靠地確保后述的第1端子部20的暴露面積。
[0044] 另外，右側周端部25和左側周端部26的左右方向尺寸E例如為50 μ m以上，優(yōu)選 為90 μ m以上，且例如為150 μ m以下，優(yōu)選為110 μ m以下。
[0045] 此外，在本實施方式中，右側周端部25和左側周端部26的左右方向尺寸E形成為 相同尺寸。
[0046] 如圖41所示，導體圖案12層疊于基底絕緣層11的上表面，并由例如銅、鎳、金、軟 釬料或上述材料的合金等導體材料等形成。導體圖案12優(yōu)選由銅形成。另外，導體圖案12 的厚度例如為3μηι以上,優(yōu)選為5μηι以上，且例如為30μηι以下,優(yōu)選為20μηι以下。
[0047] 另外，導體圖案12以規(guī)定的配線電路圖案形成于基底絕緣層11的上表面，具體而 言，如圖1所示，導體圖案12包括多個出個）磁頭側端子6、多個出個）外部側端子7以 及多條（6條）配線8。
[0048] 多個磁頭側端子6以在左右方向上互相隔開等間隔的方式并列配置于滑撬搭載 部2。磁頭側端子6形成為俯視大致矩形形狀（方形接線片）。磁頭側端子6用于與滑撬 (未圖示）的磁頭（未圖示）電連接。
[0049] 如圖2Α所示，多個外部側端子7以在前后方向上互相隔開間隔的方式并列配置于 外部連接部9。如圖2C所示，各外部側端子7均形成為俯視大致矩形形狀（方形接線片）。
[0050] 另外，外部側端子7 (第1端子部20 (后述））的前后方向尺寸Α (寬度）相對于突 出部16的前后方向尺寸C的比率例如為0. 8以上，優(yōu)選為1以上，且例如為5以下，優(yōu)選為 5以下，進一步優(yōu)選為3以下。
[0051] 若外部側端子7的前后方向尺寸A(寬度）相對于突出部16的前后方向尺寸C的 比率在上述下限值以上，則能夠謀求增大第1端子部20 (后述）的面積，若在上述上限值以 下，則能夠利用突出部16來可靠地增強導體圖案12的位于基底側開口部18的左右方向端 緣部的部分。
[0052] 另外，外部側端子7的前后方向尺寸A(寬度）例如為80 μ m以上，優(yōu)選為140 μ m 以上，且例如為300 μ m以下，優(yōu)選為250 μ m以下。
[0053] 另外，第1端子部20 (后述）的左右方向尺寸B相對于突出部16的左右方向尺寸 D的比率例如為5以上，優(yōu)選為8以上，進一步優(yōu)選為10以上，且例如為200以下，優(yōu)選為 60以下，進一步優(yōu)選為30以下。
[0054] 若第1端子部20 (后述）的左右方向尺寸B相對于突出部16的左右方向尺寸D 的比率在上述下限值以上，則能夠謀求增大第1端子部20 (后述）的面積，若在上述上限值 以下，則能夠利用突出部16來可靠地增強導體圖案12的位于基底側開口部18的左右方向 端緣部的部分。
[0055] 另外，第1端子部20(后述）的左右方向尺寸B例如為300μπι以上，優(yōu)選為460μπι 以上，且例如為2000 μ m以下，優(yōu)選為1000 μ m以下。
[0056] 另外，如圖2B所示，多個外部側端子7之間的間隔設定為，相對于外部側端子7的 前后方向尺寸A的比率例如為0. 8以上，優(yōu)選為1以上，且例如為4以下，優(yōu)選為3以下。
[0057] 若多個外部側端子7之間的間隔相對于外部側端子7的前后方向尺寸A的比率在 上述下限值以上，則能夠抑制彼此相鄰的外部側端子7的短路，若在上述上限值以下，則能 夠謀求提高各外部側端子7的第1端子部20與外部端子（未圖示）之間的連接可靠性。
[0058] 另外，各外部側端子7以自下側看時在左右方向上跨越基底側開口部18且與所對 應的1對突出部16相重疊的方式配置。另外，各外部側端子7的前后方向中央部分和所對 應的1對突出部16的前后方向中央部分在上下方向上大致對齊。
[0059] 由此，外部側端子7的下表面的寬度方向大致中央部分經(jīng)由基板側開口部15和基 底側開口部18而自下側暴露而構成用于與外部端子（未圖示）相連接的第1端子部20。 也就是說，基板側開口部15使第1端子部20、基底絕緣層11上的基底側開口部18的周端 部19自下側暴露，基底側開口部18使第1端子部20自基底絕緣層11暴露。
[0060] 另外，如圖2A所示，各外部側端子7的上表面的寬度方向大致中央部分經(jīng)由覆蓋 側開口部27(后述）自上側暴露而構成用于與外部端子（未圖示）相連接的第2端子部 21。
[0061] 也就是說，各外部側端子7的左右方向中央部分的下表面（第1端子部20)自基 板側開口部15和基底側開口部18暴露，且各外部側端子7的左右方向中央部分的上表面 (第2端子部21)自覆蓋側開口部27(后述）暴露，由此構成飛線。
[0062] 此外，外部側端子7的左端部23自下側看時由基底絕緣層11上的基底側開口部 18的左側周端部26和支承基板10上的基板側開口部15的左側周端部覆蓋，外部側端子7 的右端部22自下側看時由基底絕緣層11上的基底側開口部18的右側周端部25和支承基 板10上的基板側開口部15的右側周端部覆蓋。
[0063] 另外，如圖41所示，在外部側端子7的左右方向中央部分（第1端子部20、第2端 子部21以及外部側端子7的與第1端子部20、第2端子部21相連續(xù)的兩側面）設有鍍層 24。
[0064] 鍍層24由例如鎳、金等形成，鍍層24的厚度例如為0. 05 μ m以上，優(yōu)選為0. 1 μ m 以上，且例如為5 μ m以下，優(yōu)選為3 μ m以下。另外，鍍層24既可以由單個鍍層形成，也可 以由多個鍍層層疊而形成。
[0065] 并且，如圖1所示，第1端子部20和讀寫基板40的外部端子（未圖示）電連接、 或第2端子部21和讀寫基板40的外部端子（未圖示）電連接。
[0066] 多條配線8以將多個磁頭側端子6和多個外部側端子7相連接的方式設置。詳細 而言，多條配線8以在左右方向上互相隔開間隔的方式并列配置于配線部4,并以沿前后方 向延伸的方式形成。并且，配線8在滑撬搭載部2中向左右方向兩外側鼓出，之后向前側延 伸，之后，向左右方向內側延伸，然后向后側折回，配線8的后端部與磁頭側端子6的前端部 相連接。另外，配線8在外部連接部9中向右側彎曲，之后，配線8的右端部與外部側端子 7的左端部23相連接（參照圖2B和圖2C)。此外，配線8形成為寬度窄于磁頭側端子6的 寬度和外部側端子7的寬度。
[0067] 如圖41所示，覆蓋絕緣層13以自上側覆蓋導體圖案12的方式層疊于基底絕緣層 11的上表面。
[0068] 覆蓋絕緣層13由與基底絕緣層11相同的合成樹脂形成，優(yōu)選由聚酰亞胺形成。覆 蓋絕緣層13的厚度例如為2 μ m?20 μ m。
[0069] 另外，在覆蓋絕緣層13上形成有用于使磁頭側端子6自上側暴露的磁頭側端子暴 露口（未圖示）和如圖2A所示那樣作為用于使外部側端子7的第2端子部21自上側暴露 的第2開口部的一個例子的覆蓋側開口部27。
[0070] 覆蓋側開口部27形成為與基底側開口部18大致相同的形狀和尺寸，并以在沿上 下方向進行投影時與基底側開口部18對齊的方式在上下方向上貫穿覆蓋絕緣層13地形成 于覆蓋絕緣層13的后端部的右側部分。
[0071] 由此，覆蓋絕緣層13形成于導體圖案12的配線8的上表面并使多個磁頭側端子 6和多個外部側端子7 (第2端子部21)分別暴露。
[0072] 接下來，參照圖3A?圖41說明這樣的帶電路的懸掛基板1的制造方法。
[0073] 在帶電路的懸掛基板1的制造方法中，首先，如圖3A所示，準備支承基板10。
[0074] 接著，如圖3B所不，在支承基板10的上表面上以規(guī)定圖案形成基底絕緣層11。
[0075] 為了在支承基板10的上表面上形成基底絕緣層11，例如，在支承基板10的上表 面上涂敷作為基底絕緣層11的材料的感光性的合成樹脂的溶液（清漆）并使該溶液（清 漆）干燥，從而形成感光性的基底覆膜。接著，隔著未圖示光掩模對感光性的基底覆膜進行 曝光。光掩模的圖案包括遮光部分和光全透過部分，光掩模配置為光全透過部分與基底覆 膜上的要形成基底絕緣層11的部分相對，遮光部分與基底覆膜上的不形成基底絕緣層11 的部分相對。之后，對曝光后的基底覆膜進行顯影，并對顯影后的基底覆膜進行加熱固化。
[0076] 由此，在支承基板10的上表面上以規(guī)定圖案形成基底絕緣層11。
[0077] 接著，在基底絕緣層11的上表面上如圖3C所示那樣形成導體圖案12。
[0078] 為了在基底絕緣層11的上表面上形成導體圖案12,使用例如減去法、添加法等公 知的圖案形成法來將導體圖案12形成于基底絕緣層11的上表面即可，優(yōu)選使用添加法。
[0079] 由此，在基底絕緣層11的上表面上形成包括多個磁頭側端子6、多個外部側端子7 以及多條配線8在內的導體圖案12 (參照圖1)。
[0080] 此外，從抑制導體圖案12向覆蓋絕緣層13擴散的觀點考慮，優(yōu)選導體圖案12被 鍍層（例如鍍鎳層）覆蓋。像這樣利用鍍層來覆蓋導體圖案12,例如可以使用電解電鍍和 非電解鍍中的任意一種方法，優(yōu)選使用非電解鍍。
[0081] 接著，將具有覆蓋側開口部27和磁頭側端子暴露口（未圖示）的覆蓋絕緣層13 如圖4F所示那樣形成于基底絕緣層11的上表面。
[0082] 為了將這樣的覆蓋絕緣層13形成于基底絕緣層11的上表面，例如，首先，如圖3D 所示，將作為覆蓋絕緣層13的材料的感光性的合成樹脂（清漆）涂敷在導體圖案12和基底 絕緣層11的上表面上并使該感光性的合成樹脂（清漆）干燥，從而形成感光性的覆膜29。
[0083] 接著，如圖4E所示，將光掩模（未圖示）自上側以彼此隔開間隔的方式且與覆膜 29上的要形成覆蓋側開口部27的部分和覆膜29上的要形成磁頭側端子暴露口（未圖示） 的部分分別相對的方式配置于上述各部分。
[0084] 之后，隔著光掩模（未圖示）對感光性的覆膜29進行曝光、顯影，之后，對其進行 加熱固化。
[0085] 由此，如圖4F所示，在基底絕緣層11的上表面上形成具有磁頭側端子暴露口（未 圖示）和覆蓋側開口部27的覆蓋絕緣層13。
[0086] 這樣一來，導體圖案12的外部側端子7的第2端子部21經(jīng)由覆蓋絕緣層13的覆 蓋側開口部27而自上側暴露，且導體圖案12的磁頭側端子6經(jīng)由磁頭側端子暴露口（未 圖示）而自上側暴露。另外，導體圖案12的多條配線8被覆蓋絕緣層13覆蓋。
[0087] 接著，如圖4G所示，去除支承基板10的局部，從而在支承基板10上形成基板側開 口部15和多個突出部16。
[0088] 為了形成基板側開口部15和多個突出部16,能夠使用例如干蝕刻（例如，等離子 體蝕刻）、濕蝕刻（例如，化學蝕刻）等蝕刻法、例如鉆頭穿孔、激光加工等，優(yōu)選使用濕蝕 刻。
[0089] 由此，在支承基板10上形成有基板側開口部15和多個突出部16。
[0090] 接著，在基底絕緣層11的下表面的經(jīng)由基板側開口部15暴露的部分形成抗蝕涂 層（未圖示）?？刮g涂層（未圖示）以自下側看沿著基底絕緣層11上的基底側開口部18 的周端緣包圍基底絕緣層11的要形成基底側開口部18的部分的方式沿著基板側開口部15 和多個突出部16的端緣配置。
[0091] 接著，如圖4H所示，利用例如濕蝕刻（例如，化學蝕刻）等上述蝕刻法來去除基底 絕緣層11的自抗蝕涂層（未圖示）暴露的部分（要形成基底側開口部18的部分）。
[0092] 此外，在濕蝕刻過程中，支承基板10和抗蝕涂層（未圖示）這兩者將基底絕緣層 11中的除了要形成基底側開口部18的部分以外的部分遮蔽，而阻止對基底絕緣層11 (基底 側開口部18的周端部19)進行不期望的蝕刻。
[0093] 由此，在基底絕緣層11上形成基底側開口部18,導體圖案12的外部側端子7的第 1端子部20經(jīng)由基底側開口部18而自下側暴露。另外，基底絕緣層11上的基底側開口部 18的周端部19經(jīng)由基板側開口部15而自下側暴露。
[0094] 接著，如圖41所示，在外部側端子7的第1端子部20和第2端子部21上分別形 成鍍層24。
[0095] 在形成鍍層24時，可以使用電解電鍍和非電解鍍中的任意一種方法，優(yōu)選使用電 解電鍍。
[0096] 由此，在第1端子部20和第2端子部21的各自的表面上形成有鍍層24。
[0097] 通過以上方法，完成帶電路的懸掛基板1的制造。
[0098] 在這樣的帶電路的懸掛基板1中，導體圖案12具有經(jīng)由基底側開口部18暴露的 第1端子部20和經(jīng)由覆蓋側開口部27暴露的第2端子部21，第1端子部20和第2端子 部21形成飛線。因此，例如，在利用公知的超聲波接合裝置等來以超聲波振動的方式將第 1端子部20和讀寫基板40的外部端子（未圖示）接合、或者將第2端子部21和讀寫基板 40的外部端子（未圖示）接合時，能夠在不使超聲波接合裝置的輸出過度增大的情況下將 第1端子部20和外部端子（未圖示）接合、或者將第2端子部21和外部端子（未圖示） 接合起來。
[0099] 更具體而言，超聲波接合裝置的振蕩頻率例如為40kHz以上，優(yōu)選為60kHz以上， 且例如為100kHz以下，優(yōu)選為70kHz以下，超聲波接合裝置的最大振幅例如為0. 2μπι以 上，優(yōu)選為〇. 5 μ m以上，且例如為3 μ m以下，優(yōu)選為2 μ m以下，超聲波接合裝置的額定輸 出例如為1W以上，優(yōu)選為2W以上，且例如為5W以下，優(yōu)選為3. 5W以下。
[0100] 另外，作為接合條件，加壓載荷例如為ο. 5N以上，優(yōu)選為1N以上，且例如為3N以 下，優(yōu)選為2N以下，振動時間例如為100msec以上，優(yōu)選為200msec以上，且例如為600msec 以下，優(yōu)選為400msec以下。
[0101] 另外，基板側開口部15使第1端子部20和基底側開口部18的將外部側端子7的 與第1端子部20相連續(xù)的左端部23覆蓋的左側周端部26暴露，突出部16配置于左側周 端部26的下表面（厚度方向的另一側的表面）。
[0102] 因此，突出部16能夠經(jīng)由基底側開口部18的左側周端部26增強飛線（導體圖案 12)的位于基底側開口部18的端緣部的部分的物理強度。另外，例如，在利用超聲波振動來 將第1端子部20和讀寫基板40的外部端子（未圖示）接合、或者將第2端子部21和讀寫 基板40的外部端子（未圖示）接合的情況下等，若力作用于帶電路的懸掛基板1的導體圖 案12,則應力會集中于外部側端子7的位于突出部16的上側的左端部23,能夠抑制在基底 側開口部18的端緣部應力集中于飛線。
[0103] 其結果，能夠抑制導體圖案12在基底側開口部18的端緣部斷線，進而能夠謀求提 高導體圖案12的連接可靠性。
[0104] 因而，能夠在不使超聲波接合裝置的輸出過度增大的情況下利用超聲波振動來將 第1端子部20和外部端子（未圖示）接合、或者將第2端子部21和外部端子（未圖示） 接合，且能夠抑制飛線（導體圖案12)的斷線。
[0105] 在基底側開口部18的端緣部，若在外部側端子7上設置寬度（在帶電路的懸掛基 板1的前后方向上的尺寸）擴大的寬幅部分，則能夠增強導體圖案12的位于基底側開口 部18的端緣部的部分的物理強度。但是，若在外部側端子7上設置寬幅部分，則會使彼此 相鄰的外部側端子7的寬幅部分的之間的間隔變短，從而有時會使彼此相鄰的外部側端子 7短路。另一方面，為了抑制短路，若增大彼此相鄰的外部側端子7的間隔，則存在會使帶 電路的懸掛基板1大型化這樣的不良情況，另外，為了抑制短路，若使外部側端子7的寬度 (前后方向長度）變短，則會降低多個外部側端子7的端子部（第1端子部20和第2端子 部21)的暴露面積，從而存在使多個外部側端子7的端子部（第1端子部20和第2端子部 21)與外部端子（未圖示）之間的連接可靠性降低這樣的不良情況。
[0106] 對于上述問題，若采用帶電路的懸掛基板1，則能夠在不在外部側端子7上設置寬 幅部分的情況下增強飛線（導體圖案12)的位于基底側開口部18的端緣部的部分的物理 強度，因此能夠在不增加彼此相鄰的外部側端子7的間隔和/或不減小外部側端子7的寬 度（前后方向長度）的情況下抑制彼此相鄰的外部側端子7之間的短路。因此，能夠謀求 提高飛線（導體圖案12)的位于基底側開口部18的端緣部的部分的物理強度，并能夠謀求 帶電路的懸掛基板1的小型化，并且，能夠確保多個外部側端子7的端子部（第1端子部20 和第2端子部21)與外部端子（未圖示）之間的連接可靠性。
[0107] 另外，由于突出部16自基板側開口部15的左右方向端緣朝向基板側開口部15的 內側突出，因此，結構簡單，且突出部16能夠經(jīng)由基底側開口部18的周端部19而可靠地增 強飛線（導體圖案12)的位于基底側開口部18的端緣部的部分。
[0108] 接下來，說明帶電路的懸掛基板1的第2實施方式和第3實施方式。此外，在第2 實施方式和第3實施方式中，對于與上述各部分相對應的構件，標注相同的附圖標記而省 略其詳細的說明。
[0109] 在上述第1實施方式中，各突出部16形成為自基板側開口部15的左右方向端緣 朝向基板側開口部15的內側突出的仰視大致圓弧形狀，但突出部16的形狀并不受特別限 定。
[0110] 例如，在本發(fā)明的第2實施方式中，突出部16如圖5A所示那樣形成為自基板側開 口部15的左右方向兩端緣分別朝向基板側開口部15的內側突出的仰視大致三角形狀，在 本發(fā)明的第3實施方式中，突出部16如圖5B所示那樣形成為自基板側開口部15的左右方 向兩端緣分別朝向基板側開口部15的內側突出的仰視大致矩形形狀。
[0111] 采用上述第2實施方式和第3實施方式，也能夠發(fā)揮與上述第1實施方式相同的 作用效果。
[0112] 接下來，說明帶電路的懸掛基板1的第4實施方式。此外，第4實施方式中，對于 與上述各部分相對應的構件，標注相同的附圖標記而省略其詳細的說明。
[0113] 在上述第1實施方式中，如圖41所示，飛線（第1端子部20和第2端子部21)形 成為平坦狀，而在第4實施方式中，如圖7H所示，飛線（第1端子部20和第2端子部21) 形成為臺階狀。
[0114] 詳細而言，在各外部側端子7上以如下方式形成有臺階部32 :各外部側端子7的 與第1端子部20和第2端子部21相對應的部分、即左右方向大致中央部分比除此以外的 部分（右端部22和左端部23)低一個臺階。由此，在第2端子部21形成有朝向下方凹入 的端子凹部34。
[0115] 另外，在基底絕緣層11中，以與外部側端子7的臺階部32相對應的方式設有延長 部35。延長部35以自基底側開口部18的左右方向兩端緣的各個上半部分起朝向基底側開 口部18的內側地向左右方向內側突出的方式形成。
[0116] 接下來，參照圖6A?圖7H說明作為第4實施方式的帶電路的懸掛基板1的制造 方法。此外，對于與作為第1實施方式的帶電路的懸掛基板1的制造方法（以下，稱作上述 制造方法。）相同的部分，省略其說明。
[0117] 為了制造作為第4實施方式的帶電路的懸掛基板1，如圖6A和圖6B所示，首先，準 備支承基板10 (參照圖6A)，之后，在支承基板10的上表面上形成具有基底凹部33的基底 絕緣層11 (參照圖6B)。
[0118] 為了形成具有基底凹部33的基底絕緣層11，例如，與上述制造方法同樣地，在形 成感光性的基底覆膜之后，隔著未圖示灰度曝光用光掩模對感光性的基底覆膜曝光?；叶?曝光用光掩模為包括遮光部分、光半透過部分以及光全透過部分的規(guī)定圖案，灰度曝光用 光掩模配置為光全透過部分與基底覆膜上的要形成基底絕緣層11的部分相對，光半透過 部分與基底覆膜上的要形成基底凹部33的部分相對，遮光部分與基底覆膜上的不形成基 底絕緣層11的部分相對。之后，對基底覆膜進行顯影和固化，從而形成具有基底凹部33的 基底絕緣層11。
[0119] 另外，也可以是，為了形成具有基底凹部33的基底絕緣層11，例如，將上述合成樹 脂的溶液（清漆）均勻地涂敷在支承基板10的整個上表面上，在將其干燥和固化之后，利 用蝕刻等來形成基底凹部33。
[0120] 接著，如圖6C所示，在具有基底凹部33的基底絕緣層11的上表面上，利用上述公 知的圖案形成法、優(yōu)選利用添加法來形成導體圖案12。
[0121] 由此，在基底絕緣層11的上表面上形成包括多個磁頭側端子6、多個外部側端子7 以及多條配線8在內的導體圖案12(參照圖1)，在各外部側端子7上形成有臺階部32。
[0122] 接著，如圖7E和圖7F所示，將具有覆蓋側開口部27和磁頭側端子暴露口（未圖 示）的覆蓋絕緣層13與上述制造方法同樣地形成于基底絕緣層11的上表面。這樣一來， 使第2端子部21的端子凹部34經(jīng)由覆蓋絕緣層13的覆蓋側開口部27而自上側暴露。
[0123] 接著，如圖7G所示，利用例如上述蝕刻法、優(yōu)選利用濕蝕刻將支承基板10的局部 去除，從而在支承基板10上形成基板側開口部15和多個突出部16。
[0124] 接著，如圖7H所示，在基底絕緣層11上形成基底側開口部18。
[0125] 為了基底絕緣層11上形成基底側開口部18,與上述制造方法同樣地配置抗蝕涂 層（未圖示）。然后，利用例如上述蝕刻法、優(yōu)選利用干蝕刻（例如，等離子體蝕刻）將基底 絕緣層11的自抗蝕涂層（未圖示）暴露的部分的下半部分（要形成基底側開口部18的部 分）以殘留有基底絕緣層11的延長部35的方式去除，直到使外部側端子7的第1端子部 20暴露為止。
[0126] 由此，在基底絕緣層11的下半部分上形成有基底側開口部18,并在基底絕緣層11 的上半部分形成有延長部35。另外，延長部35和第1端子部20在左右方向上鄰接，延長部 35的下表面和第1端子部20大致齊平。
[0127] 此外，在第4實施方式中，如圖7H所示，周端部19的右側周端部25和左側周端部 26的左右方向尺寸E和突出部16的左右方向尺寸D形成為大致相同長度。
[0128] 接著，根據(jù)需要，在第1端子部20和第2端子部21的表面上與上述制造方法同樣 地形成未圖示的鍍層。
[0129] 由此，完成第4實施方式的帶電路的懸掛基板1的制造。
[0130] 采用這樣的第4實施方式，也能夠發(fā)揮與上述第1實施方式相同的作用效果。
[0131] 實施例
[0132] 以下，示出實施例和比較例來進一步具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于實 施例。此外，實施例中的尺寸等數(shù)值能夠替換成記載在上述第1實施方式?第3實施方式 中的對應部位的上限值或下限值。
[0133] 實施例1
[0134] 準備了由不銹鋼構成的厚度為18 μ m的沿前后方向延伸的平帶狀的支承基板（參 照圖3A)。
[0135] 接著，在支承基板的上表面上涂敷感光性的聚酰亞胺樹脂前體的溶液（清漆）并 使其干燥，從而形成感光性的基底覆膜，并隔著未圖示的光掩模對感光性的基底覆膜進行 曝光。光掩模的圖案包括遮光部分和光全透過部分，光掩模配置為光全透過部分與基底覆 膜上的要形成基底絕緣層的部分相對，遮光部分與基底覆膜上的不形成基底絕緣層的部分 相對。之后，對曝光后的基底覆膜進行顯影，并對其進行加熱固化，由此，形成了由聚酰亞胺 構成的基底絕緣層（參照圖3B)。此時，基底絕緣層的厚度為10 μ m。
[0136] 接著，利用濺射蒸鍍法將厚度為300A的鉻薄膜形成于基底絕緣層的上表面。接 著，以導體圖案（磁頭側端子、外部側端子以及配線）的翻轉圖案在鉻薄膜上表面上形成抗 鍍層。
[0137] 接著，利用電解鍍銅將厚度為10ym的導體圖案（磁頭側端子、外部側端子以及配 線）形成于鉻薄膜的上表面中的自抗鍍層暴露的部分（參照圖3C)。
[0138] 此外，在實施例1中，如圖2C和表1所示，外部側端子（第1端子部）的前后方向 尺寸A (在表1中稱作尺寸A。）為180 μ m，第1端子部的左右方向尺寸B (在表1中稱作尺 寸B。）為600μηι。另外，多個外部側端子之間的前后方向間隔為500μηι。
[0139] 接著，利用蝕刻去除抗鍍層。接著，利用濕蝕刻將鉻薄膜的自導體圖案（磁頭側端 子、外部側端子以及配線）暴露的部分去除。
[0140] 接著，將感光性的聚酰亞胺樹脂前體的溶液（清漆）涂敷在導體圖案和基底絕緣 層的上表面上而形成感光性的覆膜（參照圖3D)。
[0141] 之后，將光掩模以彼此隔開間隔的方式且與基底覆膜上的要形成覆蓋側開口部的 部分和基底覆膜上的要形成磁頭側端子暴露口（未圖示）的部分分別相對的方式自上側配 置于上述各部分上，并隔著光掩模對覆膜進行曝光（參照圖4Ε)。
[0142] 然后，對覆膜進行顯影，之后對覆膜進行加熱固化，從而在基底絕緣層的上表面上 形成由聚酰亞胺構成的、具有覆蓋側開口部和磁頭側端子暴露口（未圖示）的覆蓋絕緣層 (參照圖4F)。此外，覆蓋絕緣層的厚度為4 μ m。
[0143] 接著，利用濕蝕刻去除支承基板的位于外部連接部中的部分的局部，從而形成支 承基板側開口部和多個突出部（參照圖4G)。
[0144] 此外，各突出部形成為自基板側開口部的左右方向端緣朝向基板側開口部的內側 突出的仰視大致圓弧形狀。
[0145] 另外，在實施例1中，如圖2C和表1所示，各突出部的前后方向尺寸C(在表1中 稱作尺寸C。）為140 μ m，各突出部的左右方向尺寸D (在表1中稱作尺寸D。）為40 μ m。
[0146] 接著，在基底絕緣層的下表面的經(jīng)由基板側開口部暴露的部分形成抗蝕涂層?？?蝕涂層以自下側看包圍基底絕緣層的要形成基底側開口部的部分的方式沿著基板側開口 部和多個突出部的端緣配置。
[0147] 接著，在利用濕蝕刻去除基底絕緣層的自抗蝕涂層暴露的部分（要形成基底側開 口部的部分）之后，去除了抗蝕涂層（參照圖4H)。
[0148] 由此，在基底絕緣層形成有基底側開口部，導體圖案的外部側端子的第1端子部 經(jīng)由基底側開口部而自下側暴露。也就是說，由第1端子部和第2端子部形成了飛線。
[0149] 另外，基底絕緣層上的基底側開口部的周端部經(jīng)由基板側開口部而自下側暴露 (參照圖2B)。
[0150] 此外，在實施例1中，如圖2C和表1所不，基底側開口部的周端部的右側周端部和 左側周端部的各自的左右方向尺寸E (在表1中稱作尺寸E。）為100 μ m。
[0151] 接著，利用電解鍍鎳和電解鍍金將厚度0. 35 μ m的鍍鎳層和厚度2. 5 μ m的鍍金層 依次形成于第1端子部和第2端子部的表面、以及外部側端子的與第1端子部和第2端子 部的表面相連續(xù)的兩側面（參照圖41)。
[0152] 由此，制得帶電路的懸掛基板（參照圖41)。
[0153] 實施例2
[0154] 在上述各工序中，如表1所示，除了使各突出部的前后方向尺寸C形成為40 μ m這 點和使各突出部的左右方向尺寸D形成為10 μ m這點以外，以與實施例1相同的方法制得 帶電路的懸掛基板（參照圖2C和圖41)。
[0155] 實施例3
[0156] 在上述各工序中，如表1所示，除了使外部側端子（第1端子部）的前后方向尺寸 A形成為240 μ m這點、使第1端子部的左右方向尺寸B形成為480 μ m這點以及使各突出部 的左右方向尺寸D形成為60 μ m這點以外，以與實施例1相同的方法制得帶電路的懸掛基 板（參照圖2C和圖41)。
[0157] 實施例4
[0158] 在上述各工序中，如表1所示，除了使外部側端子（第1端子部）的前后方向尺寸 A形成為240 μ m這點、使第1端子部的左右方向尺寸B形成為480 μ m這點、使各突出部的 前后方向尺寸C形成為150 μ m這點、以及使各突出部的左右方向尺寸D形成為10 μ m這點 以外，以與實施例1相同的方法制得帶電路的懸掛基板（參照圖2C和圖41)。
[0159] 實施例5
[0160] 在上述各工序中，除了使各突出部形成為分別自基板側開口部的左右方向兩端緣 朝向基板側開口部的內側突出的仰視大致三角形狀這點、以及如表1所示那樣使各突出部 的前后方向尺寸C形成為150 μ m這點和使各突出部的左右方向尺寸D形成為45 μ m這點 以外，以與實施例1相同的方法制得帶電路的懸掛基板（參照圖5A)。
[0161] 實施例6
[0162] 在上述各工序中，除了使各突出部形成為分別自基板側開口部的左右方向兩端緣 朝向基板側開口部的內側突出的仰視大致矩形形狀這點、以及如表1所示那樣使各突出部 的前后方向尺寸C形成為40 μ m這點和使各突出部的左右方向尺寸D形成為40 μ m這點以 夕卜，以與實施例1相同的方法制得帶電路的懸掛基板（參照圖5B)。
[0163] 比較例1
[0164] 在上述各工序中，除了沒有形成多個突出部這點以外，以與實施例1相同的方法 制得帶電路的懸掛基板。
[0165] 比較例2
[0166] 在上述各工序中，除了沒有形成多個突出部這點、使外部側端子的前后方向尺寸A 形成為240 μ m這點以及使第1端子部的左右方向尺寸B形成為480 μ m這點以外，以與實 施例1相同的方法制得帶電路的懸掛基板。
[0167] ML
[0168] 在將由實施例1?實施例6、比較例1和比較例2制得的帶電路的懸掛基板的支 承基板固定了的狀態(tài)下自與支承基板垂直的方向對支承基板的整個下表面施加恒定的壓 力（0.5MPa)，并目視確認了飛線（第1端子部和第2端子部）的變形。將其結果表示在表 1中。
[0169] 此外，將看到飛線（第1端子部和第2端子部）產(chǎn)生變形的情況評價為X，將沒 有看到飛線（第1端子部和第2端子部）產(chǎn)生變形的情況評價為〇。將其結果表示在表1 中。
[0170] 表 1
[0171]

【權利要求】
1. 一種配線電路基板，其特征在于， 該配線電路基板包括： 金屬支承層； 第1絕緣層，其形成于上述金屬支承層的厚度方向的一側的表面； 導體圖案，其形成于上述第1絕緣層的上述厚度方向的一側的表面；以及 第2絕緣層，其形成于上述導體圖案的上述厚度方向的一側的表面， 上述第1絕緣層具有第1開口部，該第1開口部使上述導體圖案的上述厚度方向的另 一側的表面自上述第1絕緣層暴露， 上述第2絕緣層具有第2開口部，該第2開口部配置為：使上述導體圖案的上述厚度方 向的一側的表面自上述第2絕緣層暴露，并且，在沿上述厚度方向進行投影時該第2開口部 的至少一部分與上述第1開口部重疊， 上述導體圖案的上述厚度方向的另一側的表面的經(jīng)由上述第1開口部暴露的部分構 成為第1端子部，上述導體圖案的上述厚度方向的一側的表面的經(jīng)由上述第2開口部暴露 的部分構成為第2端子部， 上述金屬支承層包括第3開口部和增強部，該第3開口部使上述第1端子部和上述第1 絕緣層的覆蓋與上述第1端子部相連續(xù)的上述導體圖案的覆蓋部分暴露，該增強部配置于 上述覆蓋部分的上述厚度方向的另一側的表面并以自上述金屬支承層連續(xù)的方式設置。
2. 根據(jù)權利要求1所述的配線電路基板，其特征在于， 上述增強部是自上述第3開口部的端緣朝向上述第3開口部的內側突出的突出部。
【文檔編號】H05K1/11GK104219872SQ201410230995
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年5月28日 優(yōu)先權日:2013年5月28日
【發(fā)明者】一之瀨幸史, 石井淳, 藤村仁人 申請人:日東電工株式會社